JPS62256352A - 粒子線装置の静電磁気複合レンズ - Google Patents

粒子線装置の静電磁気複合レンズ

Info

Publication number
JPS62256352A
JPS62256352A JP62097253A JP9725387A JPS62256352A JP S62256352 A JPS62256352 A JP S62256352A JP 62097253 A JP62097253 A JP 62097253A JP 9725387 A JP9725387 A JP 9725387A JP S62256352 A JPS62256352 A JP S62256352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
lens
electrostatic
electrode
pole piece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62097253A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0624106B2 (ja
Inventor
ユルゲン、フロージエン
エーリツヒ、プリース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPS62256352A publication Critical patent/JPS62256352A/ja
Publication of JPH0624106B2 publication Critical patent/JPH0624106B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10Lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10Lenses
    • H01J37/145Combinations of electrostatic and magnetic lenses

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Eyeglasses (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、粒子線装置に使用される静電磁気複合レン
ズに関するものである。
〔従来の技術〕
微小電子デバイスの開発と製造の分野では現在集積回路
製造工程のコントロール、マスクとウェーハの検査、電
子線リソグラフィによる微細構造の製作等に対して粒子
線装置が導入されている。
特に逆電場分光計と高速ビーム偏向系を備える改良型走
査電子顕微鏡が重視され、それを使用して高密度集積回
路の論理ならびに設計の誤りを例えば特定の結節点にお
いて電圧の時間経過を測定することにより既に開発段階
において検知し除去することができる。放射線に敏感な
検査対象の充電や損傷を避けるため粒子線装置は約0.
5乃至5kVの低い加速電圧で操作するが、このような
加速電圧では在来の走査型電子顕微鏡を使用して分解度
の高い検査を行うことは不可能である。従って半導体工
業の総ての分野において微小電子デバイスに対して迅速
かつ高分解能の検査を行うための高性能低電圧走査型電
子顕微鏡に対する要望が次第に高まって来た。
試料に当るときの電子ビームの直径dによって与えられ
る走査型電子顕微鏡の分解能は、低加速電圧の場合主と
して集束作用を妨害する電子間のクーロン斥力即ちベル
シュ効果と結像レンズの軸方向色収差とによって決まる
。この色収差は次に示す関係式に従って色収差係数C7
に比例し、ビーム電子のエネルギー分布の幅を一定とし
て1次エネルギーが低下するに従って増大する0分解能
を決める試料上のビーム直径dは次式:%式%) で与えられる。ここでdoはビーム発生点と試料の間で
電子間のクーロン斥力によって拡大された幾何光学的プ
ローブ直径であり、d2は色収差によって作られた収差
円盤の直径である。d、はビーム開口α、レンズの色収
差係数CF、および電子の一次エネルギーeUとエネル
ギー分布幅eΔUに関係し dvmCv−a・ΔU/U で与えられる。従って分解能の向上は電子・電子相互作
用の有害な影′#I(エネルギー分布幅eΔUに及ぼさ
れるベルシュ効果およびプローブ直径に及ぼされる横方
向ベルシュ効果)ならびに使用レンズの色収差係数C2
の低下だけによって達成される。
文献「レコード・オン・ディ・アイ・イー・イー・イー
・ナインス・アニュアル・シンポジウム・オン・エレク
トロン・アイオン・レーザービーム・テクノロジー(R
ecord or the  I E E E9th 
  Annual  Symposium  on  
Electrori+  Ionand La5er 
 Beam Technolog3T ) Jバークレ
イ9−11 1967年5月、176−187頁に記載
されている公知の走査型電子顕微鏡では、最初高い運動
エネルギーに加速された一次電子が試料の直前に作られ
た逆電場によって所望の低エネルギーにまで減速される
。試料に当るときのビーム直径を測定することにより、
この装置の対物レンズが逆電増操作に際して逆電場を加
えない通常の磁気レンズに比べて明らかに小さい色収差
定数と球面収差定数を示すことが証明される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この発明の目的は、粒子線装置用のレンズとして高エネ
ルギー粒子を所望の低い最終エネルギーに減速すること
ができ、従来の磁気レンズよりも小さい色収差定数と球
面収差定数を示すものを提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
この目的は特許請求の範囲第1項に特徴として挙げた構
成の静電磁気複合レンズによって達成される。
〔発明の効果〕
この発明の複合レンズによって達成される利点は、高い
ビーム流と低い加速電圧においても小さい断面積の粒子
線プローブを作ることができることである。
この発明の有利な実施態様とその展開は特許請求の範囲
第2項以下に示されている。
〔実施例〕
この発明の実施例を示す図面についてこの発明を更に詳
細に説明する。
第1図に示した静電磁気複合レンズは対称形又は非対称
形の磁気レンズMLに1つの静電界浸レンズが組合わさ
れたものである。できるだけ短焦点距離とするため励起
コイルSPによって作られた磁束が磁極片UPとOPを
通して導かれ、レンズ系の対称軸OAを取囲む小空間区
域に集束される。その際この軸に対して回転対称の磁場
の最大強度は磁掻片間隙PS内に置かれる。静電界浸レ
ンズの1つの電極REはこの実施例の場合中空円筒の形
に作られ、同じく円筒形のaSS体Sと共に磁気レンズ
MLの上方の磁極片OP内にその対称軸に対して同軸に
設けられ、磁極片間隙PSの区域まで拡がる。磁気レン
ズMLの下方の磁極片は地電位に置かれ、汚染防止のた
め第2図に示すように磁性材料又は非磁性材料のビーム
案内管SFで内張すすることができる。この磁極片は静
電界浸レンズの下側の電極を構成する0円筒電極REが
下方の磁極片UPに対して正電位特に粒子ビーム発生器
の陽極電位に置かれると、磁気レンズML内には常に回
転対称の減速電場が形成される。
静電界浸レンズと磁気レンズで構成される粒子光学ユニ
ットの結像特性は、主として電極の印加電圧と寸法なら
びに磁橿片間隙PS内の磁場の強さによって決められる
。従って円筒電極REと下側の磁極片開口が等しい直径
であることは必要条件ではない。
円筒電極REの磁気レンズML内の位置、その直径と下
側磁極片からの間隔は、系全体に対して要求される粒子
光学特性に適合させなければならない、即ち静電界浸レ
ンズの焦点距離は円形の孔絞りBLによって変えられる
が、この孔絞りは円筒電極RE内部に置かれるかあるい
は第2図に示すように磁極片間隙PSを閉鎖するように
置かれる。第3図に示すように2つの互に異る長さの円
筒電極RE、SEを上方の磁極片OP内に同軸に設け、
制御電極として作用する外側円筒電極SEに適当な電圧
を印加することにより焦点距離を連続的に変えることが
できる。この場合円筒電極RE、SEをそれぞれ円形の
孔絞りBLによって閉鎖することも可能である。
この発明の静電磁気複合レンズは集束性の磁場に減速性
の電場が重ねられていることに基き単純な磁気レンズに
比べて球面収差定数と色収差定数が明らかに小さくなっ
ている。主として円筒電極REと下側の磁極片UPの間
の電位差によって決まる複合レンズの収差定数は、界浸
レンズの減速電場によって粒子の運動エネルギーをその
最初の値の例えばl/10に低下させると、単純磁気レ
ンズの収差定数の1/1Gに低下する。この発明による
レンズは更に電気的レンズと磁気的レンズの良好な中心
合せが可能であることに基き、容易に計算可能の粒子光
学特性を実際に実現させるという利点を示す。
円錐形磁気レンズを使用する実施例を第4図に示す0円
錐形対物レンズは例えば大面積の試料を傾斜状態におい
ても短い間隔で投影し検査できるようにするため走査型
電子顕微鏡に採用されている。このレンズはその磁極片
の形状に基いて大きな間隙PSとそれに伴う長い焦点距
離を持つがら、球面収差と色収差の定数が焦点距離と共
に大きくなる、この発明により正電位に置かれる円筒電
極REを上方の磁極片OP内に設けることにより、円錐
磁気レンズMLと静電界浸レンズから成る粒子光学ユニ
ットの結像特性は円錐形単純レンズに比べて明らかに改
良される。この結像特性の改良は前記の収差定数の低下
と円錐磁気レンズの主面の試料に向っての移動によって
達成されるものである。主面が試料に向って移動すると
焦点距離の短縮によって収差が小さくなる。この実施例
においても主として地電位に置かれる下方の磁極片UP
が静電界浸レンズの一方の電橋を構成する。
この発明による静電磁気複合レンズは、ベルシュ効果が
特に加速電圧が低いとき分解能を限定し又従来のレンズ
系が大きな収差を伴う走査型粒子線顕微鏡特に走査型電
子顕微鏡に使用すると有利である。プローブ直径に及ぼ
す横方向ベルシュ効果の影響は運動エネルギーが大きい
と低減され、一方一次電子のエネルギー分布幅は特にビ
ーム発生器内でエネルギー的なベルシュ効果により明ら
かに減少するので、電子は第1ビーム交叉点(ビーム源
クロスオーバー)を低いエネルギー例えば2keVで通
過した後高エネルギー例えば10keVに加速し、試料
に当る直前に所望の低エネルギー例えば1keVに減速
させる。この場合−次電子の減速と集束はこの発明の静
電磁気複合レンズによるのが有利である。ここでは従来
のコンデンサレンズの1つ又は対物レンズが電子光学柱
に置き換えられ、円筒電極REは陰極電位が一1kV、
−次電子の加速が10keVまでであり、−次電子の所
望最終エネルギーが1keVのとき陽極電位即ち9kV
に置かれる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図はこの発明の種々の実施例を示すもの
で、MLは磁気レンズ、OPとUPは磁気レンズのけ橋
片、REは円筒電極である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)ほぼ回転対称の磁場を発生する磁気レンズ(ML)
    とほぼ回転対称の電場を発生する静電界浸レンズから成
    り、静電界浸レンズは異る電位に置かれる2つの電極(
    RE、UP)を備え、磁気レンズの内部にその対称軸(
    OA)に対して対称的に設けられていることを特徴とす
    る粒子線装置の静電磁気複合レンズ、 2)磁気レンズ(ML)の1つの磁極片(UP)が静電
    界浸レンズの1つの電極を形成していることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の静電磁気複合レンズ。 3)静電界浸レンズの少くとも1つの電極(RE)が中
    空円筒形に作られ、磁気レンズ(ML)の上方の磁極片
    (OP)内に対称軸(OA)に同軸に設けられているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
    静電磁気複合レンズ。 4)1つの中空円筒形電極(SE)の内部に同じく中空
    円筒形に作られた第2電極(RE)がそれと同軸に設け
    られていることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至
    第3項の1つに記載の静電磁気複合レンズ。 5)電極(RE、SE)の少くとも一方の内部に絞り(
    BL)がこの電極に導電結合されて設けられていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4項の1つに
    記載の静電磁気複合レンズ。 6)電極(RE、SE)の少くとも一方が孔絞り(BL
    )で閉鎖されることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    乃至第5項の1つに記載の静電磁気複合レンズ。 7)磁気レンズ(ML)の下方の磁極片(UP)がビー
    ム案内管(SF)で内張りされていることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項乃至第6項の1つに記載の静電磁
    気複合レンズ。 8)対称磁気レンズ(ML)が使用されることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項乃至第7項の1つに記載の静
    電磁気複合レンズ。 9)非対称磁気レンズ(ML)が使用されることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項乃至第7項の1つに記載の
    静電磁気複合レンズ。 10)円錐形磁気レンズ(ML)が使用されることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項乃至第7項の1つに記載
    の静電磁気複合レンズ。
JP62097253A 1986-04-24 1987-04-20 粒子線装置の静電磁気複合レンズ Expired - Fee Related JPH0624106B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3613915 1986-04-24
DE3613915.7 1986-04-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62256352A true JPS62256352A (ja) 1987-11-09
JPH0624106B2 JPH0624106B2 (ja) 1994-03-30

Family

ID=6299463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62097253A Expired - Fee Related JPH0624106B2 (ja) 1986-04-24 1987-04-20 粒子線装置の静電磁気複合レンズ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4785176A (ja)
EP (1) EP0242602B1 (ja)
JP (1) JPH0624106B2 (ja)
AT (1) ATE91822T1 (ja)
CA (1) CA1264873A (ja)
DE (1) DE3786588D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327439A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Fei Co 永久磁気レンズおよび静電レンズを備える粒子光学装置
JP2009512973A (ja) * 2005-10-20 2009-03-26 カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 荷電粒子システム
JP2009518807A (ja) * 2005-12-05 2009-05-07 シーイービーティー・カンパニー・リミティッド 電子カラムの電子ビーム集束方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3766092D1 (de) * 1986-12-12 1990-12-13 Integrated Circuit Testing Detektoranordnung mit einem detektorobjektiv fuer korpuskularstrahlgeraete.
KR920000941B1 (ko) * 1988-02-16 1992-01-31 후지쓰 가부시끼가이샤 전자빔 노광장치
US4926054A (en) * 1988-03-17 1990-05-15 Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh Objective lens for focusing charged particles in an electron microscope
US5041731A (en) * 1989-01-20 1991-08-20 Fujitsu Limited Deflection compensating device for converging lens
JP2882412B2 (ja) 1989-01-20 1999-04-12 富士通株式会社 電子ビーム露光装置
DE68917310T2 (de) * 1989-12-13 1995-03-09 Ibm Delta-phi-Mikrolinse für Teilchenstrahlen niedriger Energie.
JPH071681B2 (ja) * 1990-04-19 1995-01-11 株式会社日立製作所 荷電粒子線装置
US5146090A (en) * 1990-06-11 1992-09-08 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam apparatus having an immersion lens arranged in an intermediate image of the beam
JP2777840B2 (ja) * 1990-11-30 1998-07-23 セイコーインスツルメンツ株式会社 電子線装置
US5629526A (en) * 1993-09-28 1997-05-13 Nikon Corporation Electro-magnetic lens, charged particle beam transferring apparatus, and method for manufacturing electro-magnetic lens
DE69501144T2 (de) * 1994-04-12 1998-06-04 Philips Electronics Nv Teilchenoptisches gerät mit einem sekondärelektronen detektor
US5644132A (en) * 1994-06-20 1997-07-01 Opan Technologies Ltd. System for high resolution imaging and measurement of topographic and material features on a specimen
US5614833A (en) * 1994-10-25 1997-03-25 International Business Machines Corporation Objective lens with large field deflection system and homogeneous large area secondary electron extraction field
DE4438315A1 (de) * 1994-10-26 1996-05-02 Siemens Ag Vorrichtung zum Entfernen von Ionen aus einem Elektronenstrahl
EP0769799B1 (en) * 1995-10-19 2010-02-17 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope
JPH09147779A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Nikon Corp 電磁偏向器
DE19605855A1 (de) * 1996-02-16 1997-08-21 Act Advanced Circuit Testing Detektorobjektiv für Korpuskularstrahlgeräte
US5780859A (en) * 1996-02-16 1998-07-14 Act Advanced Circuit Testing Gesellschaft Electrostatic-magnetic lens arrangement
JP3580060B2 (ja) * 1996-05-09 2004-10-20 富士ゼロックス株式会社 印刷制御装置及び方法
DE19732093B4 (de) * 1997-07-25 2008-09-25 Carl Zeiss Nts Gmbh Korpuskularstrahlgerät
US6069363A (en) * 1998-02-26 2000-05-30 International Business Machines Corporation Magnetic-electrostatic symmetric doublet projection lens
JP3916464B2 (ja) * 1999-12-14 2007-05-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 試料検査のための方法
US6960766B2 (en) * 2000-02-25 2005-11-01 Hermes-Microvision, Inc. Swinging objective retarding immersion lens electron optics focusing, deflection and signal collection system and method
US6392231B1 (en) 2000-02-25 2002-05-21 Hermes-Microvision, Inc. Swinging objective retarding immersion lens electron optics focusing, deflection and signal collection system and method
US7800062B2 (en) * 2002-06-11 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Method and system for the examination of specimen
DE60323909D1 (de) * 2002-08-13 2008-11-20 Zeiss Carl Nts Gmbh Teilchenoptischer Apparat und seine Verwendung als elektronenmikroskopisches System
DE10237297A1 (de) * 2002-08-14 2004-03-11 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenoptische Vorrichtung, Elektronenmikroskopiesystem und Lithogrphiesystem
US7528614B2 (en) 2004-12-22 2009-05-05 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for voltage contrast analysis of a wafer using a tilted pre-charging beam
DE10317894B9 (de) 2003-04-17 2007-03-22 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Fokussiersystem für geladene Teilchen, Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren
DE102007010873B4 (de) 2007-03-06 2009-07-30 Carl Zeiss Nts Gmbh Objektivlinse
JP4977509B2 (ja) * 2007-03-26 2012-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
US8319192B2 (en) 2010-08-24 2012-11-27 Hermes Microvision Inc. Charged particle apparatus
US9922796B1 (en) * 2016-12-01 2018-03-20 Applied Materials Israel Ltd. Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device
US10777382B2 (en) 2017-11-21 2020-09-15 Focus-Ebeam Technology (Beijing) Co., Ltd. Low voltage scanning electron microscope and method for specimen observation
US10504684B1 (en) * 2018-07-12 2019-12-10 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High performance inspection scanning electron microscope device and method of operating the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6149364A (ja) * 1984-08-13 1986-03-11 イーツエーテー、インテグレイテツド、サーキツト、テスチング、ゲゼルシヤフト、フユア、ハルプライタープリユーフテヒニク、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング 走査型粒子線顕微鏡

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1012398B (de) * 1943-11-27 1957-07-18 Dr Heinrich Herbst Elektronenoptisches Linsensystem fuer Elektronen- oder Ionenmikroskope
NL177578C (nl) * 1976-05-14 1985-10-16 Thomson Csf Inrichting voor het beschrijven van een voorwerp met een deeltjesbundel.
JPS57118357A (en) * 1981-01-14 1982-07-23 Jeol Ltd Objective lens for scan type electron microscope
DE3138992A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Abtastverfahren zur schnellen potentialbestimmung inder elektronenstrahl-messtechnik
GB2115976A (en) * 1982-02-26 1983-09-14 Philips Electronic Associated Charged particle beam apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6149364A (ja) * 1984-08-13 1986-03-11 イーツエーテー、インテグレイテツド、サーキツト、テスチング、ゲゼルシヤフト、フユア、ハルプライタープリユーフテヒニク、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング 走査型粒子線顕微鏡

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327439A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Fei Co 永久磁気レンズおよび静電レンズを備える粒子光学装置
JP4676714B2 (ja) * 2003-04-24 2011-04-27 エフ イー アイ カンパニ 永久磁気レンズおよび静電レンズを備える粒子光学装置
JP2009512973A (ja) * 2005-10-20 2009-03-26 カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 荷電粒子システム
JP2009518807A (ja) * 2005-12-05 2009-05-07 シーイービーティー・カンパニー・リミティッド 電子カラムの電子ビーム集束方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE3786588D1 (de) 1993-08-26
EP0242602B1 (de) 1993-07-21
US4785176A (en) 1988-11-15
ATE91822T1 (de) 1993-08-15
JPH0624106B2 (ja) 1994-03-30
EP0242602A3 (en) 1989-09-06
CA1264873A (en) 1990-01-23
EP0242602A2 (de) 1987-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62256352A (ja) 粒子線装置の静電磁気複合レンズ
JP2789094B2 (ja) 粒子線機器の検出器対物レンズ
US5146090A (en) Particle beam apparatus having an immersion lens arranged in an intermediate image of the beam
US6392231B1 (en) Swinging objective retarding immersion lens electron optics focusing, deflection and signal collection system and method
TWI435362B (zh) 帶電粒子裝置
JP6099113B2 (ja) ツインビーム荷電粒子ビームコラム及びその作動方法
US6218664B1 (en) SEM provided with an electrostatic objective and an electrical scanning device
US6825475B2 (en) Deflection method and system for use in a charged particle beam column
JP4287549B2 (ja) 粒子線装置
JP2627062B2 (ja) 粒子線装置
TWI415160B (zh) 電子束裝置
CA1242817A (en) Low-abberation spectrometer objective with high secondary electron acceptance
JPH01298633A (ja) 荷電粒子集束用対物レンズ
JPS63146336A (ja) 粒子線測定装置のスペクトロメータ対物レンズ
JPS63221548A (ja) 走査型顕微鏡の検出対物レンズ
JPS61208736A (ja) 走査粒子顕微鏡
CN113471042B (zh) 扫描电子显微镜装置和电子束检测设备
EP3594988A1 (en) High performance inspection scanning electron microscope device and method of operating the same
US6960766B2 (en) Swinging objective retarding immersion lens electron optics focusing, deflection and signal collection system and method
JP2632808B2 (ja) 定量的電位測定用スペクトロメーター対物レンズ装置
WO2011055520A1 (ja) 電子顕微鏡
WO2004097890A2 (en) Objective lens arrangement for use in a charged particle beam column
WO2003100815A2 (en) Charged particle beam column and method for directing a charged particle beam
Beck et al. Low-voltage probe forming columns for electrons
Garth et al. An In-the-Lens spectrometer for high performance E-beam testing

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees