JPS62234808A - 薄膜電極の形成方法 - Google Patents
薄膜電極の形成方法Info
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- JPS62234808A JPS62234808A JP7648286A JP7648286A JPS62234808A JP S62234808 A JPS62234808 A JP S62234808A JP 7648286 A JP7648286 A JP 7648286A JP 7648286 A JP7648286 A JP 7648286A JP S62234808 A JPS62234808 A JP S62234808A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical group ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１！よＬ五玉方！
この発明は、樹脂フィルムなどの電気絶縁性基体の表面
に金属の薄膜電極を形成する方法に関する。
に金属の薄膜電極を形成する方法に関する。
炙水り盈ヨ
樹脂フィルムの表面に金属の薄膜電極を形成してなるも
のは、可とう性で使用位置の制限が少ないばかりか、ｉ
ｓのコンパクト化が達成できることから、エレクトロニ
クス分野において電極材料として広く使われている。
のは、可とう性で使用位置の制限が少ないばかりか、ｉ
ｓのコンパクト化が達成できることから、エレクトロニ
クス分野において電極材料として広く使われている。
そのような、樹脂フィルムの表面への薄膜電極の形成は
、たとえば特開昭５４−８．５２８４号公報ほかに記載
されているように、真空蒸着によるのが最も一般的であ
る。しかしながら、この方法では、膜厚がせいぜい数百
オングストローム程度のものしか得られない。また、樹
脂フィルムへの結着力がそう強くなく、半田付けなど、
熱が加わると剥がれやすいという問題もある。
、たとえば特開昭５４−８．５２８４号公報ほかに記載
されているように、真空蒸着によるのが最も一般的であ
る。しかしながら、この方法では、膜厚がせいぜい数百
オングストローム程度のものしか得られない。また、樹
脂フィルムへの結着力がそう強くなく、半田付けなど、
熱が加わると剥がれやすいという問題もある。
かかる問題を解決しようとして、樹脂フィルムの表面に
金属のスパッタリング膜を形成した後、それを一方の極
としてを無電解メッキを施す方法も提案されている。こ
の方法によれば、膜厚を厚くすることが可能で、しかも
真空蒸着の場合にくらべて結着力も向上する。しかしな
がら、無電解メッキはメッキ条件の設定がやっかいであ
るため、結着力が十分でなかったり、厚みむらができる
など、安定性に欠けるという問題がある。
金属のスパッタリング膜を形成した後、それを一方の極
としてを無電解メッキを施す方法も提案されている。こ
の方法によれば、膜厚を厚くすることが可能で、しかも
真空蒸着の場合にくらべて結着力も向上する。しかしな
がら、無電解メッキはメッキ条件の設定がやっかいであ
るため、結着力が十分でなかったり、厚みむらができる
など、安定性に欠けるという問題がある。
明が解決しようとする間 声
この発明の目的は、従来の方法の上記欠点を解決し、電
気絶縁性基体上に、１〜２μｍ程度の厚みをもち、しか
も付着力が強くて容易に剥がれるようなことのない薄膜
電極を安定して形成する方法を提供するにある。
気絶縁性基体上に、１〜２μｍ程度の厚みをもち、しか
も付着力が強くて容易に剥がれるようなことのない薄膜
電極を安定して形成する方法を提供するにある。
、を ゛するための 段
上記目的を達成するためのこの発明は、電気絶縁性基体
上に金属の蒸着膜またはスパッタリング膜を形成した後
、その膜を一方の極とし、金属を対極として前記膜に電
気メッキを施す薄膜電極の形成方法を特徴とするもので
ある。
上に金属の蒸着膜またはスパッタリング膜を形成した後
、その膜を一方の極とし、金属を対極として前記膜に電
気メッキを施す薄膜電極の形成方法を特徴とするもので
ある。
この発明をさらに詳細に説明するに、この発明において
は、まず、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂など、比較的耐熱性をもつ樹脂や、セラミ
ックスなどからなる電気絶縁性の基体を準備する。基体
の形状は、フィルム状、シート状、板状など、いずれで
あってもよく、用途などに応じて決める。
は、まず、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂など、比較的耐熱性をもつ樹脂や、セラミ
ックスなどからなる電気絶縁性の基体を準備する。基体
の形状は、フィルム状、シート状、板状など、いずれで
あってもよく、用途などに応じて決める。
次に、基体をよく洗浄する。この洗浄は、特に樹脂基体
の場合、有機溶剤、アルカリ水溶液および酸により、か
つこの順序で行うのが好ましい。
の場合、有機溶剤、アルカリ水溶液および酸により、か
つこの順序で行うのが好ましい。
もちろん、１回の洗浄を行うたびに水洗し、乾燥し、最
後に蒸溜水でよく洗浄した後乾燥する。上記有機溶剤と
しては、たとえばクロロエチレン、エチルアルコール、
アセトンなどを使用する。また、アルカリ水溶液として
は、苛性ソーダや炭酸ソーダの２〜１０重量％水溶液な
どを用いる。酸は、硫酸や硝酸のようなものでよい。
後に蒸溜水でよく洗浄した後乾燥する。上記有機溶剤と
しては、たとえばクロロエチレン、エチルアルコール、
アセトンなどを使用する。また、アルカリ水溶液として
は、苛性ソーダや炭酸ソーダの２〜１０重量％水溶液な
どを用いる。酸は、硫酸や硝酸のようなものでよい。
次に、洗浄俊の基体表面に金属の蒸着膜またはスパッタ
リング膜を形成する。金属としては、銅、金、ニッケル
、クロムなど、良導電性であるものを使用する。蒸着や
スパッタリング操作そのものは、周知の方法によればよ
い。しかして、膜の形成は、常温で行っても、加熱下に
行っても、いずれでもよい。また、膜は、全面に施す場
合もあるし、たとえばストライプ状など、所望のパター
ンで施す場合もある。
リング膜を形成する。金属としては、銅、金、ニッケル
、クロムなど、良導電性であるものを使用する。蒸着や
スパッタリング操作そのものは、周知の方法によればよ
い。しかして、膜の形成は、常温で行っても、加熱下に
行っても、いずれでもよい。また、膜は、全面に施す場
合もあるし、たとえばストライプ状など、所望のパター
ンで施す場合もある。
次に、基体上の膜に、その膜を一方の極とし、金属の板
体や棒体などを対極として電気メッキを行う。このとき
、対極として使用する金属には、膜を形成するのに使用
したのと同じものを使用するのが普通であるが、そうで
ある必要は必ずしもない。メッキ液の濃度、温度、時間
、電流密度等の条件は、得たい薄膜電極の厚みを考慮し
て決める。
体や棒体などを対極として電気メッキを行う。このとき
、対極として使用する金属には、膜を形成するのに使用
したのと同じものを使用するのが普通であるが、そうで
ある必要は必ずしもない。メッキ液の濃度、温度、時間
、電流密度等の条件は、得たい薄膜電極の厚みを考慮し
て決める。
次に、この発明を実施例に基いてさらに詳細に説明する
。
。
Ｘ簾」
樹脂基体として、厚みが２５μｍで、かつ大きざが１１
０Ｘ１０Ｃである、東し・デュポン株式会社製ポリイミ
ドフィルム“カプトン″を用い、゛これをトリクロロエ
チレンに１０分間浸漬して洗浄した後乾燥し、次いで少
量の界面活性剤を含む５重量％苛性ソーダ水溶液に浸漬
し、６０℃で１０分間洗浄した。ざらに、乾燥後硫酸に
浸漬し、６０℃で１０分間洗浄し、水洗、乾燥し、＠侵
に蒸溜水で洗浄し、１００℃で１時間加熱して乾燥した
。
０Ｘ１０Ｃである、東し・デュポン株式会社製ポリイミ
ドフィルム“カプトン″を用い、゛これをトリクロロエ
チレンに１０分間浸漬して洗浄した後乾燥し、次いで少
量の界面活性剤を含む５重量％苛性ソーダ水溶液に浸漬
し、６０℃で１０分間洗浄した。ざらに、乾燥後硫酸に
浸漬し、６０℃で１０分間洗浄し、水洗、乾燥し、＠侵
に蒸溜水で洗浄し、１００℃で１時間加熱して乾燥した
。
次に、洗浄侵の基体の表面に常温下で銅を真空Ｆｉ５＠
シた俊、面内における電気抵抗をできるだけ小さくして
後の電気メッキをより均一に行えるよう、基体の上端に
３ｍｍ幅で銀ペーストを塗布し、乾燥した。
シた俊、面内における電気抵抗をできるだけ小さくして
後の電気メッキをより均一に行えるよう、基体の上端に
３ｍｍ幅で銀ペーストを塗布し、乾燥した。
次に、基体をメッキ浴に入れ、蒸着膜を陰極とし、銅板
を陽極として電気メッキを行った。メッキ浴の組成は、
１リツトルあたり硫酸銅が２０００、硫酸が５０ｇであ
り、メッキ温度は５０℃とし、メッキ時間は７分であり
、電流密度は０．３Ａ／ｄｍ２とした。メッキ終了後水
洗し、１００℃で１時間乾燥した。かくして形成した薄
膜電極の厚みは、約２μｍであった。
を陽極として電気メッキを行った。メッキ浴の組成は、
１リツトルあたり硫酸銅が２０００、硫酸が５０ｇであ
り、メッキ温度は５０℃とし、メッキ時間は７分であり
、電流密度は０．３Ａ／ｄｍ２とした。メッキ終了後水
洗し、１００℃で１時間乾燥した。かくして形成した薄
膜電極の厚みは、約２μｍであった。
次に、上記薄膜電極に半田付けをしたが、変色や剥がれ
の問題は全くみられなかった。
の問題は全くみられなかった。
止弦コ
実施例と全く同様に洗浄した基体に、銅を真空蒸着した
。この真空蒸着は、基体を約１５０’Ｃに加熱しながら
行い、さらに蒸着膜の接合をより完全に行うべく蒸着後
１時間その温度に保持し、その俊真空状態のまま室温ま
で下げた。
。この真空蒸着は、基体を約１５０’Ｃに加熱しながら
行い、さらに蒸着膜の接合をより完全に行うべく蒸着後
１時間その温度に保持し、その俊真空状態のまま室温ま
で下げた。
かくして得られた薄膜電極について実施例と同様半田付
けをしたところ、薄膜電極が基体から剥がれてしまった
。
けをしたところ、薄膜電極が基体から剥がれてしまった
。
及旦五四里
この発明は、電気絶縁性基体上に金属の蒸着膜またはス
パッタリング膜を形成した後、その膜を一方の極とし、
金属を対極として上記膜に電気メッキを施すものである
から、実施例にも示したように、厚く、かつ剥がれにく
い堅固な薄膜電極を形成することができる。しかも、電
気メッキは、無電解メッキはどメッキ条件の設定がやっ
かいではないので、メッキ操作が容易かつ安定するばか
りか、厚みの制御等も簡単でむらを少なくできる。
パッタリング膜を形成した後、その膜を一方の極とし、
金属を対極として上記膜に電気メッキを施すものである
から、実施例にも示したように、厚く、かつ剥がれにく
い堅固な薄膜電極を形成することができる。しかも、電
気メッキは、無電解メッキはどメッキ条件の設定がやっ
かいではないので、メッキ操作が容易かつ安定するばか
りか、厚みの制御等も簡単でむらを少なくできる。
Claims (1)
- 電気絶縁性基体上に金属の蒸着膜またはスパッタリング
膜を形成した後、その膜を一方の極とし、金属を対極と
して前記膜に電気メッキを施すことを特徴とする薄膜電
極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7648286A JPS62234808A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 薄膜電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7648286A JPS62234808A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 薄膜電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62234808A true JPS62234808A (ja) | 1987-10-15 |
Family
ID=13606413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7648286A Pending JPS62234808A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 薄膜電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62234808A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903982A (en) * | 1987-11-05 | 1990-02-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Suspension control apparatus and method for a vehicle |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5315755A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Fujitsu Ltd | Manufacture of display panel electrode |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP7648286A patent/JPS62234808A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5315755A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Fujitsu Ltd | Manufacture of display panel electrode |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903982A (en) * | 1987-11-05 | 1990-02-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Suspension control apparatus and method for a vehicle |
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