JPH0432011B2 - - Google Patents
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- JPH0432011B2 JPH0432011B2 JP175887A JP175887A JPH0432011B2 JP H0432011 B2 JPH0432011 B2 JP H0432011B2 JP 175887 A JP175887 A JP 175887A JP 175887 A JP175887 A JP 175887A JP H0432011 B2 JPH0432011 B2 JP H0432011B2
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- ferrite
- coefficient
- sealing
- thermal expansion
- composition
- Prior art date
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- Expired
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
- C03C8/245—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders containing more than 50% lead oxide, by weight
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はセンダスト薄膜を披着したフエライト
ヘツドの封着に好適な低融点ガラス組成物に関す
る。 （従来の技術） 従来、フエライトをガラスで封着する技術は、
たとえば磁気デイスク装置用磁気ヘツドの製造に
おいて通常採用されている。ところが近時、磁気
記録の高記録密度化、狭トラツク化に伴い磁気ヘ
ツドの形状、寸法は小形化、高精度化される傾向
にある。このため磁気ヘツドとしてスパツタリン
グ法によつてフエライトにセンダスト膜、すなわ
ち、重量比で鉄83％、アルミニウム６％シリコン
11％の組成からなる合金膜を20〜30μｍの膜厚に
被着させた薄膜フエライトヘツドが用いられるよ
うになつてきた。このセンダスト膜は熱膨張係数
（α）が130×10-7／℃と大きいためフエライトの
αもこれに伴なつて120〜130×10-7／℃のものが
用いられる。また、センダスト膜は保持力HCが
大き過ずぎるので低電力化できるように550℃で
熱処理を施こして保持力HCを小とする必要があ
る。 したがつて、上述した薄膜フエライトヘツドを
封着するガラスの組成をセンダスト膜のαに対応
した高膨張率に構成した場合、このガラスはその
軟化点が低下して良好な封着がなされないという
問題点を有している。そのために軟化点を、低下
させることなく、またセンダスト膜のアニール温
度550℃を受けても良好な封着が可能となる組成
物が要望されている。 （発明が解決しようとする問題点） 上述のように通常の封着用ガラスは熱膨張係数
が大きくなると軟化点が下がりセンダスト薄膜を
被着したフエライトヘツドの封着には好ましくな
い問題点を有している。 本発明は上記問題点を除去するためなされたも
ので、センダスト膜の熱膨張係数に近似した熱膨
張係数を有し、しかもセンダスト膜の550℃の熱
処理においても良好な封着がなされ、またフエラ
イトヘツド製作時の加工中において外部からの薬
液による侵蝕に体しても十分耐えられる低融点ガ
ラス組成物を提供することを目的とする。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段と作用） 本発明者はセンダスト膜に近似した熱膨張係数
を有し、しかも軟化温度において400℃以下の低
温度となることなく550℃の熱処理温度において
フエライトヘツドとの良好な濡れ性が得られる次
に示す組成範囲のものを見いだした。 すなわち、重量比でPbO45〜60％、SiO210〜
18％、B2O310〜18％、ZnO5〜10％、Al2O33〜８
％、Na2O5〜13％からなる組成物である。 上記組成において各成分範囲を限定した理由に
ついて述べる。PbOが60％を上回り、あるいは
SiO2が10％を下回ると軟化が低下して封着温度
を下げるとともに熱膨張係数が増大し、耐久性が
悪化する。また、PbOが45％を下回り、あるいは
SiO2が18％を上回ると熱膨張係数が小さくなる
と同時に550℃での封着が困難となる。B2O3およ
びZnOは熱膨張係数を抑制する方向に作用し、
Na2Oは熱膨張係数を増加させる方向に大きく作
用させるとともにNa2Oは耐久性をも悪化させる
ので上記範囲外にあることは好ましくない。
Al2O3は耐久性の向上に効果を有するが、８％を
上回ると濡れ性を悪くする。 （実施例） 以下、本発明の詳細を表に示す第１ないし第４
の実施例について述べる。各原料は表に示す組成
ガラスとなるようにそれぞれ調整し、白金るつぼ
にて1300℃〜1400℃に加熱して溶融した。そして
実装の試料を作成して熱膨張係数の測定と、550
℃でフエライトに溶着してフエライトとの濡れ性
およびフエライトヘツド作成途中における洗浄、
研削液への浸漬等による耐久性とについて調べ
た。すなわち濡れ性についてはアルゴンガス等の
不活性雰囲気中でフエライト上に試料を置き550
℃を１時間保持したのち、フエライト表面への接
触角を測定した結果、全面に一様な状態で溶着
し、良好な封着を行なうことができた。また耐久
性については使用上問題となる浸蝕は全く見られ
ず極めて良好であつた。
ヘツドの封着に好適な低融点ガラス組成物に関す
る。 （従来の技術） 従来、フエライトをガラスで封着する技術は、
たとえば磁気デイスク装置用磁気ヘツドの製造に
おいて通常採用されている。ところが近時、磁気
記録の高記録密度化、狭トラツク化に伴い磁気ヘ
ツドの形状、寸法は小形化、高精度化される傾向
にある。このため磁気ヘツドとしてスパツタリン
グ法によつてフエライトにセンダスト膜、すなわ
ち、重量比で鉄83％、アルミニウム６％シリコン
11％の組成からなる合金膜を20〜30μｍの膜厚に
被着させた薄膜フエライトヘツドが用いられるよ
うになつてきた。このセンダスト膜は熱膨張係数
（α）が130×10-7／℃と大きいためフエライトの
αもこれに伴なつて120〜130×10-7／℃のものが
用いられる。また、センダスト膜は保持力HCが
大き過ずぎるので低電力化できるように550℃で
熱処理を施こして保持力HCを小とする必要があ
る。 したがつて、上述した薄膜フエライトヘツドを
封着するガラスの組成をセンダスト膜のαに対応
した高膨張率に構成した場合、このガラスはその
軟化点が低下して良好な封着がなされないという
問題点を有している。そのために軟化点を、低下
させることなく、またセンダスト膜のアニール温
度550℃を受けても良好な封着が可能となる組成
物が要望されている。 （発明が解決しようとする問題点） 上述のように通常の封着用ガラスは熱膨張係数
が大きくなると軟化点が下がりセンダスト薄膜を
被着したフエライトヘツドの封着には好ましくな
い問題点を有している。 本発明は上記問題点を除去するためなされたも
ので、センダスト膜の熱膨張係数に近似した熱膨
張係数を有し、しかもセンダスト膜の550℃の熱
処理においても良好な封着がなされ、またフエラ
イトヘツド製作時の加工中において外部からの薬
液による侵蝕に体しても十分耐えられる低融点ガ
ラス組成物を提供することを目的とする。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段と作用） 本発明者はセンダスト膜に近似した熱膨張係数
を有し、しかも軟化温度において400℃以下の低
温度となることなく550℃の熱処理温度において
フエライトヘツドとの良好な濡れ性が得られる次
に示す組成範囲のものを見いだした。 すなわち、重量比でPbO45〜60％、SiO210〜
18％、B2O310〜18％、ZnO5〜10％、Al2O33〜８
％、Na2O5〜13％からなる組成物である。 上記組成において各成分範囲を限定した理由に
ついて述べる。PbOが60％を上回り、あるいは
SiO2が10％を下回ると軟化が低下して封着温度
を下げるとともに熱膨張係数が増大し、耐久性が
悪化する。また、PbOが45％を下回り、あるいは
SiO2が18％を上回ると熱膨張係数が小さくなる
と同時に550℃での封着が困難となる。B2O3およ
びZnOは熱膨張係数を抑制する方向に作用し、
Na2Oは熱膨張係数を増加させる方向に大きく作
用させるとともにNa2Oは耐久性をも悪化させる
ので上記範囲外にあることは好ましくない。
Al2O3は耐久性の向上に効果を有するが、８％を
上回ると濡れ性を悪くする。 （実施例） 以下、本発明の詳細を表に示す第１ないし第４
の実施例について述べる。各原料は表に示す組成
ガラスとなるようにそれぞれ調整し、白金るつぼ
にて1300℃〜1400℃に加熱して溶融した。そして
実装の試料を作成して熱膨張係数の測定と、550
℃でフエライトに溶着してフエライトとの濡れ性
およびフエライトヘツド作成途中における洗浄、
研削液への浸漬等による耐久性とについて調べ
た。すなわち濡れ性についてはアルゴンガス等の
不活性雰囲気中でフエライト上に試料を置き550
℃を１時間保持したのち、フエライト表面への接
触角を測定した結果、全面に一様な状態で溶着
し、良好な封着を行なうことができた。また耐久
性については使用上問題となる浸蝕は全く見られ
ず極めて良好であつた。
本発明は以上述べた組成からなる低融点ガラス
組成物であるから、センダスト薄膜を被着したフ
エライトヘツドと熱膨張係数を合わせることがで
きるので封着後のクラツクの発生がないことはも
ち論、軟化温度においてもセンダスト膜のアニー
ル温度である550℃によく適合して濡れ性にすぐ
れた良好な封着を可能とし、また耐久性において
も溶剤や薬液等の侵蝕を受けるおそれのない格別
な利点を有する。
組成物であるから、センダスト薄膜を被着したフ
エライトヘツドと熱膨張係数を合わせることがで
きるので封着後のクラツクの発生がないことはも
ち論、軟化温度においてもセンダスト膜のアニー
ル温度である550℃によく適合して濡れ性にすぐ
れた良好な封着を可能とし、また耐久性において
も溶剤や薬液等の侵蝕を受けるおそれのない格別
な利点を有する。
Claims (1)
- １ 重量百分率で、PbO45〜60％、SiO210〜18
％、B2O310〜18％、ZnO5〜10％、Al2O33〜８
％、Na2O5〜13％からなることを特徴とするフ
エライト封着用低融点ガラス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP175887A JPS63170240A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 低融点ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP175887A JPS63170240A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 低融点ガラス組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170240A JPS63170240A (ja) | 1988-07-14 |
| JPH0432011B2 true JPH0432011B2 (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=11510476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP175887A Granted JPS63170240A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 低融点ガラス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63170240A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2573013B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1997-01-16 | 三洋電機株式会社 | 複合型磁気ヘッドのコア接合用ガラス |
| DE69007180T2 (de) * | 1989-06-19 | 1994-09-22 | Ibm | Verschlussglas mit geringem Verschleiss für Magnetbandköpfe. |
| US5245492A (en) * | 1989-11-28 | 1993-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| US5224001A (en) * | 1989-11-29 | 1993-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| US6150027A (en) | 1995-06-16 | 2000-11-21 | Hitachi, Ltd | Glass composition, structure, and apparatus using the same |
-
1987
- 1987-01-09 JP JP175887A patent/JPS63170240A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63170240A (ja) | 1988-07-14 |
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