JPH0624106B2 - 粒子線装置の静電磁気複合レンズ - Google Patents

粒子線装置の静電磁気複合レンズ

Info

Publication number
JPH0624106B2
JPH0624106B2 JP62097253A JP9725387A JPH0624106B2 JP H0624106 B2 JPH0624106 B2 JP H0624106B2 JP 62097253 A JP62097253 A JP 62097253A JP 9725387 A JP9725387 A JP 9725387A JP H0624106 B2 JPH0624106 B2 JP H0624106B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
magnetic
electrostatic
compound lens
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62097253A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62256352A (ja
Inventor
ユルゲン、フロージエン
エーリツヒ、プリース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
II TSUEE TEE INTEGUREITETSUDO SAAKITSUTO TESUCHINGU G FUYUA HARUPURAITAAPURYUUFUTEHINIKU MBH
Original Assignee
II TSUEE TEE INTEGUREITETSUDO SAAKITSUTO TESUCHINGU G FUYUA HARUPURAITAAPURYUUFUTEHINIKU MBH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by II TSUEE TEE INTEGUREITETSUDO SAAKITSUTO TESUCHINGU G FUYUA HARUPURAITAAPURYUUFUTEHINIKU MBH filed Critical II TSUEE TEE INTEGUREITETSUDO SAAKITSUTO TESUCHINGU G FUYUA HARUPURAITAAPURYUUFUTEHINIKU MBH
Publication of JPS62256352A publication Critical patent/JPS62256352A/ja
Publication of JPH0624106B2 publication Critical patent/JPH0624106B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10—Lenses
    • H01J37/145—Combinations of electrostatic and magnetic lenses

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Eyeglasses (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 この発明は、粒子線装置に使用される静電磁気複合レン
ズに関するものである。 〔従来の技術〕 微小電子デバイスの開発と製造の分野では現在集積回路
製造工程のコントロール、マスクとウェーハの検査、電
子線リソグラフィによる微細構造の製作等に対して粒子
線装置が導入されている。 特に逆電場分光計と高速ビーム偏向系を備える改良型走
査電子顕微鏡が重視され、それを使用して高密度集積回
路の論理ならびに設計の誤りを例えば特定の結節点にお
いて電圧の時間経過を測定することにより既に開発段階
において検知し除去することができる。放射線に敏感な
検査対象の充電や損傷を避けるため粒子線装置は約０．
５乃至５kVの低い加速電圧で操作するが、このような加
速電圧では在来の走査型電子顕微鏡を使用して分解度の
高い検査を行うことは不可能である。従って半導体工業
の総ての分野において微小電子デバイスに対して迅速か
つ高分野能の検査を行うための高性能低電圧走査型電子
顕微鏡に対する要望が次第に高まって来た。 試料に当るときの電子ビームの直径ｄによって与えられ
る走査型電子顕微鏡の分解能は、低加速電圧の場合主と
して集束作用を妨害する電子間のクーロン斥力即ちベル
シュ効果と結像レンズの軸方向色収差とによって決ま
る。この色収差は次に示す関係式に従って色収差係数Ｃ
Ｆに比例し、ビーム電子のエネルギー分布の幅を一定と
して一次エネルギーが低下するに従って増大する。分解
能を決める試料上のビーム直径ｄは次式： ｄ＝（ｄ０ ２＋ｄＦ ２）1/2 で与えられる。ここでｄ０はビーム発生点と試料の間で
電子間のクーロン斥力によって拡大された幾何光学的プ
ローブ直径であり、ｄＦは色収差によって作られる収差
円盤の直径である。ｄＦはビーム開口α，レンズの色収
差係数ＣＦ、および電子の一次エネルギーｅＵとエネル
ギー分布幅ｅΔＵに関係し ｄＦ＝ＣＦ・α・ΔＵ／Ｕ で与えられる。従って分解能の向上は電子・電子相互作
用の有害な影響（エネルギー分布幅ｅΔＵに及ぼされる
ベルシュ効果およびプローブ直径に及ぼされる横方向ベ
ルシュ効果）ならびに使用レンズの色収差係数ＣＦの低
下だけによって達成される。 文献「レコード・オブ・ディ・アイ・イー・イー・イー
・ナインス・アニュアル・シンポジウム・オン・エレク
トロン・アイオン・レーザービーム・テクノロジー（Re
cord of the ＩＥＥＥ ９th Ａnnual Ｓymposium o
n Ｅlectron,Ｉon and Ｌaser Ｂeam Ｔechnology
）」バークレイ９−１１ １９６７年５月、１７６−
１８７頁に記載されている公知の走査型電子顕微鏡で
は、最初高い運動エネルギーに加速された一次電子が試
料の直前に作られた逆電場によって所望の低エネルギー
にまで減速される。試料に当るときのビーム直径を測定
することにより、この装置の対物レンズが逆電場操作に
際して逆電場を加えない通常の磁気レンズに比べて明ら
かに小さい色収差定数と球面収差定数を示すことが証明
される。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この発明の目的は、粒子線装置用のレンズとして高エネ
ルギー粒子を所望の低い最終エネルギーに減速すること
ができ、従来の磁気レンズよりも小さい色収差定数と球
面収差定数を示すものを提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた構
成を静電磁気複合レンズによって達成される。 〔発明の効果〕 この発明の複合レンズによって達成される利点は、高い
ビーム流と低い加速電圧においても小さい断面積の粒子
線プローブを作ることができることである。 この発明の有利な実施態様とその展開は特許請求の範囲
第２項以下に示されている。 〔実施例〕 この発明の実施例を示す図面についてこの発明を更に詳
細に説明する。 第１図に示した静電磁気複合レンズは対称形又は非対称
形の磁気レンズＭＬに１つの静電界浸レンズが組合わさ
れたものである。できるだけ短焦点距離とするため励起
コイルＳＰによって作られた磁束が磁極片ＵＰとＯＰを
通して導かれ、レンズ系の対称軸ＯＡを取囲む小空間区
域に集束される。その際この軸に対して回転対称の磁場
の最大強度は磁極片間隙ＰＳ内に置かれる。静電界浸レ
ンズの１つの電極ＲＥはこの実施例の場合中空円筒の形
に作られ、同じく円筒形の絶縁体Ｓと共に磁気レンズＭ
Ｌの上方の磁極片ＯＰ内にその対称軸に対して同軸に設
けられ、磁極片間隙ＰＳの区域まで拡がる。磁気レンズ
ＭＬの下方の磁極片は地電位に置かれ、汚染防止のため
第２図に示すように磁性材料又は非磁性材料のビーム案
内管ＳＦで内張りすることができる。この磁極片は静電
界浸レンズの下側の電極を構成する。円筒電極ＲＥが下
方の磁極片ＵＰに対して正電位特に粒子ビーム発生器の
陽極電位に置かれると、磁気レンズＭＬ内には常に回転
対称の減速電場が形成される。 静電界浸レンズと磁気レンズで構成される粒子光学ユニ
ットの結像特性は、主として電極の印加電圧と寸法なら
びに磁極片間隙ＰＳ内の磁場の強さによって決められ
る。従って円筒電極ＲＥと下側の磁極片開口が等しい直
径であることは必要条件ではない。 円筒電極ＲＥの磁気レンズＭＬ内の位置、その直径と下
側磁極片からの間隔は、系全体に対して要求される粒子
光学特性に適合させなければならない。即ち静電界浸レ
ンズの焦点距離は円形の孔絞りＢＬによって変えられる
が、この孔絞りは円筒電極ＲＥ内部に置かれるかあるい
は第２図に示すように磁極片間隙ＰＳを閉鎖するように
置かれる。第３図に示すように２つの互に異る長さの円
筒電極ＲＥ，ＳＥを上方の磁極片ＯＰ内に同軸に設け、
制御電極として作用する外側円筒電極ＳＥに適当な電圧
を印加することにより焦点距離を連続的に変えることが
できる。この場合円筒電極ＲＥ，ＳＥをそれぞれ円形の
孔絞りＢＬによって閉鎖することも可能である。 この発明の静電磁気複合レンズは集束性の磁場に減速性
の電場が重ねられていることに基き単純な磁気レンズに
比べて球面収差定数と色収差定数が明らかに小さくなっ
ている。主として円筒電極ＲＥと下側の磁極片ＵＰの間
の電位差によって決まる複合レンズの収差定数は、界浸
レンズの減速電場によって粒子の運動エネルギーをその
最初の値の例えば1/10に低下させると、単純磁気レンズ
の収差定数の1/10に低下する。この発明によるレンズは
更に電気的レンズと磁気的レンズの良好な中心合せが可
能であることに基き、容易に計算可能の粒子光学特性を
実際に実現させるという利点を示す。 円錐形磁気レンズを使用する実施例を第４図に示す。円
錐形対物レンズは例えば大面積の試料を傾斜状態におい
ても短い間隔で投影し検査できるようにするため走査型
電子顕微鏡に採用されている。このレンズはその磁極片
の形状に基いて大きな間隙ＰＳとそれに伴う長い焦点距
離を持つから、球面収差と色収差の定数が焦点距離と共
に大きくなる。この発明により正電位に置かれる円筒電
極ＲＥを上方の磁極片ＯＰ内に設けることにより、円錐
磁気レンズＭＬと静電界浸レンズから成る粒子光学ユニ
ットの結像特性は円錐形単純レンズに比べて明らかに改
良される。この結像特性の改良は前記の収差定数の低下
と円錐磁気レンズの主面の試料に向っての移動によって
達成されるものである。主面が試料に向って移動すると
焦点距離の短縮によって収差が小さくなる。この実施例
においても主として地電位に置かれる下方の磁極片ＵＰ
が静電界浸レンズの一方の電極を構成する、 この発明による静電磁気複合レンズは、ベルシュ効果が
特に加速電圧が低いとき分解能を限定し又従来のレンズ
系が大きな収差を伴う走査型粒子線顕微鏡特に走査型電
子顕微鏡に使用すると有利である。プローブ直径に及ぼ
す横方向ベルシュ効果の影響は運動エネルギーが大きい
と低減され、一方一次電子のエネルギー分布幅は特にビ
ーム発生器内でエネルギー的なベルシュ効果により明ら
かに減少するので、電子は第１ビーム交叉点（ビーム源
クロスオーバー）を低いエネルギー例えば２ｋｅＶで通
過した後高エネルギー例えば１０ｋｅＶに加速し、試料
に当る直前に所望の低エネルギー例えば１keＶに減速さ
せる。この場合一次電子の減速と集束はこの発明の静電
磁気複合レンズによるのが有利である。ここでは従来の
コンデンサレンズの１つ又は対物レンズが電子光学柱に
置き換えられ、円筒電極ＲＥは陰極電位が−１ｋＶ、一
次電子の加速が１０keＶまでであり、一次電子の所望最
終エネルギーが１keＶのとき陽極電位即ち９ｋＶに置か
れる。
【図面の簡単の説明】
第１図乃至第４図はこの発明の種々の実施例を示すもの
で、ＭＬは磁気レンズ、ＯＰとＵＰは磁気レンズの磁極
片、ＲＥは円筒電極である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−49364（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−87742（ＪＰ，Ａ) 実公 昭33−8228（ＪＰ，Ｙ１)

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ほぼ回転対称の磁場を発生する磁気レンズ
    （ＭＬ）とほぼ回転対称の電場を発生する静電界侵レン
    ズから成り、静電界侵レンズは異なる電位に置かれる２
    つの電極（ＲＥ、ＵＰ）を備えた静電磁気複合レンズに
    おいて、前記両電極は磁気レンズ（ＭＬ）の内部にその
    対称軸（ＯＡ）に対して対称的に設けられ、磁気レンズ
    （ＭＬ）の１つの磁極片（ＵＰ）が静電界侵レンズの１
    つの電極を形成していることを特徴とする粒子線装置の
    静電磁気複合レンズ。
  2. 【請求項２】静電界侵レンズの少なくとも１つの電極
    （ＲＥ）が中空円筒形に作られ、磁気レンズ（ＭＬ）の
    上方の磁極片（ＯＰ）内に対称軸（ＯＡ）に同軸に設け
    られていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の静電磁気複合レンズ。
  3. 【請求項３】１つの中空円筒形電極（ＳＥ）の内部に同
    じく中空円筒形に作られた第２電極（ＲＥ）がそれと同
    軸に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項または第２項記載の静電磁気複合レンズ。
  4. 【請求項４】電極（ＲＥ、ＳＥ）の少なくとも一方の内
    部に絞り（ＢＬ）がこの電極に導電結合されて設けられ
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
    ３項のいずれか１つに記載の静電磁気複合レンズ。
  5. 【請求項５】電極（ＲＥ、ＳＥ）の少なくとも一方が孔
    絞り（ＢＬ）で閉鎖されることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項ないし第４項のいずれか１つに記載の静電磁
    気複合レンズ。
  6. 【請求項６】磁気レンズ（ＭＬ）の下方の磁極片（Ｕ
    Ｐ）がビーム案内管（ＳＦ）で内張りされていることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれ
    か１つに記載の静電磁気複合レンズ。
  7. 【請求項７】対称磁気レンズ（ＭＬ）が使用されること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいず
    れか１つに記載の静電磁気複合レンズ。
  8. 【請求項８】非対称磁気レンズ（ＭＬ）が使用されるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のい
    ずれか１つに記載の静電磁気複合レンズ。
  9. 【請求項９】円錐形磁気レンズ（ＭＬ）が使用されるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のい
    ずれか１つに記載の静電磁気複合レンズ。
JP62097253A 1986-04-24 1987-04-20 粒子線装置の静電磁気複合レンズ Expired - Fee Related JPH0624106B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3613915.7 1986-04-24
DE3613915 1986-04-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62256352A JPS62256352A (ja) 1987-11-09
JPH0624106B2 true JPH0624106B2 (ja) 1994-03-30

Family

ID=6299463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62097253A Expired - Fee Related JPH0624106B2 (ja) 1986-04-24 1987-04-20 粒子線装置の静電磁気複合レンズ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4785176A (ja)
EP (1) EP0242602B1 (ja)
JP (1) JPH0624106B2 (ja)
AT (1) ATE91822T1 (ja)
CA (1) CA1264873A (ja)
DE (1) DE3786588D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5923013A (en) * 1996-05-09 1999-07-13 Fuji Xerox Co., Ltd. Print control system and method for controlling the system in page by page basis

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0274622B1 (de) * 1986-12-12 1990-11-07 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Detektoranordnung mit einem Detektorobjektiv für Korpuskularstrahlgeräte
US4929838A (en) * 1988-02-16 1990-05-29 Fujitsu Limited Magnetic object lens for an electron beam exposure apparatus which processes a wafer carried on a continuously moving stage
US4926054A (en) * 1988-03-17 1990-05-15 Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh Objective lens for focusing charged particles in an electron microscope
JP2882412B2 (ja) 1989-01-20 1999-04-12 富士通株式会社 電子ビーム露光装置
US5041731A (en) * 1989-01-20 1991-08-20 Fujitsu Limited Deflection compensating device for converging lens
EP0432337B1 (en) * 1989-12-13 1994-08-03 International Business Machines Corporation Delta-phi microlens for low-energy particle beams
JPH071681B2 (ja) * 1990-04-19 1995-01-11 株式会社日立製作所 荷電粒子線装置
US5146090A (en) * 1990-06-11 1992-09-08 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam apparatus having an immersion lens arranged in an intermediate image of the beam
JP2777840B2 (ja) * 1990-11-30 1998-07-23 セイコーインスツルメンツ株式会社 電子線装置
US5629526A (en) * 1993-09-28 1997-05-13 Nikon Corporation Electro-magnetic lens, charged particle beam transferring apparatus, and method for manufacturing electro-magnetic lens
EP0767482B1 (en) * 1994-04-12 1999-09-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Particle-optical apparatus comprising a detector for secondary electrons
US5644132A (en) * 1994-06-20 1997-07-01 Opan Technologies Ltd. System for high resolution imaging and measurement of topographic and material features on a specimen
US5614833A (en) * 1994-10-25 1997-03-25 International Business Machines Corporation Objective lens with large field deflection system and homogeneous large area secondary electron extraction field
DE4438315A1 (de) * 1994-10-26 1996-05-02 Siemens Ag Vorrichtung zum Entfernen von Ionen aus einem Elektronenstrahl
EP0769799B1 (en) * 1995-10-19 2010-02-17 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope
JPH09147779A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Nikon Corp 電磁偏向器
DE19605855A1 (de) * 1996-02-16 1997-08-21 Act Advanced Circuit Testing Detektorobjektiv für Korpuskularstrahlgeräte
US5780859A (en) * 1996-02-16 1998-07-14 Act Advanced Circuit Testing Gesellschaft Electrostatic-magnetic lens arrangement
DE19732093B4 (de) * 1997-07-25 2008-09-25 Carl Zeiss Nts Gmbh Korpuskularstrahlgerät
US6069363A (en) * 1998-02-26 2000-05-30 International Business Machines Corporation Magnetic-electrostatic symmetric doublet projection lens
EP1238405B1 (en) * 1999-12-14 2014-06-18 Applied Materials, Inc. Method and system for the examination of specimen using a charged particle beam
US6392231B1 (en) 2000-02-25 2002-05-21 Hermes-Microvision, Inc. Swinging objective retarding immersion lens electron optics focusing, deflection and signal collection system and method
US6960766B2 (en) * 2000-02-25 2005-11-01 Hermes-Microvision, Inc. Swinging objective retarding immersion lens electron optics focusing, deflection and signal collection system and method
US7800062B2 (en) * 2002-06-11 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Method and system for the examination of specimen
EP1389797B1 (en) * 2002-08-13 2008-10-08 Carl Zeiss NTS GmbH Particle-optical apparatus and its use as an electron microscopy system
DE10237297A1 (de) * 2002-08-14 2004-03-11 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenoptische Vorrichtung, Elektronenmikroskopiesystem und Lithogrphiesystem
US7528614B2 (en) 2004-12-22 2009-05-05 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for voltage contrast analysis of a wafer using a tilted pre-charging beam
DE10317894B9 (de) 2003-04-17 2007-03-22 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Fokussiersystem für geladene Teilchen, Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren
NL1023260C1 (nl) * 2003-04-24 2004-10-27 Fei Co Deeltjes-optisch apparaat met een permanent magnetische lens en een elektrostatische lens.
EP1777728A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-25 Carl Zeiss SMS GmbH Lithography system
KR101384260B1 (ko) * 2005-12-05 2014-04-11 전자빔기술센터 주식회사 전자칼럼의 전자빔 포커싱 방법
DE102007010873B4 (de) * 2007-03-06 2009-07-30 Carl Zeiss Nts Gmbh Objektivlinse
JP4977509B2 (ja) * 2007-03-26 2012-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
US8319192B2 (en) 2010-08-24 2012-11-27 Hermes Microvision Inc. Charged particle apparatus
US9922796B1 (en) * 2016-12-01 2018-03-20 Applied Materials Israel Ltd. Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device
WO2019100600A1 (en) 2017-11-21 2019-05-31 Focus-Ebeam Technology (Beijing) Co., Ltd. Low voltage scanning electron microscope and method for specimen observation
US10504684B1 (en) * 2018-07-12 2019-12-10 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High performance inspection scanning electron microscope device and method of operating the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1012398B (de) * 1943-11-27 1957-07-18 Dr Heinrich Herbst Elektronenoptisches Linsensystem fuer Elektronen- oder Ionenmikroskope
NL177578C (nl) * 1976-05-14 1985-10-16 Thomson Csf Inrichting voor het beschrijven van een voorwerp met een deeltjesbundel.
JPS57118357A (en) * 1981-01-14 1982-07-23 Jeol Ltd Objective lens for scan type electron microscope
DE3138992A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Abtastverfahren zur schnellen potentialbestimmung inder elektronenstrahl-messtechnik
GB2115976A (en) * 1982-02-26 1983-09-14 Philips Electronic Associated Charged particle beam apparatus
US4713543A (en) * 1984-08-13 1987-12-15 Siemens Aktiengesellschaft Scanning particle microscope

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5923013A (en) * 1996-05-09 1999-07-13 Fuji Xerox Co., Ltd. Print control system and method for controlling the system in page by page basis

Also Published As

Publication number Publication date
EP0242602B1 (de) 1993-07-21
EP0242602A2 (de) 1987-10-28
EP0242602A3 (en) 1989-09-06
ATE91822T1 (de) 1993-08-15
DE3786588D1 (de) 1993-08-26
CA1264873A (en) 1990-01-23
US4785176A (en) 1988-11-15
JPS62256352A (ja) 1987-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0624106B2 (ja) 粒子線装置の静電磁気複合レンズ
JP2789094B2 (ja) 粒子線機器の検出器対物レンズ
US5146090A (en) Particle beam apparatus having an immersion lens arranged in an intermediate image of the beam
TWI435362B (zh) 帶電粒子裝置
JP6099113B2 (ja) ツインビーム荷電粒子ビームコラム及びその作動方法
JP4287549B2 (ja) 粒子線装置
US6674075B2 (en) Charged particle beam apparatus and method for inspecting samples
US6825475B2 (en) Deflection method and system for use in a charged particle beam column
US7067807B2 (en) Charged particle beam column and method of its operation
JP2627062B2 (ja) 粒子線装置
WO2016121225A1 (ja) 荷電粒子線装置及び走査電子顕微鏡
TWI712069B (zh) 帶電粒子束佈置、掃描電子顯微鏡裝置及其操作方法
US20110210264A1 (en) Distributed Ion Source Acceleration Column
JPS61208736A (ja) 走査粒子顕微鏡
US6646261B2 (en) SEM provided with a secondary electron detector having a central electrode
US7223974B2 (en) Charged particle beam column and method for directing a charged particle beam
JP5439498B2 (ja) 電子顕微鏡
CN113471042B (zh) 扫描电子显微镜装置和电子束检测设备
JP2007095576A (ja) 荷電粒子線装置および荷電粒子線フォーカス制御方法
Beck et al. Low-voltage probe forming columns for electrons
CN113471041B (zh) 扫描电子显微镜装置和电子束检测设备
WO2016121226A1 (ja) 荷電粒子線装置及び走査電子顕微鏡
Yonezawa et al. Single pole-piece objective lens with electrostatic bipotential lens for SEM
JP2001167725A (ja) 粒子線計測装置の分光計対物レンズ
Ishizuka et al. Emittance measurement of high-brightness microbeams

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees