JPS62235730A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62235730A JPS62235730A JP7976586A JP7976586A JPS62235730A JP S62235730 A JPS62235730 A JP S62235730A JP 7976586 A JP7976586 A JP 7976586A JP 7976586 A JP7976586 A JP 7976586A JP S62235730 A JPS62235730 A JP S62235730A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置特に低コンタクト抵抗を有する半導
体装置の製造方法に関する。
体装置の製造方法に関する。
従来の技術
従来この種の半導体装置の製造方法は第２図に示すよう
な構成であった。まず第２図ａに示すよ２ ′′−−＞
’ うに、ｐ型シリコン基板１の主面上に従来の方法により
ｎ型拡散層２．約３ｏｏｏ〜１ｏＯｏｏ人の厚さを有す
るＬＯＣＯ３酸化膜３を成長させた後約８０００人の厚
さのＰＳＧ膜４を被着せしめる。
な構成であった。まず第２図ａに示すよ２ ′′−−＞
’ うに、ｐ型シリコン基板１の主面上に従来の方法により
ｎ型拡散層２．約３ｏｏｏ〜１ｏＯｏｏ人の厚さを有す
るＬＯＣＯ３酸化膜３を成長させた後約８０００人の厚
さのＰＳＧ膜４を被着せしめる。
かかる後にＰＳＧ膜４に写真食刻法及びドライエツチン
グ法により電極取り出し用コンタクト窓５を形成する。
グ法により電極取り出し用コンタクト窓５を形成する。
次に、スパッタリング法等の方法を用いてアルミニウム
合金を被着させた後、写真食刻法及びドライエツチング
法を用いてアルミニウム電極８を形成する。この状態を
第２図すに示す。
合金を被着させた後、写真食刻法及びドライエツチング
法を用いてアルミニウム電極８を形成する。この状態を
第２図すに示す。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の技術では、最近の超ＬＳＩ におけ
るようにコンタクト窓覧のサイズが微細化されるに従い
、アルミニウム等の金属がコシタクト窓に十分に充填さ
れないか、あるいは電極材料としてシリコンを含むアル
ミニウムを用いた場合シリコンがコンタクト部に析出す
ることによりコンタクト抵抗が増大することになる。さ
らにコンタクト窓の段差部においてアルミニウム電極の
段切れが発生するというような問題点があった。
るようにコンタクト窓覧のサイズが微細化されるに従い
、アルミニウム等の金属がコシタクト窓に十分に充填さ
れないか、あるいは電極材料としてシリコンを含むアル
ミニウムを用いた場合シリコンがコンタクト部に析出す
ることによりコンタクト抵抗が増大することになる。さ
らにコンタクト窓の段差部においてアルミニウム電極の
段切れが発生するというような問題点があった。
３・・−７
本発明はこのような問題点を解決するもので、半導体基
板と金属電極とのコンタクト抵抗を低下させ、しかも安
定して形成する方法を提供することを目的とするもので
ある。
板と金属電極とのコンタクト抵抗を低下させ、しかも安
定して形成する方法を提供することを目的とするもので
ある。
問題点を解決するための手段
前記の問題点を解決するために本発明は、半導体基板の
表面近傍の所定の領域に一導電型の不純物拡散領域を形
成する工程と、前記半導体基板上に絶縁膜を附着する工
程と、前記絶縁膜の前記拡散層上にコンタクト窓を開孔
する工程と、前記コンタクト窓内の前記拡散層上にチタ
ニウム膜と前記拡散層と同導電型の低抵抗半導体層とを
順次積層する工程と、前記半導体層と前記絶縁膜上に電
極、配線用の導電層を附着する工程とを含む事を特徴と
する半導体装置の製造方法を提供する。
表面近傍の所定の領域に一導電型の不純物拡散領域を形
成する工程と、前記半導体基板上に絶縁膜を附着する工
程と、前記絶縁膜の前記拡散層上にコンタクト窓を開孔
する工程と、前記コンタクト窓内の前記拡散層上にチタ
ニウム膜と前記拡散層と同導電型の低抵抗半導体層とを
順次積層する工程と、前記半導体層と前記絶縁膜上に電
極、配線用の導電層を附着する工程とを含む事を特徴と
する半導体装置の製造方法を提供する。
作 用
この構成により１μｍ Ｘ １μｍ以下の微細なコンタ
クト窓でも金属配線の段切れは無く、チタニウムが配線
金属のマイグレーションのバリアとして働くためにコン
タクト抵抗の小さ々金属配線を安定して形成することが
できる。
クト窓でも金属配線の段切れは無く、チタニウムが配線
金属のマイグレーションのバリアとして働くためにコン
タクト抵抗の小さ々金属配線を安定して形成することが
できる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例による半導体装置の製造方
法の断面図を示し、第１図ａに示すようにｐ型シリコン
基板１の主面上に従来の方法によシｎ型拡散層２を形成
し、約３０００〜１００００人の厚さを有するＬＯＣＯ
８酸化膜３を成長させた後、約８ｏｏｏ人の厚さのＰＳ
Ｇ膜等の絶縁膜４を成長させる。次に絶縁膜４に写真食
刻法及びドライエツチング法により電極取り出し用コン
タクト窓５を形成する。次に第１図すに示すように公知
の方法によりコンタクト窓内に５ｏ〜１００人のチタニ
ウム膜６を形成した後、温度＝１ｏ００〜１１０ｏ℃、
５ｉＨ２Ｃ１２＝１ｏＯ〜２ｏｏＣＣ／ｍ１ｎ。
法の断面図を示し、第１図ａに示すようにｐ型シリコン
基板１の主面上に従来の方法によシｎ型拡散層２を形成
し、約３０００〜１００００人の厚さを有するＬＯＣＯ
８酸化膜３を成長させた後、約８ｏｏｏ人の厚さのＰＳ
Ｇ膜等の絶縁膜４を成長させる。次に絶縁膜４に写真食
刻法及びドライエツチング法により電極取り出し用コン
タクト窓５を形成する。次に第１図すに示すように公知
の方法によりコンタクト窓内に５ｏ〜１００人のチタニ
ウム膜６を形成した後、温度＝１ｏ００〜１１０ｏ℃、
５ｉＨ２Ｃ１２＝１ｏＯ〜２ｏｏＣＣ／ｍ１ｎ。
Ｈ２＝１２０４／ｍｉｎ、ＨＣ４＝１．２１／ｍｉｎ、
圧力−５０〜１００ Ｔｏｒｒ 、成長速度０．２ μ
ｍ ／ ｍ１ｎＪｌ下の条件でコンタクト窓内に低抵抗
のｎ型シリコ７層７を成長させる。このとき、弓ベース
のＡｓＨｓガスを添加することにより成長したシリコン
層の抵抗を０．１Ω帥以下に抑えることができる。成長
５１・−７ させるシリコン層の厚みはコンタクト窓のアスペクト比
により、絶縁膜の厚みの１０〜１ｏｏ％とする。次に第
１図Ｃに示すようにアルミニウム合金等の金属膜をスパ
ッタリング法により被着した後、写真食刻法及びドライ
エツチング法によりアルミニウム電極８を形成する。そ
の後４５０〜５５０’Ｃで３０〜９０分シンターするこ
とによりコンタクト抵抗を低下させる。
圧力−５０〜１００ Ｔｏｒｒ 、成長速度０．２ μ
ｍ ／ ｍ１ｎＪｌ下の条件でコンタクト窓内に低抵抗
のｎ型シリコ７層７を成長させる。このとき、弓ベース
のＡｓＨｓガスを添加することにより成長したシリコン
層の抵抗を０．１Ω帥以下に抑えることができる。成長
５１・−７ させるシリコン層の厚みはコンタクト窓のアスペクト比
により、絶縁膜の厚みの１０〜１ｏｏ％とする。次に第
１図Ｃに示すようにアルミニウム合金等の金属膜をスパ
ッタリング法により被着した後、写真食刻法及びドライ
エツチング法によりアルミニウム電極８を形成する。そ
の後４５０〜５５０’Ｃで３０〜９０分シンターするこ
とによりコンタクト抵抗を低下させる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、１μｍＸ１μｍ以下のサ
イズのコンタクト窓の場合でもアルミニウム電極の段切
れの発生は無く、コンタクト抵抗の低い電極を安定して
形成することができる。
イズのコンタクト窓の場合でもアルミニウム電極の段切
れの発生は無く、コンタクト抵抗の低い電極を安定して
形成することができる。
第１図ａ〜第１図Ｃは本発明の一実施例による半導体装
置の製造方法を示す断面図中寄キ、第２図ａ〜第２図す
は従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。 １・・・・・・ｐ型シリコン基板、２・・・・・・ｎ型
拡散層、３０１０３０．ＬｏＣｏＳ酸化膜、４・・・・
・・絶縁膜、５・・・・・・コ６ヘーパ ンタクト窓、６・・・・・・チタニウム膜、７・・・・
・・ｎ型シリコン層、８・・・・・・アルミニウム電極
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＼Ｎ
Ｃつ′勢喝（ミＱ
置の製造方法を示す断面図中寄キ、第２図ａ〜第２図す
は従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。 １・・・・・・ｐ型シリコン基板、２・・・・・・ｎ型
拡散層、３０１０３０．ＬｏＣｏＳ酸化膜、４・・・・
・・絶縁膜、５・・・・・・コ６ヘーパ ンタクト窓、６・・・・・・チタニウム膜、７・・・・
・・ｎ型シリコン層、８・・・・・・アルミニウム電極
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＼Ｎ
Ｃつ′勢喝（ミＱ
Claims (1)
- 半導体基板の表面近傍の所定の領域に一導電型の不純物
拡散領域を形成する工程と、前記半導体基板上に絶縁膜
を附着する工程と、前記絶縁膜の前記拡散層上にコンタ
クト窓を開孔する工程と、前記コンタクト窓内の前記拡
散層上にチタニウム膜と前記拡散層と同導電型の低抵抗
半導体層とを順次積層する工程と、前記半導体層と前記
絶縁膜上に電極、配線用の導電層を附着する工程とを含
む事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7976586A JPS62235730A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7976586A JPS62235730A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62235730A true JPS62235730A (ja) | 1987-10-15 |
Family
ID=13699308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7976586A Pending JPS62235730A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62235730A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290019A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極配線構造体と半導体集積回路装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046024A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-07 JP JP7976586A patent/JPS62235730A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046024A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290019A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極配線構造体と半導体集積回路装置の製造方法 |
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