JPS6149364A - 走査型粒子線顕微鏡 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 に産業上の利用分野〕 この発明は、粒子ビーム発生器と粒子ビーム通路中に設
けられた少くとも１つの補助レンズを備える走査型粒子
線顕微境に関するものである。

〔従来の技術〕

半導体技術においてもマイクロエレクロニクス・デバイ
ス又はその製作に対して必要となる部品の検査、例えば
マスクおよびウェー／・の倹ｆｉｃ対して走査型電子顕
微鏡が多く使用されるようｉ（なった。電子ビーム測定
技術に秒いて走査型電子顕微鏡を使用することば列えば
米国特許・麻４２７／６７９（〕ｌ力、ｉｊ［Ｉ出によ
り公丈Ｕであ、乙つ電子・ビーム・リングラフィによる
微細（＋■造の製作ンこ走査型電子頭做炭を使用するこ
とは例えば米国特許第４０７５４８８号明細書に記−或
されている。この外に走査型電子顕微鏡は集積電子デバ
イス製作に際して各工８段のコントロールにも使用され
る。例えばマスク又νよウェーハの司−法ＩＩ′ｌｌＩ
定又は位１ユ決めに１吏用さ九ている。

走査型電子顕微滝を例えば空間寸法の測定、電位測定等
の６１１定技術に使用する場合、測定対象物の表面の充
電によって１ｌｌｌｌ定の誤りが生じないようＶζ注意
しなければならない。測定対象物の表面の充電と避ける
ためには、対象物表面に４電、Ｈ料と蒸著して導′こ性
とすることが可能である。対象物を更に処理するため表
面に導電材料を蒸着すること；ま不可能である場合、例
えばマ・ｆクロエレクトロニクスに分ける測定対象物の
場合には、その表面分照射する一次電子のエネルギーを
調整して時間平均にち−いて表面（で当る電荷の中この
表面にとどまるものと表面から立去るものとが等しくな
るようにすることが必要である。このように表面に当る
電荷とそれから立去る電荷の間にバランスがｇ３７これ
る入射一次電子エネルギー値は一般に低く、典型的には
５００ｅＶから２　ｋｅＶの間にある。電荷のバランス
が時間平均で保たれればよい場合、あるいは測定対象物
がＬｐ！ｆ殊な材料から成る場合には、−次電子の入射
エネルギーを１０　ｋｅＶあるいはそれ以上としても測
定λ「に物表面にあ・ける電荷バランスが達成され、こ
の表面の充電を避けることができる。

電子ビーム描画装置で（は対象物表面て当る一次電子エ
ネルギーは約２０　ｋｅＶであるが、将来：まこれより
低い入射エネルギーが選）ブれるようになる傾向が認め
られる。対象物に当るときの一次電子のエネルギーが低
い程近接効果が弱く、フォトレジストとターゲット内の
散乱体Ｆｌｔが小さくなる。

従って将来の粒子線描画装置Ｖ・こ５いては、高い粒子
流密度と低い大村エネルギー全もつ細Ｌ−１粒子ビ−ム
・ゾンデが要求されるＬうになると考えられ乙。従来の
走査型電子ｇＡ微鏡では粒子ヒ゛−ム路ト句の粒子エネ
ルギーが低い程測定に除しての分解能食型電子顕微鏡は
従って上記の応用分野では最適のものではない。この上
うな欠点の原因はベルツユ効果（ＢｏｅｒＳｃｈ　−ｅ
ｆｆｅｃｔ　）と呼ばれているもので、粒子ビーム中の
Ｎ子の集束を妨害するものである。特に高強度の粒子ビ
ーム源（例えば電子ビーム発生用の六フッ化う／り／単
結晶陰砿）の輝度を完全にｆす用することは不可能であ
る。特（Ｉこ粒子エネルギーが低いとき、べｌし／ユ効
果により輝度がビーム源が対象物に向って進む間に低下
す、ｂ６エネルギー１ｋｅＶの電子ビームの場合発生源
から対ヱＲ物までの間の輝度の損失係数は２０を超える
。粒子エネルギーが更に低下すると、ビー入路甲でｆ（
々のレノズの後にちる交叉点が場合も（よって著しく拡
大し、粒子ゾンデを拡げて測定分解能を悪化させ、粒子
ビーム密度全低下させる。

ドイツ連邦共和国ｌ侍許出願公聞ｊ＠３１３８９２６号
公報により、１段形大電流ゾンデと辺焦、屯丁；吉像し
ンズ？備える電子顕微鏡が公知であるう一次電子ビーム
のエネルギーの拡がり−う：電子ビーム交叉点の微に比
クリして増大することは文献「オフブチに記「威された
電子顕慮鏡ではペル／ユ効果が小さぐなる。しかしこの
種の公知の電子顕微鏡は、広い動作量ＩＴ％を必・要と
する装ｄ又（・まビーム交叉点に　　　　・設けられた
容易に手を入、することができる触診系を必要とする偏
置にかいての使用には適して力ない。この触診系は対象
物て対して比較的大きな１団隔を置いて設けられ、触診
系に導かれる電位から対象物に有害な作用が及ぽされな
いようｌ・ニなっている。

ドイツ連邦４（和国−＋′ｆ３（−出、−公：司、：ｍ
”、　５２０４８９７号明細書により四険管型の包子ビ
ーム発生系カニ公知である。この茅の陰極、ウェーネル
ト電極および陽極ンウ）ら成る部分系は、特定の種子ビ
ームエネルギーに対して最Ｉ通の電界強度と最高の輝度
が達成さｎるように調整されてい、６゜可変粒子ビーム
エネルギーとするため、この部分系とその後に接続され
た補助電極の間の電位が種々の値ンζ調整される。この
ようにして粒子ビーム発生系内に分いて最適の暉りにと
所望の粒子ビームエネーレギーが；下ら；！”Ｌる。し
かしこの公ダＤの）粒子ビーム発生器では、発生器の直
後に作られる最適輝度がその後の粒子ビーム通路内でベ
ルツユ効果により悪化することを阻止できない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

・この発明の目的（・↓冒頭に挙げンを種類の走査型粒
子２腺順倣［境ｉ／Ｃおいて、ベルツユ効果の作用と現
在の走立型粒子線頌做境の場合よりも低減させることで
ある。

〔問題点の解決手段〕

この目的ｔよｌ待ｒ’＋清求の範囲・’ｉ’ｚ１項に特
徴として挙げ７ヒ構成とすること（Ｃよって達成される
。この発明の梯々の実施態様は特許１清求の叱１２Ｌｇ
２項以下と図面に示きれている。

この発明による走査型粒子線Ｆαα環境４１：電子ビー
ムけでは：ｔぐ、その他側々のイオンど−ムの発生ても
好適である。

〔発明の効果〕

この発明による走葺型゛位子線；］倣′説は、対象物に
当る粒子エネルギーが小さバ場合にも粒子流の高いｐＩ
ｉ細な粒子ノ゛／デを可能（でする。従来はベルツユ効
果が粒子ビーム発生器においてにど−ムの交叉点（焦点
）て訃ｌＪ）てりみ川５ｉ　）上役をするとされて論だ
が、最近の計算によ几は粒子ビーム発生器とビーム交叉
区域（クロスオーバー）だけで１よなく、ビーム通路の
全体にＢ１．”ｌても重要であることが明らかにされた
。ベルツユ効果によりビーム元止？３の直後で与えらＡ
たビーム輝ｎ１が以後の１１　子ビーム通１ｔ３　Ｖこ
ち・いて低下する。このン泣子ビーム通１）６が長い研
ベル／ユ効、長の悪影響が強くなる。

、′、１くつ化ラノタノ単、詰晶ｌｒ’；；　ｉｋを［
重用し、試料・＼の；こ子の入射エネルギー全１ｋｅＶ
としたとき、輝度の値ζケンフリノンインスノルメノノ
（Ｃａｍｈｒｉｄｑｅ丁ｎｓｉｒｕｍｅｎｊ８ン社の走
査型電子８做滝Ｔｙｐ　５１５０の規定ビーム通路中に
おいてベル／ユ効果（・ζ基き糸数４０ｆｃもって低Ｆ
する。これに反して１司じＴｙｐＳ１５０走査型ル子顕
倣億のビーム通路をこの発明ｆＣ従って変更し、電子が
刷物レンズの・；１］屯・に至る丑で２０　ｋｅＶのエ
ネルギーを持ち、対′吻１／／ズの中心において始めて
ｌ　ｋｅＶのエネルギー１で１ｉｉｌＪ動されるように
すると、その他の境界条１ドを同じとして輝度は係数４
ともって低下するに過き゛ない。従って従来の走査型電
子顕微；λに対比１−で４ばのｐｌＪ得は係数で１０′
に達する。更に別の３７５０電子顕微説を使用した実験
列では、電子が対ζ勿しンズの中心１セエネルギー１０
　ｋｅＶｔ持も、この中心にお１八て始めて１ｋｅＶの
入射エネルギーなで、１．ｉ１１動されるとき、対物レ
ンズにおいての輝１変は電子ビーム源の直後の値に対し
て係数５．５）「］もって低！〜ず乙。この場合輝度の
ｉｌ来のものに対比した利ｆａｔよ係（ｌｉでほぼ７で
ある。

更に別の央験ト列としてｉ電子のエネルギーに発土器か
ら対物レンズの中上・まで５　ｋｅＶとし、この中心テ
１ｋｅｙの入射エネルギー（で１で市１１山すすると、
対象ｑ勿（・てち・いての輝度は電子源（σ後の１′直
より係数１０をもって低下する。従来の装置（ｌこ対比
したこの輝度のン刈得系、牧４ｉ４である。

同じ走査型電子８做滝３１５０ｉＣ訃いて電子のエネル
ギーが′ε電子源λづ物レンズ中心との間で２、５　ｋ
ｅＶであり、対物し／ズ中心にかいて始Ｊ７＞で１ｋｅ
Ｖに：１ｔｌｌ動されるときは、対象１勿においての那
度の値ｒ工′電子源直後における値りこ対して係数１８
をもって低ドしている。こルでも従来の技術に比べて係
数で約２２の輝反利得となっている。

他のパラメータを変えずに制動点と試料に近づけ；ｌ程
ｉｑ＋度の利イ（Ｉ−は高い。又他のパラメータを変え
ずに制動点全電子ψλにｄづけｔｂｆｉｉ輝度の利得は
低くなる。

１泣子ビ一ム通路が１段型でレンズが１蘭だけであり、
そ２１′ＩＣよって・／ｌＪクロスオーバー個だけであ
る場合には、粒子の；１ｉｌｌ動点は個別レンズ内ある
いはビーム通路において個別レンズの後に置かれる。

２つのし／ズが設けられる２段型ビーム通路の場合には
、制動点を第２クロスオーバーに置くことにより高い輝
度利１４７が達成される。一般１ｃｎ個のし／ズを使用
するｎ段壁ビーム通路の場合には、制動点はｎ番目のク
ロスオーバー又はその前のりａスオーバーの１つにｌぐ
のが有利である。輝凹の刊ｊＯだけを問題にする場合に
は、ｎ段壁ビーム通路に対して単一の制動点をｎ番目の
クロスオーバーに設け、必要に応じてビーム引外し系（
ビーム・プラノキング系）をこのクロスオーバーに補助
的に設けることが最も呵利である。

使用目的によっては複数の制動装置を設ける方が有セリ
である。この場合問題になるの・はどのようなｆ＋ｌｉ
助侵置を装子ビーム中て設けるか、動作間隔をどの程度
に選ぶか、’ｔＪ象物の近傍が高い電位に上げられるこ
とにより対象物の機能又はその構成が侵害されるかどう
か、制御装置が同時にレンズ類似の特性を示すかあるい
はレンズとの集積構造となりその構成に際してビーム通
路全体に及ぼす影響を考慮する必要があるかどうか等で
ある。

例えば広め動作間隔を必要とする場合には、一般に１つ
の蘭４１Ｊレンズでは充分でない。試料電位に対して大
きな差のある電位を樽く必要があるビーム引外し系を組
込むためには、容易に手を入れることができる交叉点を
試料から所定の最小間隔を保って粒子ビーム通路中に設
けることがＺ・要となる。

粒子ビーム通路中に置かれる粒子制動装置の最も簡単な
ものは、１つ又は複数の網から構成され各組て特定の電
圧が加えられる。網−極又は格子電極はその構成要素間
の間隔が狭い場合、第１近似においてレンズ作用を示さ
ない。粒子ビーム通路内で簡単な電位分布を示すために
は、２つの網電極を近接して前後に設け、第２網電極を
遅延電極とする６場合によっては単一の網電極が使用さ
れるが、この場合粒子ビーム路中の他の裟１１ｆｆの設
計ＶＣ際しては複雑な電位分布を考えに入れなければな
らない。このことは網電極に限らず、その他の粒子制動
用の装置１こついてもあてはまることである。

基本的には総ての静電的遅延要素が粒子の制動に使用さ
れる。特に２つ又はそれ以上の電極を持つ装置が有利で
ある。レンズ作用のある制動装置としては、絞り、管状
し／ズ又はｔｌｉｌｌ動し／ズ又はそれらの組合せが網
電極と共に使用される。この場合静電レンズを磁気レン
ズに付加して、あるいはその代りに設けることができる
。

静電制動系と対物し／ズとの電子光学的に適当な」合せ
の便用も有利である。静電インマージョノ対物し／ズ系
では、「！１１ｊｌｆＪｈ装置を１つの対物レンズと７
徂合せることができる。これによって対象物位−におい
ての高い輝度と対象物ＶＣ対する微細ノ゛ンデとが同時
に可能となる、 この発明は電子ビーム描画装置にも応用可能である。例
えば電子に制動点に至るまで５０ｋｅＶのエネルギーを
持たせ、そこで通常の入射工Ｘ、ルキ−（直例えば２０
１ｃｅＶまで１間・肋する。これによって粒子流密度が
著しく高くしかも入射エネルギーが低い微細ゾンデが達
成される。構造が微、ｌ＋ＩＢになり高い描画速度が要
求され、呵度の高力陰極が使用されるようになると、著
しく高いゾンデ電流というこの発明の特徴は将来に亘っ
て重要性が次第に増大する。

電子光学的レンズ効果と対象物における輝朋に関する効
果との間に最適関係を見出すことが２、要である。粒子
ビーム通路内に既に存在するＺＪ物レしズが不利な特注
を示すときは、粒子１ｌＩｌ］動用の装置はビーム通路
に沿って更に後方に移さなければならない。

小さいレンズ収差だけですますためには、粒子ビーム路
中に挿入される補助のし／ズ効果をできるだけ小さく一
ノーる。その／こめに杜１つの網電極をクロスオーバー
に置くのが最も効′捉的である。

粒子がビーム通路中を動く速さが遅い程ベル／ユ効果の
作用が妨害となる。

粒子ビーム通路中の色収差が小さくなるようにするには
、制動点前の粒子エネルギーの拡がりを小さくしなけれ
ばならない。従って制動点の前では高過ぎる電圧が加え
られないようにする。そのためには電子の場合制動点の
前の加速電圧を５にθＶと＋　５　ｋｅＶの間にするの
が望ましい。しかしこの値は使用された電子光学し／ズ
とその使用条件にも関係する。ここではゾンデの大きさ
が特定のノ°／デの大きさに対して最適のレンズ開口を
求める場合、即ち特定のゾンデの大きさに対して最適の
１ｊｌｌ動点前の加速電圧を与える場合と類１以の役目
を行う。この最適加速電圧はその道の専門尿により実験
で求めることも可能である。

静電的の哩由から１シ１１動点が対象物から遠く離れて
いなければならない場合には、粒子ビーム通路のしさを
全体として短くする手段の可能性は少ない。即ちこの通
路が短い程ベル／ユ効宋に基く有害な影響が少くなる。

従って走査型電子顕微鏡の制動点後の低電圧区域はでき
るだけ０くする必要があり、この低電圧区域における縮
小はできるだけ僅かでなければならない。例えばこの低
電圧区域での１１．ω−Ｊ−が１／６でなぐｌハに過ぎ
ないときは、係数１５の輝度利碍が達成される。

〔実施ｔｊ〕

図面に示した実施例についてこの発明を更に詳細て説明
する。

第１図乃至第５図に示す低電圧走査型頭＠境では、−次
電子ｐｚはその大部分が比較的高い電位に上げられる。

測定技術上これらの電子ばｌ　ｋｅＶのエネルギーを持
って試料ＰＲの表面に当たる必要がある。この鳴合一次
電子は制動電極Ｒの前では例えば２　ｋｅｖ以上のエネ
ルギーを持つ。このエネルギーは場合に応じて４　ｋｅ
Ｖ以上、らるい１は１０乃至２０　ｋｅＶ以上とするの
が有利である。このような電子は試才（、１）　１１の
近くで始めて所望の１ＬＳ。

い入射エネルギーにまで；ｂ（」動される。これによっ
てベル／ユ効果の作用を茗しく低減させることができる
。特に電子流密度がなお高い値を示している第１コツプ
／サレンズに２の区域と第２−＋７デンサレ／ズに１の
区域では、輝度の低下の大部分がこれらの区域で生ずる
から一次電子エネルギーを比較的高い値に保つ必要があ
る。

第１図乃至第５図では陰極には一１ｋＶに、ウェーネル
ト電極Ｗは約−１，５ｋ　ｖに、陽極Δは＋１９ｋＶＫ
電圧印加される。

一次電子ＰＥは最初高いエネルギーを持ってビーム路中
を進み、試料ＰＲの直前又は少くとも１つのコンデンサ
レンズを通り抜けた後に低いエネルギー値に制御助され
る。その場合ビーム路の少くとも一部分とビーム交叉点
（焦点）は高いエネルギーを持って通過する。これによ
ってベル／ユ効宋の分解能に及ぼす悪影ルＩは著しく軽
減される。

第１図の実施例で？ｉ電子ＰＥはビーム通路のほぼ全部
で高い一次電子エネルギー４ノ・１ち、メ・ｊ吻し／ズ
ＯＢ中又はその後で始めて′１ｉｌｌ動される。この場
合制動電極Ｒの電位はＯＶである。−矢電子ＰＥが試料
ＰＲに当った個所から放出される二次電子ＳＫは、測定
技術上の対象として検出器１）Ｔで検出される。−次電
子ＰＥのノ゛／デで走査するための偏向装置としては偏
向コイルＤが使用される。

第２図に示した低電圧走査型顕微鏡では、−次Ｚ　子Ｐ
Ｅが第１コンデンサレ／ズに２と対物レンズＯＢの間で
化１］動される。コンデンサレンズを１つだけ使用する
類似実施例では、ｒ［ｔｌｌ動電極Ｒがこ（７）ｌ−コ
ンデンサレンズと対物レンズの間に設けられる。

第６図の低電圧走査型顕微鏡では、−次電子ＰＥはコン
デンサレンズに２内で制動される。この場合制動電極Ｒ
はコンデンサレンズに２内に設けられる。

第２図の実施例と第６図の実７Ａ例１ｃは、原画像（ク
ロスオーバー）が地電位（ＯｋＶ）に置かれ到達可能で
あるという利点がある。第１図乃至第４図の各実施例の
制動電＠はいずれもＱｌ（Ｖの電位に着かれる。電子Ｐ
Ｂに対する電位を明確に規定するため、電子ＰＥは制動
電極Ｒの直前１で非強磁性材料から成り、陽極ＡＯ電位
に置かれた管内部を進む。この管は第１図のものが最も
長く、第２図から第４図て向って次第に短くなる。

原画像が地電位にあって到達可能であるとき、ビーム引
き外し系はそこに設けるのが有利である。

第２図乃至、Ａ４図の各実ＭＪ４レリでは、電子ＰＥの
”ｔｉｌｌ動て際して生ずる収差は対物レンズＯＢによ
る８ｄ小投像に伴って低減される。

第４図の低電圧走査型Ｍ敬碗では、−次電子ＰＦ２がコ
ンデンサレンズに１とに２の間で制動される。ここでは
ｉｔ’１１動１Ｕ極Ｒがコンデ／サレンズＫｉＫ所；Ａ
するビーム交叉点に設けられている。

この実、姑クリではベル／ユ効果を組上する作用の影２
４Ｈが１９３図までの実施し１１に比べて弱い。

走査型電子顕微鏡ρ：２つ以上のコンデンサレンズを備
えていると、制動電極Ｒは第１図乃至第４図の実施列Ｖ
Ｃ対応して続く２つのコンデンサレンズの間、１つのコ
ンデンサレンズの内部、対物レンズの内部および対物レ
ンズの背後のいずれかに設けられる。電界放出１玄罹を
備える走査型電子顕微鏡にも制動電極Ｒを設けることが
できる。この場合−次電子ＰＬの制動は対物し／ズＯＢ
の前で行うのが素適である。

第５図に、コンデンサレンズに１とこのコンデンサレン
ズ内部に置かれた制御助電極Ｒと上記の実施例の対物レ
ンズＯＢに代るインマージョンレンズ型の個別し／ズＥ
を備える低電圧走査型顕微鏡を示す。Ｃの蘭ツ１］し／
ズＥの場合続いて設けられる電極に置かれた試料ＰＲは
、この個写りレンズの第１電極の電位Ｕ１よりも低い電
位Ｕ５に置かれる、個別し／ズＥば、補助的１ｃ粒子ビ
ーム引外し系としても使用できるように（７４成すると
有利である。この種の個別し／ズＦ２は米国・特許第４
４５９６８５号明１．ｌｌｌ　、ｌ’　Ｌ記、ｌ＆され
公知である。

第６図に一次′４子：ｔｔｌｌ動挨置の独々の型式を示
す。

−次電子の制動には２つ又はそれ以上の静電電極２はそ
れらの、阻合せが使用される。例えば２つの網Ｎを前後
に配置した２電極構造１が使用され、試４’ＪＫ近い増
の電位Ｕ２はそ九から遠い網の電位＋１　＋よりも低く
する。２つの咬りＢを前後に配置した２電極系２も使用
される。これらの電極の電位はＩＪ　２　＜　０１であ
り、この２電極系はレンズ類似の特性を示す。

更に前後て配装置された２つの管ＲＯから成る２電榛系
３も使用可能であり、試料に近い管の電位ＩＪ　２はそ
ルから遠い管の電位Ｕ１より低い。

−次電子の制動には個別レンズＥも使用される。

この１易会電子を′制動するためには試料に最も近い電
極Ｅ６の電位Ｕ５は、最も遠い電極Ｅ１の電位Ｕ１より
低くする。−次電子ビームの引き外しのためには中央電
極Ｅ２を電位Ｕ１よりも著しく高い負電位Ｕ２に置く。

米国・特許第４４３９６８５号明１罰４）号明り公知の
ｊ固、ツリレノス゛では、両外倶］、１１＋＠うぶ等電
位にあり一次電子に対する１１．ｌＩＪ動作用（は行！
つれない。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第５図はこの発明の順々の実施例のＴＦｊ吸
を示し１，３６図は一次電子側動装置の構成例と示す。 第１図乃至第５図において Ｋ・陰極、Ｗ・ウェーネルト電唖、Ａ・陽極、Ｋｌ、　
　Ｋ２　　・コンデンサレ／ズ、ＯＢ・・対物レンズ、
Ｒ・制動電極、ＰＲ・・試料。 （ｌｉｌ＋８）代坤人ブＦ玲上＝　ｌ　、ｒ　　泌−−
−−１ＦＩＧ　６ Ｕ２＜ＵＩＵ２＜ＵＩＵ２〈Ｕｌ Ｕ３＜０１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少くとも１つの粒子制動装置（Ｒ）が粒子線通路に
   おいてレンズ（Ｋ１；Ｋ２；ＯＢ；Ｅ）中の少くとも１
   つの内部又はその後に設けられていることを特徴とする
   少くとも１つの補助レンズを粒子線通路中に備える走査
   型粒子線顕微鏡。 ２）粒子制動装置（Ｒ）が１つの磁気レンズ（Ｋ１；Ｋ
   ２；ＯＢ）内に設けられていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記或の走査型粒子線顕微鏡。 ３）粒子制動装置（Ｒ）が静電レンズ（Ｅ）内に設けら
   れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
   ２項記載の走査型粒子線顕微鏡。 ４）粒子制動装置（Ｒ）がレンズ（Ｋ１；Ｋ２；ＯＢ；
   Ｅ）中の２つの間に設けられていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項乃至第３項の１つに記載の走査型粒
   子線顕微鏡。 ５）粒子制動装置（Ｒ）が粒子線通路中において最後の
   レンズ（ＯＢ；Ｅ）の後に設けられていることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項乃至第４項の１つに記載の走
   査型粒子線顕微鏡。 ６）粒子制動装置（Ｒ）が最後のレンズ（ＯＢ；Ｅ）内
   部の粒子線通路中に設けられていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項乃至第５項の１つに記載の走査型粒
   子線顕微鏡。 ７）粒子制動装置（Ｒ）が最後のレンズとその前のレン
   ズ（Ｋ２、ＯＢ；Ｋ２、Ｅ）の間に設けられていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第６項の１つに
   記載の走査型粒子線顕微鏡。 ８）粒子線発生系内に１つの電界放出電極（Ｋ）があり
   、粒子制動装置（Ｒ）が粒子線通路中対物レンズ（ＯＢ
   ）の前に設けられていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項乃至第７項の１つに記載の走査型粒子線顕微鏡
   。 ９）粒子制動用として２電極装置（１、２、３）が設け
   られていることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
   第８項の１つに記載の走査型粒子線顕微鏡。 １０）電子制動用として多電極装置（Ｅ）が設けられて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第９項
   の１つに記載の走査型粒子線顕微鏡。 １１）粒動制御用として網電極（Ｎ）が設けられている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１０項の
   １つに記載の走査型粒子線顕微鏡。 １２）粒子制動用として絞り（Ｂ）が設けられているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１１項の１
   つに記載の走査型粒子線顕微鏡。 １５）粒子制動用として管状レンズ（ＲＯ）が設けられ
   ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１
   ２項の１つに記載の走査型粒子線顕微鏡。 １４）粒子制御用として個別レンズ（Ｅ）が設けられて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１３
   項の１つに記載の走査型粒子線顕微鏡。