JPS622574A - ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ太陽電池の製造方法Info
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- JPS622574A JPS622574A JP60142302A JP14230285A JPS622574A JP S622574 A JPS622574 A JP S622574A JP 60142302 A JP60142302 A JP 60142302A JP 14230285 A JP14230285 A JP 14230285A JP S622574 A JPS622574 A JP S622574A
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- epitaxial growth
- insulating film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
ＧａＡｓ太陽電太陽電池−クリーンルギ源として民生用
９機器用製品ｌこ広（利用されつつある。この発明汀こ
の（）ａＡｓ太陽電池セル製品の製造方法の改良に関す
るものである。
９機器用製品ｌこ広（利用されつつある。この発明汀こ
の（）ａＡｓ太陽電池セル製品の製造方法の改良に関す
るものである。
ＧａＡｓ＋太１ｉ１電池の製造はＧａＡｓ液相エピタキ
シャル成長工程から始まり、これに用いるＧａＡｓ１基
板ｈｍ々のメーカで製造市販されている。第４図は従来
の太陽電池の製造方法の主要段階における状態を示す断
面図で、ｇｃ４図Ａに示すＧａＡｇ単結晶のｎ形ＧａＡ
ｓ基板（Ｉｌｌ：ｔキャリア濃度約ｘｏｌ Ｂ個／ｃｍ
Ｑ、基板厚さ３００±２０声ｍ片面ミラー仕上げのもの
が一般に使用される。
シャル成長工程から始まり、これに用いるＧａＡｓ１基
板ｈｍ々のメーカで製造市販されている。第４図は従来
の太陽電池の製造方法の主要段階における状態を示す断
面図で、ｇｃ４図Ａに示すＧａＡｇ単結晶のｎ形ＧａＡ
ｓ基板（Ｉｌｌ：ｔキャリア濃度約ｘｏｌ Ｂ個／ｃｍ
Ｑ、基板厚さ３００±２０声ｍ片面ミラー仕上げのもの
が一般に使用される。
エピタキシャル成長前に基板（１１の表面の破砕層及び
汚染不純物を収り除くため硫酸系の基板エツチング液で
数十秒エツチングする。基板（ウエーハ） （ｍｌ ？
純水で１０分程度流し洗いした後イソプロピルアルコー
ルで蒸気洗浄しウニ゛−ハ（１）の表面の水分を完全に
除去する。その後、ウェーハ（１）はキャリアケースに
並ベエビタキシャル成長炉に敗り付けた操作ボックスに
入れ、それを成長用カーボンボートに並べる。このとき
、ｎ ｆｆｆｉ ＧａＡ日基板基板ェーハ）（ｌ）は第
５図に示すように、カーボンボート（図示せず）内の基
板ホルダ（１αの中の溝ａ′Ｄに２枚ずつカーボン板０
擾を間にけさみ込むように入れる。１回の処理役１にけ
約５０枚である。液相エピタキシャル成長に用いるカー
ボンボートを石英反応管内に入ね、管内を充分Ｈ２ガス
で置換した後、Ｈ２ガスを流しながら８００℃の温度に
昇温する。温度が８００℃に安定した後、カーボンボー
トの上段の檀蓼こある成長溶融液をｎ形ＧａＡｓ基板（
ｌｉに接触させ、１℃昇温させる。ｎ形ＧａＡｓ基板（
１）け１部未飽和状態にある成長溶融液にとけこみ、い
わゆるメルトエッチされる。この接触した状態で３０分
程度保ち、その後、１分間に０．２″Ｃ前後の割合で冷
却する。湿度差金２０℃剪後つけ、％１図Ｂに示すよう
な結晶質〔ｎ形高比抵抗ＧＳＬＡ８層＋２１となる〕を
ｎ形ＧａＡｓ基板（１）に析出させる。次に成長溶融液
と析出したｎ形高比抵抗ＧａＡｓ層（２）とを分離し、
カーボンボート、エピタキシャルウェーハを室温程度ま
で冷却する。Ｈ２ガス′ｔ−Ｎ＋ｓガスに置換してから
、石英管内からカーボンボートを取り出し、その中から
エピタキシャルウェーハをとす出す。取り出したエピタ
キシャルウェーハＨ次のエピタキシャル成長のためにエ
ピタキシャル成長前処理を行なう。その際、上述の第１
回目のエピタキシャル成長時に発生する急冷層（異常突
起物） ｆｓ＋ ＊金属Ｇａ （図示せず）のエツチン
グ除去が新たに加わる。金属Ｇａの除去はコツトンによ
る拭き取りと塩酸煮沸が効果的である。しかし、第６図
に示すように形成される前記の急冷層（３１は第２回目
のエピタキシャル成長時、基板ホルダ（！ωにエピタキ
シャルウェーハ（１）が入らなかったり、無理して入れ
ようとすると破損ウェーハが出るといった歩留低下の原
因となっている。また、急冷層（３）け後工程の写真製
版においてもガラスマスクを傷つけやすく、ガラスマス
クの消耗がけげしいといった欠点がある。、第２回目の
エピタキシャル成長前処理は前記の急冷層（３；の除去
作業、金属Ｇａの除去作業以外は第１回目の条件と同様
である。
汚染不純物を収り除くため硫酸系の基板エツチング液で
数十秒エツチングする。基板（ウエーハ） （ｍｌ ？
純水で１０分程度流し洗いした後イソプロピルアルコー
ルで蒸気洗浄しウニ゛−ハ（１）の表面の水分を完全に
除去する。その後、ウェーハ（１）はキャリアケースに
並ベエビタキシャル成長炉に敗り付けた操作ボックスに
入れ、それを成長用カーボンボートに並べる。このとき
、ｎ ｆｆｆｉ ＧａＡ日基板基板ェーハ）（ｌ）は第
５図に示すように、カーボンボート（図示せず）内の基
板ホルダ（１αの中の溝ａ′Ｄに２枚ずつカーボン板０
擾を間にけさみ込むように入れる。１回の処理役１にけ
約５０枚である。液相エピタキシャル成長に用いるカー
ボンボートを石英反応管内に入ね、管内を充分Ｈ２ガス
で置換した後、Ｈ２ガスを流しながら８００℃の温度に
昇温する。温度が８００℃に安定した後、カーボンボー
トの上段の檀蓼こある成長溶融液をｎ形ＧａＡｓ基板（
ｌｉに接触させ、１℃昇温させる。ｎ形ＧａＡｓ基板（
１）け１部未飽和状態にある成長溶融液にとけこみ、い
わゆるメルトエッチされる。この接触した状態で３０分
程度保ち、その後、１分間に０．２″Ｃ前後の割合で冷
却する。湿度差金２０℃剪後つけ、％１図Ｂに示すよう
な結晶質〔ｎ形高比抵抗ＧＳＬＡ８層＋２１となる〕を
ｎ形ＧａＡｓ基板（１）に析出させる。次に成長溶融液
と析出したｎ形高比抵抗ＧａＡｓ層（２）とを分離し、
カーボンボート、エピタキシャルウェーハを室温程度ま
で冷却する。Ｈ２ガス′ｔ−Ｎ＋ｓガスに置換してから
、石英管内からカーボンボートを取り出し、その中から
エピタキシャルウェーハをとす出す。取り出したエピタ
キシャルウェーハＨ次のエピタキシャル成長のためにエ
ピタキシャル成長前処理を行なう。その際、上述の第１
回目のエピタキシャル成長時に発生する急冷層（異常突
起物） ｆｓ＋ ＊金属Ｇａ （図示せず）のエツチン
グ除去が新たに加わる。金属Ｇａの除去はコツトンによ
る拭き取りと塩酸煮沸が効果的である。しかし、第６図
に示すように形成される前記の急冷層（３１は第２回目
のエピタキシャル成長時、基板ホルダ（！ωにエピタキ
シャルウェーハ（１）が入らなかったり、無理して入れ
ようとすると破損ウェーハが出るといった歩留低下の原
因となっている。また、急冷層（３）け後工程の写真製
版においてもガラスマスクを傷つけやすく、ガラスマス
クの消耗がけげしいといった欠点がある。、第２回目の
エピタキシャル成長前処理は前記の急冷層（３；の除去
作業、金属Ｇａの除去作業以外は第１回目の条件と同様
である。
第２回目のエピタキシャル成長方法も第１回目の方法と
同じである。ただ、成長溶融液の組成は、第１回目が金
属Ｇａ、 Ｓｎ、多結晶ＧａＡｓであったのに対して、
第２回目は金属Ｇａ、 Ｚｎ、 Ａｔ、多結晶ＧＩＬＡ
８と違いがある。特１こ、＄２回目エピタキシャル成長
の時、エピタキシャルウェーハｎ形高比抵抗ＧａＡｓ層
（２）に成長溶融液が接触した時、温度を１℃昇湿させ
ることによって、メルトエッチが￥Ｊ１回目と同じよう
に発生する。接触させた状態で約１０分散首している間
に成長溶融液中のＺｎがｎ形高比抵抗ＧａＡｓ層（２）
に拡散して％ｖＪ４図Ｃに示すように、ｐ形低比抵抗Ｇ
ａＡｓ層（４）を形成する。
同じである。ただ、成長溶融液の組成は、第１回目が金
属Ｇａ、 Ｓｎ、多結晶ＧａＡｓであったのに対して、
第２回目は金属Ｇａ、 Ｚｎ、 Ａｔ、多結晶ＧＩＬＡ
８と違いがある。特１こ、＄２回目エピタキシャル成長
の時、エピタキシャルウェーハｎ形高比抵抗ＧａＡｓ層
（２）に成長溶融液が接触した時、温度を１℃昇湿させ
ることによって、メルトエッチが￥Ｊ１回目と同じよう
に発生する。接触させた状態で約１０分散首している間
に成長溶融液中のＺｎがｎ形高比抵抗ＧａＡｓ層（２）
に拡散して％ｖＪ４図Ｃに示すように、ｐ形低比抵抗Ｇ
ａＡｓ層（４）を形成する。
その後、１分間に０．５℃の割合で２．５℃前後冷却し
、エピタキシャルｐ形ＡｌＧａＡｓ層（５１を形成する
。
、エピタキシャルｐ形ＡｌＧａＡｓ層（５１を形成する
。
次に前記耐長溶融液とｐ形ＡＩＧａＡθ層（５１とを分
離し、後は第１回目と同様にしてｐ形Ａ／ＧａＡｓエピ
タキシャル成長ウェーハをカーボンボートの基板ホルダ
＋１０１から５取り出す。ｐ形Ａ１．ＧａＡｓ層（５）
の厚さげ０．１〜０．２μｍのときに良好な特性が得ら
れる。
離し、後は第１回目と同様にしてｐ形Ａ／ＧａＡｓエピ
タキシャル成長ウェーハをカーボンボートの基板ホルダ
＋１０１から５取り出す。ｐ形Ａ１．ＧａＡｓ層（５）
の厚さげ０．１〜０．２μｍのときに良好な特性が得ら
れる。
ｐ形Ａ／！ｆ）ａＡｅ層（６）形成後、表面に付着して
いる金属Ｇａけ熱トリクレンの中で拭き収り、エビタギ
シャル成長層金表面清浄にした後、常圧ｃｖＤ炉（図示
せず）でもって、第傘図りに示すように、反射防止膜ｆ
６ｔ ｆ ７ｏｏＡ〜８００Ａの厚さに付ける。
いる金属Ｇａけ熱トリクレンの中で拭き収り、エビタギ
シャル成長層金表面清浄にした後、常圧ｃｖＤ炉（図示
せず）でもって、第傘図りに示すように、反射防止膜ｆ
６ｔ ｆ ７ｏｏＡ〜８００Ａの厚さに付ける。
次に、反射防止膜（６）を付けたウェーハは写真製版に
よって反射防止膜（６）の１部を部分的にレジストで保
護し、そわ以外は化学処理作業でエツチングして前記ｐ
形低比抵抗ＧａＡ ＦＪ層（５１を部分的に露出させる
。露出部はコンタクトホール（７）とも呼ばれる。コン
タクトホール（７）以外はレジストで保護さハている丈
まで金属の蒸着を行なう。蒸着後もう一度写真製版を抱
し、こんどけコンタクトホール（７）部以外の金属を全
て除去する。次にｎ形低比抵抗ＧａＡｓ基板（１）の裏
面についても硫酸系のエツチング液で清浄にした後、金
属の蒸着を行ない、第一４＃−図Ｅに示すようにそれぞ
れにｐ電極ｆｉｌ 、 ｎ電葎ｆ９１ｆｆ：形成する。
よって反射防止膜（６）の１部を部分的にレジストで保
護し、そわ以外は化学処理作業でエツチングして前記ｐ
形低比抵抗ＧａＡ ＦＪ層（５１を部分的に露出させる
。露出部はコンタクトホール（７）とも呼ばれる。コン
タクトホール（７）以外はレジストで保護さハている丈
まで金属の蒸着を行なう。蒸着後もう一度写真製版を抱
し、こんどけコンタクトホール（７）部以外の金属を全
て除去する。次にｎ形低比抵抗ＧａＡｓ基板（１）の裏
面についても硫酸系のエツチング液で清浄にした後、金
属の蒸着を行ない、第一４＃−図Ｅに示すようにそれぞ
れにｐ電極ｆｉｌ 、 ｎ電葎ｆ９１ｆｆ：形成する。
両者の電極（８）及び（９１ケ形成後シンタリングを４
２０’Ｃ前後の温度で行なう１次にグイシングソウで分
割してＧａＡ日太陽電池セルが得らハる。
２０’Ｃ前後の温度で行なう１次にグイシングソウで分
割してＧａＡ日太陽電池セルが得らハる。
上記従来の製造方法で汀、９Ｊ１回目の液相エピタキシ
ャル成長段階で発生する急冷層（３）によって、第２回
目のエピタキシャル成長の時エピタキシャルウェーハが
カーボンボートの基板ホルダ＋１０１の溝Ｉに入らなく
なる。余裕がないので無理に挿入しようとするとウェー
ハに割れを生じることが多いという問題点があった。
ャル成長段階で発生する急冷層（３）によって、第２回
目のエピタキシャル成長の時エピタキシャルウェーハが
カーボンボートの基板ホルダ＋１０１の溝Ｉに入らなく
なる。余裕がないので無理に挿入しようとするとウェー
ハに割れを生じることが多いという問題点があった。
この発明げ以上のような問題点を解消するためになさｈ
Ｔ−もので、作業性の向上と歩留向上とか可能なＧａＡ
日太陽電池の製造方法を得ることを目的とする。
Ｔ−もので、作業性の向上と歩留向上とか可能なＧａＡ
日太陽電池の製造方法を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段］
この発明に係る（）ａＡｓ太陽電池の製造方法でけ、液
相エピタキシャル成長前のｎ［ＧａＡｓ基板）一方の主
面の周縁部から側面にわたって絶縁膜を予め形成してか
（ものである。
相エピタキシャル成長前のｎ［ＧａＡｓ基板）一方の主
面の周縁部から側面にわたって絶縁膜を予め形成してか
（ものである。
ＧａＡｓ基板のエピタキシャル敬長させるべき一方の主
面の周縁部から側面にわたって絶縁膜を予め形成したの
で、上記主面上へエピタキシャル成長させても、絶縁膜
形成部位には急冷層の異常発生汀な（なり、基板ホルダ
へのウェーハの出し入ね−が容易になり、ウェーハ割り
の発生も少なく製品歩留りが向上する。
面の周縁部から側面にわたって絶縁膜を予め形成したの
で、上記主面上へエピタキシャル成長させても、絶縁膜
形成部位には急冷層の異常発生汀な（なり、基板ホルダ
へのウェーハの出し入ね−が容易になり、ウェーハ割り
の発生も少なく製品歩留りが向上する。
第１図はこの発明の一実施例の主要段階における状ｎを
示す断面図、第２図けこの実櫓例におけるウェーハを基
板ホルダに収容した状態を示す平面図、第３図は第２図
のＩＩＩ−ＩＩＩ線での断面図で、前述の従来例と同一
符号は同等部分を示す。
示す断面図、第２図けこの実櫓例におけるウェーハを基
板ホルダに収容した状態を示す平面図、第３図は第２図
のＩＩＩ−ＩＩＩ線での断面図で、前述の従来例と同一
符号は同等部分を示す。
この実施例でけ、第１図Ａに示すような、液相エピタキ
シャル成長前のｎ形ＧａＡｌ１１基ｆｌｌｌ？トリクレ
ンで煮沸した後、常圧ＯＶＤ炉で絶縁膜、例えば、Ｂ
ｉ ３Ｎ ４膜ｆ１０００Ａ程度の厚さに付着させ、こ
の絶縁膜の上に写真製版技術で所要のレジストマスク′
ｆ形成した後に、このレジストマスク全弁して絶縁膜に
エツチングを檜して、第１図Ｂに示すように、ｎ形Ｇａ
Ａｓ基板（１）の一方の主面の周縁部から側面にわたっ
て絶縁膜α３を残す。以下、第１図Ｃ〜Ｅに示す工程は
第４図Ｂ−Ｄに示した従来方法の工程と同様であるから
、説明の重複を避けるが、ｎ形ＧａＡｓ基板ｆｉ＋の周
縁部に絶縁膜α３を形成１したので、従来この部分に発
生していた急冷層の発生けなくなり、基板ホルダ（ｌＯ
）への出し入れは容易になる。基板＋ｌ＋の基板ホルダ
（１０）へ挿入したとき、溝Ｉの出口に相当する部分に
最も急冷層が発生し易いので、この部分まで絶Ｒｆｍ０
３が延びていること° が望ましい。
シャル成長前のｎ形ＧａＡｌ１１基ｆｌｌｌ？トリクレ
ンで煮沸した後、常圧ＯＶＤ炉で絶縁膜、例えば、Ｂ
ｉ ３Ｎ ４膜ｆ１０００Ａ程度の厚さに付着させ、こ
の絶縁膜の上に写真製版技術で所要のレジストマスク′
ｆ形成した後に、このレジストマスク全弁して絶縁膜に
エツチングを檜して、第１図Ｂに示すように、ｎ形Ｇａ
Ａｓ基板（１）の一方の主面の周縁部から側面にわたっ
て絶縁膜α３を残す。以下、第１図Ｃ〜Ｅに示す工程は
第４図Ｂ−Ｄに示した従来方法の工程と同様であるから
、説明の重複を避けるが、ｎ形ＧａＡｓ基板ｆｉ＋の周
縁部に絶縁膜α３を形成１したので、従来この部分に発
生していた急冷層の発生けなくなり、基板ホルダ（ｌＯ
）への出し入れは容易になる。基板＋ｌ＋の基板ホルダ
（１０）へ挿入したとき、溝Ｉの出口に相当する部分に
最も急冷層が発生し易いので、この部分まで絶Ｒｆｍ０
３が延びていること° が望ましい。
以上のように、この発明ではｎ形ＧａＡｓ基板の一方の
主面の周縁部と側面とにわたって絶縁膜を形成１．た後
に、その基板の主面上に液相エピタキシャル成長法で結
晶層を形成するので、周縁部に急冷層の異常発生するの
を防止でき、基板の基板ホルダへの出し入ｈｌｒ！芥易
になり、基板側ねの発生は少なくなり製品歩留りの向上
が可能となる。
主面の周縁部と側面とにわたって絶縁膜を形成１．た後
に、その基板の主面上に液相エピタキシャル成長法で結
晶層を形成するので、周縁部に急冷層の異常発生するの
を防止でき、基板の基板ホルダへの出し入ｈｌｒ！芥易
になり、基板側ねの発生は少なくなり製品歩留りの向上
が可能となる。
第１図Ａ−１はこの発明の一実施例の主要段階における
状態を示す断面図、第２１多けこの実施例において、基
板を基板ホルダに収容した状態を示す平面図、ｇｒＪ３
図＃−を第２図の■−■線での断面俟第４図Ａ−Ｄけ従
来の製造方法の主要段階における状態を示す断面図、第
５ｒｇＪは従来の基板を基板ホルダに収容した状態を示
す平面図、第６図げ従来方法において基板への急冷層の
発生状況を示す側面図である。 図において、（１）けｎ形ＧａＡｓ基板、（２）けｎ形
高比抵抗ＧａＡｓ層、（４）けｐ形低比抵抗ＧａＡｓ層
、（１５１ｆ′ｉｐ形ＡＪ！Ｇａ、Ａｓ層、（６）は反
射防止膜１７１ｉ開孔、（８）。 ＋９１ Ｈ電極、α３は絶縁膜である。 なお１図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
状態を示す断面図、第２１多けこの実施例において、基
板を基板ホルダに収容した状態を示す平面図、ｇｒＪ３
図＃−を第２図の■−■線での断面俟第４図Ａ−Ｄけ従
来の製造方法の主要段階における状態を示す断面図、第
５ｒｇＪは従来の基板を基板ホルダに収容した状態を示
す平面図、第６図げ従来方法において基板への急冷層の
発生状況を示す側面図である。 図において、（１）けｎ形ＧａＡｓ基板、（２）けｎ形
高比抵抗ＧａＡｓ層、（４）けｐ形低比抵抗ＧａＡｓ層
、（１５１ｆ′ｉｐ形ＡＪ！Ｇａ、Ａｓ層、（６）は反
射防止膜１７１ｉ開孔、（８）。 ＋９１ Ｈ電極、α３は絶縁膜である。 なお１図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）ｎ形ＧａＡｓ基板の一方の主面上にｎ形高比抵抗
ＧａＡｓ層を液相エピタキシャル成長させる工程、上記
ｎ形高比抵抗ＧａＡｓ層の表面部にｐ形不純物を拡散さ
せてｐ形低比抵抗ＧａＡｓ層を形成する工程、上記ｐ形
低比抵抗ＧａＡｓ層の上にｐ形ＡｌＧａＡｓ層を液相エ
ピタキシャル成長させる工程、上記ｐ形ＡｌＧａＡｓ層
の上を反射防止膜で覆う工程、上記反射防止膜及びｐ形
ＡｌＧａＡｓ層の一部を選択的に除去して上記ｐ形低比
抵抗ＧａＡｓ層の一部が露出する開孔を形成する工程、
及び上記開孔に露出する上記ｐ形低比抵抗ＧａＡｓ層の
部分の上と、上記ｎ形ＧａＡｓ基板の他方の主面の上と
にそれぞれ金属電極を形成する工程を備えたＧａＡｓ太
陽電池の製造方法において、上記液相エピタキシャル成
長の工程前のｎ形ＧａＡｓ基板の上記一方の主面の周縁
部及び側面にわたって絶縁膜を形成した後に上記液相エ
ピタキシャル成長の工程を行うことを特徴とするＧａＡ
ｓ太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142302A JPS622574A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142302A JPS622574A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622574A true JPS622574A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15312210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142302A Pending JPS622574A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622574A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129957A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Toyota Motor Corp | マルエージング鋼の表面処理方法 |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP60142302A patent/JPS622574A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129957A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Toyota Motor Corp | マルエージング鋼の表面処理方法 |
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