JPS62243618A - ポリ３−メチルチエニレンフイルムの製造方法 - Google Patents
ポリ３−メチルチエニレンフイルムの製造方法Info
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- JPS62243618A JPS62243618A JP8854186A JP8854186A JPS62243618A JP S62243618 A JPS62243618 A JP S62243618A JP 8854186 A JP8854186 A JP 8854186A JP 8854186 A JP8854186 A JP 8854186A JP S62243618 A JPS62243618 A JP S62243618A
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Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子デバイスの分野に利用されるポリ３−メチ
ルチェニレンフィルムの製造方法に関する。
ルチェニレンフィルムの製造方法に関する。
従来の技術
電解酸化重合法によるポリチェニレンフィルムの製造法
に関しては、多くの報告がある。例えば、Ｇ、トリ、ｔ
ｙ （Ｇ、Ｔｏｕｒｉｌｌｏｎ）らは０．０１ Ｍの
チオフェンと０．１ＭのＮ（Ｂｕ）４ＢＦ４を含むアセ
トニトリル溶液中で、電解酸化重合により、１０〜２ｏ
Ｓ／ｃＭの電気伝導度を持つポリチェレンを得ている。
に関しては、多くの報告がある。例えば、Ｇ、トリ、ｔ
ｙ （Ｇ、Ｔｏｕｒｉｌｌｏｎ）らは０．０１ Ｍの
チオフェンと０．１ＭのＮ（Ｂｕ）４ＢＦ４を含むアセ
トニトリル溶液中で、電解酸化重合により、１０〜２ｏ
Ｓ／ｃＭの電気伝導度を持つポリチェレンを得ている。
〔Ｇ、トリオ／他、ジャーナル オプフィジカルケミス
トリ−（Ｇ、Ｔｏｕｒｉｌｌｏｎ、ｅｔａｌ、。
トリ−（Ｇ、Ｔｏｕｒｉｌｌｏｎ、ｅｔａｌ、。
Ｊ 、Ｐｈｙｓ 、Ｃｈ引Ｉ１．） 、８７ （１９８
３） ２２８９ 、 ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、これらの報告による方法では、成膜性が
悪く、ち密でかつ強靭なフィルムが得られない。
３） ２２８９ 、 ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、これらの報告による方法では、成膜性が
悪く、ち密でかつ強靭なフィルムが得られない。
本発明は、従来の問題点を解決し、成膜性の良いち密で
かつ強靭なポリ３−メチルチェニレンの製造方法を提供
することを目的とする。
かつ強靭なポリ３−メチルチェニレンの製造方法を提供
することを目的とする。
問題点を解決するための手段
濃度０．０５〜０．６Ｍの３−メチルチオフェンを支持
電解質の存在下、ニトロベンゼン中で電解酸化するポリ
３−メチルチェニレンフィルムの製造方法。
電解質の存在下、ニトロベンゼン中で電解酸化するポリ
３−メチルチェニレンフィルムの製造方法。
作用
チオフェンの電解重合の反応メカニズムは、今のところ
よくわかっていない。しかし、モノマーの濃度により３
−メチルチオフェンの電解重合の反応性が大きく変化し
、ポリチェニレンの電解重合では、モノマーの濃度が、
得られるポリマーの成膜性と密接な関係があることを発
見した。すなわち、３−メチルチオフェンの濃度が０．
０５ Ｍ以下では、電極上に成膜性の良い膜ができず、
また、０．６ Ｍ以上でも同じように、成膜性の良い膜
ができない。３−メチルチオフェ／の濃度がＱ、Ｑ ５
Ｍから０．６Ｍの範囲のときに、成膜性の良いち密で
かつ強・靭なポリ３−メチルチェニレンができる。
よくわかっていない。しかし、モノマーの濃度により３
−メチルチオフェンの電解重合の反応性が大きく変化し
、ポリチェニレンの電解重合では、モノマーの濃度が、
得られるポリマーの成膜性と密接な関係があることを発
見した。すなわち、３−メチルチオフェンの濃度が０．
０５ Ｍ以下では、電極上に成膜性の良い膜ができず、
また、０．６ Ｍ以上でも同じように、成膜性の良い膜
ができない。３−メチルチオフェ／の濃度がＱ、Ｑ ５
Ｍから０．６Ｍの範囲のときに、成膜性の良いち密で
かつ強・靭なポリ３−メチルチェニレンができる。
実施例
本発明のポリ３−メチルチェニレンフィルムの製造方法
は、例えば支持電解質として、テトラアルキルアンモニ
ウムの過塩素酸塩、ホウフッ化塩。
は、例えば支持電解質として、テトラアルキルアンモニ
ウムの過塩素酸塩、ホウフッ化塩。
六フッ化すン塩、六フッ化ひ製塩、おるいは六フッ化ア
ンチモン塩等の存在下、ニトロベンゼン中で０．０５〜
０．６Ｍの３−メチルチオフェンを電解重合することに
より実施される。
ンチモン塩等の存在下、ニトロベンゼン中で０．０５〜
０．６Ｍの３−メチルチオフェンを電解重合することに
より実施される。
上記濃度範囲の中でも、特に３−メチルチオフェンの濃
度が０．１ Ｍの時、最も強靭な膜が得られた。
度が０．１ Ｍの時、最も強靭な膜が得られた。
テトラアルキルアンモニウム塩としては、 ｎ −テ
トラエチルアンモニウム塩、ｎ−テトラブチルアンモニ
ウム塩等が例としてあげられる。
トラエチルアンモニウム塩、ｎ−テトラブチルアンモニ
ウム塩等が例としてあげられる。
３−メチルチオフェンを電解重合する場合、支持電解質
濃度９重合電流密度１重合温度等もポリ３−メチルチェ
ニレンフィルムの成膜に影響を与える。支持電解質濃度
はＯ１○ＯＩ Ｍ ＃０．１ Ｍ、重合電流密度はＯ，
Ｓ〜８！ＩＩム／ｄ、重合温度は６〜２５°Ｃが成膜性
に良い。
濃度９重合電流密度１重合温度等もポリ３−メチルチェ
ニレンフィルムの成膜に影響を与える。支持電解質濃度
はＯ１○ＯＩ Ｍ ＃０．１ Ｍ、重合電流密度はＯ，
Ｓ〜８！ＩＩム／ｄ、重合温度は６〜２５°Ｃが成膜性
に良い。
以下具体例について説明する。
実施例１
平行な２枚のＩＴＯガラス電極を備えたガラス容器に、
支持電解質としてＮ（ｎ−Ｃ４Ｈ，）４ＣｅＯ４を３．
９３．９ （０，０２Ｍ ）、３−メチルチオフェンを
２．９８ 、！ｉ’ （α１Ｍ）ｌニトロベンゼンを３
００ｔｘｌ入れ、溶液をかくはんして支持電解質を溶解
した後、容器を６°Ｃに保った状態で２ｍＡ／Ｃｄの電
流を通電し、４０分間重合した。その後１メタノール洗
浄し１−昼夜真空乾燥して、黒縁色のポリ３−メチルチ
ェニレンフィルムラ得り。
支持電解質としてＮ（ｎ−Ｃ４Ｈ，）４ＣｅＯ４を３．
９３．９ （０，０２Ｍ ）、３−メチルチオフェンを
２．９８ 、！ｉ’ （α１Ｍ）ｌニトロベンゼンを３
００ｔｘｌ入れ、溶液をかくはんして支持電解質を溶解
した後、容器を６°Ｃに保った状態で２ｍＡ／Ｃｄの電
流を通電し、４０分間重合した。その後１メタノール洗
浄し１−昼夜真空乾燥して、黒縁色のポリ３−メチルチ
ェニレンフィルムラ得り。
実施例２
実施例１において、３−メチルチオフェンの濃度を０．
２ Ｍ （５，８９ｇ）にして同じ条件で電解重合した
。
２ Ｍ （５，８９ｇ）にして同じ条件で電解重合した
。
実施例３
実施例１において、３−メチルチオフェンの濃度を０．
６Ｍ （１７，ｒｅｇ）にして同じ条件で電解重合した
。
６Ｍ （１７，ｒｅｇ）にして同じ条件で電解重合した
。
実施例４
実施例１において、３−メチルチオフェンの濃度を０．
０６ Ｍ （１，４７ｇ）にして同じ条件で電解重合し
た。
０６ Ｍ （１，４７ｇ）にして同じ条件で電解重合し
た。
比較例１
実施例１において、３−メチルチオフェンの濃度を０．
０２Ｍ （ｏ、ｓ９ｇ ）にして同じ条件で電解重合し
た。
０２Ｍ （ｏ、ｓ９ｇ ）にして同じ条件で電解重合し
た。
比較例２
実施例１において、３−メチルチオフェンの濃度を０．
７Ｍ （２ｏ、ｅ２ｇ）にして同じ条件で電解重合した
。
７Ｍ （２ｏ、ｅ２ｇ）にして同じ条件で電解重合した
。
実施例１〜４及び比較例１〜２で得られたポリ３−メチ
ルチェニレンフィルムの膜厚と成膜性を下表に示す。
ルチェニレンフィルムの膜厚と成膜性を下表に示す。
表で示したように、濃度０．０５〜０．６Ｍの３−メチ
ルチオフェンを支持電解質の存在下、ニトロベンゼン中
で電解酸化して得られたポリ３−メチルチェニレンフィ
ルムは、成膜性も良く、ち密で強靭であった。これに対
して、３−メチルチオフェンの濃度が上記の範囲を越え
た条件で、電解酸化した場合、ポリ３−メチルチェニレ
ンフィルムは得られなかった。
ルチオフェンを支持電解質の存在下、ニトロベンゼン中
で電解酸化して得られたポリ３−メチルチェニレンフィ
ルムは、成膜性も良く、ち密で強靭であった。これに対
して、３−メチルチオフェンの濃度が上記の範囲を越え
た条件で、電解酸化した場合、ポリ３−メチルチェニレ
ンフィルムは得られなかった。
発明の効果
本発明は、濃度Ｏ，ＯＳＮｏ、６Ｍの３−メチルチオフ
ェンを支持電解質の存在下、ニトロベンゼン中で電解酸
化することにより、成膜性の良い、ち密でかつ強靭なポ
リ３−メチルチェニレンフィルムの製造方法を提供する
ことができ、その実用的効果は犬なるものである。
ェンを支持電解質の存在下、ニトロベンゼン中で電解酸
化することにより、成膜性の良い、ち密でかつ強靭なポ
リ３−メチルチェニレンフィルムの製造方法を提供する
ことができ、その実用的効果は犬なるものである。
Claims (2)
- （１）濃度０．０５〜０．６Ｍの３−メチルチオフェン
を支持電解質の存在下、ニトロベンゼン中で電解酸化す
るポリ３−メチルチェニレンフィルムの製造方法。 - （２）支持電解質がテトラアルキルアンモニウムの過塩
素酸塩、ホウフッ化塩、六フッ化リン塩、六フッ化ひ素
塩、六フッ化アンチモン塩のうち少なくとも１種を含む
特許請求の範囲第１項記載のポリ３−メチルチェニレン
フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61088541A JPH0739475B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | ポリ３−メチルチエニレンフイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61088541A JPH0739475B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | ポリ３−メチルチエニレンフイルムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243618A true JPS62243618A (ja) | 1987-10-24 |
| JPH0739475B2 JPH0739475B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=13945706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61088541A Expired - Fee Related JPH0739475B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | ポリ３−メチルチエニレンフイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0739475B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62253617A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-11-05 | ソルベイ（ソシエテ アノニム） | 導電性ポリマー |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP61088541A patent/JPH0739475B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62253617A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-11-05 | ソルベイ（ソシエテ アノニム） | 導電性ポリマー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0739475B2 (ja) | 1995-05-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |