JPS622259B2 - - Google Patents
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- JPS622259B2 JPS622259B2 JP13557081A JP13557081A JPS622259B2 JP S622259 B2 JPS622259 B2 JP S622259B2 JP 13557081 A JP13557081 A JP 13557081A JP 13557081 A JP13557081 A JP 13557081A JP S622259 B2 JPS622259 B2 JP S622259B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/73—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using plasma burners or torches
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
本発明は、Ge（ゲルマニウム）―Ga（ガリウ
ム）合金中のGaの分析方法に関するものであ
る。 半導体素子の製造工程中においては、半導体素
子の原料のひとつであるGe―Ga合金中のGaの正
確且つ迅速な分析が必要とされる。従来、Ge―
Ga合金中のGaの分析方法として、一般的な比色
法が用いられていたが、共存成分からGaの分離
が必要であるため、操作が煩雑になるうえに分析
時間も多くを要していた。 ここにおいて、本発明は、Ge―Ga合金中のGa
の分析を迅速に、且つ精度良く定量分析すること
が可能な分析方法を提供しようとするものであ
る。 本発明に係る分析方法は、微粉砕した試料
（Ge―Ga合金）に、水酸化ナトリウム水溶液及び
過酸化水素水を加え、加温溶解後煮沸して放冷
し、さらに塩酸を加えて酸性とした後、水で希釈
して容量一定の試料溶液をつくり、この試料溶液
中のGaをプラズマ発光分析法によつて定量分析
することを特徴としている。また、検量線用標準
溶液には、水酸化ナトリウム水溶液及び塩酸を試
料溶液と同濃度となるように添加したものを使用
する。 第１図は、本発明の分析方法における試料溶液
作成の一例を示すフローシート、第２図は検量線
用標準溶液作成の一例を示すフローシートであ
る。Ge―Ga合金を粒状試料のまま溶解するに
は、従来より、フツ化水素酸及び硝酸で処理する
方法がある。しかしながら、フツ化水素酸はガラ
スを溶解する性質があるために、ガラス製の実験
器具あるいは部品を使用する場合は、このフツ化
水素酸を除去するための何んらかの処理をする必
要があり、その為の操作が増え、時間も多く必要
とする。それ故に、本発明においては、第１図フ
ローシートに示すように、微粉砕した試料を秤量
後、これに５％NaOH10ml及び30％H2O23mlを加
えて加温溶解し、煮沸、放冷して（１＋１）
HCl4mlを加え、酸性の試料溶液をつくる方法と
した。ここで、HClの添加は、ガラス器具からの
微量成分の混入の防止と、プラズマ発光分析装置
の使用に際し、ガラス製ネブライザーのの保護及
び試料溶液の粘性を低下させて感度を向上させる
ことを目的としている。最後に水を加えて希釈
し、100ml一定とし、この試料溶液について、
2944ÅにおけるGaの発光強度をプラズマ発光分
析装置によつて測定し、定量分析を行う。 また、検量線用標準溶液は、第２図フローシー
トに示すようにGa0〜５mgを標準溶液より分取
し、これに５％NaOH10ml，（１＋１）HCl4ml
（試料溶液と同濃度）添加し、H2Oを加えて希釈
し100ml一定としたものを使用する。 第１表は、本発明の分析方法において、溶解条
件の検討結果をフツカ水素と硝酸で処理する方法
（イ参照）と比較して示したものである。
ム）合金中のGaの分析方法に関するものであ
る。 半導体素子の製造工程中においては、半導体素
子の原料のひとつであるGe―Ga合金中のGaの正
確且つ迅速な分析が必要とされる。従来、Ge―
Ga合金中のGaの分析方法として、一般的な比色
法が用いられていたが、共存成分からGaの分離
が必要であるため、操作が煩雑になるうえに分析
時間も多くを要していた。 ここにおいて、本発明は、Ge―Ga合金中のGa
の分析を迅速に、且つ精度良く定量分析すること
が可能な分析方法を提供しようとするものであ
る。 本発明に係る分析方法は、微粉砕した試料
（Ge―Ga合金）に、水酸化ナトリウム水溶液及び
過酸化水素水を加え、加温溶解後煮沸して放冷
し、さらに塩酸を加えて酸性とした後、水で希釈
して容量一定の試料溶液をつくり、この試料溶液
中のGaをプラズマ発光分析法によつて定量分析
することを特徴としている。また、検量線用標準
溶液には、水酸化ナトリウム水溶液及び塩酸を試
料溶液と同濃度となるように添加したものを使用
する。 第１図は、本発明の分析方法における試料溶液
作成の一例を示すフローシート、第２図は検量線
用標準溶液作成の一例を示すフローシートであ
る。Ge―Ga合金を粒状試料のまま溶解するに
は、従来より、フツ化水素酸及び硝酸で処理する
方法がある。しかしながら、フツ化水素酸はガラ
スを溶解する性質があるために、ガラス製の実験
器具あるいは部品を使用する場合は、このフツ化
水素酸を除去するための何んらかの処理をする必
要があり、その為の操作が増え、時間も多く必要
とする。それ故に、本発明においては、第１図フ
ローシートに示すように、微粉砕した試料を秤量
後、これに５％NaOH10ml及び30％H2O23mlを加
えて加温溶解し、煮沸、放冷して（１＋１）
HCl4mlを加え、酸性の試料溶液をつくる方法と
した。ここで、HClの添加は、ガラス器具からの
微量成分の混入の防止と、プラズマ発光分析装置
の使用に際し、ガラス製ネブライザーのの保護及
び試料溶液の粘性を低下させて感度を向上させる
ことを目的としている。最後に水を加えて希釈
し、100ml一定とし、この試料溶液について、
2944ÅにおけるGaの発光強度をプラズマ発光分
析装置によつて測定し、定量分析を行う。 また、検量線用標準溶液は、第２図フローシー
トに示すようにGa0〜５mgを標準溶液より分取
し、これに５％NaOH10ml，（１＋１）HCl4ml
（試料溶液と同濃度）添加し、H2Oを加えて希釈
し100ml一定としたものを使用する。 第１表は、本発明の分析方法において、溶解条
件の検討結果をフツカ水素と硝酸で処理する方法
（イ参照）と比較して示したものである。
【表】
いずれの条件においても、試料の溶解が可能で
あることがわかつた。 第２表は、試料溶解に使用した過酸化水素の影
響を調査した結果である。煮沸の操作によつて、
過酸化水素の影響がほとんどなくなることがわか
る。
あることがわかつた。 第２表は、試料溶解に使用した過酸化水素の影
響を調査した結果である。煮沸の操作によつて、
過酸化水素の影響がほとんどなくなることがわか
る。
【表】
第３表は、Ge共存の影響を調べた実験結果で
ある。
ある。
【表】
この実験結果から、発光分析の際、
Ge1000ppmの共存の影響なくGaの分析ができる
ことを確認した。 以上説明したように、本発明に係る分析方法に
よれば、Ge―Ga合金中のGaを迅速に且つ精度良
く定量分析することができる。分析の精度は、合
金中のGa含有率として0.016％である。また、フ
ツ化水素酸を使用しないので、使用器具の制限も
なく、試料溶液の操作が簡単である等の特長があ
る。 本発明に係る分析方法は、Ge―Ga合金の品質
管理や受入れ検査、半導体素子の製造に際しての
Ga拡散工程の管理に利用して、極めて有効であ
る。
Ge1000ppmの共存の影響なくGaの分析ができる
ことを確認した。 以上説明したように、本発明に係る分析方法に
よれば、Ge―Ga合金中のGaを迅速に且つ精度良
く定量分析することができる。分析の精度は、合
金中のGa含有率として0.016％である。また、フ
ツ化水素酸を使用しないので、使用器具の制限も
なく、試料溶液の操作が簡単である等の特長があ
る。 本発明に係る分析方法は、Ge―Ga合金の品質
管理や受入れ検査、半導体素子の製造に際しての
Ga拡散工程の管理に利用して、極めて有効であ
る。
第１図は本発明の分析方法における試料溶液作
成のフローシート図、第２図は検量線用標準溶液
作成のフローシート図である。
成のフローシート図、第２図は検量線用標準溶液
作成のフローシート図である。
Claims (1)
- １ 微粉砕した試料に水酸化ナトリウム水溶液及
び過酸化水素水を加え、加温溶解後煮沸して放冷
し、さらに塩酸を加えて酸性とした後水で希釈し
て容量一定の試料溶液をつくり、この試料溶液中
のGaをプラズマ発光分析法によつて定量分析を
することを特徴とするGe―Ga合金中のGaの分析
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13557081A JPS5837548A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | Ｇｅ−Ｇａ合金中のＧａの分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13557081A JPS5837548A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | Ｇｅ−Ｇａ合金中のＧａの分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837548A JPS5837548A (ja) | 1983-03-04 |
| JPS622259B2 true JPS622259B2 (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=15154897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13557081A Granted JPS5837548A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | Ｇｅ−Ｇａ合金中のＧａの分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837548A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60205586A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-17 | 日本電気株式会社 | 複合放電表示板の駆動方式 |
| JPS6161043A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-28 | Seiko Instr & Electronics Ltd | メツキ液分析装置 |
| JP5522584B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2014-06-18 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｃｐ発光分光分析方法 |
| CN102778379A (zh) * | 2012-08-09 | 2012-11-14 | 江苏省产品质量监督检验研究院 | 用于x射线荧光光谱分析的钒铁合金熔融制样方法 |
| CN103308509B (zh) * | 2013-06-07 | 2015-09-09 | 武钢集团昆明钢铁股份有限公司 | 高炉烟尘中镓和钪含量的测定方法 |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13557081A patent/JPS5837548A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5837548A (ja) | 1983-03-04 |
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