JPS62235756A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62235756A JPS62235756A JP8051386A JP8051386A JPS62235756A JP S62235756 A JPS62235756 A JP S62235756A JP 8051386 A JP8051386 A JP 8051386A JP 8051386 A JP8051386 A JP 8051386A JP S62235756 A JPS62235756 A JP S62235756A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の金属電極配線の製造方法に関し
特に半導体基板表面の保護膜がシリコン窒化膜であシそ
の上方にアルミニウム等の金属電極をホトレジスト・エ
ッチング技術によシ配線形成する場合の製造方法に関す
る。
特に半導体基板表面の保護膜がシリコン窒化膜であシそ
の上方にアルミニウム等の金属電極をホトレジスト・エ
ッチング技術によシ配線形成する場合の製造方法に関す
る。
従来半導体基板表面保護膜上に金属電極を形成する場合
、公知のホトレジスト技術、エツチング技術によって第
２図で示す様な製造方法が用いられる。第２図において
、２工はシリコン等より成る半導体基板（拡散層は省略
した）、２２はシリコン基板を覆う保護膜、この保護膜
上に例えばアルミニウム等の金属がスパッター又は蒸着
技術により全面に被着される。しかる後ホトレジスト技
術によシミ極形成部のみホトレジスト膜を形成し、これ
をマスク材としてドライエツチング技術により金属層を
選択的にエツチング除去して金属配線電極２３を得る。
、公知のホトレジスト技術、エツチング技術によって第
２図で示す様な製造方法が用いられる。第２図において
、２工はシリコン等より成る半導体基板（拡散層は省略
した）、２２はシリコン基板を覆う保護膜、この保護膜
上に例えばアルミニウム等の金属がスパッター又は蒸着
技術により全面に被着される。しかる後ホトレジスト技
術によシミ極形成部のみホトレジスト膜を形成し、これ
をマスク材としてドライエツチング技術により金属層を
選択的にエツチング除去して金属配線電極２３を得る。
上述した従来製法では以下の様な欠点を生ずる。
特にシリコン基板表面を覆う保護膜２２がシリコン窒化
膜でその上方に金属電極をホトレジスト膜をマスク材と
してドライエツチング技術により配線形成する場合、保
護ＨＩＸ２２がシリコン窒化膜であるが為に金属のドラ
イエツチング時に増速エッチングが起こシ、マスク材下
方Ｋまで及ぶ金属電極のサイドエツチング現象を生ずる
。
膜でその上方に金属電極をホトレジスト膜をマスク材と
してドライエツチング技術により配線形成する場合、保
護ＨＩＸ２２がシリコン窒化膜であるが為に金属のドラ
イエツチング時に増速エッチングが起こシ、マスク材下
方Ｋまで及ぶ金属電極のサイドエツチング現象を生ずる
。
この為エツチング時の加工精度を著しく阻害して金属電
極の側面形状悪化、配線巾が減小、配線巾が不均一等を
生じて半導体装置の歩留を低下させ、その信頼度を著し
く低下させていた。
極の側面形状悪化、配線巾が減小、配線巾が不均一等を
生じて半導体装置の歩留を低下させ、その信頼度を著し
く低下させていた。
本発明の製造方法は、半導体基板表面の保護膜がシリコ
ン窒化膜であり、その上方に金属配線を形成する製造方
法において、配線電極形成部以外のシリコン窒化膜上を
例えば気相成長シリコン酸化膜又は配線金属と同種の金
属膜で覆って後配線金属をホトレジストをマスクにドラ
イエツチングして配線形成することを特徴とする製造方
法である。
ン窒化膜であり、その上方に金属配線を形成する製造方
法において、配線電極形成部以外のシリコン窒化膜上を
例えば気相成長シリコン酸化膜又は配線金属と同種の金
属膜で覆って後配線金属をホトレジストをマスクにドラ
イエツチングして配線形成することを特徴とする製造方
法である。
本発明による製造方法の１実施例を第１図を用いて説明
する。
する。
第１図において１１はシリコン等よシ成る半導体基板（
拡散層を省略）。１２はシリコン基板を覆うシリコン窒
化膜等による保護膜。まずこの保護膜１２上方に気相成
長法によシリコン酸化膜等を被着し、しかる後ホトレジ
スト・エッチング技術により金属配線形成部のシリコン
酸化膜をエツチング除去して絶縁膜１５を形成する。
拡散層を省略）。１２はシリコン基板を覆うシリコン窒
化膜等による保護膜。まずこの保護膜１２上方に気相成
長法によシリコン酸化膜等を被着し、しかる後ホトレジ
スト・エッチング技術により金属配線形成部のシリコン
酸化膜をエツチング除去して絶縁膜１５を形成する。
次いて、例えばアルミニウム等の金属をスパッター又は
蒸着技術によシ表面全体に被着して、後ホトレジスト技
術により電極形成部のみホトレジスト膜を形成し、これ
をマスク材としてドライエツチング技術によシ金属層を
選択的にエツチング除去して金属配線電極１３を得る。
蒸着技術によシ表面全体に被着して、後ホトレジスト技
術により電極形成部のみホトレジスト膜を形成し、これ
をマスク材としてドライエツチング技術によシ金属層を
選択的にエツチング除去して金属配線電極１３を得る。
第１図の実施例で示す様にシリコン窒化膜より成る保護
膜１２の金属電極形成部以外の表面全体を全て絶縁膜で
覆う必要はない、即ち金属電極１３と絶縁膜１５の間に
シリコン窒化膜よシ成る保護膜の露出部分がおりて良い
、絶縁膜１５で示す部分を金属に置換えても良い。金属
電極形成後に絶縁膜１５を除去しても良く残しても良い
。
膜１２の金属電極形成部以外の表面全体を全て絶縁膜で
覆う必要はない、即ち金属電極１３と絶縁膜１５の間に
シリコン窒化膜よシ成る保護膜の露出部分がおりて良い
、絶縁膜１５で示す部分を金属に置換えても良い。金属
電極形成後に絶縁膜１５を除去しても良く残しても良い
。
以上説明した様に本発明の製造方法によれば、金属電極
形成部以外のシリコン窒化膜より成る保護膜上を絶縁膜
又は金属膜で覆った後、半導体基板表面全体に被着され
た金属層をホトレジスト・エッチング技術によシ配線形
成することになシ金属のドライエツチング時の増速エッ
チを防止することが出来てマスク材下方にまで及ぶ金属
電極のサイドエッチ現象がなくなった。この為エツチン
グ時の加工精度が著しく向上して、金属電極の側面形状
が改善、配線巾が均一化した。以上の様に従来製法での
欠点を全て解消でき半導体装置の歩留を向上しかつその
信頼度を著しく向上させることが出来た。
形成部以外のシリコン窒化膜より成る保護膜上を絶縁膜
又は金属膜で覆った後、半導体基板表面全体に被着され
た金属層をホトレジスト・エッチング技術によシ配線形
成することになシ金属のドライエツチング時の増速エッ
チを防止することが出来てマスク材下方にまで及ぶ金属
電極のサイドエッチ現象がなくなった。この為エツチン
グ時の加工精度が著しく向上して、金属電極の側面形状
が改善、配線巾が均一化した。以上の様に従来製法での
欠点を全て解消でき半導体装置の歩留を向上しかつその
信頼度を著しく向上させることが出来た。
第１図は本発明の一実施例による製造方法を説明する為
の縦断面図。第２図は従来の製造方法を説明する為の縦
断面図である。 １１．２１・・・・・・シリコン基板、１２．２２・・
・・・・保護膜、１３．２３・・・・・・金属電極（ｘ
３ａ、２３ａ・・・・・・エツチング除去部）、１４．
２４・・−・・・ホトレジスト膜、１５・・・・・・絶
縁膜又は金属膜。
の縦断面図。第２図は従来の製造方法を説明する為の縦
断面図である。 １１．２１・・・・・・シリコン基板、１２．２２・・
・・・・保護膜、１３．２３・・・・・・金属電極（ｘ
３ａ、２３ａ・・・・・・エツチング除去部）、１４．
２４・・−・・・ホトレジスト膜、１５・・・・・・絶
縁膜又は金属膜。
Claims (1)
- 半導体基板表面の保護膜がシリコン窒化膜でありその上
方に金属電極を配線形成する製造方法において、配線電
極形成部以外のシリコン窒化膜上を絶縁膜又は金属膜で
覆って後配線金属をホトレジスト・エッチング方法によ
って配線形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8051386A JPS62235756A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8051386A JPS62235756A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62235756A true JPS62235756A (ja) | 1987-10-15 |
Family
ID=13720393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8051386A Pending JPS62235756A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62235756A (ja) |
-
1986
- 1986-04-07 JP JP8051386A patent/JPS62235756A/ja active Pending
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