JPS62219706A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法Info
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- JPS62219706A JPS62219706A JP6262886A JP6262886A JPS62219706A JP S62219706 A JPS62219706 A JP S62219706A JP 6262886 A JP6262886 A JP 6262886A JP 6262886 A JP6262886 A JP 6262886A JP S62219706 A JPS62219706 A JP S62219706A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、弾性表面波デバイスに用いられる素子の構造
に関し、特にこの製造方法に関する。
に関し、特にこの製造方法に関する。
本発明は、圧電基板上に交差指状電極が形成される素子
を実装する弾性表面波デバイスの製造方法において、 素子の交差指状電極の部分の圧電基板の表面に材質の異
なる二つの被膜を重ねて形成し、上方の被膜に窓明は用
穴を設け、この窓明は用穴より薬液を注入して下方の被
膜を除去することにより、上方の被膜が交差指状電極を
蔽い、弾性表面波デバイスの組み立て時の短絡事故を回
避できるようにしたものである。
を実装する弾性表面波デバイスの製造方法において、 素子の交差指状電極の部分の圧電基板の表面に材質の異
なる二つの被膜を重ねて形成し、上方の被膜に窓明は用
穴を設け、この窓明は用穴より薬液を注入して下方の被
膜を除去することにより、上方の被膜が交差指状電極を
蔽い、弾性表面波デバイスの組み立て時の短絡事故を回
避できるようにしたものである。
従来、弾性表面波デバイスの構造は、気密性を保つため
に弾性表面波素子を金属ケース内に実装された構造とな
っている。
に弾性表面波素子を金属ケース内に実装された構造とな
っている。
この弾性表面波デバイスでは、ケース内のめっきの剥離
した部分やパターンユング後のアセンブリプロセス中に
発生する金属性異物などが、弾性表面波の素子に付着す
る。このため素子をケースに封止後、弾性表面波を発生
させる交差指状電極は、この金属性異物の付着により短
絡する。
した部分やパターンユング後のアセンブリプロセス中に
発生する金属性異物などが、弾性表面波の素子に付着す
る。このため素子をケースに封止後、弾性表面波を発生
させる交差指状電極は、この金属性異物の付着により短
絡する。
この対策として、交差指状電極のパターン全体を二酸化
けい素などの誘電体薄膜により被覆するという素子の製
造方法がある。
けい素などの誘電体薄膜により被覆するという素子の製
造方法がある。
しかし上述の製造方法では、周波数の変化、損失の変動
、膜の密着性などの問題点がある。
、膜の密着性などの問題点がある。
本発明はこれらの問題点を解決できる弾性表面波デバイ
スの製造方法を提供することを目的とする。
スの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、圧電基板上に交差指状電極が形成された素子
がケース内に実装された弾性表面波デバイスを製造する
方法において、 上記圧電基板上の交差指状電極が形成された部分の表面
に、第一の被膜およびこの第一の被膜の上面に第一の被
膜と材質が異なる第二の被膜を形成する工程と、この第
二の被膜にパターンニング処理により適当な形状の窓明
は用穴を設ける工程と、この窓明は用穴より薬剤を注入
して上記第一の被膜を除去する工程とを含むことを特徴
とする。
がケース内に実装された弾性表面波デバイスを製造する
方法において、 上記圧電基板上の交差指状電極が形成された部分の表面
に、第一の被膜およびこの第一の被膜の上面に第一の被
膜と材質が異なる第二の被膜を形成する工程と、この第
二の被膜にパターンニング処理により適当な形状の窓明
は用穴を設ける工程と、この窓明は用穴より薬剤を注入
して上記第一の被膜を除去する工程とを含むことを特徴
とする。
第一の被膜の材質は誘電体であり、第二の被膜の材質は
金属であるか、または第一の被膜の材質はレジストであ
り、第二の被膜の材質は誘電体であることが好ましい。
金属であるか、または第一の被膜の材質はレジストであ
り、第二の被膜の材質は誘電体であることが好ましい。
交差指状電極を含む圧電基板の表面部分に、重なる二重
の被膜を形成したのち、下方の被膜を除去すれば、交差
指状電極の表面は薄い空隙を隔てて上方の被膜で覆われ
るので、この圧電基板を素子として弾性表面波デバイス
に組み立てる工程において発生する交差指状電極の短絡
事故を回避できる。
の被膜を形成したのち、下方の被膜を除去すれば、交差
指状電極の表面は薄い空隙を隔てて上方の被膜で覆われ
るので、この圧電基板を素子として弾性表面波デバイス
に組み立てる工程において発生する交差指状電極の短絡
事故を回避できる。
次に、本発明の一実施例による製造方法を図面によって
説明する。
説明する。
本実施例では、圧電基板上に交差指状電極とその両側に
反射器を備えた弾性表面波レゾネータを製造する場合に
ついて説明する。
反射器を備えた弾性表面波レゾネータを製造する場合に
ついて説明する。
第１図は、上記弾性表面波レゾネータの製造方法の各工
程の説明図である。第１図において、圧電基板１の上に
交差指状電極２と反射器３が形成されている。
程の説明図である。第１図において、圧電基板１の上に
交差指状電極２と反射器３が形成されている。
ここに本発明の特徴とするところは、まず第１図（ａ）
に示すように、圧電基板１の交差指状電極２の部分の表
面に、下層に第一の被膜である絶縁性の誘電体である二
酸化けい素の被膜４を形成し、その上に第二の被膜とし
て金属の被膜５を形成する。次に第１図（ｂ）に示すよ
うに、上層の金属の被膜５にパターン全体グにより窓明
は用穴６を形成する。最後に第１図（Ｃ１に示すように
、窓明は用穴６を介してバツアドフッ酸を注入すること
によりすでに設けられているレゾネータパターンを損な
うことなく誘電体（二酸化けい素）が除去される。
に示すように、圧電基板１の交差指状電極２の部分の表
面に、下層に第一の被膜である絶縁性の誘電体である二
酸化けい素の被膜４を形成し、その上に第二の被膜とし
て金属の被膜５を形成する。次に第１図（ｂ）に示すよ
うに、上層の金属の被膜５にパターン全体グにより窓明
は用穴６を形成する。最後に第１図（Ｃ１に示すように
、窓明は用穴６を介してバツアドフッ酸を注入すること
によりすでに設けられているレゾネータパターンを損な
うことなく誘電体（二酸化けい素）が除去される。
このため第２図に示すように、交差指状電極２との間に
空隙を有する金属の被膜５が形成できる。
空隙を有する金属の被膜５が形成できる。
従って金属性異物等により交差指状電極を短絡させ得る
要因を除去できる構造のものが製造できる。
要因を除去できる構造のものが製造できる。
以上説明した実施例では、第一の被膜に誘電体を用い、
第二の被膜に金属を用いたが、その他の実施例として第
一の被膜にレジストを用い、第二の被膜に誘電体を用い
ることができる。この場合、注入する薬剤はアセトンま
たは剥離剤を用いてレジストを除去する。すなわちこの
場合は誘電体の被膜によって交差指状電極はカバーされ
るものである。
第二の被膜に金属を用いたが、その他の実施例として第
一の被膜にレジストを用い、第二の被膜に誘電体を用い
ることができる。この場合、注入する薬剤はアセトンま
たは剥離剤を用いてレジストを除去する。すなわちこの
場合は誘電体の被膜によって交差指状電極はカバーされ
るものである。
以上説明したように、本発明によれば、弾性表面波デバ
イスの素子の交差指状電極パターン上に空隙を有するカ
バー状の被膜が形成されるので、ケースに組立てる際に
金属性異物による短絡を回避できる顕著な効果がある。
イスの素子の交差指状電極パターン上に空隙を有するカ
バー状の被膜が形成されるので、ケースに組立てる際に
金属性異物による短絡を回避できる顕著な効果がある。
第１図は本発明一実施例の各工程を示す工程説明図。
第２図は上記実施例による製造方法により製造された素
子の外観斜視図。 工・・・圧電基板、２・・・交差指状電極、３・・・反
射器、４・・・第一の被膜（誘電体またはレジスト）、
５・・・第二の被膜（金属または誘電体）、６・・・窓
明は用穴。 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 実施例の工程説明図 第１図 実施例による素子の外観斜視図 第２図
子の外観斜視図。 工・・・圧電基板、２・・・交差指状電極、３・・・反
射器、４・・・第一の被膜（誘電体またはレジスト）、
５・・・第二の被膜（金属または誘電体）、６・・・窓
明は用穴。 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 実施例の工程説明図 第１図 実施例による素子の外観斜視図 第２図
Claims (3)
- （１）圧電基板上に交差指状電極が形成された素子がケ
ース内に実装された弾性表面波デバイスを製造する方法
において、 上記圧電基板上の交差指状電極が形成された部分の表面
に、第一の被膜およびこの第一の被膜の上面に第一の被
膜と材質が異なる第二の被膜を形成する工程と、 この第二の被膜にパターンニング処理により適当な形状
の窓明け用穴を設ける工程と、 この窓明け用穴より薬剤を注入して上記第一の被膜を除
去する工程と を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法
。 - （２）第一の被膜の材質は誘電体であり、第二の被膜の
材質は金属である特許請求の範囲第（１）項に記載の弾
性表面波デバイスの製造方法。 - （３）第一の被膜の材質はレジストであり、第二の被膜
の材質は誘電体である特許請求の範囲第（１）項に記載
の弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6262886A JPS62219706A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6262886A JPS62219706A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219706A true JPS62219706A (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=13205775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6262886A Pending JPS62219706A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219706A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215546A (en) * | 1990-09-04 | 1993-06-01 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for SAW device passivation |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP6262886A patent/JPS62219706A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215546A (en) * | 1990-09-04 | 1993-06-01 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for SAW device passivation |
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