JPS62248278A - 半導体レ−ザ駆動装置 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動装置Info
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- JPS62248278A JPS62248278A JP61091170A JP9117086A JPS62248278A JP S62248278 A JPS62248278 A JP S62248278A JP 61091170 A JP61091170 A JP 61091170A JP 9117086 A JP9117086 A JP 9117086A JP S62248278 A JPS62248278 A JP S62248278A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ駆動装置に関する。
半導体レーザ（以下ＬＤと略記する）は、一般に温度変
化による出射光量の変化が太き（゛・０この温度変化に
よる出射光量の変化を補正して、常にほぼ一定の出射光
量を得るため、従来、第４図に示すような半導体レーデ
駆動装置が提案されている。
化による出射光量の変化が太き（゛・０この温度変化に
よる出射光量の変化を補正して、常にほぼ一定の出射光
量を得るため、従来、第４図に示すような半導体レーデ
駆動装置が提案されている。
第４図において、ＬＤ １および受光素子２は一体に組
込まれた構造となっており、受光素子２に発生した光起
電流は負荷抵抗３で電圧ｅ、に変換され、この電圧ｅｉ
は減算器４の一方の入力端に印加される。減算器４の
他方の入力端には、基準電圧源５から基準電圧ｅｒが印
加され、ここで電圧ｅ。
込まれた構造となっており、受光素子２に発生した光起
電流は負荷抵抗３で電圧ｅ、に変換され、この電圧ｅｉ
は減算器４の一方の入力端に印加される。減算器４の
他方の入力端には、基準電圧源５から基準電圧ｅｒが印
加され、ここで電圧ｅ。
と基準電圧ｅｒ との差電圧ｅＩ！を求め、これを増幅
器６を経てし０１のドライブトランジスタ７に帰還する
ことにより、ＬＤ ｌの出射光量を一定に保つようにし
ている。このような半導体レーザ駆動装置の回路構成を
以下ＡＰＣ回路という。
器６を経てし０１のドライブトランジスタ７に帰還する
ことにより、ＬＤ ｌの出射光量を一定に保つようにし
ている。このような半導体レーザ駆動装置の回路構成を
以下ＡＰＣ回路という。
第４図のＡＰＣ回路において、受光素子２はフォトダイ
オード（以下、ＰＤと略記する）が用いられるが、この
ＰＤは入射光量に応じて一定の光起電流を発生するので
、電気回路的には定電流源とみなすことができる。
オード（以下、ＰＤと略記する）が用いられるが、この
ＰＤは入射光量に応じて一定の光起電流を発生するので
、電気回路的には定電流源とみなすことができる。
ここで、電圧ｅ１ を十分に大きな電圧として取出すた
めに、負荷抵抗３を大きくすると、ＰＤの光−電流変換
のりニアリティが保持できなくなるため、ＰＤは逆バイ
アスで使用される。この原理を、第５図を参照して簡単
に説明する。
めに、負荷抵抗３を大きくすると、ＰＤの光−電流変換
のりニアリティが保持できなくなるため、ＰＤは逆バイ
アスで使用される。この原理を、第５図を参照して簡単
に説明する。
第５図において、縦軸はＰＤの順方向電流ｌを示し、横
軸はＰＤの両端電圧Ｖを示す。曲線Ｘ、ＹおよびＺは、
入射光量に応じた電流電圧特性を示し、入射光量が増加
するに従いＸ−Ｙ−Ｚへと移動する。また、直線ａ、ｂ
およびＣは、ＰＤに直列に接続した負荷抵抗に光起電流
が流れたときに発生する電圧を表わす負荷直線を示し、
ａおよびＣは逆バイアスなしでの負荷直線を、ｂは逆バ
イアスありでの負荷直線を示す。
軸はＰＤの両端電圧Ｖを示す。曲線Ｘ、ＹおよびＺは、
入射光量に応じた電流電圧特性を示し、入射光量が増加
するに従いＸ−Ｙ−Ｚへと移動する。また、直線ａ、ｂ
およびＣは、ＰＤに直列に接続した負荷抵抗に光起電流
が流れたときに発生する電圧を表わす負荷直線を示し、
ａおよびＣは逆バイアスなしでの負荷直線を、ｂは逆バ
イアスありでの負荷直線を示す。
第５図から明らかなように、逆バイアスなしでの負荷直
線ａでは、入射光量が特性Ｙに達した点で光−電流変換
のりニアリティが失われるのに対し、逆バイアスありで
の負荷直線すでは特性Ｘ−２間でリニアリティが有効に
保持される。なお、逆バイアスなしでも、負荷直線Ｃの
ようにｘ−７間でリニアリティを保持することができる
が、この場合には負荷抵抗を小さくしなければならない
ため、入射光量に対してのＰＤの負荷抵抗に発生する電
圧が非常に小さくなってしまう。
線ａでは、入射光量が特性Ｙに達した点で光−電流変換
のりニアリティが失われるのに対し、逆バイアスありで
の負荷直線すでは特性Ｘ−２間でリニアリティが有効に
保持される。なお、逆バイアスなしでも、負荷直線Ｃの
ようにｘ−７間でリニアリティを保持することができる
が、この場合には負荷抵抗を小さくしなければならない
ため、入射光量に対してのＰＤの負荷抵抗に発生する電
圧が非常に小さくなってしまう。
以上のように、従来のＡＰＣ回路においては、ＬＤの光
量検出用ＰＤを逆バイアスして使用するのが一般的であ
る。しかしながら、第４図のような一般の正負電源を使
用したオペアンプ回路では、電源のＯＮ、 ＯＦＦ時に
おける過渡状態での出力が不安定となるため、ＬＤを損
傷するという問題がある。この問題を解決するためには
、ＬＤ用の特別なＯＮ、 ＯＦＦ回路を設ければよいが
、このようにすると構成が複雑になると共に高価になる
という問題がある。
量検出用ＰＤを逆バイアスして使用するのが一般的であ
る。しかしながら、第４図のような一般の正負電源を使
用したオペアンプ回路では、電源のＯＮ、 ＯＦＦ時に
おける過渡状態での出力が不安定となるため、ＬＤを損
傷するという問題がある。この問題を解決するためには
、ＬＤ用の特別なＯＮ、 ＯＦＦ回路を設ければよいが
、このようにすると構成が複雑になると共に高価になる
という問題がある。
また、例えば最近のＣＤプレーヤのように、小形化、省
電力化のために電源回路が単一正電源で構成される場合
には、逆バイアスとしての負電源が使用できないと共に
、ＰＤは構造上の制約によりアノード側をアース電位に
あるケースに直付けできないため、正電源を逆バイアス
として用いることもできない。このような場合でも、Ｐ
Ｄの光−電流変換のりニアリティを有効に保持する方法
として、ＰＤの負荷直線を第５図の直線Ｃのように選ぶ
ことが考えられるが、このようにするとＰＤの負荷抵抗
が小さいために、一般的なＣＤ用ＬＤとＰＤとの組合わ
せにおいては、負荷抵抗に発生する電圧ｅ、が０．３〜
０．４ｖ程度となって、通常のエミッタ接地増幅回路で
はＶｌｌ！： （ベース−エミッタ間電圧）の制約のた
め使用できないという問題がある。
電力化のために電源回路が単一正電源で構成される場合
には、逆バイアスとしての負電源が使用できないと共に
、ＰＤは構造上の制約によりアノード側をアース電位に
あるケースに直付けできないため、正電源を逆バイアス
として用いることもできない。このような場合でも、Ｐ
Ｄの光−電流変換のりニアリティを有効に保持する方法
として、ＰＤの負荷直線を第５図の直線Ｃのように選ぶ
ことが考えられるが、このようにするとＰＤの負荷抵抗
が小さいために、一般的なＣＤ用ＬＤとＰＤとの組合わ
せにおいては、負荷抵抗に発生する電圧ｅ、が０．３〜
０．４ｖ程度となって、通常のエミッタ接地増幅回路で
はＶｌｌ！： （ベース−エミッタ間電圧）の制約のた
め使用できないという問題がある。
この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たもので、簡単かつ安価な構成で、受光素子の光−電流
変換のりニアリティを有効に保持してＬＤの出射光量を
常にほぼ一定に制御できるようにした半導体レーザ駆動
装置を提供することを目的とする。
たもので、簡単かつ安価な構成で、受光素子の光−電流
変換のりニアリティを有効に保持してＬＤの出射光量を
常にほぼ一定に制御できるようにした半導体レーザ駆動
装置を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するだめの手段および作用〕上記目的を
達成するため、この発明ではＬＤをコレクターエミッタ
通路に接続したＬＤ’駆動用のＮＰＮトランジスタと、
前記ＬＤの出射光を受光して入射光量に応じた光起電流
を発生する受光素子と、この受光素子に直列に接続され
、該受光素子の光起電流を電圧に変換する負荷抵抗と、
コレクタを接地し、前記負荷抵抗における電圧をベース
に印加して増幅するＰＮＰ トランジスタと、このＰＮ
Ｐ トランジスタの出力電圧に基いて前記ＬＤの出射光
量が常にほぼ一定となるように前記ＮＰＮ トランジス
タのベースに印加する電圧を制御する手段とを具え、こ
れらを単一正電源で動作させるよう構成する。
達成するため、この発明ではＬＤをコレクターエミッタ
通路に接続したＬＤ’駆動用のＮＰＮトランジスタと、
前記ＬＤの出射光を受光して入射光量に応じた光起電流
を発生する受光素子と、この受光素子に直列に接続され
、該受光素子の光起電流を電圧に変換する負荷抵抗と、
コレクタを接地し、前記負荷抵抗における電圧をベース
に印加して増幅するＰＮＰ トランジスタと、このＰＮ
Ｐ トランジスタの出力電圧に基いて前記ＬＤの出射光
量が常にほぼ一定となるように前記ＮＰＮ トランジス
タのベースに印加する電圧を制御する手段とを具え、こ
れらを単一正電源で動作させるよう構成する。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路図である。Ｌｏ
ｌｌ はそのアノードをＮＰＮ トランジスタ１２のエ
ミッタに接続し、カソードは接地する。ＮＰＮトランジ
スタ１２のコレクタは単一正電源の正端子に接続して＋
ｖｃｃを印加する。ＬＤ １１の出射光を受光して入射
光量に応じた光起電流を発生するＰＤ １３は、そのカ
ソードを接地し、アノードは負荷抵抗１４を経て接地し
て、この負荷抵抗１４においてＰＤ １３の光起電流に
応じて生ずる電圧ｅ、をコレクタを接地したＰＮＰ ト
ランジスタ１５のベースに印加する。
ｌｌ はそのアノードをＮＰＮ トランジスタ１２のエ
ミッタに接続し、カソードは接地する。ＮＰＮトランジ
スタ１２のコレクタは単一正電源の正端子に接続して＋
ｖｃｃを印加する。ＬＤ １１の出射光を受光して入射
光量に応じた光起電流を発生するＰＤ １３は、そのカ
ソードを接地し、アノードは負荷抵抗１４を経て接地し
て、この負荷抵抗１４においてＰＤ １３の光起電流に
応じて生ずる電圧ｅ、をコレクタを接地したＰＮＰ ト
ランジスタ１５のベースに印加する。
なお、負荷抵抗１４の抵抗値は、ＰＤ １３の光−電流
変換のりニアリティが保てる値とする。
変換のりニアリティが保てる値とする。
ＰＮＰ トランジスタ１５のエミッタは抵抗１６および
１７を経て単一正電源の正端子に接続して＋ＶＣＣを印
加し、これにより抵抗１６と１７との接続点１８から電
圧ｅ、を増幅した電圧を取出して減算器１９の一方の入
力端に印加する。減算器１９の他方の入力端には、基準
電圧源２０から基準電圧ｅｒを印加し、ここで両入力電
圧の差電圧を求め、この差電圧を増幅器２１の入力端に
印加する。増幅器２１は入力された差電圧を増幅し、こ
れによりＮＰＮ トランジスタ１２のベースに印加する
ドライブ電圧ｅ。を、ＬＤ １１がほぼ一定の出射光量
となるように制御する。なお、減算器１９および増幅器
２１は単一正電源で動作させる。
１７を経て単一正電源の正端子に接続して＋ＶＣＣを印
加し、これにより抵抗１６と１７との接続点１８から電
圧ｅ、を増幅した電圧を取出して減算器１９の一方の入
力端に印加する。減算器１９の他方の入力端には、基準
電圧源２０から基準電圧ｅｒを印加し、ここで両入力電
圧の差電圧を求め、この差電圧を増幅器２１の入力端に
印加する。増幅器２１は入力された差電圧を増幅し、こ
れによりＮＰＮ トランジスタ１２のベースに印加する
ドライブ電圧ｅ。を、ＬＤ １１がほぼ一定の出射光量
となるように制御する。なお、減算器１９および増幅器
２１は単一正電源で動作させる。
上記構成において、ＬＤ １１の出射光量が上昇し、Ｐ
Ｄ １３の光−電流変換効率が上って電圧ｅ１が上昇す
ると、減算器１９の出力電圧は小さくなって増幅器２１
の出力電圧であるドライブ電圧ｅ。が低下し、その結果
ＬＤ １１の駆動電流は低下してＬＤ １１の出射光量
は下がる。また、逆にＬＤ １１の出射光量が低下し、
ＰＤ １３の光−電流変換効率が下がって電圧ｅ、が低
下すると、減算器１９の出力電圧が大きくなってドライ
ブ電圧ｅＤが上昇し、その結果ＬＤ １１の駆動電流は
上昇してＬＤ １１の出射光量は上昇する。ここで、Ｐ
Ｄ １３の光起電流に基く電圧ｅｉ は、コレクタ接地
のＰＮＰ トランジスタ１５で増幅されるので、電圧ｅ
ｉがほぼ０．６ｖよりも低くてもリニアリティよく増幅
される。したがって、ＬＤ １１の出射光量は、温度変
化に影響されることなく、常にほぼ適正値に保たれる。
Ｄ １３の光−電流変換効率が上って電圧ｅ１が上昇す
ると、減算器１９の出力電圧は小さくなって増幅器２１
の出力電圧であるドライブ電圧ｅ。が低下し、その結果
ＬＤ １１の駆動電流は低下してＬＤ １１の出射光量
は下がる。また、逆にＬＤ １１の出射光量が低下し、
ＰＤ １３の光−電流変換効率が下がって電圧ｅ、が低
下すると、減算器１９の出力電圧が大きくなってドライ
ブ電圧ｅＤが上昇し、その結果ＬＤ １１の駆動電流は
上昇してＬＤ １１の出射光量は上昇する。ここで、Ｐ
Ｄ １３の光起電流に基く電圧ｅｉ は、コレクタ接地
のＰＮＰ トランジスタ１５で増幅されるので、電圧ｅ
ｉがほぼ０．６ｖよりも低くてもリニアリティよく増幅
される。したがって、ＬＤ １１の出射光量は、温度変
化に影響されることなく、常にほぼ適正値に保たれる。
また、全ての回路を単一正電源で動作させることにより
、全ての回路は電源０８時Ｏｖから立上がり、その結果
ドライブ電圧ｅ。もＯｖから立上がる。ここで、ドライ
ブ電圧ｅｏを受けるＬＤドライブトランジスタとしてＮ
ＰＮトランジスタ１２を用いているので、このＮＰＮト
ランジスタ１２は、電源０８時、オフ状態から順次ＬＤ
制御状態へと移行することになる。したがって、電源０
８時のオーバーシュートや電源［ＩＦＦ時の過渡的乱れ
によるし０１１の損傷を防止するには、ドライブ電圧ｅ
、をある正電圧以下に保つようにしておけばよいので、
安全設計上も極めて有利である。すなわち、単一正電源
動作では、ＡＰＣ回路の過渡的変動は殆んどの場合正電
圧の範囲に限られるので、ＬＤドライブトランジスタと
してＮＰＮ トランジスタ１２を用いることにより、Ｌ
Ｄ １１を損傷することなく、安定動作を容易に実現で
きる。
、全ての回路は電源０８時Ｏｖから立上がり、その結果
ドライブ電圧ｅ。もＯｖから立上がる。ここで、ドライ
ブ電圧ｅｏを受けるＬＤドライブトランジスタとしてＮ
ＰＮトランジスタ１２を用いているので、このＮＰＮト
ランジスタ１２は、電源０８時、オフ状態から順次ＬＤ
制御状態へと移行することになる。したがって、電源０
８時のオーバーシュートや電源［ＩＦＦ時の過渡的乱れ
によるし０１１の損傷を防止するには、ドライブ電圧ｅ
、をある正電圧以下に保つようにしておけばよいので、
安全設計上も極めて有利である。すなわち、単一正電源
動作では、ＡＰＣ回路の過渡的変動は殆んどの場合正電
圧の範囲に限られるので、ＬＤドライブトランジスタと
してＮＰＮ トランジスタ１２を用いることにより、Ｌ
Ｄ １１を損傷することなく、安定動作を容易に実現で
きる。
なお、この発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
ではな（、幾多の変形または変更が可能である。例えば
、上述した実施例では減算器１９および増幅器２１をそ
れぞれ別個に構成したが、これらを第２図に示すように
１つの作動増幅器２２をもって構成することもできる。
ではな（、幾多の変形または変更が可能である。例えば
、上述した実施例では減算器１９および増幅器２１をそ
れぞれ別個に構成したが、これらを第２図に示すように
１つの作動増幅器２２をもって構成することもできる。
また、第３図に示すように、コレクタ接地のＰＮＰ ト
ランジスタ１５を差動増幅器を構成するトランジスタと
して共用することもできる。更に、第１図〜第３図に示
す電気回路は、ハイブリッドＩＣあるいはモノリシック
ＩＣとして構成することもできる。また、ＬＤ １１は
ＮＰＮトランジスタ１２のコレクタと正電源端子との間
に接続してもよい。
ランジスタ１５を差動増幅器を構成するトランジスタと
して共用することもできる。更に、第１図〜第３図に示
す電気回路は、ハイブリッドＩＣあるいはモノリシック
ＩＣとして構成することもできる。また、ＬＤ １１は
ＮＰＮトランジスタ１２のコレクタと正電源端子との間
に接続してもよい。
以上述べたように、この発明によれば、単一正電源で受
光素子に逆バイアス電圧を印加できなくても、受光素子
の光起電流による電圧をコレクタ接地のＰＮＰ トラン
ジスタで増幅するようにしたので、この電圧が小さくて
も受光素子の光−電流変換のりニアリティを有効に保持
した状態で増幅でき、したがってＬＤの出射光量を高精
度で制御することができる。また、単一正電源で動作さ
せると共に、ＬＤドライブトランジスタとしてＮＰＮ
トランジスタを用いるようにしたので、電源のＯＮ、
ＯＦＦ時における回路の過渡的変動によるＬＤの損傷を
有効に防止でき、ＬＤのＯＮ、 ＯＦＦをＡＰＣ回路の
電源のＯＮ、ＯＦＦによって行うことができる。したが
って、特別なＬＤ用のＯＮ、 ＯＦＦ回路を必要としな
いので、回路全体を簡単かつ安価に構成することができ
る。
光素子に逆バイアス電圧を印加できなくても、受光素子
の光起電流による電圧をコレクタ接地のＰＮＰ トラン
ジスタで増幅するようにしたので、この電圧が小さくて
も受光素子の光−電流変換のりニアリティを有効に保持
した状態で増幅でき、したがってＬＤの出射光量を高精
度で制御することができる。また、単一正電源で動作さ
せると共に、ＬＤドライブトランジスタとしてＮＰＮ
トランジスタを用いるようにしたので、電源のＯＮ、
ＯＦＦ時における回路の過渡的変動によるＬＤの損傷を
有効に防止でき、ＬＤのＯＮ、 ＯＦＦをＡＰＣ回路の
電源のＯＮ、ＯＦＦによって行うことができる。したが
って、特別なＬＤ用のＯＮ、 ＯＦＦ回路を必要としな
いので、回路全体を簡単かつ安価に構成することができ
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路図、第２図およ
び第３図はそれぞれこの発明の変形例を示す回路図、 第４図および第５図は従来の技術を示す図である。 １１・・・半導体レーザ（ＬＤ） １２・・・ＮＰＮ
トランジスタ１３・・・フォトダイオード（ＰＤ） １４・・・負荷抵抗 １５・・・ＰＮＰ トラ
ンジスタ１６、１７・・・抵抗 １８・・・接
続点１９・・・減算器 ２０・・・基準電圧
源２１・・・増幅器 ２２・・・作動増幅器
第１図 ｆ５ＰＮＰＬテンゾズタ 第２図 第３図
び第３図はそれぞれこの発明の変形例を示す回路図、 第４図および第５図は従来の技術を示す図である。 １１・・・半導体レーザ（ＬＤ） １２・・・ＮＰＮ
トランジスタ１３・・・フォトダイオード（ＰＤ） １４・・・負荷抵抗 １５・・・ＰＮＰ トラ
ンジスタ１６、１７・・・抵抗 １８・・・接
続点１９・・・減算器 ２０・・・基準電圧
源２１・・・増幅器 ２２・・・作動増幅器
第１図 ｆ５ＰＮＰＬテンゾズタ 第２図 第３図
Claims (1)
- １、半導体レーザをコレクターエミッタ通路に接続した
半導体レーザ駆動用のＮＰＮトランジスタと、前記半導
体レーザの出射光を受光して入射光量に応じた光起電流
を発生する受光素子と、この受光素子に直列に接続され
、該受光素子の光起電流を電圧に変換する負荷抵抗と、
コレクタを接地し、前記負荷抵抗における電圧をベース
に印加して増幅するＰＮＰトランジスタと、このＰＮＰ
トランジスタの出力電圧に基いて前記半導体レーザの出
射光量が常にほぼ一定となるように前記ＮＰＮトランジ
スタのベースに印加する電圧を制御する手段とを具え、
これらを単一正電源で動作させるよう構成したことを特
徴とする半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61091170A JPS62248278A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61091170A JPS62248278A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62248278A true JPS62248278A (ja) | 1987-10-29 |
Family
ID=14018994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61091170A Pending JPS62248278A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62248278A (ja) |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP61091170A patent/JPS62248278A/ja active Pending
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