JPH079946U - 上層クラッド付き光ファイバ母材の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ファイバ母材ロッドのコアに対して上層ク
ラッドをほぼ同心に設けた上層クラッド付光ファイバ母
材を製造する装置を提供する。 【構成】 本製造装置は、第１支持手段と第２支持手段
とにより母材ロッド２２の高さ方向の大部分を管３０内
に支持し、管３０の内径は母材ロッド２２の外径よりも
大きくこれらの間に所定の間隙を与え、母材ロッド２２
を内部に入れた管３０を漸次、制御された加熱領域に加
熱手段６０により導入し、管の外側と内側との間に圧力
勾配をつくりこれを維持する手段７０によって、管の外
側が内側よりも高い圧力を有するように構成されてい
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案はガラス管をガラスロッド上に押しつぶして光ファイバの母材ロッドを 作る方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来技術】

光ファイバの需要が多いのでＭＣＶＤ（改良型科学的気相堆積）工程の生産性 増大への努力が促されている。しかし、ＭＣＶＤ工程の処理速度はサブストレー ト管の壁厚によって制限される。最適な光学的および幾何学的特性を有した光フ ァイバを得るには、光ファイバ母材は特定の制限値を有したコア対クラッドの質 量比を待たなければならない。大径の母材を得るためにサブストレート管の質量 を増やすにはサブストレート管の壁厚を大きくすると、反応物質を含んだガスに 対する熱伝導率が減少してガラス粒子の各層の堆積に要する時間が長くなる。も し、サブストレート管の壁厚が大きすぎると、熱伝導率が不充分となり気泡の形 成や不完全締結をもたらす。

【０００３】 ＭＣＶＤ工程の生産性を高める１つの方法は、まず、所望のコア対クラッド質 量比以上の質量比を有した下層クラッド母材をつくることであり、この母材は上 層クラッド管と称されるガラス管に挿入され母材上に押しつぶされる、これはロ ッド／管技術と称されている。母材のコアのまわりに追加される上層クラッドに よる偏心を最小にすることが望ましい。

【０００４】 上層クラッドの管に母材を挿入するには従来手動で行なっていた。現在の性能 テストのレベルでは、母材が管の内表面に接触していても有害であるとは考えら れていなかった。しかし、上層クラッドの管と下層クラッドの母材との間の径方 向の不一致は最小とするべきであり、さもなくば線引されて得られた光ファイバ のコアは偏心しすぎたものとなり、光ファイバ間のスプライス特性が悪いものと なる。ガラスロッドをガラス管内に挿入する方法および装置としては、さらに巧 妙なものが知られている。

【０００５】 １９８５年３月１９日付けのエッチ・マツムラ等による米国特許第４，５０５ ，７２９号は光ファイバ母材の製造方法を開示しており、この工程は前述のロッ ド／管技術の変形である。マツムラ等の方法ではドープされたガラス粒子層が石 英サブストレート管の内表面に堆積される。ロッドが同軸的に挿入されたサブス トレート管は、管内圧が減少してつぶされ母材をつくりこの母材のクラッドある いはジャケットは断面が楕円である。

【０００６】

【考案が解決すべき課題】

従来技術にとって必要なもの及び従来技術に備わってないと考えられるものは 、光ファイバの強度及びコアの同心性を落とすことなく、母材ロッドに上層クラ ッドを迅速に形成する方法および装置である。ガラス母材ロッドを前以て挿入し たガラス管をロッド上に押しつぶす方法および装置において、要望される方法お よび装置は、ほぼ同心の層を有しロッドと管との間にエアポケットを有さない母 材をもたらすものである。望ましくは、このような要望される方法および装置は 、現存する工場設備の能力を増大させるものである。光ファイバの生産能力をあ げると、それ以上に歩留まりが減少するので、ロッド／管製造技術の要望される 押しつぶし工程によって歩留まりを減少させないよう注意する必要がある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

前述の問題点は、上層クラッド付きの母材を製造する本考案の装置によって解 決される。まず、所定の光学的および幾何学的特性を有し、ほぼ真っすぐな母材 ロッドと管とをつくる。母材ロッドを管に対して位置決めした後、これらを相対 的に動かして母材ロッドの大部分を管内に配設する。母材ロッドの外径と母材ロ ッドの外周に配設された管の内径との差は所定値を超えない。管およびその内部 の母材ロッドは、それらの長さ方向各部に対して漸次、制御された加熱領域に導 入される一方、管の外側と内側とに圧力勾配をつくって外側の圧力を内側よりも 高くしている。

【０００８】 好ましい実施例においては、管の内側の圧力は周囲圧力よりも低くされる。そ して、管の内側の圧力は約０．１５〜０．２大気圧であり、周囲圧力は大気圧で ある。

【０００９】

【実施例】

図１を参照するに、全体として符号２０で示され、母材ロッド２２と上層クラ ッド２４とより成る母材（図２参照）をつくる装置が示されている。母材ロッド ２２は各々所定の光学的および幾何学的特性を有したコアと下層クラッドとを含 むロッドである。母材ロッド２２は、例えば改良型気相堆積（ＭＣＶＤ）と称さ れる公知の工程によって製造できる。ＭＣＶＤ工程は前述の従来技術の米国特許 第４，２１７，０２７号に開示されており、ここで参照のために言及しておく。

【００１０】 生産効率を上げるために母材ロッド２２に対して上層クラッド２４がつくられ る。これには、所定の光学的および幾何学的特性を有したガラスより成る管３０ （図１、図３、図４）をつくり、この管３０内に母材ロッド２２を配設し、管を ロッド（図２参照）上に押しつぶしている。押しつぶされた管とコアとの同心性 を確実にするために、管３０とこの内部に挿入されたロッドとはほぼ真っすぐで なければならない。

【００１１】 図１からわかるように、管３０はその長さ方向の軸３１を垂直にして配設され る。また、管３０は、垂直旋盤枠３７の下腕３５に支持されたホルダ３３に取付 けられたジンバル型チャック３２に取付けられているので、管３０はヒンジ結合 されてその底部でどのような方向に対しても旋動することができる。好ましくは 、下方のチャック３２は管３０の外表面に対してシールをも与えている。母材ロ ッド２２は、上方のチャック４１から懸垂されて管と位置決めされる。上方のチ ャック４１は旋盤枠３７に対して片持ち梁支持された上腕４３によって支持され る。この後、下腕３５と上腕４３とを相対的に動かし、従って、管と母材ロドと を相対的に動かして母材ロッドの長さ方向の大部分を管内に配設する。

【００１２】 母材ロッド２２に対する管３０の同心性を保つために以下の工程がとられる。 母材ロッド２２はほぼ真っすぐでなければならない。さらに、母材ロッド２２の 外表面と管３０の内表面との間隙４４（図４参照）がすべての位置において制御 される。このことは、管３０と母材ロッド２２とを以下のように選定することに よって行なえる。すなわち、外層クラッド管３０の内径と母材ロッド外径との差 は、管とロッドとの間の間隙が所定値より大きくならないように選定される。ロ ッド外径が１７．５ｍｍであって管内径が１９ｍｍであると所定値は１．５ｍｍ である。当然ロッドは管内に同心的に配設されるので（図４参照）、約０．７５ ｍｍ以下である均一な間隙４４を好適に与えている。

【００１３】 母材ロッド２２を管３０に対してその中心に最初に設定できると好ましいので あるが、ロッド挿入時にこのことがいつも達成されるものではない。押しつぶし 工程の前で、時にはロッドが管に触っていたり、管に対して同心でないことがあ る（図５参照）。押しつぶし工程前に、このような接触や非同心状態があると、 その結果得られる外層クラッド付き母材は、ＭＣＶＤ工程でつくられた母材ロッ ドの中心よりずれた中心を有する。母材ロッド２２のコアの中心と母材ロッドと 外層クラッド管３０との合成体の中心との距離を偏心と称する。

【００１４】 押しつぶし工程前における管３０内の母材ロッドの偏心を減少させるためには 、従って管に対してオフセットを与える。このオフセットの動きは、管の底部を ジンバル型チャックに結合してあらゆる方向に旋動できるようにすることによっ て容易に行なえる。

【００１５】 押しつぶし工程を始める前に、母材ロッド２２の垂直方向位置を管３０に対し て調節する。最初に中心決めカラー５１を管３０の上端に取付ける（図６参照） 。中心決めカラー５１内には、例えば弾性材の環５３を設ける。弾性材は母材ロ ッド２２と管３０とに係合して、ロッドをカラーの位置において、管３０の中心 に位置決めする。次に、リング状トーチ６０を母材ロッドの自由端６２（図６参 照）の下約１０ｃｍの位置に設置する。リング状トーチは、１９８４年１０月１ ６日付けのジェー・アール・ニス（Ｊ．Ｒ．Ｎｉｓ）およびシー・ディー・スペ インアワー（Ｃ．Ｄ．Ｓｐａｉｎｈｏｕｒ）による米国特許第４，４７７，２４ ４号に示されたトーチと同様の構造を有し、この米国特許をここに参照として言 及しておく。例えば、オキシ水素トーチであるこのトーチ６０は管３０の全周を 取り囲む。もちろん、管３０の一部しか取り囲まないトーチも使用することがで きる。管３０とロッド２２をそれらの長さ方向軸のまわりに回転すると、トーチ ６０は管３０を充分に加熱して管３０を再位置決めするとともにトーチの設置位 置でオフセット６３（図７参照）を形成し、そして管３０が母材ロッド２２の中 心に位置決めされる。実際では、管３０は、特定の位置で加熱することによって 、また、母材ロッド２２に対して再位置決めすることによって、その応力が軽減 される。

【００１６】 オフセット６３の効果は母材ロッド２２の大部分を管３０に対してほぼ同心に 位置決めすることである。このオフセットによって、母材ロッド２２の先端が管 ３０の壁と接触する可能性を大幅に減少させている。

【００１７】 オフセット６３の形成後、中心決めカラーを取り除いてリング状トーチ６０を 管３０の基部から上端６５へ上昇させる（図１参照）。トーチ６０は管３０の上 端６５あるいはその近くで所定の時間滞まり、その部分で管を母材ロッド２２に シールする。

【００１８】 トーチ６０が管３０の上端あるいはその近くで所定の時間滞まることを開始す ると、下腕３５とホルダ３３に延びて管の下端に結合された装置７０（図１参照 ）の導管７２を介して、管の外側よりも低い圧力を管内に発生するよう制御され る。その結果、管３０の上端部と母材ロッド２２との間のシールがこの管内減圧 によって達成される。好ましい実施例においては、管の内側の圧力は例えば約０ ．１５から０．２気圧の範囲である。ジンバル型チャック３２は好ましくは真空 カプラとして作用し、管３０に対する空密シールによって管とロッド２２との間 の真空を維持できる。

【００１９】 所定の滞留時間の後、トーチは管の長さ方向を下方に移動される。トーチ６０ が管３０の長さ方向を下方に移動され、管をその長方向の各部に対して漸次加熱 領域に導入される間維持される真空状態によって、管３０は比較的早い速度で母 材ロッド２２（図８参照）上に押しつぶされた図２に示す上層クラッド付き母材 を形成する。加熱領域はあまり高い温度を避けるように制御される。低い温度を 使用することによって、径方向温度勾配が管の長さ方向の各部に対して確立され る。このことによって、管３０が加熱領域での管のスティフネスの故に母材ロッ ド２２に対して位置決めを維持される。

【００２０】 トーチ６０が管３０の長さ方向に移動する際、管と母材ロッド２２は回転させ られる。これは管３０とロッド２２の加熱が一般的に対称でないから行われる。 また、管３０とその内部のロッド２２はトーチ６０の加熱領域においてあるいは 正確に中心の位置決めがなされていない場合がある。この場合に得られるロッド および管からなる製品はよりゆるやかな回転速度によって改善されることが見出 された。速度が速くなると、遠心力効果が増大して偏心に悪影響を及ぼす。好ま しい実施例においては回転速度は１０ｒｐｍである。

【００２１】 本考案の好ましい実施例においては、管３０の内側の圧力は外側の圧力より低 くされていることに注目されたい。好ましい実施例によれば、管３０を真空カプ ラチャック３２を介して真空装置７０に結合することによって減圧している。し かし、同一効果を得るのには、管３０の外側の圧力を内側の圧力よりも高くする こともできる。重要なことは、管３０の外側と内側とに圧力勾配をつけて、外側 の圧力を内側の圧力よりも高くすることである。

【００２２】 本考案の装置によれば、管３０が母材ロッド２２に押しつぶされる速度が速く なり、約７cm／min の押しつぶし速度が得られた。従来と比較すると、水平旋盤 構成を用いＭＣＶＤ工程で母材をつくるのに用いる以外は、圧力勾配を用いない 場合、約１cm／min の押しつぶし速度である。周知のように従来の工程では、管 の内側の圧力を大気圧よりも少し高くして母材管の押しつぶしを行っている。

【００２３】 上述の圧力勾配は、管をロッド上に押しつぶす速度を早めるのに役立つ。しか し、最終母材が楕円形となるのを避け、かつ最終母材の上層クラッドが母材ロッ ドのコアと同心となるようにするために、さらに工程をつけ加える。追加の工程 は、管とロッドとの間隙の制御工程、加熱領域の制御工程および管３０と挿入さ れたロッドとの初期同心性の制御工程を含む、加熱領域の幅とその温度ならびに 勾配特性を制御し、かつ、管３０と母材ロッド２２との間隙ならびに初期同心性 を制御することによって、最終母材が楕円形となることなく管の押しつぶしを早 めるのに真空状態を用いることができる。

【００２４】 従来技術に開示されたところから予期される結果に反して、本考案の方法およ び装置を使用すると、最終の上層クラッド付き母材の品質は良好である。従来技 術によれば、押しつぶしの際に圧力が必要であるが、真空状態を利用すると、母 材の一部が楕円形となると思われている。たとえば、偏光光ファイバをつくるた めには、光ファイバ母材管をつくった後に、管の内側を真空状態にして押しつぶ す。真空状態によって管がより一層楕円形となるので、押しつぶしの後の光ファ イバは、押しつぶし工程の初期の管よりもより楕円形となる。非零楕円性は一般 に押しつぶし工程の初期に管の内側の真空状態によってつくられる。押しつぶし 工程で初期圧力を加え、管の径が小さくなるに従ってこの圧力は増大するので、 管がさらに押しつぶされていく間所与の楕円性を維持している。

【００２５】 管に比較してロッドが小さいときには、管をつぶすことは比較的簡単であると いうことが見出された。従来技術はこの原理に従って上層クラッド管の最終形状 の楕円性を達成している。しかし、ロッドの大きさが管の内径に近づくと、管を つぶすのに充分な余裕がない。本考案の方法および装置においては、管３０の内 壁と母材ロッド２２の外表面との間隙が制御され、この間隙は充分に小さいので 楕円性を最小にしている。

【００２６】 さらに、従来技術によれば、押しつぶしの際、正の内圧の助けをかりて円形性 を保持している。１９７９年５月１５日付のダブル・ヂー・フレンチ（Ｗ．Ｇ． Ｆｒｅｎｃｈ）およびダブル・タスカ（Ｗ．Ｔａｓｋｅｒ）による米国特許第４ ，１５４，５９１号を参照されたい。しかし、大気圧より少し高い圧力を例えば ＭＣＶＤ工程での母材押しつぶしの際に用いると、上層クラッド管を満足に与え られないことが見出された。ＭＣＶＤ工程で正の圧力を用いた押しつぶしは非対 称となり空気のボイドを形成することが見出された。対照的に、本考案の方法お よび装置を用いると、母材ロッドと管との間にボイドが形成されないことが見出 された。

【００２７】 最終母材製品の偏心を最小にするよう注意することは明かである。旋盤でこれ を行なうと、これが垂直であっても、熱の大部分は管３０に与えられ、管のみが 変形する。もし管３０が偏心していると、管はまず一点でロッド表面が接触しロ ッドに固着する材料が動かなくなる。初めに固着した一点での管の壁厚は固定さ れたものとなる。管３０の残りの部分はさらに押しつぶされていくに従って管の 壁厚は大きくなる。従って、管が母材ロッドに最後に接触する部分の上層クラッ ド付き母材は最大の壁厚を有し、最初に母材ロッドに接触する部分は最小の壁厚 を有する。これら二つの位置は一般に径方向に逆の位置にあり、望ましくない偏 心となる。

【００２８】 最終ロッドとの管の断面形状を得るために真空引きを用いたある種の従来技術 とちがって、本考案の装置は、ロッドと管の同心性を維持しつつ比較的速い管の 押しつぶしを行なう。たとえば、本考案の方法および装置によってつくられた上 層クラッド付き母材ロッドから線引きされた光ファイバの偏心は１ミクロン以下 であることが見出された。

【００２９】 加熱領域は温度勾配が比較的急峻になるように制御される。良く知られている ように、加熱領域とは、温度が使用するガラスの溶融点である１６００℃になる 場所からこの温度以下に下がる場所までの領域である。図１の垂直旋盤構成に用 いたトーチでは、温度が１６００℃からその最大値に上昇する距離は比較的短く 、代表的には約１０ｍｍである。加熱領域が比較的狭くかつ急峻になるように制 御することによって問題が解決される。

【００３０】 さらに、押しつぶしの結果、管３０のほぼ全表面が母材ロッドにつくようにこ の加熱領域を制御している。このことによって光ファイバの強度を下げる管とロ ッドとの間のボイドの形成を避けるのに役立つ。また、初めに管とロッドとの位 置合わせを行ない、加熱領域の幅を不安定性が生じる程広くしていないので、押 しつぶされた管はロッドと同心である。

【００３１】 図１に示した構成の変形も使用可能である。たとえば、管３０の代わりにロッ ド２２をチャック３２に取付け、ロッドの代わりに管３０を上部チャック４１に 取付けることもできる。本考案の方法および装置は、母材ロッドと管が線引き炉 （図９参照）に導入される際に管３０を母材ロッド２２に押しつぶすのにも適用 できる。垂直旋盤構成において、管３０は加熱されこの熱エネルギはロッドにさ らに放射される。線引き炉において、熱エネルギが管３０と母材ロッド２２の両 者に直接与えられる。さらに、加熱領域の炉内での最大温度は旋盤での最大温度 よりも高い。従って母材ロッド２２と管３０との両者はより高い温度になり、前 述した旋盤での押しつぶしに比較して、炉内での管３０の母材ロッド２２への押 しつぶしの間より低い粘度とより高い流動性となる。しかし、軸対称の線引き力 が線引きの間母材ロッド２２と管３０との両者に作用する。上層クラッドを付け る線引きの間に、このより高い流動性と母材ロッド２２と管３０とに作用する軸 対称の線引き力との両者が母材ロッドと管とに対して自己中心決め機構を与え、 前述した管３０内の母材ロッド２２の偏心に対して逆に働きかけようとする。

【００３２】 図９からわかるように、把手部８２を備えた母材ロッド２２はチャック８４か ら懸垂される。母材ロッド２２が管３０に入る入口には真空カプラ８６が備えら れ、入口をシールして管の内壁とロッドとの外表面との間の空間を所定の圧力に 維持する。母材ロッド２２と管３０は、例えばジルコン誘導炉である炉８０に導 入される。

【００３３】 母材ロッド２２と管３０とが炉内に導入されると、好ましい実施例では真空装 置（図示せず）が真空カプラ８６を介して管と母材ロッド管の空間に結合される 。炉８０内の管はその長さ方向の各部が漸次母材ロッド２２上に押しつぶされ、 光ファイバ８８が上層クラッド付き母材から線引きされる。管３０とロッド２２ が同時に流体となる炉の線引き部分において、光ファイバの線引き力は管とロッ ドに対する自己中心決め機構を与えるものと考えられる。母材ロッド２２と管３ ０の両者に作用する軸対称な線引きテンションが位置合わせに役立つ。

【００３４】 線引きされた光ファイバ８８の直径は、炉から出た直後に装置９１によって測 定され、この測定値は制御システムの入力となる。制御システムでは、測定値が 所望値と比較されここでの出力信号によって光ファイバの直径が所望値に近づく ように線引き速度を調節している。

【００３５】 光ファイバ８８の直径を測定した後、装置９３によって光ファイバに保護被膜 が付けられる。次に被膜のついた光ファイバ８８は、中心決めゲージ９５、被膜 を処理する装置９６および被膜付きの光ファイバの直径を測定する装置９７を経 た後、ケーブルとして使われる前にキャプスタン９９を介して試験および保管の ために巻枠に巻き取られる。光ファイバの本来的な高強度を維持しておくことは 、光ファイバのリボン工程、ジャケット工程、接続工程およびケーブル工程なら びにサービス寿命の期間において大切である。

【００３６】 管３０を押しつぶすのに線引き炉を用いると、温度が高いのでガラスの粘度が 低い。このため、ガラスが流動することとなるが、軸対称な線引き力によって母 材ロッド２２とこれに対して押しつぶされる管３０を同心的に線引きすることが 容易となる。炉内においては、一般に最大温度への上昇はリングトーチを使用し たときよりも急であるが、加熱領域を通過するロッドの速度は旋盤構成よりも遅 い。管の押しつぶしが時間と温度に依存し炉の温度はある程度固定されているの で、加熱領域は炉３０に沿ったその長さを制御することによって制御される。温 度勾配は管がロッド状に押しつぶされる領域において比較的急峻である。

【００３７】 図１０に示す他の実施例の構成において、光ファイバを線引きする際に管が母 材ロッドに押しつぶされる。母材ロッド１００は例えばＭＣＶＤ工程でつくられ る。母材ロッドの外径よりも少し大きな内径と把手部分１０２とを有する管１０ ４は、母材ロッドのまわりに配設される。管１０４は端部１０８でロッドにシー ルされる。次に、管の他の部分は管の内周縁の複数の場所１１０でロッドに止め られる。把手部分１０２の端部には開口１１１が形成され、真空装置が支持チャ ック１１２を介して結合されているので、光ファイバの線引きの間管内の圧力を 制御できる。ロッドと管を上部チャックで支持するのに母材ロッドのいずれの部 分をも使用していないので、この構成は比較的高価な母材ロッドを最大限使用で きる。

【００３８】 管を内部にシールした母材ロッドを炉１１３の上方に懸垂するために管の把手 部分１０２が支持される。次に図９に示す実施例のように、母材ロッドと管は炉 内に進められ炉からの光ファイバ１１４の線引きを容易にする。管１０４の長さ が短くなるに従って、管内の圧力は外側との圧力の勾配を制御された範囲内に維 持するよう調節される。

【００３９】 ガラスの粘度を制御する加熱領域の温度と幅、母材ロッドと上層クラッド管と の間の間隙の大きさおよび間隙内圧力、ならびに上層クラッド管内の母材ロッド の中心性を最適化することによって、比較的小さな偏心の上層クラッド付き母材 を製造した。これらすべてのパラメータは処理速度と最終光ファイバの形状に影 響し、光ファイバの強度は加熱領域の特性の影響を受ける。これらパラメータを 最適化することによって、現在の市場の光ファイバシステムに要求される仕様を 満足する強度とコア中心性を有した光ファイバを製造する高速の上層クラッド付 け工程が得られる。ここで説明した上層クラッド付け工程は、光ファイバの歩留 まりの低下を避けながら製造能力を格段に向上させる。

【００４０】 以上説明した構成は単に本考案を説明するためのものであることを理解された い。当業者にとっては本考案の原理を実施して本考案の精神および範囲に入る他 の構成を考えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】母材ロッドを管内に挿入して管との位置決めを
行ない、管を母材ロッド上に押しつぶすための装置の斜
視図。

【図２】本考案の方法および装置によってつくられた上
層クラッド付き母材の断面図。

【図３】母材ロッドの直径と管の内径との差を説明のた
めに誇張して示した管内の母材ロッドを示す断面正面
図。

【図４】図３のロッドと管の断面図。

【図５】管内の母材ロッドの位置を示す図。

【図６】管内の母材ロッドの位置を示す図。

【図７】管内の母材ロッドの位置を示す図。

【図８】内部に母材ロッドを配設した管に沿ってトーチ
を移動させて管を母材ロッド上に押しつぶすのを示した
一部断面正面図。

【図９】光ファイバの線引きの間に管を母材ロッド上に
押しつぶしてロッドに上層クラッドを付けるのに使用で
きる他の装置を示す図。

【図１０】光ファイバの線引きの間に管を母材ロッド上
に押しつぶす構成の他の実施例を示す図。

【符号の説明】

２１・・・・・・・・・・・・・・・・光ファイバ母材 ２２・・・・・・・・・・・・・・・・母材ロッド ２４，３０・・・・・・・・・・上層クラッド管 ４２，４１・・・・・・・・・・チャック ６０・・・・・・・・・・・・・・・・トーチ ８０，１１３・・・・・・・・炉

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 アンソニー トーマス デ−アネッサ アメリカ合衆国 30067 ジョージア，マ リエッタ，エス．イー．，フォックス ヒ ルズ ドライヴ 3743 (72)考案者 フランツ トーマス ゲイリング アメリカ合衆国 07960 ニュージャーシ イ，モリスタウン，ポスト ハウス ロー ド（番地なし) (72)考案者 ウィリアム マルコルム フレイガル アメリカ合衆国 30084 ジョージア，タ ッカー，ウィンディ コート 3650 (72)考案者 トーマス ジョン ミラー アメリカ合衆国 08502 ニュージャーシ イ，ベルメド，カムデン ロード 26

Claims (4)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 コアと内層クラッドとを有したほぼ真っ
   すぐな母材ロッドを担持する第１支持手段と、 所定の特性の光学部材より成る管を担持する第２支持手
   段と、前記第１、第２支持手段は母材ロッドの長さ方向
   の大部分を前記管内において担持でき、前記管の内径は
   母材ロッドの外径よりも大きくこれらの間に所定の間隙
   を与え、 前記母材ロッドを内部に配設した管を、その長さ方向各
   部に対して漸次、制御された加熱領域に導入する加熱手
   段と、そして前記管とその内部に対して漸次、加熱領域
   に導入する前記加熱手段と相俟って、前記管の外側が内
   側よりも高い圧力を有するように管の外側と内側との間
   に圧力勾配をつくりこれを維持する手段とより成る、光
   ファイバの母材ロッドに上層クラッドを形成する装置。
2. 【請求項２】 前記管内に入る母材ロッドの先端部の管
   のまわりに配設されて母材ロッドと管とをこの先端部に
   おいて互いに同心に配設する手段をさらに有する請求項
   １記載の装置。
3. 【請求項３】 前記第１、第２支持手段は前記管と母材
   ロッドとをそれらの長さ方向の軸がほぼ垂直になるよう
   に支持する請求項１記載の装置。
4. 【請求項４】 前記第２支持手段は前記管をその下端で
   旋動できる請求項３記載の装置。