JPS62252508A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜プロセスを応用して作製される薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関するものである。

従来の技術 薄膜プロセスを利用して磁気ヘッドを製造する方法とし
て、従来から第２図に示すような方法が知られている。

第２図（ａ）において、まず基板１上に、磁気コアの一
半部となる第１の磁性膜２をスパッタリング法、あるい
は真空蒸着法などを用いて形成される。

次に第２図（ｂ）に示すように磁気ギャップ部となる非
磁性膜３を形成し、この後、第２図（Ｃ）の如く、磁気
ヘッドコアの他半部となる第２の磁性膜４を真空蒸着あ
るいはスパッタ法などにより形成する。

しかる後、第２図（ｄ）のように、第１の磁性膜を被う
第２の磁性膜を一部除去して、最終的に非磁性膜３をギ
ャップとした磁気ヘッドを完成する。なお、６はコイル
を巻装するための巻線窓である。

発明が解決しようとする問題点 ここで、上記した磁性膜としては、最近の高抗磁力テー
プに対応してセンダスト薄膜や、アモルファス軟磁性膜
などの合金薄膜などが用いられるが、合金薄膜の比抵抗
は１００μΩ一工程度であり、ビデオテープレコーダに
用いられる４　ＭＨｚの周波数での渦電流のスキンデプ
スは８μｍ程度である。このためビデオヘッドのように
トラック幅が２０μｍ程度の磁気ヘッドを上記した薄膜
プロセスによシ製造した場合、渦電流損失が大きくなシ
磁気ヘッドの効率が低下する欠点があった。

一方２合金系の磁性材料において、渦電流損失を低減す
る方法として、絶縁層を介して積層、多層化する技術が
知られている。しかし、上記した技術を薄膜プロセスを
利用した磁気ヘッドの製造方法に適用した場合、以下の
ような問題を生じ適切でなかった。

即ち、第３図に示すように、第１の磁性膜２′および第
２の磁性膜４′を絶縁膜６を介して、多層化した場合、
特に第２の磁性膜４′を形成する際に、絶縁膜６はギャ
ップ７の近傍では、ギャップ７に平行に形成される。そ
してこの部分は、擬似ギャップとして作用する。

第３図から分る通り、ギャップ７と前述した擬似ギャッ
プは平行であるため、アジマス損失がなく、記録時、再
生時において、相互干渉し、機器の信頼性を劣化させる
欠点があった。また、前述した渦電流は、磁性体内部の
磁束変化をさまたげる方向に流れる。即ち、第３図にお
いて磁気ヘッドのギャップ７を構成する平面に平行に流
れる。

この結果、ギャップ７の近傍では多層化の効果はなく、
この部分では、渦電流損失によシ、透磁率が低下し、磁
気ヘッドの効率を低下させる欠点もあった。

この欠点を避けるため、第２の磁性膜を多層化する際の
絶縁膜の形成時に、スパッタリング方向。

真空蒸着の方向などを工夫して、行うことも可能である
が、ギャップ７に平行に形成される絶縁膜の厚さが小さ
くなるだけで、本質的に、上記した欠点を解決できるも
のではなかった。

本発明は、薄膜プロセスを利用して製造する磁気ヘッド
において、構成する磁性膜を多層化した時に生じる、擬
似ギャップに起因する特性劣化を改善した高性能の磁気
ヘッドの製造方法を提供するものである。

問題点を解決するための手段 以上の問題点を解決するため、本発明においては、第２
の多層磁性膜を形成する際、それぞれの磁性層、絶縁層
を、例えばスパッタリング法あるいは、真空蒸着法など
によシ付着させた後、磁気ギャップ部に形成された不必
要な被着層を付着する毎に物理的エツチング法、あるい
は化学的なエツチング法により除去することを特徴とし
ている。

作　　用 本発明は、上記した方法により、磁気ギャップ部に不必
要な被着層を形成することがなく、擬似ギャップは完全
に消失し、ギャップと擬似ギャップとの相互干渉がなく
、良好な記録再生が可能になる。

また、第２の磁性膜はギャップ部に垂直に絶縁層が形成
される結果、ギャップ近傍まで、第２の磁性膜は完全に
多層化される。このため、渦電流損失をギャップ近傍ま
で完全に抑制することが可能となり、記録再生効率が高
くなる。

実施例 以下、本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法を
第１図を用いて説明する。

まず、第１図（ａ）に示すように非磁性基板１上に７μ
ｍのＣｏＮｂＺｒアモルファス膜を形成する磁性膜２を
０．５μｍの５１ｏ２を層間絶縁膜８として３層積層し
、２２μｍの多層磁性膜をスパッタリング法により形成
する。次に、一点鎖線で示す多層磁性膜の一半部をエツ
チングにより除去する。

次に、第１図（ｂ）に示すように、多層磁性膜上及び多
層磁性膜の内側面及び多層磁性膜が除去された非磁性基
板１上にギャップ形成用の０．５μｍのＡＩ！２０３か
ら成る非磁性膜３をスパッタリング法により付着させる
。

そして、第１図（０）に示すように、７μｍのＣｏＮｂ
Ｚｒから成る磁性膜４を形成する。この時、非磁性基板
１の面に垂直な非磁性膜３の部分のギャップ部７に付着
する磁性膜４′の膜厚はスパッタリング法によって飛来
する磁性粒子の入射角を制御することにより、その他の
部分と比較して極めて小さくすることができる。

このため、第１図（ｄ）の如く、ギャップ部側面に付着
した磁性膜をエツチング法により完全に除去する。この
時、ギャップ側面以外の磁性膜も若干エツチングされる
が、ギャップ側面の磁性膜の膜厚が極めて小さいため、
ギャップ側面の磁性膜以外は大部分がエツチングされな
いで残る。

次に、第１図（ｅ）の如（０，５μｍのＳｉＯ２からな
る層間絶縁膜８′を付着させ、第１図（ｄ）と同様な方
法でギヤツブ部７側面に付着した不必要な５ｌｏ２をフ
ッ酸により除去する。第１図（ｆ）に示すように、この
時ギャップ部７はＡｌ２Ｏ３で構成されているため、フ
ッ酸によってエツチングされることなく、最初に設定し
たギャップ長が保存される。

この後、磁性膜の形成とエツチング、および層間絶縁層
の形成とエツチングを繰り返すことによって、第１図（
ｑ）に示すような構造となる。

しかる後に、段差部をラッピングにより除去し、第１図
（ｈ）に示すような磁気ヘッド形状を得る。

なお、ギャップ部７に形成される不必要な磁性膜および
眉間絶縁膜の膜厚は極めて小さいから、この部分のエツ
チング手法としては７ツ酸によるエツチングやＣＦ４に
よるプラズマエツチングのような化学的エツチング法の
他に、イオンシリング法のような物理的な手段を利用す
ることもできる。

特に、化学的エツチング手法を利用した時には、ギャッ
プ部を構成する材料と、層間絶縁膜の材料とを異にする
ことにより、選択エツチングが可能となり、眉間絶縁膜
だけをエツチングすることによシ、ギャップ長を高精度
に設定することが可能になる。そして本実施例のように
、非磁性膜にＡＩｔ２ｏ３膜、層間絶縁膜にＳｉｏ２膜
を用いた時には、フッ酸によシ容易に５ｔＯ２だけが選
択エツチングされるため、きわめて生産性にすぐれたも
のになる。

尚、本実施例において１チツプの磁気ヘッドの製造方法
について述べているが、薄膜プロセスを用いているため
、ウェハープロセス的に一基板上に多くのチップを同時
に作製することも可能であシ量産的に優れたものでもあ
る。

発明の効果 以上のように本発明は、第２の磁性膜を多層化する際に
生じる擬似ギャップを完全に消失するため、本来のギャ
ップ部と擬似ギャップの相互干渉がなく、また、ギャッ
プ近傍での透磁率劣化のない高性能な磁気ヘッドの製造
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明の一実施例における薄膜
磁気ヘッドの製造方法を示す製造工程を説明するための
磁気ヘッドの正面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の磁
気ヘッドの製造方法を説明するための斜視図、第３図は
従来の磁気ヘッドの製造方法を説明するための正面図で
ある。 １・・・・・・非磁性基板、２，４，４’・・・・・・
磁性膜、３・・・・・・非磁性膜、６・・・・・・巻線
窓、６　、８　、８’・・・・・・層間絶縁膜、７・・
・・・・ギャップ部。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　はが１名（コ
　　　　　　　　　　　　　　　　−シ、　　　　　　
　　　　　　　　　　　＋＋１第　２　口 （６乙ン （ｂ＞ （ｄ） 第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性基板上に、複数の絶縁層と磁性層とを互い
   に積層して多層磁性膜を形成するとともに、この多層磁
   性膜の一部を除去し磁気ヘッドコアの一半部となる第１
   の多層磁性膜を作成し、第１の多層磁性膜の内側面に磁
   気ギャップ部となる非磁性膜を形成し、前記磁気ヘッド
   コアの他半部となる第２の多層磁性膜を、複数の絶縁層
   と磁性層を互いに積層して形成するに際し、前記磁気ギ
   ャップ部を構成する非磁性膜に付着した第２の多層磁性
   膜を構成する磁性層、絶縁層の各層を前記非磁性膜に付
   着する毎に化学的あるいは物理的エッチング法により除
   去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. （２）磁気ギャップ部となる非磁性膜をＡｌ＿２Ｏ＿３
   膜で形成し、第２の多層磁性膜を構成する絶縁膜をＳｉ
   Ｏ＿２膜で形成し、前記非磁性膜の側面に付着した絶縁
   膜のＳｉＯ＿２を化学的に選択エッチングしたことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの
   製造方法。