JPS62239557A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS62239557A JPS62239557A JP61083794A JP8379486A JPS62239557A JP S62239557 A JPS62239557 A JP S62239557A JP 61083794 A JP61083794 A JP 61083794A JP 8379486 A JP8379486 A JP 8379486A JP S62239557 A JPS62239557 A JP S62239557A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の構造の改良に関するものである
。
。
従来、樹脂封止型半導体装置として第2図に示すものが
あった。図中、1はチップ、2は外部リード、3はチッ
プ1と外部リード2とを接続する金属細線、4はチップ
1と金属細線3とを封止する封止用樹脂、5はチップを
載せる基板、6は封止用樹脂の流出を防止するダム、7
は外部リード2を絶縁あるいは保護するためのペースト
である。
あった。図中、1はチップ、2は外部リード、3はチッ
プ1と外部リード2とを接続する金属細線、4はチップ
1と金属細線3とを封止する封止用樹脂、5はチップを
載せる基板、6は封止用樹脂の流出を防止するダム、7
は外部リード2を絶縁あるいは保護するためのペースト
である。
次に製造方法について説明する。
外部リード2および絶縁用あるいは保護用ペースト7を
基板5上に形成し、該基板5にチップ1を接着し、その
後金属細線3によって、外部り一ド2とチップ1とを接
続する。次いで樹脂の流れ止めダム6を接着した後、封
止用樹脂4で封止する。かかる後に加熱器(図示せず)
により発生する熱により加熱された空気(図示せず)を
媒体として、封止用樹脂4を加熱し樹脂の硬化を完了す
る。このようにしてなる半導体装置の樹脂封止エリア内
には絶縁用あるいは保護用ペースト7が存在している。
基板5上に形成し、該基板5にチップ1を接着し、その
後金属細線3によって、外部り一ド2とチップ1とを接
続する。次いで樹脂の流れ止めダム6を接着した後、封
止用樹脂4で封止する。かかる後に加熱器(図示せず)
により発生する熱により加熱された空気(図示せず)を
媒体として、封止用樹脂4を加熱し樹脂の硬化を完了す
る。このようにしてなる半導体装置の樹脂封止エリア内
には絶縁用あるいは保護用ペースト7が存在している。
従来の樹脂封止型半導体装置は、以上の様に構成されて
いるので、封止エリア内に絶縁用あるいは保護用ペース
ト7があってこれらの内部には湿気8が侵入して存在し
ている。このため、この状態で半導体装置を急激に加熱
すると湿気の体積が膨張し、封止用樹脂4が剥離したり
、耐熱性が低下したりするという欠点があった。
いるので、封止エリア内に絶縁用あるいは保護用ペース
ト7があってこれらの内部には湿気8が侵入して存在し
ている。このため、この状態で半導体装置を急激に加熱
すると湿気の体積が膨張し、封止用樹脂4が剥離したり
、耐熱性が低下したりするという欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、急激な加熱に対し、封止用樹脂
の剥離、耐熱性の低下を防止することが出来る半導体装
置を提供することを目的としている。
ためになされたもので、急激な加熱に対し、封止用樹脂
の剥離、耐熱性の低下を防止することが出来る半導体装
置を提供することを目的としている。
この発明に係る半導体装置は、絶縁あるいは保護用ペー
ス14L、基板上の、樹脂封止あるいはフタで覆ったエ
リアの外に設けたものである。
ス14L、基板上の、樹脂封止あるいはフタで覆ったエ
リアの外に設けたものである。
この発明においては、基板上の、樹脂封止あるいはフタ
で覆ったエリアの外に絶縁あるいは保護用ペーストを設
けたから、封止エリア内に湿気を含む絶縁あるいは保護
用ペーストが存在しない状態で半導体素子を封止するこ
とが出来る。
で覆ったエリアの外に絶縁あるいは保護用ペーストを設
けたから、封止エリア内に湿気を含む絶縁あるいは保護
用ペーストが存在しない状態で半導体素子を封止するこ
とが出来る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による半導体装置を示し、図
において、1はチップ、2は外部リード、3は金属細線
、4は封止用樹脂、5はチップを載せる基板、6はダム
、7は外部リード2を絶縁あるいは保護するために封止
エリアの外に設けた絶縁用あるいは保護用ペーストであ
る。
において、1はチップ、2は外部リード、3は金属細線
、4は封止用樹脂、5はチップを載せる基板、6はダム
、7は外部リード2を絶縁あるいは保護するために封止
エリアの外に設けた絶縁用あるいは保護用ペーストであ
る。
次に製造方法について説明する。
基板葺上の封止エリアの外に絶縁用ないしは保護用ペー
ストを形成し、チップ1を接着した後、金属細線3によ
って外チップ1と外部リード2とを接続する。次に樹脂
の流れ止めダム6を接着した後、封止用樹脂4で封止す
る。そして加熱器からの熱風により封止用樹脂4を加熱
し、硬化を完了する。
ストを形成し、チップ1を接着した後、金属細線3によ
って外チップ1と外部リード2とを接続する。次に樹脂
の流れ止めダム6を接着した後、封止用樹脂4で封止す
る。そして加熱器からの熱風により封止用樹脂4を加熱
し、硬化を完了する。
このような本実施例装置では、あらかじめ外部リード2
および絶縁用あるいは保護用ペースト7を基板上に形成
する際に、絶縁あるいは保護用ペースト7が基板1の封
止エリア内には入らないようにしているので、封止エリ
ア内にペースト7が存在しない状態で樹脂封止し、熱硬
化を完了させることができる。従って湿気8が一ペース
ト7に侵入してその中に存在していても、樹脂封止エリ
ア内には湿気は存在せず、加熱時に封止用樹脂4が剥離
したり、耐熱性が低下したりすることがなくなり、第3
図に示すように本実施例装置の熱破壊耐ff1(グラフ
10)は従来のもの(グラフ9)と比べて大きく向上す
る。
および絶縁用あるいは保護用ペースト7を基板上に形成
する際に、絶縁あるいは保護用ペースト7が基板1の封
止エリア内には入らないようにしているので、封止エリ
ア内にペースト7が存在しない状態で樹脂封止し、熱硬
化を完了させることができる。従って湿気8が一ペース
ト7に侵入してその中に存在していても、樹脂封止エリ
ア内には湿気は存在せず、加熱時に封止用樹脂4が剥離
したり、耐熱性が低下したりすることがなくなり、第3
図に示すように本実施例装置の熱破壊耐ff1(グラフ
10)は従来のもの(グラフ9)と比べて大きく向上す
る。
なお、上記実施例では樹脂封止型半導体装置の場合につ
いて説明したが、これはフタ付は型半導体装置であって
もよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
いて説明したが、これはフタ付は型半導体装置であって
もよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上の様に、この発明にかかる半導体装置によれば、絶
縁用あるいは保護用ペーストを樹脂封止エリアの外に配
置するようにしたので、再加熱時、封止用樹脂が剥離し
たり耐熱性が低下したりするのを防止でき、熱破壊耐量
を向上できる効果がある。
縁用あるいは保護用ペーストを樹脂封止エリアの外に配
置するようにしたので、再加熱時、封止用樹脂が剥離し
たり耐熱性が低下したりするのを防止でき、熱破壊耐量
を向上できる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による樹脂封止型半導体装
置の断面図、第2図は従来の樹脂封止型半導体装置の断
面図、第3図はこの発明の熱破壊耐量のデータを示す図
である。 1・・・チップ、2・・・外部リード、3・・・金属細
線、4・・・封止樹脂、5・・・基板、6・・・ダム、
7・・・絶縁あるいは保護用ペースト、8・・・湿気。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
置の断面図、第2図は従来の樹脂封止型半導体装置の断
面図、第3図はこの発明の熱破壊耐量のデータを示す図
である。 1・・・チップ、2・・・外部リード、3・・・金属細
線、4・・・封止樹脂、5・・・基板、6・・・ダム、
7・・・絶縁あるいは保護用ペースト、8・・・湿気。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)外部電極および絶縁用あるいは保護用ペーストを
有する基板上に、1個又は複数個の半導体素子を搭載し
、該素子と外部電極とを金属細線により接続した後、全
体を樹脂封止、あるいはフタで覆ってなる半導体装置に
おいて、 上記絶縁用あるいは保護用ペーストは、上記基板上の、
上記樹脂封止、あるいはフタで覆ったエリアの外に設け
られていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61083794A JPS62239557A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61083794A JPS62239557A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62239557A true JPS62239557A (ja) | 1987-10-20 |
Family
ID=13812554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61083794A Pending JPS62239557A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62239557A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7184854B2 (en) | 2002-07-16 | 2007-02-27 | Howa Machinery, Ltd. | Device and method for generating piston outline machining data and computer-readable recording medium on which machining data generation program is recorded |
-
1986
- 1986-04-10 JP JP61083794A patent/JPS62239557A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7184854B2 (en) | 2002-07-16 | 2007-02-27 | Howa Machinery, Ltd. | Device and method for generating piston outline machining data and computer-readable recording medium on which machining data generation program is recorded |
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