JPS62253604A - オレフイン重合又は共重合触媒の製造法 - Google Patents

オレフイン重合又は共重合触媒の製造法

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JPS62253604A
JPS62253604A JP61309002A JP30900286A JPS62253604A JP S62253604 A JPS62253604 A JP S62253604A JP 61309002 A JP61309002 A JP 61309002A JP 30900286 A JP30900286 A JP 30900286A JP S62253604 A JPS62253604 A JP S62253604A
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    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J21/00Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
    • B01J21/06Silicon, titanium, zirconium or hafnium; Oxides or hydroxides thereof
    • B01J21/08Silica
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F10/00Homopolymers and copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond

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  • Catalysts (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、一般には、触媒の分野に関する。更に具体的
に言えば、本発明は、ジルコニア−チタニア−シリカタ
ーゲルを担体として使用するオレフィン重合触媒の製造
法に関する。
従来技術の記述 キセロゲルを触媒担体として用いることは眉知である。
低細孔容積高表面積のセラミック型担体は、炭化水素分
解触媒に使用するには適しているけれども、オレフィン
重合触媒に決用するのには適していない。と云うのは、
か\る触媒の活性が極めて低いからである。
重合触媒担体として有用なキセロゲルの1つの種類は、
中細孔容積のシリカキセロゲルである。
しばしば、シリカキセロゲルは、ジルコニア又はチタニ
アを少割合でシリカに配合してなる二成分ゲルである。
シリカ−ジルコニアキセロゲルの1つの穐類は、ジルコ
ニアをシリカゲルに付着せしめることによつて製造され
る。シリカゲルへのジルコニアの付着は、触媒中に用い
たときに寓い溶融指数を有するポリエチレンを生じる担
体を提供しない。
ダンプロー氏姓の米国特許第4,216,137号には
、共沈、洗浄及び水除去によって高細孔容積ジルコエア
ーシリカ触媒担体を製造する方法が記載されている。
また、ターゲルを重合触媒担体として使用することもで
きる。ホーガン氏外の米国特許第2.825,721号
には、種々のターゲル及び重合触媒担体としてのそれら
の使用が記載されている。
高い溶融指数、広い分子量分布、高い重量膨潤等の如き
予定の特性を有するポリオレフィン樹脂を製造するのが
望ましく、そしてコゲルに担持された触媒を使用してか
−る樹脂を製造する試みがなされてきた。例えば、ホワ
ング氏姓の米国特許第4.128.500号には、担体
付きクロJ−,(I[I)アセチルアセトネート型触媒
が記載されている。
しかしながら、コゲル及びターゲルに担持された従来技
術の触媒は、生成物重合体特性の制御を提供するには完
全には成功的でなかった。
発明の概要 本発明の目的は、上記間−題のうちの1つ以上を打破す
ることである。
こ\に本発明に従えば、高細孔容積高表面積のジルコニ
ア−チタニア−シリカターゲルを触媒担体として使用し
たオレフィン重合及び共重合触媒が提供される。本発明
は、ターゲルを基材とした触媒、か−る触媒の製造法及
びか\る触媒を使用する重合法の提供を意図している。
更に具体的に言えば、本発明は、含水ジルコニア、含水
チタニア及び含水シリカを水溶液中で共沈させる反応を
企図している。ジルコニア及びチタニアの源としては、
しゆう醜ジルコニウム及びしゆう酸チタンのアルカリ金
属又はアンモニウム塩がそれぞれ使用される。シリカと
の共沈は酸で促進され、そしてシリカの源は好ましくは
けい酸アルカリ金属である。か\る共沈は、シリカ中に
おけるジルコニア及びチタニアの緊密で且つ十分な分布
をもたらす。
そのようにして作られたヒドロターゲルは、次いで、熟
成されそして洗浄されて高細孔容積(即ち、約15 c
c/1以上)ヒドロターゲルを生成する。洗浄されたヒ
ドロターゲルからの水の除去は、ダンプロー氏姓の米国
特許第4.247. I S 7号及びダンプ四−氏の
米国特許第4.279.7130号に開示される如き様
々な方法のうちのどれかによって又は噴霧、凍結乾燥若
しくは他の適当な技術によって行われる。
水除去技術としては、ヒドロターゲルの細孔の実質的な
破壊を回避するようにヒドロターゲルから水を穏やかに
除去することができ、これによって少なくとも約15c
e/iの所望の高湖孔容檀を有するキセロターゲルを提
供することができるものが選択される。
得られたキ七ロタ−ゲルは、オレフィン重合触媒担体と
してそのま−で使用することができ又は使用に先立って
焼成することもできる。
しゆう酸ジルコニウム化合物は、ヒドロゲル中供する。
と云うのは、ジルコニウムは、焼成キセ胃ゲルの細孔構
造を保存しそして比較的高い溶融指数(即ち、比較的低
い分子量)を有する生成物樹脂をもたらすからである。
本発明のキセロターゲルは、高い細孔容積(一般には約
15〜五5ee/lの範囲)(N重−BET )及び高
い表面積(例えば約200〜約6oat”/#)を有す
る。得られる実際の物理的特性は、ヒドロターゲルから
水を除去するのに用いた方法によって一部分決定される
。シリカに対するジルコニア(ZrOl)及びチタニア
(TIO,)の濃度は、同じ又は異なってよく、そして
一般には約200〜約67、5重量%の範囲であるがし
かし好ましくはそれぞれ約0.2〜5重量%の間である
。最とも好ましくは、ターゲルを用いてクロム触媒を担
持するときには、シリカに対するジルコニア及びチタニ
ア濃度の総計は約5重量−以下である。
本発明の更に他の目的及び利益は、特許請求の範囲と関
連して行なう以下の詳細な説明から当業者には明らかに
なるであるう、 発明の詳細な記述 本発明は、シリカとのジルコニア及びチタニアの酸促進
共沈好ましくはシリカに対して少割合でジルコニア及び
チタニアを共沈させることによって高細孔容積高表面積
ジルコニア−チタニア−シリカターゲルを製造すること
を意図するものである。その結果、ジルコニア及びチタ
ニアは、シリカ本体中に完全に分布され且つ一体化され
る。
以下に詳述するように、けい酸アルカリ金属からのシリ
カとの酸促進共沈間にジルコニア及びチタニアの源とし
てしゆう酸ジルコニウムのアルカリ金属又はアンモニウ
ム#1(例えば、テトラオクテツトジルコンm(IV)
アンモニウム五水和物)及びしゆう酸チタンのアルカリ
金属又はアンモニウム塩(例えば、ビス(オクテツト)
オキソチタン!!(IV)アンモニウム−水和物)をそ
れぞれジルコニア及びチタニアの源として用いると、ジ
ルコニア及びチタニアはシリカ中に好ましくは少割合で
緊密に且つ完全に分布される。特別な水除去技?If(
これについても以下で詳述する)並びに他の適当な水除
去法と組み合わさって、本操作は、高い細孔容積及び高
い表面積を有する新規な多孔質キ七シゲル触媒担体を提
“供する。
ヒドロターゲルの製造 高細孔容積ジルコニア−チタニア−シリカターゲルの製
造は、含水ジルコニア、含水チタニア及び含水シリカの
共沈によって行われる。
式M42r(C104)4 ・nHloのジルコニウム
化合物及び式Ml? 10(C104)1−nHloの
チタン化合物(前記式中、Mはアルカリ金属又はアンモ
ニウムイオンであり、モしてnは0〜10に等しい)が
式A、SIO,(こ\でAはアルカリ金属イオンである
)のけ・い素化合物と水溶液中において好ましくは約9
よりも低いpHで反応される。
ジルコニウム化合物、チタン化合物及びけい酸アルカリ
金属は、沈殿に先立って一緒に溶液状態にするのが望ま
しい。ジルコニウム化合物は、けい酸塩水溶液にチタン
化合物の前に、その後に又はそれと−緒に加えることが
できる。この溶液のpHは、早期沈殿が生じるかどうか
を決定する。
しゆう酸チタン及びしゆう酸ジルコニウムのアンモニウ
ム塩を用いる場合には、溶液のpHは、早期沈殿を回避
するためには約11以上でなければならないことが分っ
た。
最低の所要pHレベルはもし他のチタン又はジルコニウ
ム塩を用いるならばある程度変動してもよいが、しかし
最低pHはいずれにしても実験的に容易に測定可能であ
る。
共沈叉応は、酸で促進される。それ故に、反応は、溶液
に酸性物質(例えば、鉱醸)を添加して溶液のpHを好
ましくは約9よりも低く下げることによって開始させる
ことができる。好ましい削性物質とし、では、硫酸、塩
醋及び硫酸アンモニウムが挙げられる。
得られた共沈ヒドロターゲルは、シリカ、チタニア及び
ジルコニアを含有し、そして少なくとも約15ec/I
I好ましくは約1.5〜3.5 cc/Iの範囲内の所
望の高細孔容積を有する。
共沈後、ヒドロターゲル(水性懸濁液)は、次いで、好
ましくはは!室温から100℃の温度において約9より
も低いp)!好ましくは約6のpHで少なくとも1時間
熟成される。
熟成されたヒドロターゲルは、次いで、水の大部分から
分離されそして可溶性アルカリ金属及びアンモニウム塩
副生物を除来するために洗浄される。好ましくは、熟成
されたヒト田ターゲルは、先ず水で次いで硝酸アンモニ
ウム水溶液でそして再び水で洗浄される。しかしながら
、それは、水単独で又は副生物が可溶性であるような他
の水性液体で洗浄することができる。
洗浄による副生物の除来は、例えば後続の焼成間にけい
酸ナトリウムの如きけい酸塩の形成を回避するために必
須である。
重合触媒担体中にかようなけい酸塩が存在することは極
めて望ましくない。というのは、それらは極めて弱くな
る傾向がありそしてそれらの存在はターゲル中の細孔の
破壊をもたらす可能性があるからである。
最終洗浄液中のアルカリ金属及びアンモニウム濃度は、
約20 pptn以下であるべきである。洗浄後、約9
0%の水を含有するヒドロターゲルケーキが残る。
水の除去 本発明の高細孔容積キ七ロタ−ゲルを製造するタメに、
洗浄済みヒドロターゲルの細孔の実質的な破壊を回避す
るように選択された方法によって該ヒドロターゲルから
水が穏かに除去される。水の除去は、様々な方法のうち
のどれによっても達成することができる。例えば、酢酸
エチルの如き水と共沸混合物を形成することができる化
合物との共沸蒸留によって水を除去することができる。
第二の方法では、低分子量ケトン又はケトンと低分子量
アルコールとの混合物の如き水混和性溶剤又は溶剤混合
物でヒドロターゲルから水が抽出される。
第三の方法では、ヒドロターゲルを水混和性溶剤又は溶
剤混合物で抽出して水分の約90〜95%を除去し、次
いでこの一部分脱水されたターゲルを、微量の醗を加え
た弐RC(OR)2R(こ\で、Rは同種又は1411
でありそして1〜5個の炭素原子を有するアルキル基で
ある)のケタールで処置し、これによって残留水が化学
反応によって完全且つ不可逆的に除去される。
第四の方法では、水は、触媒としての微量の酸の存在下
にとド璽ターゲルを十分なケタールと直接接触させるこ
とによって除去される。
最後に、噴霧乾燥によって、凍結乾燥によって又は他の
適当な方法によって洗浄済みヒドロターゲルから水を除
去することができる。
かくして、キセ田ターゲルは、吸収された有機化合物を
含んでいない。こ−で、これは、オレフィン重合触媒担
体としてそのま\使用することができ又は使用に先立っ
て又は他の所望目的のために好ましくは400〜1,8
50”Fの範囲の温度で焼成することもできる。例えば
、このターゲルは、酵素を薬品及び食品製造プ四セスで
使用するために固定するのに用いることができる。
実質的な細孔破壊を回避するところの水除去法を選択す
ることが必須である。と云うのは、もし広い分子量分布
(流動学的分散度Rdによって測定して)を有する低分
子量(即ち1高メルトインデツクス)エチレンホモ重合
体及び共重合体を得ようとするならば、重合触媒担体に
おいて大きい細孔容積(即ち、t 5 cc/I以上)
が必要とされるからである。
本発明の水除去技術では、細孔の一体性を保持するため
に水が穏かに除去される。これは、水除去間において、
除去しようとする水の表面張力が細孔管作用によって細
孔を破壊するのに十分なだけ強くなるような条件を回避
することによって達成される。
従来のターゲル製造操作は、例えば焼成による水除去を
包含し、そして比較的低い細孔容積のターゲルをもたら
す。例えば、ハシスフオー1氏の米国特許第5.159
.588号では、約0.3〜α5cc7g  の範囲内
の細孔容積が得られる。か\る細孔容積は分解触媒には
適しているかもしれないが、それらは、重合触媒担体に
使用するにはあまりにも低すぎる。
触媒担体 本発明のターゲルに担持させることができる触媒として
は、チーグラー及びり四ム型オレフィン重合触媒が挙げ
られる。各成分の選択は、どのような樹脂特性を望むか
に左右される。一般には、触媒は、例えば斯界に局知の
手段によってターゲル担体に遷移金属又はり四ム化合物
の如き触媒的に活性な物質を付着させることによって作
られる。
−例として、活性重合成分としてり四ム(II)又はり
田ム(M)化合物を使用することができる。
クロム化合物は、キセロターゲルと乾式混合させること
ができ、又は非水性溶媒中の溶液としてキ七ロタ−ゲル
に合成させ次いで溶媒の除去を行なうこともできる。活
性化は、流動床において空気、窒素次いで空気、窒素次
いで空気次いで一酸化炭素等の如き乾燥ガスと共に加熱
することによって行なわれる。1750″Fまでの活性
化温度が好ましい。
クロム(■)アセチルア七トネートが好ましいクロム源
である。と云うのは、熱活性化の前にそれにキセ!ター
ゲルを乾式混合して触媒を調製しても、水が再導入され
ないからでiる〇特にクロム触媒の場合において高活性
化温度での焼結を回避するために、シリカに対するジル
コニア及びチタニアの各濃度はそれぞれせいぜい約3重
j1%でありそしてジルコニア及びチタニア濃度の総計
はせいぜい約5重社%であるのが好ましい。
次の実施例は、本発明の実施態様を例示するものであっ
て、本発明を限定するものではない。
実施例 ターゲルの製造 例A(本発明) 400Iのけい酸ナトリウム(&75g量%NatO1
25,5@i1%810. 、S lot/Nano重
量比=五75)を5aoccの脱イオン水(pH113
)中に溶解させた溶液に、7.611のテトラオクサラ
トジルコエウム(IV) eアンモニウム五水和物を2
00 ccの脱イオン水(pH45)中に溶解させた#
!を攪拌下に10分間にわたって添加した。
アンモニアが脱離さ4た。この溶液(初期において1t
2のpH)IIC,79のビス(オクサラト)オキソチ
タン(IV)酸アンモニウム−水和物を200CCの脱
イオン水中に溶解させた溶液を20分間にわたって添加
し九。最終pHは1t1であった。
6の最終pHに達するまで12重jt%硫酸の溶液を加
えると、共沈が起こった。共沈したヒドロターゲルを約
90℃において6時間熟成し、この間にpiを追加的な
12重量%硫酸で6に維持した。熟成後、ヒドリターゲ
ルを濾過によって集め、そして先ず脱イオン水で次いで
611酸アンモニウムの1%水溶液で最後に脱イオン水
で最終洗液中のナトリウムイオン濃度が約20 ppm
になるまで洗浄した・吸引濾過によって大部分の水を除
去して約9(10)1%の水を含有するヒドロターゲル
ケーキを得た。
一ヒトレターゲルケーキの一部分を酢酸エチルでの共佛
蒸留によって脱水して11重量%のジルコニア、tag
量%のチタニア及び約97.9重f!に%のシリカを含
有するキセロターゲルを得た。このキセ田゛ターゲルは
、(19)51/ecのカサ密度、L49cc/ION
、細孔容積及び484m”/fiの表面積を有していた
例B(本発明) 例Aのヒドロターゲルケーキの3751部分にt200
ccのアセトンを混合し、ヒドロターゲルを重力によっ
て沈降させそして透明な上方のアセトン/水Jlをデカ
ンテーションすることによってか\る部分を脱水した。
このサイクルは、600CCの新鮮なアセトンを加え次
いで約600 ccの透明な上方のアセトン/水贋を除
去することによって更に4回反復された。吸引1過によ
って約1(10)区−MLnss7aj−シノーJ/1
シーjab−,ピ;−7+?Lts、L+1−−+J+
ゲルスラリーを集め、次いでI CCの10%塩酸を加
えた2 20 e(:のλ2−ジメトキシブマバンを混
合した。十分な混合後に、N、雰囲気下での温和な加熱
によってすべての揮発分を除去した。
キセロターゲルの最終乾燥は200℃であった。
キセロターゲルは、(L2211/ccのカサ密度、2
.o06C/IiのN、m孔容積及び431ffl’/
II  の表面積を有していた。
例C(本発明) 例Aのヒドロターゲルケーキの3751部分に1200
 ccのスラリーを形成するのに十分なアセトンを混合
することによって、か\る部分を脱水した。十分な混合
後に、スラリーを重力によって沈降させた。透明な上方
の7七トン−水層をデカンテーションによって分’mし
た。このプロセスをもう4回反復した。約α6モルの残
留水を含有するアセトン−ヒトはターゲルスラリーを、
1CCの10%MCIを含む220 cc (18モル
)の2.2−ジメトキシプロパンで処置した。次いで、
N、及び温和な加熱下にすべての有機仕置物を伶≠j−
だ。
残留するキセロターゲルは、a、24fi/ccのカサ
密度を有していた。
例D(本発明) 40(10)1のけい酸ナトリウムを800 ccの脱
イオン水(pH1t6)中に溶解させた溶液に17、5
11のテトラオクサラトジルコニウム(IT)酸アンモ
ニウム五水和物を200 ccの脱イオン水(pH45
)中に溶解させた溶液を20分間にわたって攪拌しなが
ら加えた。アンモニアが脱離された。
この溶液(初期において1t6のpH)に、′15Iの
ビス(オクサラト)オキソチタン(■)酸カリウムニ水
相物e 200 ccの脱イオン水中に溶解させた溶液
を25分間にわたって加えた。最終pHは1αBであっ
た。
1問1%硫酸の溶液を6の最終pHまで加えると、約1
時間で共沈が起こった。共沈したヒドロターゲルを約8
0℃において2時間熟成し、この間にp)(を追加的な
12%硫酸で6に維持した。
熟成後、例AK記載の如くしてヒドロターゲルを集めそ
して洗浄した。
ヒドロターゲルケーキの一部分を酢酸エチルでの共沸恭
賀によって脱水してt41fifik%のジルコニア、
tI11社%のチタニ゛ア及び約97.5mjt%のシ
リカを含有するキセロターゲルを得た。このキ七ロタ−
ゲルは、(L15g/CCのカサ密度、2、a1ce/
IのN、細孔容積及び475m”/1の表面積を有して
いた。
例E(比較例) 米国特許第4.244137号の例8に記載の如くして
、ジルコニア及びシリカを含有するコゲルを調製した。
このキセロコゲルは、2.7重量−のZrO雪を含有し
そしてλ45cc7gのN!細孔容積を有してい九。
例F(比較例) この多孔質担体は、2−05cc/iのN、細孔容積及
び285m”/11  の表面積を有する市販高細孔容
積シリカであつ九。
触媒の調製及び試験 例A〜Dのターゲル、例Eのコゲル及び例Fの高細孔容
積市販シリカを基材としたオレフィン重合触媒を調製し
た。これは、クロム(1)アセチルア七トネートに焼成
キセロターゲル\コゲル(1000″F)及びシリカを
乾式混合することによって行われた。ターゲル及びコゲ
ル担持触媒を流動床においてt700″Fで乾燥N!に
よシ活性化し、次いで1,300°Fにおいて50分間
の乾燥空気処置を施こした。シリカ担体触媒を流動床に
おいてL600°Fで乾燥空気によシ活性化した@活性
化した触媒中のクロムの濃度は約1重量%であった。
1ガロンのオートクレーブにおいて、イソブタンを希釈
剤として用い、225″Fにおいて550psiの圧力
下にそして必要に応じてエチレンを供給して重合を行な
った。
以下の表のデータには、例ANDのジルフニアーチタニ
アーシリ力ターゲルに担持されたクロム触媒によって製
造されたg +)エチレン樹脂の分子臘分布は、ジルフ
ニアーシリカコゲルK又は高細孔容積シリカに担持され
た同様の融媒から製造した樹脂よりもずっと広いことが
示されている。これは、樹脂の流動学的分散度を評価す
る高いRd値によって表わされ工いる(重合例&1〜4
対例A5〜6)。これら樹脂は、広い分子量分布と一緒
に、高い溶融指数(MI )及び重量#fI4(S、”
)も有する(例2〜3)。本発明のターゲルに担持され
た触媒によって製造されたか\る樹脂は広い用途を有し
ている。
I     A   2173   a、o   4.
60.92    B   3B93  7.7  4
.8  2.45    C40797,24,82,
04D   1329  6.9  5.6  4B5
    E   1600  4.0  4.9   
五46    F   5200  5.0  5.1
  0.8(a)zム−シダ及びエル・キャンジオ、”
 Polymer Engineeringand 8
cienee ”、 Mo1.l、 p、124−12
8.March。
1971゜ (b)  エル・キャンジオ及びアール・ジョイナ−1
” Mode rnPlastlcs ” 、 Jan
、、  1977゜(C)ASTM  D−12:58
−62T条件E、 、li’/10分。混練及び安定化
以上本発明を具体的な実施例によって説明したけれども
A本発明はこれらの実施例に限定されないことを理解さ
れたい。

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(a)式M_4Zr(C_2O_4)_4・nH
    _2Oのジルコニウム化合物及び式M_2TiO(C_
    2O_4)_2・nH_2Oのチタン化合物(前記式中
    、Mはアルカリ金属又はアンモニウムイオンであり、そ
    してnは0〜10に等しい)を水溶液中において式A_
    2SiO_3(前記式中、Aはアルカリ金属イオンであ
    る)のけい素化合物とターゲルの沈殿を回避するのに十
    分なだけ高いpHで混合し、 (b)前記溶液に酸性物質を加えてそのpHをシリカ、
    チタニア及びジルコニアを含有し且つ少なくとも約1.
    5cc/gの細孔容積を有する多孔質ヒドロターゲルの
    沈殿をもたらすのに十分なだけ低くし、 (c)工程(b)のヒドロターゲルを熟成させ、(d)
    工程(c)の熟成したヒドロターゲルを水性液体で洗浄
    し、 (e)工程(d)の洗浄済みヒドロターゲルから該ヒド
    ロターゲルの細孔の実質的な破壊を回避するように選択
    された方法によつて、水を除去して少なくとも約1.5
    cc/gの細孔容積を有するキセロターゲルを生成し、 (f)工程(e)のキセロターゲルを焼成し、(g)工
    程(f)の焼成キセロターゲルに触媒的に活性な化合物
    を導入し、そして (h)活性化して活性重合又は共重合触媒を生成する、 各工程を含むオレフィン重合又は共重合触媒の製造法。
  2. (2)Mがアルカリ金属イオンである特許請求の範囲第
    1項記載の方法。
  3. (3)Mがアンモニウムイオンである特許請求の範囲第
    1項記載の方法。
  4. (4)工程(a)の溶液pHが少なくとも約11である
    特許請求の範囲第3項記載の方法。
  5. (5)工程(b)の酸性物質がpHを約9よりも下に下
    げるのに十分な量で添加される特許請求の範囲第4項記
    載の方法。
  6. (6)酸性物質が硫酸、塩酸又は硫酸アンモニウムであ
    る特許請求の範囲第1項記載の方法。
  7. (7)熟成がほゞ周囲温度から100℃の間の温度で少
    なくとも1時間行われる特許請求の範囲第1項記載の方
    法。
  8. (8)細孔容積が約1.5〜3.5cc/gの範囲内で
    ある特許請求の範囲第1項記載の方法。
  9. (9)シリカに対するジルコニア及びチタニアの各濃度
    がそれぞれ約0.14〜67.5重量%の間である特許
    請求の範囲第1項記載の方法。
  10. (10)ジルコニア及びチタニアの濃度がそれぞれシリ
    カに対して約0.2〜5重量%である特許請求の範囲第
    9項記載の方法。
  11. (11)ジルコニア及びチタニアの濃度の総計がシリカ
    に対して約5重量%以下である特許請求の範囲第10項
    記載の方法。
  12. (12)水と共沸混合物を形成することができる化合物
    との共沸蒸留によつて洗浄済みヒドロターゲルから水を
    除去する特許請求の範囲第1項記載の方法。
  13. (13)洗浄済みヒドロターゲルを水混和性溶剤又は溶
    剤混合物で洗浄することによつて該ヒドロターゲルから
    水を除去する特許請求の範囲第1項記載の方法。
  14. (14)溶剤が低分子量ケトン又はケトンと低分子量ア
    ルコールとの混合物である特許請求の範囲第13項記載
    の方法。
  15. (15)洗浄済みヒドロターゲルを水混和性溶剤又は溶
    剤混合物で抽出して水分の約90〜95%を除去し、次
    いでその部分脱水したターゲルを、微量の酸を加えた式
    RC(OR)_2R〔こゝで、Rは同種又は異種であり
    そして1〜5個の炭素原子を有するアルキル基である〕
    のケタールで処置し、これによつて残留水を完全且つ不
    可逆的に除去することによりてかゝるヒドロターゲルか
    ら水を除去する特許請求の範囲第1項記載の方法。
  16. (16)洗浄済みヒドロターゲルに、式RC(OR)_
    2R〔こゝで、Rは同種又は異種でありそして1〜5個
    の炭素原子を有するアルキル基である〕のケタールを、
    微量の酸の存在下に水と完全且つ不可逆的に反応するの
    に十分な量で直接接触させることによつて該ヒドロター
    ゲルから水を除去する特許請求の範囲第1項記載の方法
  17. (17)噴霧乾燥によつて洗浄済みヒドロターゲルから
    水を除去する特許請求の範囲第1項記載の方法。
  18. (18)凍結乾燥によつて洗浄済みヒドロターゲルから
    水を除去する特許請求の範囲第1項記載の方法。
  19. (19)焼成工程(f)が約400〜1,850°Fの
    温度で行われる特許請求の範囲第1記載の方法。
  20. (20)工程(g)の活性化合物がクロム化合物である
    特許請求の範囲第1項記載の方法。
  21. (21)工程(g)の活性化合物が遷移金属化合物であ
    る特許請求の範囲第1項記載の方法。
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