JPS62242915A - 光アイソレ−タ及びその製造方法 - Google Patents
光アイソレ−タ及びその製造方法Info
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- JPS62242915A JPS62242915A JP8732886A JP8732886A JPS62242915A JP S62242915 A JPS62242915 A JP S62242915A JP 8732886 A JP8732886 A JP 8732886A JP 8732886 A JP8732886 A JP 8732886A JP S62242915 A JPS62242915 A JP S62242915A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
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- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信、光計測及び光記録等に用いる半導体レ
ーザへの反射戻り光を阻止する光アイソレータ及びその
製造方法に関するものである。
ーザへの反射戻り光を阻止する光アイソレータ及びその
製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、光アイソレータ用磁気光学結晶として、それぞれ
の使用波長に応じて常磁性ガラスやフラックス法もしく
はフローティングゾーン法で成長されたＹＩＧ が用
いられてきた。これらを使った光アイソレータは通信学
会技術報告ＯＱＥ −ｒ ａ −１３３等に報告されて
いる。また、最近は磁気光学結晶として、量産性に富ん
だ液相エピタキシャル法で成長した磁性ガーネットを用
いたものが報告されている。例えば、第８回日本応用磁
気学会学術講演概要集１３ｐＢ−ｓ （ｐ４７ ）及び
１３ａＢ−２（Ｐ３１）があげられる。この液相エピタ
キシャル法で成長した磁性ガーネットを磁気光学結晶と
して用いる場合は、第８回日本応用磁気学会学術講演概
要集１３１）Ｂ−５（ｐ４７）や特開昭６９−６７９９
０号公報に示されている様に基板が別の組成である場合
は基板を研磨等で除去した後、磁気光学結晶１の成長方
向と平行に光を通して用いていた。この構成を第５図に
示す。
の使用波長に応じて常磁性ガラスやフラックス法もしく
はフローティングゾーン法で成長されたＹＩＧ が用
いられてきた。これらを使った光アイソレータは通信学
会技術報告ＯＱＥ −ｒ ａ −１３３等に報告されて
いる。また、最近は磁気光学結晶として、量産性に富ん
だ液相エピタキシャル法で成長した磁性ガーネットを用
いたものが報告されている。例えば、第８回日本応用磁
気学会学術講演概要集１３ｐＢ−ｓ （ｐ４７ ）及び
１３ａＢ−２（Ｐ３１）があげられる。この液相エピタ
キシャル法で成長した磁性ガーネットを磁気光学結晶と
して用いる場合は、第８回日本応用磁気学会学術講演概
要集１３１）Ｂ−５（ｐ４７）や特開昭６９−６７９９
０号公報に示されている様に基板が別の組成である場合
は基板を研磨等で除去した後、磁気光学結晶１の成長方
向と平行に光を通して用いていた。この構成を第５図に
示す。
これは、基板と磁気光学結晶の屈折率差による反射光が
光源である半導体レーザに戻ることを防ぐためであった
。磁気光学素子の両端面には反射防止膜をほどこして用
いていた。
光源である半導体レーザに戻ることを防ぐためであった
。磁気光学素子の両端面には反射防止膜をほどこして用
いていた。
発明が解決しようとする問題点
従来例で述べた液相エピタキシャル成長でファラデー回
転角の大きなりｉ［ｉｉ換磁性ガーネットを成長する場
合、その成長速度は０．５μｍ／分程度であるため光ア
イソレータ用磁気光学素子として必要な膜厚的３００μ
ｍを片面で成長させると約１０時間の長い時間が必要で
ある。
転角の大きなりｉ［ｉｉ換磁性ガーネットを成長する場
合、その成長速度は０．５μｍ／分程度であるため光ア
イソレータ用磁気光学素子として必要な膜厚的３００μ
ｍを片面で成長させると約１０時間の長い時間が必要で
ある。
また、膜厚が厚くなるに従って完全結晶を得ることが困
難となり、成長条件のコントロールがきびしくな９、さ
らに割れ等が入ることにより、磁気光学素子を得る歩留
りが悪くなるという問題点があった。その上、光アイソ
レータ製造上において基板をとり去る工程が必要となっ
た。
難となり、成長条件のコントロールがきびしくな９、さ
らに割れ等が入ることにより、磁気光学素子を得る歩留
りが悪くなるという問題点があった。その上、光アイソ
レータ製造上において基板をとり去る工程が必要となっ
た。
問題点を解決するための手段
本発明は、従来例で生じた問題点を解決した、基板と基
板の両面にたい積した磁気光学結晶よりなる平行平板を
、光軸に対して上記平行平板の上下の面及び基板と磁気
光学結晶の界面の法線を傾けて配し、かつ上記平行平板
、磁気光学結晶の磁化を飽和させるための永久磁石、偏
光子、光を光ファイバに集光するためのレンズ、及び光
ファイバが光軸に対して同心円状に配された構造の光ア
イソレータを提供するもので、さらに上記構造の光アイ
ソレータの製造方法として、基板と基板の両面にたい積
した磁気光学結晶よりなる平行平板を光軸に対して上記
平行平板の上下の面及び基板と磁気光学結晶の界面の法
線を傾けて、上記平行平板の側面が光軸と平行となる斜
円柱状に加工する工程と、上記斜円柱状の平行平板を、
光軸方向に磁場をもつ上記光軸と平行な側面を有する円
柱状の穴を持つ永久磁石の上記穴の中に配する工程とを
有する製造方法である。
板の両面にたい積した磁気光学結晶よりなる平行平板を
、光軸に対して上記平行平板の上下の面及び基板と磁気
光学結晶の界面の法線を傾けて配し、かつ上記平行平板
、磁気光学結晶の磁化を飽和させるための永久磁石、偏
光子、光を光ファイバに集光するためのレンズ、及び光
ファイバが光軸に対して同心円状に配された構造の光ア
イソレータを提供するもので、さらに上記構造の光アイ
ソレータの製造方法として、基板と基板の両面にたい積
した磁気光学結晶よりなる平行平板を光軸に対して上記
平行平板の上下の面及び基板と磁気光学結晶の界面の法
線を傾けて、上記平行平板の側面が光軸と平行となる斜
円柱状に加工する工程と、上記斜円柱状の平行平板を、
光軸方向に磁場をもつ上記光軸と平行な側面を有する円
柱状の穴を持つ永久磁石の上記穴の中に配する工程とを
有する製造方法である。
作 用
本発明の構成または製造方法をとることにより、光アイ
クレータの磁気光学結晶を基板をとり除くことなく用い
ることができ、液相エピタキシャル法で磁気光学結晶を
成長させる場合は、基板全体を溶液中に浸すことによっ
て基板の両面に磁気光学結晶を成長させることができ、
その両面で磁気光学結晶に必要な膜厚的３００μｍを成
長させればよく、従来例の約半分の時間に成長時間の短
縮を実現できた。さらに、片面の膜厚は従来例の約半分
の厚さであるために、磁気光学結晶に割れや欠陥がなく
、磁気光学績□晶生産の歩留りが向上し、崎磁気光学結
晶の消光比等の性能が向上した。
クレータの磁気光学結晶を基板をとり除くことなく用い
ることができ、液相エピタキシャル法で磁気光学結晶を
成長させる場合は、基板全体を溶液中に浸すことによっ
て基板の両面に磁気光学結晶を成長させることができ、
その両面で磁気光学結晶に必要な膜厚的３００μｍを成
長させればよく、従来例の約半分の時間に成長時間の短
縮を実現できた。さらに、片面の膜厚は従来例の約半分
の厚さであるために、磁気光学結晶に割れや欠陥がなく
、磁気光学績□晶生産の歩留りが向上し、崎磁気光学結
晶の消光比等の性能が向上した。
その上、光アイソレータ製造上において、基板をとり除
く工程をはふくことができた。
く工程をはふくことができた。
しかも、本発明の構成または製造方法を用いれば、基板
と磁気光学結晶の屈折率差より生じる反射光が光源であ
る半導体レーザに戻ることはなく、磁気光学結晶と空気
の界面での反射光も半導体レーザには戻らないので磁気
光学結晶と空気の界面における反射防止膜も不要となる
。
と磁気光学結晶の屈折率差より生じる反射光が光源であ
る半導体レーザに戻ることはなく、磁気光学結晶と空気
の界面での反射光も半導体レーザには戻らないので磁気
光学結晶と空気の界面における反射防止膜も不要となる
。
また、本発明の構成または製造方法により磁気光学結晶
を傷つくことなく安定に磁石内に配することができる。
を傷つくことなく安定に磁石内に配することができる。
以上の作用により、本発明の構成または製造方法を用い
れば、さらに生産性に富み安価で高性能な光アイソレー
タを得ることができる。
れば、さらに生産性に富み安価で高性能な光アイソレー
タを得ることができる。
実施例
本発明の実施例として光アイソレータを光源である半導
体レーザと一体化した光アイソレータ付ＬＤモジュール
の場合を示す。
体レーザと一体化した光アイソレータ付ＬＤモジュール
の場合を示す。
第１図に示す基板１１は使用波長λ＝１．３μｍで透明
で、λ＝１．３μｍでの屈折率’Ｍ＝１．９３のＣａ
−Ｚｒ −Ｍｇ置換Ｇｄ５Ｇａｓｏ１２を用い、磁気光
学結晶１は上記基板１１０両面にＢｉｌ、１（ＬｕＧｄ
）、 、９Ｆｆａ ６０１゜を基板１１との格子定数の
ミスマツチなく、それぞれ片面１２５μｍずつ液相エピ
タキシャル成長させた。この膜厚の磁気光学結晶１を成
長するのに要した時間は約４時間であり、１インチ基板
を用いた場合そこから約２ｎ角の磁気光学結晶１２が３
６個、２インチ基板を用いた場合は約１６０個とること
ができた。この磁気光学結晶１両面の厚さで得られるフ
ァラデ回転角は４６゜であった。
で、λ＝１．３μｍでの屈折率’Ｍ＝１．９３のＣａ
−Ｚｒ −Ｍｇ置換Ｇｄ５Ｇａｓｏ１２を用い、磁気光
学結晶１は上記基板１１０両面にＢｉｌ、１（ＬｕＧｄ
）、 、９Ｆｆａ ６０１゜を基板１１との格子定数の
ミスマツチなく、それぞれ片面１２５μｍずつ液相エピ
タキシャル成長させた。この膜厚の磁気光学結晶１を成
長するのに要した時間は約４時間であり、１インチ基板
を用いた場合そこから約２ｎ角の磁気光学結晶１２が３
６個、２インチ基板を用いた場合は約１６０個とること
ができた。この磁気光学結晶１両面の厚さで得られるフ
ァラデ回転角は４６゜であった。
約２ｕ角に切られた基板１１の両面に成長した磁気光学
結晶１は第２図（ａ）に示す様な接着端１３−ａの直径
が２ｊｌ’ｌφをなし接着面１３−ｂの垂線が芯出し治
具の回転軸１４に対して約８°の角度をなす芯出し治具
１３の接着端１３−ａの接着面１３−ｂにエレクトロン
ワックスまたはピセイン等で接着した。次に上記基板１
１の両面に成長した磁気光学結晶１を接着した芯出し治
具１３を芯出し治具の回転軸１４のまわりに回転させ、
同時に第２図中）に示す様な円柱型のと石１６を芯出し
治具の回転軸１４と平行なと石の回転軸１６のまわりに
、芯出し治具１３と同じ方向に回転させ、芯出し治具の
回転軸１４とと石の回転軸１６を徐々に接近することに
より、基板１１及び基板１１の両面に成長した磁気光学
結晶１とと石１６をすわ合わせ、第３図に示した様に基
板１１と基板１１の両面に成長した磁気光学結晶１を斜
円柱状に研磨した。
結晶１は第２図（ａ）に示す様な接着端１３−ａの直径
が２ｊｌ’ｌφをなし接着面１３−ｂの垂線が芯出し治
具の回転軸１４に対して約８°の角度をなす芯出し治具
１３の接着端１３−ａの接着面１３−ｂにエレクトロン
ワックスまたはピセイン等で接着した。次に上記基板１
１の両面に成長した磁気光学結晶１を接着した芯出し治
具１３を芯出し治具の回転軸１４のまわりに回転させ、
同時に第２図中）に示す様な円柱型のと石１６を芯出し
治具の回転軸１４と平行なと石の回転軸１６のまわりに
、芯出し治具１３と同じ方向に回転させ、芯出し治具の
回転軸１４とと石の回転軸１６を徐々に接近することに
より、基板１１及び基板１１の両面に成長した磁気光学
結晶１とと石１６をすわ合わせ、第３図に示した様に基
板１１と基板１１の両面に成長した磁気光学結晶１を斜
円柱状に研磨した。
斜円柱状に研磨した基板１１と基板１１０両面に成長し
た磁気光学結晶１よりなる直径約２Ｈφの平行平板１２
を第４図に示す様な沸素樹脂（たとえばテトラフルオロ
エチレン）よりなる内径的２ｆｆｌφ、外径的３ＷＩＩ
φの円筒管１７中に斜円柱の側面と円筒管１７の内側面
が接する様に、さらに平行平板１２が円筒管１７のほぼ
中央に位置する様に配し接着した。その後、平行平板１
２を内部に配した円筒管１７を内径が約３ｆｌφの円柱
状の穴を持ち、上記円柱状の穴の中心軸方向に約３５０
０ガウスの磁場を有するサマリウムコバルト磁石２２中
に配した。
た磁気光学結晶１よりなる直径約２Ｈφの平行平板１２
を第４図に示す様な沸素樹脂（たとえばテトラフルオロ
エチレン）よりなる内径的２ｆｆｌφ、外径的３ＷＩＩ
φの円筒管１７中に斜円柱の側面と円筒管１７の内側面
が接する様に、さらに平行平板１２が円筒管１７のほぼ
中央に位置する様に配し接着した。その後、平行平板１
２を内部に配した円筒管１７を内径が約３ｆｌφの円柱
状の穴を持ち、上記円柱状の穴の中心軸方向に約３５０
０ガウスの磁場を有するサマリウムコバルト磁石２２中
に配した。
上記の基板１１及び基板１１の両面に成長した円柱状の
穴の中に配したサマリウムコバルト磁石２２を用いて作
製した光アイソレータ付ＬＤモジュールの構成を第１図
に示す。半導体レーザ２３より出射した光はレンズ２１
によって集光され光ファイバ１９に結合される。その間
に基板１１の両面の磁気光学結晶１．サマリウムコバル
ト磁石２２及び偏光子３を半導体レーザ２３からの出射
光の光軸に対して同心円状に配して光アイソレータを構
成した。半導体レーザ２３からの出射した直線偏光はレ
ンズ２１を通過した後、基板１１の両面に成長した磁気
光学結晶１を通過時に偏光方向が４６°回転され、偏光
子３の偏光方向と平行となり、偏光子３を透過して光フ
ァイバ１９に結合される。逆に、伝送途中の光回路の結
合部等からの光ファイバ１９を経由した反射光のうち偏
光子３を通過した半導体レーザ２３の出射光の偏光方向
と４６０をなす偏光方向の光は、磁気光学結晶１通過時
に磁気光学結晶１のもつファラデー効果の非相反性より
、偏光方向がさらに４６°回転されて半導体レーザ２３
へ反射光が戻る時には半導体レーザ２３の発振光の偏光
方向と直交するため、半導体レーザ２３の雑音の原因に
はならない。
穴の中に配したサマリウムコバルト磁石２２を用いて作
製した光アイソレータ付ＬＤモジュールの構成を第１図
に示す。半導体レーザ２３より出射した光はレンズ２１
によって集光され光ファイバ１９に結合される。その間
に基板１１の両面の磁気光学結晶１．サマリウムコバル
ト磁石２２及び偏光子３を半導体レーザ２３からの出射
光の光軸に対して同心円状に配して光アイソレータを構
成した。半導体レーザ２３からの出射した直線偏光はレ
ンズ２１を通過した後、基板１１の両面に成長した磁気
光学結晶１を通過時に偏光方向が４６°回転され、偏光
子３の偏光方向と平行となり、偏光子３を透過して光フ
ァイバ１９に結合される。逆に、伝送途中の光回路の結
合部等からの光ファイバ１９を経由した反射光のうち偏
光子３を通過した半導体レーザ２３の出射光の偏光方向
と４６０をなす偏光方向の光は、磁気光学結晶１通過時
に磁気光学結晶１のもつファラデー効果の非相反性より
、偏光方向がさらに４６°回転されて半導体レーザ２３
へ反射光が戻る時には半導体レーザ２３の発振光の偏光
方向と直交するため、半導体レーザ２３の雑音の原因に
はならない。
以上の様にして光アイソレータとしての機能をはたすの
であるが、本実施例では光軸に対して基板１１と磁気光
学結晶１の境界面を約８°傾けているために、上記境界
面での反射光は半導体レーザ２３に戻ることはなく光ア
イソレータとしての機能は劣化しない。さらに、本実施
例の構成、もしくは製造方法を用うれば、光軸に対して
斜めに配した磁気光学結晶１がサマリウムコバルト磁石
２２内の磁力によって引きつけられ、衝撃をうけて傷つ
くことなく、上記サマリウムコバルト磁石２２内に斜め
に配することができる。
であるが、本実施例では光軸に対して基板１１と磁気光
学結晶１の境界面を約８°傾けているために、上記境界
面での反射光は半導体レーザ２３に戻ることはなく光ア
イソレータとしての機能は劣化しない。さらに、本実施
例の構成、もしくは製造方法を用うれば、光軸に対して
斜めに配した磁気光学結晶１がサマリウムコバルト磁石
２２内の磁力によって引きつけられ、衝撃をうけて傷つ
くことなく、上記サマリウムコバルト磁石２２内に斜め
に配することができる。
なお、第１図において、１８は光フアイバ端部保持部、
２０はホルダー、２４は磁石及びレンズホルダ７．２５
はパッケージステム、２６は電極である。
２０はホルダー、２４は磁石及びレンズホルダ７．２５
はパッケージステム、２６は電極である。
本実施例のアイソレータによれば、＋ｏｄＢと高いアイ
ソレーション比を得ることができた。
ソレーション比を得ることができた。
本実施例により、磁気光学結晶の生産性が向上し、高性
能で安価な光アイソレータを得ることができた。
能で安価な光アイソレータを得ることができた。
なお、本発明は本実施例に示した磁気光学結晶や基板の
材料、光軸と境界のなす角、光アイソレータの構成、及
び芯出し方法等だけに限らず、本発明の趣旨を有し同様
の効果が得られるものであればよい。さらに、本実施例
では、磁気光学結晶１と基板１１との境界面の法線方向
に入射した光のファラデー回転角が４５０となる様に膜
厚を決定したが、アイソレータ構成時の境界面と光軸の
傾きが８° と小さかったため、磁気光学結晶１内の光
路長がほとんど変化なく、従ってファラデー回転角もほ
ぼ４５ｏ であり、高アイソレーノヨン比が得られた。
材料、光軸と境界のなす角、光アイソレータの構成、及
び芯出し方法等だけに限らず、本発明の趣旨を有し同様
の効果が得られるものであればよい。さらに、本実施例
では、磁気光学結晶１と基板１１との境界面の法線方向
に入射した光のファラデー回転角が４５０となる様に膜
厚を決定したが、アイソレータ構成時の境界面と光軸の
傾きが８° と小さかったため、磁気光学結晶１内の光
路長がほとんど変化なく、従ってファラデー回転角もほ
ぼ４５ｏ であり、高アイソレーノヨン比が得られた。
しかし、実際の境界面と光軸との傾き角より得られる磁
気光学結晶内の光路長を計算して、それに従って成長す
る膜厚を決定してもよい。また、膜厚は厚く成長後、研
磨によつて調節してもよい。
気光学結晶内の光路長を計算して、それに従って成長す
る膜厚を決定してもよい。また、膜厚は厚く成長後、研
磨によつて調節してもよい。
発明の効果
本発明により、磁気光学結晶の生産性を向上し、光アイ
ソレータ作製中に磁気光学結晶が傷つくことを防ぎ、安
価で高性能な光アイソレータを得ることができた。
ソレータ作製中に磁気光学結晶が傷つくことを防ぎ、安
価で高性能な光アイソレータを得ることができた。
第１図は本発明の実施例である光アイソレータ付ＬＤモ
ジュールの断面図、第２図（、） 、 （ｂ）は本発明
の実施例の光アイソレータの製造方法を説明する図、第
３図は本発明の実施例で得られた斜円柱状の平行平板の
構成図、第４図は本発明の実施例の平行平板を円筒管中
に配した後、サマリウムコバルト磁石中に配した、平行
平板、円筒管及びサマリウムコバルト磁石の構成図、第
５図は従来例の光アイソレータの構成図である。 １・・・・・・磁気光学結晶、１１・・・・・・基板、
１２・・・・・・平行平板、１３・・・・・・芯出し治
具、１４・・・・・・回転軸。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 −一一−１−−ノ 第２図 （久） （レラ 第３図 第４図 コバルト濯み石
ジュールの断面図、第２図（、） 、 （ｂ）は本発明
の実施例の光アイソレータの製造方法を説明する図、第
３図は本発明の実施例で得られた斜円柱状の平行平板の
構成図、第４図は本発明の実施例の平行平板を円筒管中
に配した後、サマリウムコバルト磁石中に配した、平行
平板、円筒管及びサマリウムコバルト磁石の構成図、第
５図は従来例の光アイソレータの構成図である。 １・・・・・・磁気光学結晶、１１・・・・・・基板、
１２・・・・・・平行平板、１３・・・・・・芯出し治
具、１４・・・・・・回転軸。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 −一一−１−−ノ 第２図 （久） （レラ 第３図 第４図 コバルト濯み石
Claims (6)
- （１）基板とこの基板の両面にたい積した磁気光学結晶
よりなる平行平板を、光軸に対して上記平行平板の上下
の面及び上記基板と上記磁気光学結晶との界面の法線を
傾けて配し、かつ上記平行平板、上記磁気光学結晶の磁
化を飽和させるための永久磁石、偏光子、光を光ファイ
バに集光するためのレンズ及び、上記光ファイバを光軸
に対して円心円状に配したことを特徴とする光アイソレ
ータ。 - （２）平行平板を上記平行平板の側面が光軸と平行とな
る斜円柱状とし、上記平行平板を光軸方向に磁場をもつ
上記光軸と平行な側面を有する円柱状の穴を持つ永久磁
石の上記穴の中に配した特許請求の範囲第１項記載の光
アイソレータ。 - （３）平行平板を上記平行平板の側面が光軸と平行とな
る斜円柱状とし、上記平行平板を円筒管内に配し、さら
に上記平行平板及び円筒管を、光軸方方向に磁場をもつ
上記光軸と平行な側面を有する円柱状の穴を持つ永久磁
石の上記穴の中に配した特許請求の範囲第１項記載の光
アイソレータ。 - （４）基板の両面に液相エピタキシャル成長により磁気
光学結晶をたい積した特許請求の範囲第１項記載の光ア
イソレータ。 - （５）基板とこの基板の両面にたい積した磁気光学結晶
よりなる平行平板を、光軸に対して上記平行平板の上下
の面及び上記基板と上記磁気光学結晶の界面の法線を傾
けて、上記平行平板の側面が光軸と平行となる斜円柱状
に加工する工程と、上記斜円柱状の平行平板を、光軸方
向に磁場をもつ上記光軸と平行な側面を有する円柱状の
穴をもつ永久磁石の上記穴の中に配する工程とを有する
ことを特徴とする光アイソレータの製造方法。 - （６）平行平板を永久磁石の穴の中に配する工程が、平
行平板を円筒管内に配する工程と上記平行平板及び円筒
管を永久磁石中に配する工程よりなる特許請求の範囲第
５項記載の光アイソレータの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8732886A JPS62242915A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 光アイソレ−タ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8732886A JPS62242915A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 光アイソレ−タ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62242915A true JPS62242915A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13911803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8732886A Pending JPS62242915A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 光アイソレ−タ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62242915A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291028A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファラデ−素子 |
| EP0424013A2 (en) * | 1989-10-17 | 1991-04-24 | AT&T Corp. | Optical package arrangement |
| US5402260A (en) * | 1990-08-06 | 1995-03-28 | Kyocera Corporation | Element for optical isolator and optical isolator employing the same, together with semiconductor laser module employing the optical isolator element |
| US5712728A (en) * | 1994-10-06 | 1998-01-27 | Chen; Peter | Methods and devices incorporating wideband faraday rotation |
| US5917643A (en) * | 1993-03-12 | 1999-06-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP8732886A patent/JPS62242915A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291028A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファラデ−素子 |
| EP0424013A2 (en) * | 1989-10-17 | 1991-04-24 | AT&T Corp. | Optical package arrangement |
| US5402260A (en) * | 1990-08-06 | 1995-03-28 | Kyocera Corporation | Element for optical isolator and optical isolator employing the same, together with semiconductor laser module employing the optical isolator element |
| US5452122A (en) * | 1990-08-06 | 1995-09-19 | Kyocera Corporation | Element for optical isolator and optical isolator employing the same, together with semiconductor laser module employing the optical isolator element |
| US5917643A (en) * | 1993-03-12 | 1999-06-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator |
| US5712728A (en) * | 1994-10-06 | 1998-01-27 | Chen; Peter | Methods and devices incorporating wideband faraday rotation |
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