JPS62256300A - 映像記憶装置 - Google Patents

映像記憶装置

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JPS62256300A
JPS62256300A JP61098847A JP9884786A JPS62256300A JP S62256300 A JPS62256300 A JP S62256300A JP 61098847 A JP61098847 A JP 61098847A JP 9884786 A JP9884786 A JP 9884786A JP S62256300 A JPS62256300 A JP S62256300A
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JP
Japan
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sam
dram
data
capacity
output
Prior art date
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Application number
JP61098847A
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English (en)
Inventor
Norio Ebihara
海老原 規郎
Takayuki Sasaki
高行 佐々木
Hiroyuki Kita
喜多 宏之
Hirohito Oosawa
洋仁 大澤
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Priority to AT87303753T priority patent/ATE100223T1/de
Priority to DE87303753T priority patent/DE3788747T2/de
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序でこの発明を説明する。
A 産業上の利用分野 B 発明の概要 C従来の技術 D 発明が解決しようとする問題点 E 問題点を解決するための手段(第1図)F 作用 G 実施例 G1全体の構成・動作(第1図) G2各邪の構成・動作(第2図〜第8図)H発明の効果 A 産業上の利用分野 この発明は、例えばビデオテープレコーダやテレビジョ
ン受像機等において画像処理を行う場合等に用いて好適
な映像記憶装置に関する。
B 発明の概要 この発明は、ビデオテープレコーダやテレビジョン受像
機等における画像処理を行う映像記憶装置において、メ
モリ手段の入出力側に等容量の複数個のメモリから成る
バッファ手段を設け、各メモリの容量をメモリ手段の1
ライン相当のメモリ容量の整数分の−にすることにより
、バッファ手段の構成を簡単にしてコストの低廉化を図
るようにしたものである。
C従来の技術 画像処理を行う従来の映像記憶装置として、例えば第9
図に示すように、ライン単位のシリアルアクセスメモリ
 (以下、SAMと称する)を有する非同期3ボートP
IIIO型メモリが提案されている。
すなわち、第9図において、(1)はセレクタ、(2)
は例えば1024ビツトの容量を有するレジスタ、(3
)はランチ回路であって、この3者でいわゆるSAMを
構成している。書き込み用クロック信号CKWがセレク
タ(1)、レジスタ(2)及びランチ回路(3)に供給
され、また入力端子(4)よりシリアルデータがレジス
タ(2)に供給される。クリア信号CLROがセレクタ
filに供給されてその内容がクリアされ0に設定され
る。そしてライトイネーブル信号WEによりセレクタ(
1)が動作開始してクロック信号CKWが供給されるこ
とにより実質的にアドレス信号が形成されてセレクタ(
1)よりレジスタ(2)に供給され、このアドレス信号
により指定された所定位置に入力端子(4)からのシリ
アルデータが記憶される。レジスタ(2)に記憶された
データは一時的にランチ回路(3)にラッチされる。
書込み用アドレス回路(5)からのアドレス信号により
指定されたダイナミックランダムアクセスメモリ (以
下、DRAMと称する)(6)の所定位置にう・7千回
路(3)の内容が転送されてライン単位で書き込まれる
第1の読み出し用アドレス回路(7)からのアドレス信
号により指定されたD RA Mf61の所定位置に書
き込まれている内容がライン単位で読み出されてラッチ
回路(8)に転送され、更にシフトレジスタ(9)に転
送される。ラッチ回路(8)及びシフトレジスタ(9)
は一種のSAMを構成している。なおアドレス回路(7
)、ラッチ回路(8)及びシフトレジスタ(9)には読
み出し用クロック信号CK R,1が供給され、また、
シフトレジスタ(9)にはクリア信号CLR1が供給さ
れるようになされている。
シフトレジスタ(9)に転送された情報はクロック信号
CKR1が供給される毎に1ビツトずつシフトされ、第
1のデータとして出力端子(10)に取り出される。
第2の読み出し用アドレス回路(11)からのアドレス
信号により指定されたDI?AMf61の所定位置に書
き込まれている内容がライン単位で読み出されてランチ
回路(12)に転送され更にシフトレジスタ(13)に
転送される。ランチ回路(12)及びシフトレジスタ(
1:1)は一種のSAMを構成している。なお、アドレ
ス回路(II) 、ランチ回路(12)及びシフトレジ
スタ(13)には読み出し用クロック信号cKR2が供
給され、また、シフトレジスタ(13)にはクリア信号
CLR2が供給されるようになされている。
シフトレジスタ(13)に転送された情報はクロック信
号CKR2が供給され毎にlビットずつシフトされ、第
2のデータとして出力端子(14)に取り出される。
セレクタ+11、レジスタ(2)及びラッチ回路(3)
は第1のボート、ランチ回路(8)及びシフトレジスタ
(9)は第2のボート、ラッチ回路(12)及びシフト
レジスタ(13)は第3のボートを夫々形成し、これ等
は上述の如く非同期で動作している。そして、ランチ回
路(3)よりDR静(6)への転送と、DRAM(6)
よりラッチ回路(8)または(12)への転送がかち合
うときは優先順位をつげて互いに、転送のタイミングを
ずらずようにしている。
D 発明が解決しようとする問題点 ところが、上述の如き構成の従来装置の場合、レジスタ
やランチ回路を含むSAMの面積の占める率が増え、チ
ップサイズが増加してコストが上昇する欠点があった。
この発明は斯る点に鑑みてなされたもので、SAMの面
積を減少してチップサイズを小さくしてコストを安価と
することができる映像記憶装置を提供するものである。
E 問題点を解決するだめの手段 この発明による映像記憶装置は、映像信号が供給され、
等容量の複数個のメモリを含む入力バッファ手段(20
)〜(24)と、この人カバソファ手段の出力が供給さ
れるメモリ手段(25)と、このメモリ手段の出力が供
給され、等容量の複数個のメモリを含む出力バッファ手
段(32)〜(36)または(37)〜(41)とを備
え、上記入力バッファ手段及び出力バッファ手段の各メ
モリは上記メモリ手段の1ライン相当のメモリ容量の整
数分の1の容量を有するように構成している。
F 作用 例えば[lRAM (25)を用いたメモリ手段の入力
側と出力側に等容量の複数個のメモリ例えば256ビツ
トの容量を有する2つのSAMから成る入力バッファ手
′fIt(20)〜(24)と出力バッファ手段(32
)〜(36)または(37)〜(41)を設ける。
このとき、入力バッファ手段及び出力バッファ手段の各
メモリの容量はメモリ手段の1ライン相当のメモリ容量
例えば4096ビツトの整数分の1例えば1/16すな
わち256ビツトとする。そして、入力バッファ手段及
び出力バッファ手段に含まれる2つのメモリをトルグ操
作で使用するごとにより、非同期信号の転送のタイミン
グをとりながら、DRAMの動作効率をあげ、SAMの
面積減少によるコストの低下をも実現できるようにする
G 実施例 以下、この発明の一実施例を、非同期3ボートFIFO
型フイールドメモリに通用して場合を例にとり、第1図
〜第8図に基づいて詳しく説明する。
G1全体の構成・動作 第1図は本実施例の全体の構成を示すもので、同図にお
いて、(20)はセレクタであって、クリア信号CLR
Oが供給されるとその内容がクリアされて0に設定され
る。そしてライトイネーブル信号WEによりセレクタ(
20)が動作開始してクロック信号CKWが供給される
ことにより実質的にアドレス信号が形成される。(21
) 、  (22)は等容量のメモリとしての書き込み
用SAMであって、共に例えば256ビツトの容量を有
する。入力端子(23)より1画素を4ビツトとするデ
ータがSAM(21)及び(22)に供給されると、こ
のデータがセレクタ(20)のアドレス信号で指定され
るSAM(21)及び(22)の所定位置に書き込まれ
る。すなわち、SAM(21)及び(22)は256ビ
ツトの容量であるから、64画素相当のO〜63番地を
有し、この番地のうちセレクタ(20)のアドレス信号
で指定された番地に順次入力端子(23)からの4ビツ
トのデータが書き込まれる。SAM(21)及び(22
)に書き込まれたデータはスイ・ノチ回路(24)で選
択的に取り出されてメモリ手段としての例えばDRAM
 (25)に供給される。つまり、SAM(21)にデ
ータを書き込んでいるときはSAM(22)のデータが
DRAM (25)に転送され、逆にSAM(22)に
データを書き込んでいるときはSAM(21)のデータ
がDRAM (25)に転送される。なお、(20)〜
(24)により第1ボートである入力バッファ手段を構
成している。
303ライン(4096X 303)の容量を有し、1
ラインは後述されるように例えば16ブロツク(1ブロ
ツクは256ビツト)に分割されている。(26)は書
き込み用行アドレス回路、(27)は書き込み用列アド
レス回路であって、先ず行アドレス回路(26)からの
アドレス信号によりDRAM (25)の行(ライン)
が指定され、次に列アドレス回路(26)からのアドレ
ス信号によりDRAM (25)の列が指定され、これ
により特定された所定位置(ブロック)にSAM(21
)または(22)からの256ビ・ノドのデータが書き
込まれる。
(28)は第1の読み出し用行アドレス回路、(29)
は第1の読み出し用列アドレス回路であって、先ず行ア
ドレス回路(28)からのアドレス信号によりDRAM
 (25)の行(ライン)が指定され、次に列アドレス
回路(29)からのアドレス信号によりDRAM (2
5)の列が指定され、これにより特定された所定位置(
ブロック)に書き込まれている256ビツトのデータが
読み出される。
同様に(30)は第2の読み出し用行アドレス回路、(
31)は第2の読み出し用列アドレス回路であって、先
ず行アドレス回路(30)からのアドレ大信号によりD
RAM (25)の行(ライン)が指定され、次に列ア
ドレス回路(31)からのアドレス信号によりDRAM
 (25)の列が指定され、これにより特定された所定
位置(ブロック)に書き込まれている256ビントのデ
ータが読み出される。
(32)はスイッチ回路、(33) 、  (34)は
SAM(21) 、  (22)と同等の容量を有する
読み出し用SAM、(35)はセレクタ(20)と同様
の機能を有するセレクタ、(36)は出力端子であって
、これ等によって第2ボートである第1の出力バッファ
手段を構成している。アドレス回路(28)及び(29
)からのアドレス信号で指定されたDRAM (25)
の所定位置(ブロック)の256ビツトのデータが読み
出され、スイッチ回路(32)で選択的に取り出されて
SAM(33)または(34)に転送される。
そして、DRAM (25)からのデータがSAM(3
3)に転送されているときはSAM(34)に書き込ま
れているデータが読み出され、逆にDRAM (25)
からのデータがSAM(34)に転送されているときは
SAM(33)に書き込まれているデータが読み出され
る。つまり、セレクタ(35)からのアドレス信号で指
定されるSAM(33)または(34)の所定位置のデ
ータが出力端子(36)に4ビット単位(1画素単位)
で出力される。
同様に(37)はスイッチ回路、(3B) 、  (3
9)はSAM (21) 、  (22)と同等の容量
を有する読み出し用SAM、(40)はセレクタ(20
)と同様の機能を有するセレクタ、(41)は出力端子
であって、これ等によって第3ボートである第2の化カ
バソファ手段を構成している。アドレス回路(30)及
び(31)からのアドレス信号で指定されたDRAM 
(25)の所定位置(ブロック)の256ビツトのデー
タが読み出され、スイッチ回路(37)で選択的に取り
出されてSAM(38)または(39)に転送される。
そして、DRAM (25)からのデータがSAM(3
8)に転送されているときはSAM(39)に書き込ま
れているデータが読み出され、逆にDIlAM (25
)からのデータがSAM(39)に転送されているとき
はSAM(3B)に書き込まれているデータが読み出さ
れる。つまり、セレクタ(40)からのアドレス信号で
指定されるSAM(38)または(39)の所定位置の
データが出力端子(41)に4ビット単位(1画素単位
)で出力される。
なお、SAM (21) 、  (22)よりDRAM
 (25)への転送とDRAM (25)よりSAM 
(33) 、  (34)または(38) 、  (3
9)への転送がかち合うときは優先順位をつけて互いに
転送のタイミングをずらすようにしている。
G2各部の構成・動作 第2図は入力バッファ手段に含まれるSAM(21) 
、  (22)の具体的構成の一例を示すもので、入力
された4ビツトのデータはセレクタ(20)で選択され
てSAM(21)または(22)の0〜63番地の所定
位置に書き込まれる。
第3図は出力バッファ手段に含まれるSAM(33) 
、  (34) 、  (3B) 、  (39)の具
体的構成の一例を示すもので、SAM(33)または(
34)の0〜63番地に書き込まれているデータがセレ
クタ(35)により4ビツトずつ選択されて出力され、
同様にSAM(3B)または(39)のO〜63番地に
書き込まれているデータがセレクタ(40)により4ビ
ツトずつ選択されて出力される。
第4図はSAMからDRAMへの転送状態を示すもので
、ここではセレクタ(20)を説明の都合上単極双投の
スイッチで表わしている。セレクタ(20)とスイッチ
回路(24)は連動し、セレクタ(20)が接点a側に
あるときはスイッチ回路(24)も接点a側にあり、セ
レクタ(20)が接点す側にあるときはスイッチ回路(
24)も接点す側にある。従って、セレクタ(20)と
スイッチ回路(24)が共に接点a側にあるときは、入
力端子(23)からの4ビツトのデータが順次SAM(
21)に書き込まれると共にSAM(22)に書き込ま
れている256ビツトのデータが一度にDRAM (2
5)に転送される。
同様にセレクタ(20)とスイッチ(24)が共に接点
す側にあるときには、入力端子(23)からの4ビット
のデータが順次SAM(22)に書き込まれると共にS
AM(21)に書き込まれている256ビットのデータ
が一度にDRAM (25)に転送される。
DRAM (25)の内部は具体的には例えば第5図に
示すように、1ラインが0〜15番の16個のブロック
に分割され、1ブロツクは256ビツト相当の容量であ
り、従って1ラインは4096 (256X 16)ビ
ット相当の容量である。そして、このようなラインが縦
方向に例えば303本存在する。つまり、16列×30
3行のマツプである。
そして、上述の如<SAM(21)及び(22)より転
送されてくる256ビツトずつのデータが、アドレス回
路(26)及び(27)  (第1図)で行と列を指定
された所定のブロックに順次書き込まれる。
第4図はDRAMからSAMへの転送状態を示すもので
、ここでは第1の出力バッファ手段の場合を示しており
、セレクタ(35)は上述同様の理由で単極双投のスイ
ッチで表わしている。スイッチ回路(32)とセレクタ
(35)は連動し、セレクタ(35)が接点a側にある
ときはスイッチ回路(32)も接点a側にあり、セレク
タ(35)が接点す側にあるときはスイッチ回路(32
)も接点す側にある。
従って、スイッチ回路(32)とセレクタ(35)が共
に接点a側にあるときは、アドレス回路(28)及び(
29)  (第1図)で行と列を指定されたDRAM(
25)の所定のブロックに書き込まれている256ビツ
トのデータが一度にSAM(33)に転送されると共に
SAM(34)に書き込まれている256ビツトのデー
タが4ビツトずつ順次出力される。
同様にスイッチ回路(32)とセレクタ(35)が共に
接点す側にあるときは、アドレス回路(28)及び(2
9)  (第1図)で行と列を指定されたDRAM(2
5)の所定のブロックに書き込まれている256ビツト
のデータが一度にSAM(34)に転送されると共にS
AM(33)に書き込まれている256ビツトのデータ
が4ビツトずつ順次出力される。
第7図はDRAMと入力バッファ手段に含まれるSAM
のタイミング関係を示すもので、セレクタ(20)にク
リア信号CLROが印加された時点でDRAM (25
)の0番のブロックに書き込もうとする256ビツトの
データが書き込みSA、Mとして働くSAMI例えばS
AM(21)に書き込まれ、このとき転送SAMとして
慟<SAM2例えばSAM(22)に書き込まれていた
256ビツトのデータがDRAM (25)の15番の
ブロックに転送される。次にDRAM (25)の1番
のブロックに書き込もうとする256ビツトのデータが
今度は書き込みSAMとして働<SAM2に書き込まれ
、このとき今度は転送SAMとして働<SAMIに書き
込まれていた256ビツトのデータがDRAM (25
)の0番のブロックに転送される。次に再び書き込みS
AMとして働<SAMIにDRAM (25)の2番の
ブロックに書き込もうとする256ビツトのデータが書
き込まれ、このとき再び転送SAMとして働(SAM2
に書き込まれていた256ビツトのデータがDRAM 
(25)の1番のブロックに転送される。以下同様に、
一方のSAMが書き込み中に他方のSAMは先に書き込
んだデータをDRAM (25)に転送し、逆に他方の
SAMが書き込み中には一方のSAMは先に書き込んだ
データをDRAM (25)に転送するようにして、全
てのデータの転送が終了する。
第8図はDRAMと出力バッファ手段に含まれるSAM
のタイミング関係を示すもので、セレクタ(35) 、
  (40)に夫々クリア信号CLRI、CLR2が印
加された時点で、読み出しSAMとして働くSAMIに
例えばSAM (33) 、  (38)に書き込まれ
ていたDRAM (25)の0番のブロックの256ビ
ツトのデータが4ビツトずつ出力され、このときDRA
M (25)の1番のブロックの256ビントのデータ
が転送SAMとして慟<SAM2例えば(34) 。
(39)に転送される。次に今度は読み出しSAMとし
て働<SAM2に書き込まれていたDRAM (25)
の1番のブロックの256ビツトのデータが4ビツトず
つ出力され、このとき今度は転送SAMとして働(SA
MIにDRAM (25)の2番のブロックの256ビ
ツトのデータが転送される。次に再び読み出しSAMと
して働<SAMIに書き込まれていたDRAM (25
)の2番のブロックの256ビツトのデータが4ビツト
ずつ出力され、このときDRAM (25)の3番のブ
ロックの256ビツトのデータが再び転送SAMとして
働(SAM2に転送される。以下、同様に、一方のSA
Mがデータを読み出し中には他方のSAMはDRAM 
(25)よりデータを転送され、逆に他方のSAMがデ
ータを読み出し中には一方のSAMはDRAM (25
)よりデータを転送されるようにして、全てのデータの
読み出しを終了する。
なお、上述の実施例ではDRAM (25)の1ライン
相当のメモリ容量4096ビツトの16分の1の容量2
56ビソトをSAMの容量とした場合に付いて説明した
が、その他例えば8分の1或いは4分の1の場合でもよ
い。
H発明の効果 上述の如(この発明によれば、メモリ手段の入出力側に
等容量の複数個のメモリを含むバッファ手段を設け、複
数個のメモリを一方が書き込み又は読み出し中には他方
を転送に使用し、逆も同様の動作を行わせるようにした
ので、1個送りのSAMの面積を従来より減少すること
ができ、これにより全体のチンプサイズが小さくなり低
廉化が図かれる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す回路構成図、第2図
、第3図、第4図及び第6図はこの発明の要部を示す回
路構成図、第5図はDRAMの内部構成を示す図、第7
図及び第8図は動作説明に供するための図、第9図は従
来装置の一例を示す回路構成図である。 (20) 、  (35) 、  (40)はセレクタ
、(21) 。 (22) 、  (33) 、  (34) 、  (
3B) 、  (39)はシリアルアクセスメモリ (
SAM) 、  (24) 、  (32) 。 (37)はスイッチ回路、(25)はダイナミックラン
ダムアクセスメモリ (DRAM)、(26) 、  
(2B) 。 (30)は行アドレス回路、 (27) 、  (29
) 、  (31)は列アドレス回路である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 映像信号が供給され、等容量の複数個のメモリを含む入
    力バッファ手段と、 該入力バッファ手段の出力が供給されるメモリ手段と、 該メモリ手段の出力が供給され、等容量の複数個のメモ
    リを含む出力バッファ手段とを備え、上記入力バッファ
    手段及び出力バッファ手段の各メモリは上記メモリ手段
    の1ライン相当のメモリ容量の整数分の1の容量を有す
    ることを特徴とする映像記憶装置。
JP61098847A 1986-04-28 1986-04-28 映像記憶装置 Pending JPS62256300A (ja)

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JP61098847A JPS62256300A (ja) 1986-04-28 1986-04-28 映像記憶装置
CA000535478A CA1293565C (en) 1986-04-28 1987-04-24 Semiconductor memory
CN87103783.1A CN1009682B (zh) 1986-04-28 1987-04-28 半导体存储器
EP87303753A EP0246767B1 (en) 1986-04-28 1987-04-28 Semiconductor memories
AT87303753T ATE100223T1 (de) 1986-04-28 1987-04-28 Halbleiterspeicher.
DE87303753T DE3788747T2 (de) 1986-04-28 1987-04-28 Halbleiterspeicher.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0284689A (ja) * 1988-09-21 1990-03-26 Toshiba Corp ビデオメモリ装置
WO1991017544A1 (en) * 1990-04-27 1991-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device having multiple ports

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