JPS62252507A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「技術分野」 本発明は、薄膜磁気へ・シトの製造方法に関し、特に下
部磁性膜層として、Ｆｅ−Ａｌ−３ｔ系合金膜層を用い
た場合の製造方法に関する。

「従来技術およびその問題点」 第２図について従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明
する。まず非磁性基板１１上に、必要に応じ下地絶縁ｌ
ｌＩを形成してから、下部磁性膜層１２を形成する（第
２図（ａ））。

次にこの下部磁性膜層１２上に磁気ギャップとなる第−
絶縁膜層１３を形成して（同（ｂ））から、この第−絶
縁膜層１３の上にコイルとなる導電層１４を積層形成す
る（同（Ｃ））、そしてエツチングによりこれをコイル
１４ｃとしてから（同（ｄ））、このコイル１４ｃ上に
第二の絶縁膜層１５を形成する（同（ｅ））。

第二絶縁膜層１５は、バックギャップ部１６￥！含んで
、コイル１４ｃを絶縁する部分以外の不要部分は、エツ
チングによって除去される（同（ｆ））、バックギャッ
プ部１６の第一絶縁膜層１３は、ざらにエツチングによ
って除去されて導通孔１７が形成される（同（９））。

次にこの第二結締膜層１５の上に、上部磁性膜層１８を
形成する（同（ｈ））と、この上部磁性膜層１８は第一
絶縁膜層１３によってコイル１４ｃとは絶縁され、導通
孔］７によって下部磁性膜層１２とは導通することとな
る。よって下部磁性膜層］２と上部磁性膜層１８とはバ
・シフギャップ部１６においで導通する磁気回路を構成
する０以上の各層の積層形成が終了した徒、基板非磁性
基板１１を含む全体は、第２図（ｈ）の左方において切
断され、第一絶縁膜層１３を挟んで下部磁性膜層１２と
下部磁性膜層１８で形成された磁気ギャッ。

ブ１９（第３図）を露出させる。第３図は以上のように
しで形成した薄膜磁気ヘッドを磁気ギャップ１９側から
見た概念図で、この図では非磁性基板１１上に、下地絶
縁膜２０が付されている。

以上の薄膜磁気ヘッドにおいては従来、下部磁性膜層１
２として例えばＮｉ−Ｆｅ系合金が主に使用されてきた
。ところが最近、高記録と度化の要求から、この下部磁
性膜層１２として、透磁率（Ｕ）、磁束と度（Ｂ）、比
抵抗とも高く、周波数特性がよいＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合
金（センダスト）が注目され、一部使用されるに至って
いる。ところがこのＦｅ−Ａｔ−Ｓｉ系合金は、第一絶
縁膜層１３のバックギャップ部１６をエツチングして導
通孔１７を形成する際、エツチング液によって侵されや
すいという性質を持つ。エツチング液は、第−絶１！膜
層１３が５ｉ０２膜からなる場合、例えば中性フッ化ア
ンモニウム溶液５部に対し、フッ化水素１．５部を混合
したものが使用される。　Ｆｅ−Ａｔ−５ｉ系合金から
なる下部磁′ｌ！、ｓ層１２が侵されると、第２図（９
）、（ｈ）に誇張して示すように、下部磁性膜層１２表
面（こ激しい凹凸１２ａが生じ、下部磁性膜層１８との
間の磁気抵抗が大きくなって、磁気回路の効率が低下し
、下部磁性膜層１２としてＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金を使
用する意味がなくなり、あるいは減殺されてしまうとい
う問題があった。

「発明の目的」 本発明は、このように下部磁性膜層としでＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金を用いた場合の問題点に着目し、この問題点
を解消できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を得ることを目
的とする。

「発明の概要」 本発明は、エツチング液に侵されやすいＦｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ系合金を、エッチジグ液に侵されにくく、かつ磁気特
性に悪影１１［ｒ与えることのない材料で被覆すれば、
以上の問題点を解消できるとの着眼の下に研究の結果、
Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ）がＦｅ−Ａ　Ｉ　−Ｓ
　ｉ系合金を被覆する材料として最適であることを見出
して完成されたものである。すなわち本発明は、以上の
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法においで、下部磁性膜
層としてＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜層を用い、このＦｅ
−Ａｌ−５ｉ系合金膜層の上に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金膜層
を形成してから、絶縁膜層の形成、この絶縁膜層のバッ
クギャップ部のエツチングによる除去、および上部磁性
膜層の形成を行なうことを特徴としている。

「発明の実施例」 以下図面に基づいて本発明を説明する。第１図は本発明
による薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すもので、第２図
で説明した従来の製造工程と異なる点は、非磁性基板１
１上に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金からなる下部磁性膜層
１２を形成した後（第１図（ａ−１））、この下部＠牲
膜層１２上にＦｅ−Ｎｉ系合金膜層（保護膜層）２１を
形成する（同（ａ−２））点にある。これ以後の工程は
、従来工程と同一である。

すなわちこのＦｅ−Ｎｉ系合金膜層２１の上に磁気ギャ
ップとなる第−絶縁膜層１３を形成して（同（ｂ））か
ら、この第一絶縁膜層１３のよ（こコイルとなる導電層
導電層１４１ｆｒ積層形成する（同（ｃ））。

そしてエツチングによりこれをコイル１４ｃとしてから
（同（ｄ））、この導電層１４上に第二絶縁膜層１５を
形成する（同（ａ））。

第二′ｌｌ！、縁膜層１５は、バックギャップ部１６を
含んで、コイル１４ｃを絶縁する部分以外の不要部分は
、エツチングによって除去される（同（ｆ））、バック
ギャップ部１６の第−絶縁膜層１３は、ざらにエツチン
グによって除去されて導通孔１７が形成される（同（９
））。

次にこの第一絶縁膜層１５の上に、上部磁性膜層１８を
形成する（同（ｈ））と、この上部磁性膜層１８は第一
絶縁膜層１５によってコイル１４ｃとは絶縁され、導通
孔１７によって下部磁性膜層］２とは導通することとな
る。よって下部磁性膜層１２と上部磁性膜層１８とはバ
ックギャップ部１６において導通する磁気回路を構成す
る０以上の各層の積層形成が終了した徒、基板非磁性基
板１１１Ｆｒ含む全体は、第１図（ｈ）の左方において
切断され、外見上は、第３図と同様の薄膜磁気ヘッドが
得られる。

Ｆｅ−Ｎｉ系合金！１１１２１は、Ｎｉ成分が多いため
、ＳｉＯ□膜等からなる第一絶縁膜層１３をエツチング
によって除去する際に、侵されない、よって下部磁性膜
層１２が保護され、上部磁性膜層１８と下部磁性膜層１
２　（Ｆｅ−Ｎｉ系合金膜層２１）との磁気抵抗の増大
を招くことがない、またＦｅ−Ｎｉ系合金膜層２１は磁
気ギャップ１９側にも露出することとなるが、Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金膜層２１は軟磁性材料であるので、磁気回路上
、問題は生じない、なおこのＦｅ−Ｎｉ系合金膜層２１
の厚みは、例えば４００Ａ程度とするとよい結果が得ら
れた。

なお本発明は、コイル１４ｃの形成方法、第二絶縁膜層
１５のエツチングによる除去方法等は問わない。

「発明の効果」 以上のように本発明方法は、薄膜磁気ヘッドの下部磁性
膜層として、高記録！度化を図ることが可能なＦｅ−Ａ
ｌ−５ｉ系合金膜を用いた場合にあいで、この下部磁性
膜層表面に、エツチングされにくぃＦｅ−Ｎｉ系合金膜
層を積層形成したので、Ｆｅ−Ｎｉ系合金膜層上に形成
する絶ａｍをバックギャップ部でエツチングにより除去
する際、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜層がエツチングによ
って侵されるのを防止することができる。よってＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉ系合金のもつ優れた磁気特性を損なうことな
くこれを十分発揮させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ−１）、（ａ−２）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ
）、（ｅ）、（ｆ）、（９）。 （ｈ）は本発明（こよる＄１１磁気ヘッドの製造工程を
示す要部の断面図、第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（
ｄ）、（ｅ）。 （ｆ）、（＋）、（ｈ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造
工程例を示す要部の断面図、第３図は薄膜磁気ヘッドの
斜視図である。 １１・・・非磁性基板、１２−・・下部磁性膜層、１３
・・・第一絶縁膜層、１４−・・導電層、１５−・・第
一絶縁膜層、１６−・・バックギャップ部、１７−・・
導通孔、１８・・・上部磁性膜層、１９−・・磁気ギャ
ップ、２１・−Ｆｅ−Ｎｉ系合金膜層。 第１　Ｆ８ 第１図 第２図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性基板上に、下部磁性膜層と、磁気ギャップ
   形成のための絶縁膜層とを積層形成し、この絶縁膜層の
   バックギャップ部をエッチングにより除去した後、さら
   にこの絶縁膜層上に、上記下部磁性膜層と磁気回路を構
   成する上部磁性膜層を積層形成する薄膜磁気ヘッドの製
   造方法において、上記下部磁性膜層として、Ｆｅ−Ａｌ
   −Ｓｉ系合金膜層を形成し、このＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合
   金膜層の上に、Ｆｅ−Ｎｉ系合金膜層を形成してから、
   上記絶縁膜層の形成、この絶縁膜層のバックギャップ部
   のエッチングによる除去、および上部磁性膜層の形成を
   行なうことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。