JPS62227572A - はんだ付け方法 - Google Patents
はんだ付け方法Info
- Publication number
- JPS62227572A JPS62227572A JP6915786A JP6915786A JPS62227572A JP S62227572 A JPS62227572 A JP S62227572A JP 6915786 A JP6915786 A JP 6915786A JP 6915786 A JP6915786 A JP 6915786A JP S62227572 A JPS62227572 A JP S62227572A
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- Japan
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- solder
- inert gas
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- soldering
- conveyor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、はんだ付け方法に関するものである。
（従来の技術）
従来は、密閉チャンバ内に不活性ガスを注入することに
より、この不活性ガスがチャンバ内の空気を外部に追出
して、空気と不活性ガスとを置換し・その不活性ガス中
ではんだ付けを行うようにしている−０ （発明が解決しようとするｒｆＡ題点）このように不活
性ガスに置換されたヂＶンバ内は空気が少なく、はｌυ
だ付けにとって好ましくないはんだの酸化環条は抑制で
きるが、前記のように不活性ガスが内部空気を追出す方
式は不活性ガスの加圧供給が先行するので、密閉チャン
バ内の気圧は常に大気圧より下がることはない。
より、この不活性ガスがチャンバ内の空気を外部に追出
して、空気と不活性ガスとを置換し・その不活性ガス中
ではんだ付けを行うようにしている−０ （発明が解決しようとするｒｆＡ題点）このように不活
性ガスに置換されたヂＶンバ内は空気が少なく、はｌυ
だ付けにとって好ましくないはんだの酸化環条は抑制で
きるが、前記のように不活性ガスが内部空気を追出す方
式は不活性ガスの加圧供給が先行するので、密閉チャン
バ内の気圧は常に大気圧より下がることはない。
このため、はんだ槽内の溶融はんだ中に含まれている不
純物がそのままは／Ｖだ中に残り、はｌυだ付け時にガ
ス化してはｌυだ付け部中にピンホールやボイドが生成
されやすい問題がある。
純物がそのままは／Ｖだ中に残り、はｌυだ付け時にガ
ス化してはｌυだ付け部中にピンホールやボイドが生成
されやすい問題がある。
本発明の目的は、純度の高いは／υだを維持できるはん
だ付け方法を提供することにある。
だ付け方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、はｌυだ槽１５を収容してなる密閉チャンバ
１４の内部の空気を不活性ガスに置換し、その不活性ガ
ス雰囲気中においてはＩυだ付けを行うはんだ付け方法
において、前記はんだ槽１５内の【よんだＳが溶融され
た状態で密閉チャンバ１４内を真空状態にし、このいっ
たん真空状態となった密閉チャンバ１４内に不活性ガス
を供給し、この不活性ガス中ではんだ付けを行うように
する。
１４の内部の空気を不活性ガスに置換し、その不活性ガ
ス雰囲気中においてはＩυだ付けを行うはんだ付け方法
において、前記はんだ槽１５内の【よんだＳが溶融され
た状態で密閉チャンバ１４内を真空状態にし、このいっ
たん真空状態となった密閉チャンバ１４内に不活性ガス
を供給し、この不活性ガス中ではんだ付けを行うように
する。
（作用）
本発明は、密閉チャンバ内に不活性ガスが供給される前
に、はんだ槽内の溶融されたはんだが真空状態に置かれ
る。から、そのとぎ溶融はんだ中からの脱ガス現象等が
促進されて＋ｒｔ内はんだの純度が高められ、はｌυだ
付け時にピンホール等が生成されにくい。
に、はんだ槽内の溶融されたはんだが真空状態に置かれ
る。から、そのとぎ溶融はんだ中からの脱ガス現象等が
促進されて＋ｒｔ内はんだの純度が高められ、はｌυだ
付け時にピンホール等が生成されにくい。
〈実施例）
以下、本発明を図面に示される一実施例を参照して訂細
に説明する。
に説明する。
装置本体１１の内部に発泡式フラクサ１２、ブリヒータ
１３、密閉チャンバ１４の内部の噴流式はんだ槽１５お
よび冷却ファン１６が順次配列されている。
１３、密閉チャンバ１４の内部の噴流式はんだ槽１５お
よび冷却ファン１６が順次配列されている。
また被はんだイ４け物としてのプリント配線基板Ｐの搬
送経路に搬送コンベヤ２１、搬入ゲート２２、チャンバ
内コンベヤ２３、搬出ゲート２４および搬送コンベヤ２
５が順次配列されている。前記コンベヤ２１、２３．２
５は良く知られているようにヂエンコンベヤであって、
搬送ホルダを介して間接的にまたはヂエンに設けられた
搬送爪により直接的にプリント配１２１板Ｐを搬送する
ものである。
送経路に搬送コンベヤ２１、搬入ゲート２２、チャンバ
内コンベヤ２３、搬出ゲート２４および搬送コンベヤ２
５が順次配列されている。前記コンベヤ２１、２３．２
５は良く知られているようにヂエンコンベヤであって、
搬送ホルダを介して間接的にまたはヂエンに設けられた
搬送爪により直接的にプリント配１２１板Ｐを搬送する
ものである。
前記密閉チャンバ１４は、上部に空気扱き穴３１が設け
られ、この穴３１から管路３２が引出され、この管路３
２は電磁弁３３を介して図示しない真空ポンプに連通接
続されている。ざらに前記管路３２から管路３４が引出
され、この管路３４は電磁弁３５Ｊ３よび図示しない温
度調節器を経て図示しないチッ素ガス等の不活性ガスタ
ンクに連通接続されている。
られ、この穴３１から管路３２が引出され、この管路３
２は電磁弁３３を介して図示しない真空ポンプに連通接
続されている。ざらに前記管路３２から管路３４が引出
され、この管路３４は電磁弁３５Ｊ３よび図示しない温
度調節器を経て図示しないチッ素ガス等の不活性ガスタ
ンクに連通接続されている。
そうして前記はんだ槽１５の運転準備（１４に、前記チ
ャンバ１４が密閉された状態で前記電磁弁３３が開かれ
てこのチャンバ１４内が前記真空ポンプに連通され、チ
ャンバ１４内は空気を抜取られて適正な真空度となる。
ャンバ１４が密閉された状態で前記電磁弁３３が開かれ
てこのチャンバ１４内が前記真空ポンプに連通され、チ
ャンバ１４内は空気を抜取られて適正な真空度となる。
この真空度きの際、前記噴流式はんだ槽１５のノズル１
５ａから噴流されている溶融はんだＳは真空溶融の状態
となり、この溶融はんだ中の不純物が脱ガス現象等によ
って溶融はんだ中から分離除去され、純度の高いはんだ
となる。
５ａから噴流されている溶融はんだＳは真空溶融の状態
となり、この溶融はんだ中の不純物が脱ガス現象等によ
って溶融はんだ中から分離除去され、純度の高いはんだ
となる。
このようにしていったん真空状態となった密閉チャンバ
１４内に前記電磁弁３５を問いて温度調整されたチッ素
ガス等の不活性ガスを供給し、チャンバ内をこの不活性
ガスで満たす。
１４内に前記電磁弁３５を問いて温度調整されたチッ素
ガス等の不活性ガスを供給し、チャンバ内をこの不活性
ガスで満たす。
プリント配線基板Ｐは、前記コンベヤ２１で搬送されな
がら前記フラクサ゛１２によってフラックスを塗布され
、前記プリヒータ１３によって予加熱され、スライドさ
れたゲート２２によって間口された搬入口を経て密閉チ
ャンバ１４内のコンベヤ２３に移載される。
がら前記フラクサ゛１２によってフラックスを塗布され
、前記プリヒータ１３によって予加熱され、スライドさ
れたゲート２２によって間口された搬入口を経て密閉チ
ャンバ１４内のコンベヤ２３に移載される。
このようにしてヂｔシンバ１４内に基板Ｐが搬入される
と、１１η記ゲート２２が閉じてヂＶンバ１４が密閉さ
れ、このチャンバ１４内に充満された不活性ガス中にお
いて前記基板Ｐは前記はんだ槽１５のノズル１５ａから
噴流される溶＠（よんだＳ上に搬送され基板Ｐと搭載部
品とのＧ、ｉ ／υだイ４けがなされる。このどき、は
／Ｖだ槽１５内の溶融はんだは前記＋１５２万ス現象等
により純度が高められているので、はｌυだイ４け部中
にピンホール等が発生しにくい。
と、１１η記ゲート２２が閉じてヂＶンバ１４が密閉さ
れ、このチャンバ１４内に充満された不活性ガス中にお
いて前記基板Ｐは前記はんだ槽１５のノズル１５ａから
噴流される溶＠（よんだＳ上に搬送され基板Ｐと搭載部
品とのＧ、ｉ ／υだイ４けがなされる。このどき、は
／Ｖだ槽１５内の溶融はんだは前記＋１５２万ス現象等
により純度が高められているので、はｌυだイ４け部中
にピンホール等が発生しにくい。
はんだ付けされたプリント配線基板Ｐは、スライドした
ゲート２４により開口された搬出口を経て外部のコンベ
ヤ２５に移載され、搬送されながらファン１Ｇにより冷
部される。
ゲート２４により開口された搬出口を経て外部のコンベ
ヤ２５に移載され、搬送されながらファン１Ｇにより冷
部される。
本発明によれば、はんだ槽内のはｌυだが溶融された状
態で密閉チャンバ内を真空状態にし、このいったん真空
状態となった密閉チャンバ内に不活性ガス中 りを行うようにしたから、不活性ガス供給面の真空状態
時に溶融はｌνだ中からの脱ガス現象等が促進されては
んだそのものの純度が高く維持され、はんだ（＝Ｊけ時
にピンホール等が形成されにくい。
態で密閉チャンバ内を真空状態にし、このいったん真空
状態となった密閉チャンバ内に不活性ガス中 りを行うようにしたから、不活性ガス供給面の真空状態
時に溶融はｌνだ中からの脱ガス現象等が促進されては
んだそのものの純度が高く維持され、はんだ（＝Ｊけ時
にピンホール等が形成されにくい。
図は本発明の【よんだ付け方法の一実施例を示、 寸断
面図である。 １４・・密閉チャンバ、１５・・はんだ槽、。
面図である。 １４・・密閉チャンバ、１５・・はんだ槽、。
Claims (1)
- （１）はんだ槽を収容してなる密閉チャンバの内部の空
気を不活性ガスに置換し、その不活性ガス雰囲気中にお
いてはんだ付けを行うはんだ付け方法において、前記は
んだ槽内のはんだが溶融された状態で密閉チャンバ内を
真空状態にし、このいったん真空状態となつた密閉チャ
ンバ内に不活性ガスを供給し、この不活性ガス中ではん
だ付けを行うことを特徴とするはんだ付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6915786A JPS62227572A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | はんだ付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6915786A JPS62227572A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | はんだ付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62227572A true JPS62227572A (ja) | 1987-10-06 |
Family
ID=13394567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6915786A Pending JPS62227572A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | はんだ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62227572A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5383947A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-24 | Anritsu Electric Co Ltd | Soldering device |
| JPS579011U (ja) * | 1980-05-31 | 1982-01-18 |
-
1986
- 1986-03-27 JP JP6915786A patent/JPS62227572A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5383947A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-24 | Anritsu Electric Co Ltd | Soldering device |
| JPS579011U (ja) * | 1980-05-31 | 1982-01-18 |
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