JPS58173871A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPS58173871A JPS58173871A JP57055343A JP5534382A JPS58173871A JP S58173871 A JPS58173871 A JP S58173871A JP 57055343 A JP57055343 A JP 57055343A JP 5534382 A JP5534382 A JP 5534382A JP S58173871 A JPS58173871 A JP S58173871A
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- JP
- Japan
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- electrode
- amorphous semiconductor
- electrodes
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- light
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- Granted
Links
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- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、絶縁基板上に膜状の複数の発電区域か形成
され、該各区域がそれぞれ光照射により発電に寄与する
電子または正孔を発生する非晶質半導体層と、該層内に
発生した前記電子または正孔を集める集電手段とを含み
、前記各区域の集電ζする。
され、該各区域がそれぞれ光照射により発電に寄与する
電子または正孔を発生する非晶質半導体層と、該層内に
発生した前記電子または正孔を集める集電手段とを含み
、前記各区域の集電ζする。
「般に、非晶質を用いた太陽電池は、安価な太陽電池と
して注目されており、とくに、１枚の結電“−板上に複
数の発電区域を、直列関係に互いに電気的に接続した構
成の光起電力装置は、大面積で高効率にでき、１枚の基
板上で高い電圧を発生することができる等のすぐれた特
徴をもっている。
して注目されており、とくに、１枚の結電“−板上に複
数の発電区域を、直列関係に互いに電気的に接続した構
成の光起電力装置は、大面積で高効率にでき、１枚の基
板上で高い電圧を発生することができる等のすぐれた特
徴をもっている。
そして、従来の光起電力装置は、第１図に示すように構
成されており、同図において、（１）はガラス等の絶縁
基板、（２）は該絶縁基板（１）上に形成されたインデ
ィラムティンオキサイド（ＩＴＯ）等の透明導電性材料
からなる複数の受光面電極、（３）は該各受光面電極（
２）上に形成された非晶質半導体層、（４）は該各非晶
質半導体層（３）上に形成されたアルミ等の裏面電極で
あり、複数の発電区域が形成され、各裏面電極（４）が
隣の受光面電極（２）に順次接続され、各発電区域か直
列関係に電気的に接続されている。
成されており、同図において、（１）はガラス等の絶縁
基板、（２）は該絶縁基板（１）上に形成されたインデ
ィラムティンオキサイド（ＩＴＯ）等の透明導電性材料
からなる複数の受光面電極、（３）は該各受光面電極（
２）上に形成された非晶質半導体層、（４）は該各非晶
質半導体層（３）上に形成されたアルミ等の裏面電極で
あり、複数の発電区域が形成され、各裏面電極（４）が
隣の受光面電極（２）に順次接続され、各発電区域か直
列関係に電気的に接続されている。
しかし、前記裏面電極（４）と隣の受光面電極（２）と
の接続に面積を要し、かつ、アルミ等の裏面電極（４）
とインディラムティンオキサイド等の受光面電極（２）
との接続は、異なる物質の接続であり、長期謡１に不安
定である。
の接続に面積を要し、かつ、アルミ等の裏面電極（４）
とインディラムティンオキサイド等の受光面電極（２）
との接続は、異なる物質の接続であり、長期謡１に不安
定である。
ｆｃ第２図および第３図とともに、詳細に説明する。
それらの図面において、（５）はガラス等の絶縁基鮫、
４ｒｅ）、 （６５、ｒｅｒは該絶縁基板（５）上に左
側から順に形成されたＩＴＯ等の透明導電性材料からな
る複数の受光面電極であり、中央部の受光面電極（６１
が両側の受光面電極（６１、＜ａｆ’に対しほぼ倍の面
積を有している。（７ａ）は受光面電極（６）上に、（
７ｂ）、（７０）は受光面電極（６１上の左側および右
側に、（７ｄ）は受光面であり、半導体層（７ａ）、（
７ｃ）は下からｐ層、１層。
４ｒｅ）、 （６５、ｒｅｒは該絶縁基板（５）上に左
側から順に形成されたＩＴＯ等の透明導電性材料からな
る複数の受光面電極であり、中央部の受光面電極（６１
が両側の受光面電極（６１、＜ａｆ’に対しほぼ倍の面
積を有している。（７ａ）は受光面電極（６）上に、（
７ｂ）、（７０）は受光面電極（６１上の左側および右
側に、（７ｄ）は受光面であり、半導体層（７ａ）、（
７ｃ）は下からｐ層、１層。
＋１層の順に形成されたｐ−１−ｎ接合であり、半導体
層（７ｂ）、（７ｄ）は下からｎ層、ｉ層、ｐ層の順に
形成されたｎ−１−ｐ接合である。（８ａ）は半導体層
（７ａ） 。
層（７ｂ）、（７ｄ）は下からｎ層、ｉ層、ｐ層の順に
形成されたｎ−１−ｐ接合である。（８ａ）は半導体層
（７ａ） 。
（７１１）上に、（８１っけ半導体層（７ｃ）、（７ｄ
）Ｊ：を二、それぞれ′まだかつて形成されたアルミ等
の裏面電極である。
）Ｊ：を二、それぞれ′まだかつて形成されたアルミ等
の裏面電極である。
したがって、隣接する発電区域は、受光面電極（６）か
ら、裏面電極（８ａ） 、受光面電極（６（、裏面電極
（８１１）を介して受光面電極（６餉直列に接続され、
従来のように、受光面電極１２１と裏面電極（４）とい
う異なる物質による接続部分がないため、長期的安定−
１にすくれ、かつ、接続のために必要な面積も不背とな
り、発電区域の面積をより大きく有効に利７％Ｉするこ
とができる。
ら、裏面電極（８ａ） 、受光面電極（６（、裏面電極
（８１１）を介して受光面電極（６餉直列に接続され、
従来のように、受光面電極１２１と裏面電極（４）とい
う異なる物質による接続部分がないため、長期的安定−
１にすくれ、かつ、接続のために必要な面積も不背とな
り、発電区域の面積をより大きく有効に利７％Ｉするこ
とができる。
’ｌ’ ％以上のように、この発明の光起電力装置によ
ると、絶縁基板上に膜状の複数の発電区域が形成され、
該各区域がそれぞれ光照射により発電に寄与する電子ま
たは正孔を発生する非晶質半導体層と、該層内に発生し
た前記電子まだは正孔を集める集電手段とを含み、前記
各区域の集電手段か該各区域における光起電力を直列関
係に互いに電気的に接続した光起電力装置において、前
記各非晶質半導体層が前記各発電区域にそれぞれ分離さ
れるとともに、相隣る前記各非晶質半導体層がそれぞれ
ｐ−１−ｎ接合とｎ−１−ｐ接合との逆向きの接合に形
成され、かつ、受光面電極および裏面電極が前記各発電
区域のうち２つの区域にわたってそれぞれ連なり、さら
に、前記受光面電極および裏面電極が前記発電区域の１
つの区域分ずれて配置されていることにより、信頼性の
向上と、有効面積の増大をはかることができる。
ると、絶縁基板上に膜状の複数の発電区域が形成され、
該各区域がそれぞれ光照射により発電に寄与する電子ま
たは正孔を発生する非晶質半導体層と、該層内に発生し
た前記電子まだは正孔を集める集電手段とを含み、前記
各区域の集電手段か該各区域における光起電力を直列関
係に互いに電気的に接続した光起電力装置において、前
記各非晶質半導体層が前記各発電区域にそれぞれ分離さ
れるとともに、相隣る前記各非晶質半導体層がそれぞれ
ｐ−１−ｎ接合とｎ−１−ｐ接合との逆向きの接合に形
成され、かつ、受光面電極および裏面電極が前記各発電
区域のうち２つの区域にわたってそれぞれ連なり、さら
に、前記受光面電極および裏面電極が前記発電区域の１
つの区域分ずれて配置されていることにより、信頼性の
向上と、有効面積の増大をはかることができる。
Ｂ’ｆ；１図は従来の非晶質半導体１を用いた光起電力
≠置の平面図、第２図はこの発明の光起電力装置ト１実
施例の平面図、第３図は第２図の切断正面図である。 （５１−・・絶縁基板、（６１、（６５、＜ｅ＋ｒ・・
受光ｉｉｉ極、（７ａ）（７１＋）、（７ｃ）、（７ｄ
）−非晶質半導体１ｉｉ、（８ａ）、（８ｂ） −裏面
電極。
≠置の平面図、第２図はこの発明の光起電力装置ト１実
施例の平面図、第３図は第２図の切断正面図である。 （５１−・・絶縁基板、（６１、（６５、＜ｅ＋ｒ・・
受光ｉｉｉ極、（７ａ）（７１＋）、（７ｃ）、（７ｄ
）−非晶質半導体１ｉｉ、（８ａ）、（８ｂ） −裏面
電極。
Claims (1)
- ■ 絶縁基板上に膜状の複数の発電区域か形成さ、該各
区域かそれぞれ光照射により発電に寄与る電子または正
孔を発生する非晶質半導体層と、層内に発生した前記電
子または正孔を集める集電手段とを含み、前記各区域の
集電手段が該各区域における光起電力を直列関係に互い
に電気的に接続した光起電力装置において、前記各非晶
質半導体層が前記各発電区域にそれぞれ分離されるとと
もに、相隣る前記各非晶質半導体層かそれぞれｐ−１−
ｎ接合とｎ−１−ｐ接合との逆向きの接合に形成され、
かつ、受光面電極および裏面電極が前記各
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055343A JPS58173871A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055343A JPS58173871A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58173871A true JPS58173871A (ja) | 1983-10-12 |
| JPS6222276B2 JPS6222276B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=12995858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57055343A Granted JPS58173871A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173871A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019067912A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 積水化学工業株式会社 | 太陽電池 |
-
1982
- 1982-04-05 JP JP57055343A patent/JPS58173871A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019067912A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 積水化学工業株式会社 | 太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6222276B2 (ja) | 1987-05-16 |
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