JPS6194386A - 高速ａｐｃ回路 - Google Patents
高速ａｐｃ回路Info
- Publication number
- JPS6194386A JPS6194386A JP59215901A JP21590184A JPS6194386A JP S6194386 A JPS6194386 A JP S6194386A JP 59215901 A JP59215901 A JP 59215901A JP 21590184 A JP21590184 A JP 21590184A JP S6194386 A JPS6194386 A JP S6194386A
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- JP
- Japan
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- transistor
- light
- capacitor
- output
- emitting element
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ１ 産業上の利用分野
不発柄は半導体レーザ等の出力制御に最適な高速ＡＰＯ
（自動出力制御）回路に関する。
（自動出力制御）回路に関する。
（口１ 従来の技術
現在、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＶＤ（ビデオディ
スク）等の光源として広く半導体レーザが使用されてい
る。斯る半導体レーザは熱等の影響によりその出力特性
が変化するため、５ＡＮＹＯＴＥＯＨＮＩＣＡＬ ＲＥ
ＶＩＥＷ ＶＯＬ、１６ Ｎｏ、２ＡＵＧ、 １９８
４ Ｐ９１−Ｐ９８ にも開示され工いるようにＡ
ＰＯ回路と称される出力制御回路を用いて出力を一定に
保持する８賃がある。
スク）等の光源として広く半導体レーザが使用されてい
る。斯る半導体レーザは熱等の影響によりその出力特性
が変化するため、５ＡＮＹＯＴＥＯＨＮＩＣＡＬ ＲＥ
ＶＩＥＷ ＶＯＬ、１６ Ｎｏ、２ＡＵＧ、 １９８
４ Ｐ９１−Ｐ９８ にも開示され工いるようにＡ
ＰＯ回路と称される出力制御回路を用いて出力を一定に
保持する８賃がある。
第４図は従来のこの種ＡＰＯ回路を示す。斯る回路では
半導体レーザＬＤから出射した元を受光ダイオードＰＩ
Ｎで受光し、斯る受光量に基つく電圧（Ｗ号がオペアン
プＯＦの反転入力に入る。一方オペアンブＯＰの非反転
入力ｖｃＢ定′亀圧ダイオード０．コンデンサＣ１及び
可変抵抗器ＶＲからなる定電圧回路より発生する一定電
圧が印加さｎる。またオペアンプｏＰの出力は半導体レ
ーザＬＤと直列に接続されたトランジスタＴｒのベース
に印加される。
半導体レーザＬＤから出射した元を受光ダイオードＰＩ
Ｎで受光し、斯る受光量に基つく電圧（Ｗ号がオペアン
プＯＦの反転入力に入る。一方オペアンブＯＰの非反転
入力ｖｃＢ定′亀圧ダイオード０．コンデンサＣ１及び
可変抵抗器ＶＲからなる定電圧回路より発生する一定電
圧が印加さｎる。またオペアンプｏＰの出力は半導体レ
ーザＬＤと直列に接続されたトランジスタＴｒのベース
に印加される。
従って、斯る回路では半導体レーザＬＤの出力が増大し
た場合、オペアンプＯＰの反転入力゛４位が上昇しオペ
アンプＯＰの出力は低下するため、トランジスタＴｒの
ベース電流が減少して半導体レーザＬＤへの印加電流を
下げるように働き、また逆に半導体レーザＬＤの出力が
減少した場合、オペアンプＯＰの反転入力電位が下降し
オペアンプＯＰの出力が増大するため、トランジスタＴ
ｒのベース電流が増大して半導体レーザＬＤへの印加電
流を上げるように働くため半導体レーザＬＤの出力を一
定に保つことができる。
た場合、オペアンプＯＰの反転入力゛４位が上昇しオペ
アンプＯＰの出力は低下するため、トランジスタＴｒの
ベース電流が減少して半導体レーザＬＤへの印加電流を
下げるように働き、また逆に半導体レーザＬＤの出力が
減少した場合、オペアンプＯＰの反転入力電位が下降し
オペアンプＯＰの出力が増大するため、トランジスタＴ
ｒのベース電流が増大して半導体レーザＬＤへの印加電
流を上げるように働くため半導体レーザＬＤの出力を一
定に保つことができる。
（ハ）発明が解決しようとする問題煮
熱るに斯る回路では半導体レーザＬＤと受光ダイオード
ＰＩＮとの結合により帰還がかけられ □ているた
め結合発掘が生じやすく、これを防止するためにトラン
ジスタＴｒのベースに大容量のコンデンサ０２ｉ接続し
工いるが、この六め動作速度の遅れを生じるという新た
な問題を生じた。
ＰＩＮとの結合により帰還がかけられ □ているた
め結合発掘が生じやすく、これを防止するためにトラン
ジスタＴｒのベースに大容量のコンデンサ０２ｉ接続し
工いるが、この六め動作速度の遅れを生じるという新た
な問題を生じた。
また、電源投入時にはオペアンプＯＰの反転入力はＯｖ
となっているため瞬間的に半導体レーザＬＤに大電流が
流れ半導体レーザＬＤを破壊するという問題があった。
となっているため瞬間的に半導体レーザＬＤに大電流が
流れ半導体レーザＬＤを破壊するという問題があった。
これを防止するために、従来は電源投入時に電圧を徐々
に増加させ、切断時に電圧を徐々に減少させるスロース
タート回路を使用する８賛性があった。
に増加させ、切断時に電圧を徐々に減少させるスロース
タート回路を使用する８賛性があった。
（−Ｊ 問題点を解決するための手段
本発明は斯る問題点に濫みてなさｎたもので、結合発振
を防ぎ、動作速度が速く、かつ電源投入時の半４体レー
ザの破壊を防止可能な高速ＡＰＣ回路を提供せんとする
もので、その構成的特徴は半導体レーザ寺の発光素子を
駆動する駆動部を第１、第２のトランジスタ、第１、第
２の抵抗及び第１のコンデンウ・で構成し、上自己第１
のトランジスタのエミッタと上ｄ己第２のトランジスタ
のベース及び上記第１のトランジスタのコレクタと上記
第２のトランジスタのコレクタとが夫々接続されかつ上
記第１、第２のトランジスタの各々のエミッタとグラン
ド間には上記第１、第２の抵抗が接研されると共に上記
第１のトランジスタのベースとグランドとの間には上記
第１のコンデンサが接続され、また発光素子のカソード
側は上記第１、第２のトランジスタのコレクタに直列に
接続されると共に上記第２のトランジスタのエミッタと
受光素子の７ノードとの間には第２のコンデンサが接続
されていることにあり、更に上記各構成部品は数百ＫＨ
’ｚ以上の周波数で駆動可能なものとする。
を防ぎ、動作速度が速く、かつ電源投入時の半４体レー
ザの破壊を防止可能な高速ＡＰＣ回路を提供せんとする
もので、その構成的特徴は半導体レーザ寺の発光素子を
駆動する駆動部を第１、第２のトランジスタ、第１、第
２の抵抗及び第１のコンデンウ・で構成し、上自己第１
のトランジスタのエミッタと上ｄ己第２のトランジスタ
のベース及び上記第１のトランジスタのコレクタと上記
第２のトランジスタのコレクタとが夫々接続されかつ上
記第１、第２のトランジスタの各々のエミッタとグラン
ド間には上記第１、第２の抵抗が接研されると共に上記
第１のトランジスタのベースとグランドとの間には上記
第１のコンデンサが接続され、また発光素子のカソード
側は上記第１、第２のトランジスタのコレクタに直列に
接続されると共に上記第２のトランジスタのエミッタと
受光素子の７ノードとの間には第２のコンデンサが接続
されていることにあり、更に上記各構成部品は数百ＫＨ
’ｚ以上の周波数で駆動可能なものとする。
（ホ）作 用
このような構成では第１のコンデンサの存在により電源
投入時の半導体レーザに加わる過電流 ・を防止
でき、かつ第２のコンデンサの存在により動作速度をお
とすことなく結合発掘を防止できる、（へ）実施例 第１図は本発明の一実施例を示す高速ＡＰＯ回路図であ
る。
投入時の半導体レーザに加わる過電流 ・を防止
でき、かつ第２のコンデンサの存在により動作速度をお
とすことなく結合発掘を防止できる、（へ）実施例 第１図は本発明の一実施例を示す高速ＡＰＯ回路図であ
る。
斯る回路は半導体レーザＬＤｉ駆動するための駆動部１
）＋と、上記半導体レーザＬＤから放出されるレーザ元
を受光する受光ダイオードＰＩＮの受光量に基づき電圧
信号を発生する光検出部（２）と、該光検出部からの電
圧信号と予め定められた基阜電圧とを比較し、上記駆動
部（１）における半導体レーザＬＤへの印加電流を制御
するための比較信号を発生する電圧比較部１３）と、後
述するトランジスタＴＲＩのエミッタと受光ダイオード
ＰＩＮの７ノードとの間に接続されたコンデンサＣ２と
からなる。
）＋と、上記半導体レーザＬＤから放出されるレーザ元
を受光する受光ダイオードＰＩＮの受光量に基づき電圧
信号を発生する光検出部（２）と、該光検出部からの電
圧信号と予め定められた基阜電圧とを比較し、上記駆動
部（１）における半導体レーザＬＤへの印加電流を制御
するための比較信号を発生する電圧比較部１３）と、後
述するトランジスタＴＲＩのエミッタと受光ダイオード
ＰＩＮの７ノードとの間に接続されたコンデンサＣ２と
からなる。
上記駆動部（１）はトランジスタＴＲ１，ＴＲ２％ＴＲ
ｓ、 コンデンサ０１、抵抗Ｈ１〜Ｈｓｌ備え、トラン
ジスタＴＲｓのコレクタ側は電源端子ＶＣＣに接続され
、エミッタ側は抵抗Ｒ４を介してグランドに接続される
と共に抵抗Ｂ５を介してトランジスタＴＲ２のベースに
接続されている。また、上記トランジスタＴＲ１のベー
ス側には夫々その一端が接地さｎたコンデンサＣ１と抵
抗Ｒ５が接続され、エミッタ側は一端を接地された抵抗
Ｒ１が接続されると共にトランジスタＴＲ２のベースに
接続されている。斯るトランジスタＴＲ１のエミッタ側
には一端が接地された抵抗Ｒ２が接続されている。更に
上記トランジスタＴＲＩ、ＴＲ２のコレクタ側は共に半
導体レーザＬＤのカソード側に接続されている。
ｓ、 コンデンサ０１、抵抗Ｈ１〜Ｈｓｌ備え、トラン
ジスタＴＲｓのコレクタ側は電源端子ＶＣＣに接続され
、エミッタ側は抵抗Ｒ４を介してグランドに接続される
と共に抵抗Ｂ５を介してトランジスタＴＲ２のベースに
接続されている。また、上記トランジスタＴＲ１のベー
ス側には夫々その一端が接地さｎたコンデンサＣ１と抵
抗Ｒ５が接続され、エミッタ側は一端を接地された抵抗
Ｒ１が接続されると共にトランジスタＴＲ２のベースに
接続されている。斯るトランジスタＴＲ１のエミッタ側
には一端が接地された抵抗Ｒ２が接続されている。更に
上記トランジスタＴＲＩ、ＴＲ２のコレクタ側は共に半
導体レーザＬＤのカソード側に接続されている。
上記光検出部（２）は受光ダイオードＰＩＮ、抵抗１’
１６〜Ｒ？、可変抵抗Ｖ Ｒ１、Ｖ Ｒ２、オペ７７プ
ＯＰを備え、受光ダイオードＰＩＮのカソード側は電源
端子ＶｃｃＫ接続され、アノード側は抵抗Ｂ６及び感度
調整用の可変抵抗ＶＲ１ｉ介して接地されている。また
オペアンプＯＰの非転入力端子には受光ダイオードＰＩ
Ｎのアノード側が接続され、反転入力端子には抵抗Ｒ９
及び利得調整用の可変抵抗ＶＲ２’ｉ介して接地さｎる
と共に斯る反転入力端子と出力端子との間には抵抗Ｒ７
とコンデンサＯＳとが並列的に接続され℃いる。上記オ
ペアンプ０２％抵抗Ｒ７、Ｒ９及びコンデンサ０５かう
なる回路は周知の増幅回路であり、オペアンプＯＰの非
反転入力端子に入力δれた受光ダイオードＰＩＮからの
電圧信号を増幅し抵抗Ｒａｔ−介して電圧比較部（３）
に出力する。
１６〜Ｒ？、可変抵抗Ｖ Ｒ１、Ｖ Ｒ２、オペ７７プ
ＯＰを備え、受光ダイオードＰＩＮのカソード側は電源
端子ＶｃｃＫ接続され、アノード側は抵抗Ｂ６及び感度
調整用の可変抵抗ＶＲ１ｉ介して接地されている。また
オペアンプＯＰの非転入力端子には受光ダイオードＰＩ
Ｎのアノード側が接続され、反転入力端子には抵抗Ｒ９
及び利得調整用の可変抵抗ＶＲ２’ｉ介して接地さｎる
と共に斯る反転入力端子と出力端子との間には抵抗Ｒ７
とコンデンサＯＳとが並列的に接続され℃いる。上記オ
ペアンプ０２％抵抗Ｒ７、Ｒ９及びコンデンサ０５かう
なる回路は周知の増幅回路であり、オペアンプＯＰの非
反転入力端子に入力δれた受光ダイオードＰＩＮからの
電圧信号を増幅し抵抗Ｒａｔ−介して電圧比較部（３）
に出力する。
電圧比較ｇｌｌｆ３）は定電圧ダイオード０．コンデン
サＣ４、Ｃ５、トランジスタＴＲ４及び抵抗Ｈ１゜〜Ｂ
ｑ’１備え、トランジスタＴＲ４のベース側は抵抗Ｂ８
の一端が接続され、コレクタ側は抵抗Ｒ１２を介してｔ
源端子ＶＣＣに接続され、エミッタ側は一端が夫々接地
された抵抗ＲＩＯ及びコンデンサＣ５に接続されている
。また、定電圧ダイオードＤのカソード側はトランジス
タＴＲ４のコレクタダに接続され、アノード＠はトラン
ジスタＴ尚、上記各構成部品は数百ＫＨｚ以上の周波数
で駆動可能な、高周波用部品が用いられることが好まし
く、低周波用部品を用いると以下で説明する動作は得ら
バない。
サＣ４、Ｃ５、トランジスタＴＲ４及び抵抗Ｈ１゜〜Ｂ
ｑ’１備え、トランジスタＴＲ４のベース側は抵抗Ｂ８
の一端が接続され、コレクタ側は抵抗Ｒ１２を介してｔ
源端子ＶＣＣに接続され、エミッタ側は一端が夫々接地
された抵抗ＲＩＯ及びコンデンサＣ５に接続されている
。また、定電圧ダイオードＤのカソード側はトランジス
タＴＲ４のコレクタダに接続され、アノード＠はトラン
ジスタＴ尚、上記各構成部品は数百ＫＨｚ以上の周波数
で駆動可能な、高周波用部品が用いられることが好まし
く、低周波用部品を用いると以下で説明する動作は得ら
バない。
本実施例回路の基本的な動作は従来回路の動作と同一で
あり、半導体レーザＬＤより出力されたレーザ光が受光
ダイオードＰＩＮにより受光されると受光ダイオードＰ
ＩＮより上記受光量に対応した電圧信号が出力され、斯
る電圧信号はオペアンプ等からなる増幅回路により増幅
され電圧比較部（３）に出力される。電圧比較部（３１
では増幅された′電圧信号と基糸電圧とを比較し、電圧
信号ン基阜′ａＬ圧の際にはトランジスタ’ｆ’Ｂ＆の
ベース側に印加する電流が減少し、また逆の場合には斯
る電流が上昇することとなる。また、駆動部ｆｉｌのト
ランジスタＴＲＩ、ＴＲ２のベース′亀流もトランジス
タＴＲ３のエミッタ出力に略比例し工上昇もしくは減少
することとなるので、半導体レーザＬＤに印加される電
流も変化し、半導体レーザＬＤの出力ヲ一定に保つこと
ができる。
あり、半導体レーザＬＤより出力されたレーザ光が受光
ダイオードＰＩＮにより受光されると受光ダイオードＰ
ＩＮより上記受光量に対応した電圧信号が出力され、斯
る電圧信号はオペアンプ等からなる増幅回路により増幅
され電圧比較部（３）に出力される。電圧比較部（３１
では増幅された′電圧信号と基糸電圧とを比較し、電圧
信号ン基阜′ａＬ圧の際にはトランジスタ’ｆ’Ｂ＆の
ベース側に印加する電流が減少し、また逆の場合には斯
る電流が上昇することとなる。また、駆動部ｆｉｌのト
ランジスタＴＲＩ、ＴＲ２のベース′亀流もトランジス
タＴＲ３のエミッタ出力に略比例し工上昇もしくは減少
することとなるので、半導体レーザＬＤに印加される電
流も変化し、半導体レーザＬＤの出力ヲ一定に保つこと
ができる。
また、本実施例回路ではコンデンサＣＩの存在によりｔ
源投入時の半導体レーザＬＤに加わる過電流を防止する
ことができる。即ち、上記コンデ容量を有する場合の６
状態において１！源投入直後の半導体レーザＬＤに加わ
る電流を測定したところ第２図に示す如く（１）の場合
は過電流が流れ、（ｉｉｔｌの場合には過電流は流れな
いが立上り速度が遅くなり、（ｉｌｌの場合には過電流
も防止でき、かつ立上り速度も速くなる。
源投入時の半導体レーザＬＤに加わる過電流を防止する
ことができる。即ち、上記コンデ容量を有する場合の６
状態において１！源投入直後の半導体レーザＬＤに加わ
る電流を測定したところ第２図に示す如く（１）の場合
は過電流が流れ、（ｉｉｔｌの場合には過電流は流れな
いが立上り速度が遅くなり、（ｉｌｌの場合には過電流
も防止でき、かつ立上り速度も速くなる。
更に、本実施例回路ではコンデンサＣ２の存在により半
導体レーザＬＤと受光ダイオードＰＩＮとによる結合発
振を動作速度をおとすことなく防止できる。即ち、上記
コンデンサＣ２が（１）存在しない場合、（ｉ１５００
ｐ Ｆ〜０．０５μＦの容量を有する場合の２状態に
おいて電源投入直後の半導体レーザＬｐに加わる電流を
測定したところ、第３図に示す如＜ 、 （１）の場合
は発振が生じ、叩の場合には全搬が生じなかった。また
、コンデンサＣ２の容量を０．０５μＦ以上とすると動
作速度が落ちることも確認された。
導体レーザＬＤと受光ダイオードＰＩＮとによる結合発
振を動作速度をおとすことなく防止できる。即ち、上記
コンデンサＣ２が（１）存在しない場合、（ｉ１５００
ｐ Ｆ〜０．０５μＦの容量を有する場合の２状態に
おいて電源投入直後の半導体レーザＬｐに加わる電流を
測定したところ、第３図に示す如＜ 、 （１）の場合
は発振が生じ、叩の場合には全搬が生じなかった。また
、コンデンサＣ２の容量を０．０５μＦ以上とすると動
作速度が落ちることも確認された。
尚、上記半導体レーザＬＤにカロわる電流値は抵抗Ｒ２
の端子間電圧より求めた。
の端子間電圧より求めた。
（ト１ 発明の効果
本発明の高速ＡＰ○回路では結合発振を防ぎ、動作速度
が速く、かつ電源投入時の半導体レーザ等への過’１）
流の印加を防止できるので、高速でパルス全４Ｌｌｅ行
なう半導体レーザの出力制御回路として適用できる。
が速く、かつ電源投入時の半導体レーザ等への過’１）
流の印加を防止できるので、高速でパルス全４Ｌｌｅ行
なう半導体レーザの出力制御回路として適用できる。
第１図乃至第５図は本発明の実施例を示し、第１図は回
路図、第２図及び第５図は特性図であり、第４図は従来
例を示す回路図である。
路図、第２図及び第５図は特性図であり、第４図は従来
例を示す回路図である。
Claims (3)
- （１）半導体レーザ等の発光素子、該発光素子を駆動す
る駆動部、フォトダイオード等の受光素子を有する光検
出部、電圧比較部からなり、上記発光素子から発光する
光を上記受光素子で受光し、該受光量に基づいて上記光
検出部より生じる電圧を上記電圧比較部において予め定
められた基準電圧と比較し、該比較結果に基づいて上記
駆動部が上記発光素子への印加バイアスを変更すること
により上記発光素子の出力を一定に保つＡＰＣ回路にお
いて、上記駆動部は第１、第２のトランジスタ、第１、
第２の抵抗及び第１のコンデンサを有し、上記第１のト
ランジスタのエミッタと上記第２のトランジスタのベー
ス及び上記第１のトランジスタのコレクタと上記第２の
トランジスタのコレクタとが夫々接続されかつ上記第１
、第２のトランジスタの各々のエミッタとグランド間に
は上記第１、第２の抵抗が接続されると共に上記第１の
トランジスタのベースとグランドとの間には上記第１の
コンデンサが接続され、更に上記発光素子のカソード側
は上記第１、第２のトランジスタのコレクタに直列に接
続されると共に上記第２のトランジスタのエミッタと上
記受光素子のアノードとの間には第２のコンデンサが接
続されていることを特徴とする高速ＡＰＣ回路。 - （２）上記特許請求の範囲第１項において、上記第１、
第２のコンデンサの容量を夫々１００ｐＦ〜０．０１μ
Ｆ及び５００ｐＦ〜０．０５μＦとしたことを特徴とす
る高速ＡＰＣ回路。 - （３）上記特許請求の範囲第１項において各構成部品は
数百ＫＨｚ以上の周波数で駆動可能であることを特徴と
する高速ＡＰＣ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215901A JPS6194386A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 高速ａｐｃ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215901A JPS6194386A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 高速ａｐｃ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194386A true JPS6194386A (ja) | 1986-05-13 |
Family
ID=16680125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59215901A Pending JPS6194386A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 高速ａｐｃ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194386A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010038766A1 (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-08 | シャープ株式会社 | 面状照明装置およびそれを備えた表示装置 |
| JP2012074693A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | Advance Connectek Inc | 発光部品の駆動回路 |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59215901A patent/JPS6194386A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010038766A1 (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-08 | シャープ株式会社 | 面状照明装置およびそれを備えた表示装置 |
| CN102124573A (zh) * | 2008-10-01 | 2011-07-13 | 夏普株式会社 | 面状照明装置和具备它的显示装置 |
| JP2012074693A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | Advance Connectek Inc | 発光部品の駆動回路 |
| US8427065B2 (en) | 2010-09-27 | 2013-04-23 | Advanced-Connectek Inc. | Driving circuit for light emitting elements |
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