JPS6222276B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6222276B2 JPS6222276B2 JP57055343A JP5534382A JPS6222276B2 JP S6222276 B2 JPS6222276 B2 JP S6222276B2 JP 57055343 A JP57055343 A JP 57055343A JP 5534382 A JP5534382 A JP 5534382A JP S6222276 B2 JPS6222276 B2 JP S6222276B2
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- JP
- Japan
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- surface electrode
- power generation
- light
- receiving surface
- amorphous semiconductor
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、絶縁基板上に膜状の複数の発電区
域が形成され、該各区域がそれぞれ光照射により
発電に寄与する電子または正孔を発生する非晶質
半導体層と、該層内に発生した前記電子または正
孔を集める集電手段とを含み、前記各区域の集電
手段が該各区域における光起電力を直列関係に互
いに電気的に接続した光起電力装置に関し、信頼
性の向上と、有効面積の増大をはかることを目的
とする。
域が形成され、該各区域がそれぞれ光照射により
発電に寄与する電子または正孔を発生する非晶質
半導体層と、該層内に発生した前記電子または正
孔を集める集電手段とを含み、前記各区域の集電
手段が該各区域における光起電力を直列関係に互
いに電気的に接続した光起電力装置に関し、信頼
性の向上と、有効面積の増大をはかることを目的
とする。
一般に、非晶質を用いた太陽電池は、安価な太
陽電池として注目されており、とくに、１枚の絶
縁基板上に複数の発電区域を、直列関係に互いに
電気的に接続した構成の光起電力装置は、大面積
で高効率にでき、１枚の基板上で高い電圧を発生
することができる等のすぐれた特徴をもつてい
る。
陽電池として注目されており、とくに、１枚の絶
縁基板上に複数の発電区域を、直列関係に互いに
電気的に接続した構成の光起電力装置は、大面積
で高効率にでき、１枚の基板上で高い電圧を発生
することができる等のすぐれた特徴をもつてい
る。
そして、従来の光起電力装置は、第１図に示す
ように構成されており、同図において、１はガラ
ス等の絶縁基板、２は該絶縁基板１上に形成され
たインデイウムテインオキサイド（ITO）等の透
明導電性材料からなる複数の受光面電極、３は該
各受光面電極２上に形成された非晶質半導体層、
４は該各非晶質半導体層３上に形成されたアルミ
等の裏面電極であり、複数の発電区域が形成さ
れ、各裏面電極４が隣の受光面電極２に順次接続
され、各発電区域が直列関係に電気的に接続され
ている。
ように構成されており、同図において、１はガラ
ス等の絶縁基板、２は該絶縁基板１上に形成され
たインデイウムテインオキサイド（ITO）等の透
明導電性材料からなる複数の受光面電極、３は該
各受光面電極２上に形成された非晶質半導体層、
４は該各非晶質半導体層３上に形成されたアルミ
等の裏面電極であり、複数の発電区域が形成さ
れ、各裏面電極４が隣の受光面電極２に順次接続
され、各発電区域が直列関係に電気的に接続され
ている。
しかし、前記裏面電極４と隣の受光面電極２と
の接続に面積を要し、かつ、アルミ等の裏面電極
４とインデイウムテインオキサイド等の受光面電
極２との接続は、異なる物質の接続であり、長期
的に不安定である。
の接続に面積を要し、かつ、アルミ等の裏面電極
４とインデイウムテインオキサイド等の受光面電
極２との接続は、異なる物質の接続であり、長期
的に不安定である。
この発明は、前記の点に留意してなされたもの
であり、つぎにこの発明を、その１実施例を示し
た第２図および第３図とともに、詳細に説明す
る。
であり、つぎにこの発明を、その１実施例を示し
た第２図および第３図とともに、詳細に説明す
る。
それらの図面において、５はガラス等の絶縁基
板、６，６′，６″は該絶縁基板５上に左側から順
に形成されたITO等の透明導電性材料からなる複
数の受光面電極であり、中央部の受光面電極６′
が両側の受光面電極６，６″に対しほぼ倍の面積
を有している。７ａは受光面電極６上に、７ｂ，
７ｃは受光面電極６′上の左側および右側に、７
ｄは受光面電極６″上に、それぞれ形成された非
晶質半導体層であり、半導体層７ａ，７ｃは下か
らｐ層、ｉ層、ｎ層の順に形成されたｐ−ｉ−ｎ
接合であり、半導体層７ｂ，７ｄは下からｎ層、
ｉ層、ｐ層の順に形成されたｎ−ｉ−ｐ接合であ
る。８ａは半導体層７ａ，７ｂ上に、８ｂは半導
体層７ｃ，７ｄ上に、それぞれまたがつて形成さ
れたアルミ等の裏面電極である。
板、６，６′，６″は該絶縁基板５上に左側から順
に形成されたITO等の透明導電性材料からなる複
数の受光面電極であり、中央部の受光面電極６′
が両側の受光面電極６，６″に対しほぼ倍の面積
を有している。７ａは受光面電極６上に、７ｂ，
７ｃは受光面電極６′上の左側および右側に、７
ｄは受光面電極６″上に、それぞれ形成された非
晶質半導体層であり、半導体層７ａ，７ｃは下か
らｐ層、ｉ層、ｎ層の順に形成されたｐ−ｉ−ｎ
接合であり、半導体層７ｂ，７ｄは下からｎ層、
ｉ層、ｐ層の順に形成されたｎ−ｉ−ｐ接合であ
る。８ａは半導体層７ａ，７ｂ上に、８ｂは半導
体層７ｃ，７ｄ上に、それぞれまたがつて形成さ
れたアルミ等の裏面電極である。
したがつて、隣接する発電区域は、受光面電極
６から、裏面電極８ａ、受光面電極６′、裏面電
極８ｂを介して受光面電極６″に直列に接続さ
れ、従来のように、受光面電極２と裏面電極４と
いう異なる物質による接続部分がないため、長期
的安定性にすぐれ、かつ、接続のために必要な面
積も不要となり、発電区域の面積をより大きく有
効に利用することができる。
６から、裏面電極８ａ、受光面電極６′、裏面電
極８ｂを介して受光面電極６″に直列に接続さ
れ、従来のように、受光面電極２と裏面電極４と
いう異なる物質による接続部分がないため、長期
的安定性にすぐれ、かつ、接続のために必要な面
積も不要となり、発電区域の面積をより大きく有
効に利用することができる。
なお、この発明は、前記実施例に限定されるも
のでないことは勿論である。
のでないことは勿論である。
以上のように、この発明の光起電力装置による
と、絶縁基板上に膜状の複数の発電区域が形成さ
れ、該各区域がそれぞれ光照射により発電に寄与
する電子または正孔を発生する非晶質半導体層
と、該層内に発生した前記電子または正孔を集め
る集電手段とを含み、前記各区域の集電手段が該
各区域における光起電力を直列関係に互いに電気
的に接続した光起電力装置において、前記各非晶
質半導体層が前記各発電区域にそれぞれ分離され
るとともに、相隣る前記各非晶質半導体層がそれ
ぞれｐ−ｉ−ｎ接合とｎ−ｉ−ｐ接合との逆向き
の接合に形成され、かつ、受光面電極および裏面
電極が前記各発電区域のうち２つの区域にわたつ
てそれぞれ連なり、さらに、前記受光面電極およ
び裏面電極が前記発電区域の１つの区域分ずれて
配置されていることにより、信頼性の向上と、有
効面積の増大をはかることができる。
と、絶縁基板上に膜状の複数の発電区域が形成さ
れ、該各区域がそれぞれ光照射により発電に寄与
する電子または正孔を発生する非晶質半導体層
と、該層内に発生した前記電子または正孔を集め
る集電手段とを含み、前記各区域の集電手段が該
各区域における光起電力を直列関係に互いに電気
的に接続した光起電力装置において、前記各非晶
質半導体層が前記各発電区域にそれぞれ分離され
るとともに、相隣る前記各非晶質半導体層がそれ
ぞれｐ−ｉ−ｎ接合とｎ−ｉ−ｐ接合との逆向き
の接合に形成され、かつ、受光面電極および裏面
電極が前記各発電区域のうち２つの区域にわたつ
てそれぞれ連なり、さらに、前記受光面電極およ
び裏面電極が前記発電区域の１つの区域分ずれて
配置されていることにより、信頼性の向上と、有
効面積の増大をはかることができる。
第１図は従来の非晶質半導体層を用いた光起電
力装置の平面図、第２図はこの発明の光起電力装
置の１実施例の平面図、第３図は第２図の切断正
面図である。 ５……絶縁基板、６，６′，６″……受光面電
極、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ……非晶質半導体
層、８ａ，８ｂ……裏面電極。
力装置の平面図、第２図はこの発明の光起電力装
置の１実施例の平面図、第３図は第２図の切断正
面図である。 ５……絶縁基板、６，６′，６″……受光面電
極、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ……非晶質半導体
層、８ａ，８ｂ……裏面電極。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に膜状の複数の発電区域が形成さ
れ、該各区域がそれぞれ光照射により発電に寄与
する電子または正孔を発生する非晶質半導体層
と、該層内に発生した前記電子または正孔を集め
る集電手段とを含み、前記各区域の集電手段が該
各区域における光起電力を直列関係に互いに電気
的に接続した光起電力装置において、前記各非晶
質半導体層が前記各発電区域にそれぞれ分離され
るとともに、相隣る前記各非晶質半導体層がそれ
ぞれｐ−ｉ−ｎ接合とｎ−ｉ−ｐ接合との逆向き
の接合に形成され、かつ、受光面電極および裏面
電極が前記各発電区域のうち２つの区域にわたつ
てそれぞれ連なり、さらに、前記受光面電極およ
び裏面電極が前記発電区域の１つの区域分ずれて
配置されていることを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055343A JPS58173871A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055343A JPS58173871A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58173871A JPS58173871A (ja) | 1983-10-12 |
| JPS6222276B2 true JPS6222276B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=12995858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57055343A Granted JPS58173871A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173871A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6943713B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-10-06 | 積水化学工業株式会社 | 太陽電池 |
-
1982
- 1982-04-05 JP JP57055343A patent/JPS58173871A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58173871A (ja) | 1983-10-12 |
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