JPS62257648A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

光磁気記録媒体の製造方法

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Publication number
JPS62257648A
JPS62257648A JP10012786A JP10012786A JPS62257648A JP S62257648 A JPS62257648 A JP S62257648A JP 10012786 A JP10012786 A JP 10012786A JP 10012786 A JP10012786 A JP 10012786A JP S62257648 A JPS62257648 A JP S62257648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording material
thin film
magneto
optical recording
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10012786A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiji Shono
敬二 庄野
Hiroshi Kano
博司 鹿野
Motonobu Kawarada
河原田 元信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS62257648A publication Critical patent/JPS62257648A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ([要〕 光磁気記録媒体の製造方法の改良である。耐熱性ガラス
板等とビスマス置換ガーネット・コバルトフェライト等
光磁気記録材の薄膜との間に、それらの熱膨張係数の中
間の熱膨張係数を有するガーネットまたはセラミックス
の薄膜を介在させる光磁気記録媒体の製造方法である。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気記録媒体の製造方法の改良に関する。
特に、工程中に光磁気記録材が破損することを防止する
改良に関する。
〔従来の技術〕
ビスマス置換ガーネット・コバルトフェライト等は、フ
ァラデー回転が大きく光磁気読み出しに有効゛であるか
ら、これらの材料を光磁気記録材とする光磁気記録媒体
が知られている。
かへる光磁気記録媒体は、単結晶板状体または耐熱性ガ
ラス板の上に、上記の光磁気記録材の薄膜を形成して製
造していた。耐熱性ガラス板は大面積とすることが容易
であり、価格も廉いので、光磁気記録媒体の材料として
は、単結晶板状体に比べて有利である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来、耐熱性ガラス板上に光磁気記録材の薄膜を形成し
て光磁気記録媒体を製造するには。
バリュウム硼珪酸ガラス、アルミ珪酸ガラス等の上に、
適当な成膜条件でスパッタ等をなしてビスマス置換ガー
ネットの非晶質膜を0.5〜lIL層の厚さに形成し、
 500〜600℃の空気中等で熱処理をなしてビスマ
ス置換ガーネットを結晶化させていた。
ところが上記の耐熱性ガラスの熱膨張係数はビスマス置
換ガーネット等の熱膨張係数より小さく、上記の結晶化
工程特に冷却工程において光?a気記録材の薄膜に引っ
張り力が働き、光磁気記録材の薄層にクラックが発生し
てこれが破損するという欠点がある。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、工程
中に、光磁気記録材の薄層が破損することのない光磁気
記録媒体の製造方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために本発明が採った手段は、耐
熱性透明基板l上に光磁気記録材の薄膜3を形成して光
磁気記録媒体を製造するに先立ち、熱膨張係数が耐熱性
透明基板1のそれと光磁気記録材のそれとの中間の値を
有する透明または半透明誘電体の薄19i2を形成する
ことにある。
〔作用〕
本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法においては、耐
熱性ガラス板と光磁気記録材の薄膜との間に、熱膨張係
数がそれらの中間である層が介在しているので、冷却工
程に発生する引っ張り力が緩和され、光磁気記録材の薄
膜が破損することはない。
〔実施例〕
以下、図面を参照しつ一1本発明の一実施例に係る光磁
気記録媒体の製造方法についてさらに説明する。
第1図参照 バリュウム硼珪酸ガラス(コーニング社7059)、ア
ルミ珪酸ガラス(HOYA社NA40)硼珪酸ガラス(
パイレクス)等の耐熱性ガラス板(厚さ 0.5m1)
1上に、スパッタ法を使用して。
ガドリニウムガリウムガーネット等の光磁気記録材より
結晶化温度の高い非晶質ガーネットやアルミナ系、チタ
ニア系、スピネル系、フォルステライト系、ステアタイ
ト系等の非晶質セラミックスの薄膜2を約0.1pm厚
に形成する。
つCいて、ビスマス置換ガーネットの非晶質膜3を約0
.3p層厚に形成する。
その後、大気中において650℃の温度で熱処理して、
光磁気記録材を結晶化する。
非晶質ガーネットやアルミナ系、チタニア系。
スピネル系、フォルステライト系、ステアタイト系等の
非晶質セラミックスの薄膜は、上記の熱処理工程におい
ては結晶化しない、これらの結晶化温度はビスマス置換
ガーネット等の光磁気記録材の結晶化温度より高いから
である。そこで、上記の熱処理期間中、非晶質ガーネッ
トやアルミナ系、チタニア系、スピネル系、フォルステ
ライト系、ステアタイト系等の非晶質セラミックスの薄
膜は耐熱性ガラスと光磁気記録材との中間の熱膨張係数
を保持して、熱処理の影響を緩和する。
〔発明の効果〕
以上説明せるとおり、本発明に係る光磁気記録媒体は、
その基板たる耐熱性ガラス板と光磁気記録材の薄膜との
間に、光磁気記録材より結晶化温度が高く、熱膨張係数
が耐熱性ガラスと光磁気記録材との中間である比品質材
の薄膜が介在しているので、その製造工程において、光
磁気記録材の薄膜が破損することはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る光磁気記録媒体の製
造方法を実施して製造した光磁気記録媒体の構造図であ
る。 1・・・耐熱性ガラス板。 2・・・耐熱性透明基板の熱膨張係数と光磁気記録材の
熱膨張係数との中間の値の 熱膨張係数を有する誘電体の薄膜、 3・・・光磁気記録材の薄膜。 ?:工″ 本発明 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 [1]耐熱性透明基板(1)上に、光磁気記録材の薄膜
    (3)を形成してなす光磁気記録媒体の製造方法におい
    て、前記光磁気記録材の薄膜(3)の形成に先立ち、熱
    膨張係数が前記耐熱性透明基板(1)のそれと前記光磁
    気記録材のそれとの中間の値を有する透明または半透明
    誘電体の薄膜(2)を形成することを特徴とする光磁気
    記録媒体の製造方法。 [2]前記熱膨張係数が前記耐熱性透明基板(1)のそ
    れと前記光磁気記録材のそれとの中間の値を有する透明
    または半透明誘電体の薄膜(2)は、その結晶化温度が
    前記光磁気記録材のそれより高いガーネットの薄膜また
    はアルミナ系、チタニア系、スピネル系、フォルステラ
    イト系もしくはステアタイト系の非晶質セラミックスの
    薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の光磁気記録媒体の製造方法。
JP10012786A 1986-04-30 1986-04-30 光磁気記録媒体の製造方法 Pending JPS62257648A (ja)

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JPS62257648A true JPS62257648A (ja) 1987-11-10

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5599605A (en) * 1992-04-17 1997-02-04 Fujitsu Limited Magneto-optical recording medium and method for producing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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