JPS60173015A - 高分子電荷移動錯体の製造法 - Google Patents

高分子電荷移動錯体の製造法

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JPS60173015A
JPS60173015A JP59028935A JP2893584A JPS60173015A JP S60173015 A JPS60173015 A JP S60173015A JP 59028935 A JP59028935 A JP 59028935A JP 2893584 A JP2893584 A JP 2893584A JP S60173015 A JPS60173015 A JP S60173015A
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transfer complex
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benzene
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bonds
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Sanemori Soga
眞守 曽我
Osamu Hotta
収 堀田
Tomiji Hosaka
富治 保阪
Wataru Shimoma
下間 亘
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子デバイスの分野に利用される高分子電荷
移動錯体の製造法に関する。
従来例の構成とその問題点 従来、電解酸化重合法による高分子電荷移動錯体の製法
に関しては、多くの報告がある。たとえば、G、Tou
rillon らは、10’M(7)チオ7 x 7と
10 MのN(Bu)4BF4 を含むアセトニトリル
溶液中で、電解酸化重合によシ、10〜20Sffi’
の電気伝導度を持つポリチェニレンを得ている(CT、
Tourillon et、al、 、J、Phys、
Chem、、BX。
2289 (1983) )。
しかしながら、これらの報告では、いずれも支持電解質
濃度と合成した高分子電荷移動錯体の電気伝導度や成膜
性との関係については、はとんど記述されていない。そ
のため、成膜性の良い、物性の安定した高分子電荷移動
錯体が得られない。
このことが、大きな問題である。
発明の目的 本発明は、成膜性の良い、物性の安定した高分子電荷移
動錯体の製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成 本発明の高分子電荷移動錯体の製造方法は、支持電解質
濃度が0.001 M−0,I Mのもとで、以下に述
べる電解酸化物質を電解酸化重合することからなり、こ
の濃度範囲では、電解酸化重合が、電極面で均一に進行
するので、成膜性の良い、物性の安定した高分子電荷移
動錯体が得られる。
支持電解質濃度がQ、I Mより高くなると、電解酸化
重合反応が急激に進行して、電極上に粒状の重合物がで
き、成膜性の良い高分子電荷移動錯体ができf、い・ 一方、支持電解質濃度が、0.001Mより低い場合、
成膜性の良いフィルムができない。これは、電解液の抵
抗が高くなり、電流が流れにくくなって、電解酸化重合
が起こりにくくなるためである。
支持電解質の濃度が0.002〜0.02 Mの場合、
特に成膜性が良く、物性の安定した高分子電荷移動錯体
が得られる。
実施例の説明 本発明の高分子電荷移動錯体の製造方法は、支持電解質
として、バーハロゲノボレートイオン。
パーハロゲネートイオン、 5by6やpy6.Asy
6等のフッ化物イオンあるいは、サルフェートイオン等
を含む塩の存在下、アセ−ニトリル、ニトロベンセン、
ペンツニトリル1.硫酸ジメチル等の溶媒中で電解酸化
物質を電解酸化する。
電解酸化物質として、(a)ベンゼンまたはその誘導体
、(b)酸素族元素もしくは窒素族元素を含む複素環化
合物、(0)ベンゼン環と酸素族元素もしくは窒素族元
素を含む複素環化合物から選ばれた複数個の環が直接ま
たはエーテル、スルフィド、セレニド、テルリド結合等
を介して結合した化合物があけられる。
以下具体例を説明する。
実施例1 3−メチルチオフェン6gと支持電解質として過塩素酸
テトラn−ブチルアンモニウム0,103.9(o、o
olM)とをニトロベンゼン300m1に溶解し反応溶
液とした。電極は、陽極としてITOガラス電極を、陰
極として白金板を用い、陽極電流密度2 mA/C4で
3Q分間電解酸化し陽極上に重合体フィルムを調製した
。その後、メタノールで洗浄し、−昼夜真空乾燥して、
黒縁色のポリテエニレンフィルムヲ得り。
実施例2 過塩素酸テトラn−ブチルアンモニウムを0.206(
0,002M)にして、実施例1と同じ反応を行った。
実施例3 過塩素酸テトラn−ブチルアンモニウムを2.05.9
(o、o2m)にして、実施例1と同じ反応を行った。
実施例4 過塩素酸テトラn−ブチルアンモニウムを10.39 
(o、1M )にして、実施例1と同じ反応を行った。
比較例1 過塩素酸テトラn−ブチルアンモニウムを0ρ513.
j7 (0,0005M )にして、実施例1と同じ反
応を行った。
比較例2 過塩素酸テトラn−ブチルアンモニウムを103g(1
,OM)にして、実施例1と同じ反応を行った。
実施例1〜4及び比較例1〜2で得られた高分子電荷移
動錯体フィルムの成膜性と電気伝導度の測定結果を表に
示す。
電気伝導度は、大きさ1×5αの試料に銀塗料電極を設
け4端子法により測定した。電気伝導度の値は、5枚の
試料の最大と最小の値である。
(以下余 白) 表に示したように、支持電解質濃度が0.001〜O,
’l Mで、電解酸化重合した高分子電荷移動錯体フィ
ルムは、成膜性も良く、また、電気伝導度も80〜12
0Sz’と安定した値を示した。これに対して、支持電
解質濃度が前記の範囲より低いか、高い場合には、高分
子電荷移動錯体フィルムの成膜性は悪く、電気伝導度の
値も6〜1058cm’と大きくばらついた。
実施例1〜4において、3−メチルチオフェンの代わり
にピロール、フェノール、インドールを用いても同様の
結果が得られた。
ピロールの場合、支持電解質(テトラn−ブチルアンモ
ニウムフルオロボレー))0.001M〜0、I Mの
濃度で、5〜30SCm (26°C)の成膜性の良い
ポリピロールフィルムが得られた。
フェノール、インドールの場合、テトラn−ブチルアン
モニウムフルオロボレー)0.OOIM〜o、1Mの濃
度で、それぞれ、電気伝導度が1× −10−2〜3×
108C7I! (25°C) 、 5 X 10〜9
 x 1o S cm (2tsoC)の成膜性の良い
高分子電解移動錯体フィルムが得られた。
発明の効果 以上のように本発明によれば、成膜性の良い、物性の安
定した高分子電荷移動錯体を得ることができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記の(a) 、 (t))および(C)よりなる群か
    ら選ばれた化合物を支持電解質濃度が0.001〜0.
    I Mの条件で電解酸化する高分子電荷移動錯体の製造
    法。 (a) ベンゼンまたはその誘導体 Φ) 酸素族元素もしくは窒素族シし素を含む複素環化
    合物 (0) ベンゼン環と酸素族元素もしくは窒素族元素を
    含む複素環から選ばれた複数個の環が直接まタハエーテ
    ル、スルフィド、テルリド、セレニド結合のうちいずれ
    かを介して結合した化合物
JP59028935A 1984-02-17 1984-02-17 高分子電荷移動錯体の製造法 Expired - Lifetime JPH0653792B2 (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6088037A (ja) * 1983-10-21 1985-05-17 Agency Of Ind Science & Technol 配向した導電性ポリピロ−ル成形物
JPS60149628A (ja) * 1984-01-17 1985-08-07 Toray Ind Inc 電解酸化重合方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6088037A (ja) * 1983-10-21 1985-05-17 Agency Of Ind Science & Technol 配向した導電性ポリピロ−ル成形物
JPS60149628A (ja) * 1984-01-17 1985-08-07 Toray Ind Inc 電解酸化重合方法

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