JPS62217612A - ガスソ−スｍｂｅ装置 - Google Patents
ガスソ−スｍｂｅ装置Info
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- JPS62217612A JPS62217612A JP6123586A JP6123586A JPS62217612A JP S62217612 A JPS62217612 A JP S62217612A JP 6123586 A JP6123586 A JP 6123586A JP 6123586 A JP6123586 A JP 6123586A JP S62217612 A JPS62217612 A JP S62217612A
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要〕
ガスンースＭＢＥ装置において、分子線ガスを遮断する
シャッターに加熱手段を設けることたより、分子線ガス
を熱分解させて成長成分をシャッターに付着させ、成長
ガスの急峻な切換えを可能にする。
シャッターに加熱手段を設けることたより、分子線ガス
を熱分解させて成長成分をシャッターに付着させ、成長
ガスの急峻な切換えを可能にする。
本発明はガスソースＶＢＥ装置に係り、特に急峻なペデ
ロ界面ｒ得ることができるシャッターの改良に関する。
ロ界面ｒ得ることができるシャッターの改良に関する。
高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ ）やヘテロバイ
ポーラトランジスタ（ＨＢＴ）４のへテロ接合デバイス
には急峻な組成変化を有するヘテロ界面の形成が必要で
ある。急峻なヘテロ界面を得る成長方法としてＭＢＥ法
が知られて２す、−搬に分子線ソースケセル内で加熱さ
せて蒸発させるＭＢＥ装置１２で、成長したエピタキシ
ャル層表面には数〜数十ミクロンのオーバルディフェク
トと呼ばれる表面欠陥が存在し、デバイス作成上問題に
なっていた。
ポーラトランジスタ（ＨＢＴ）４のへテロ接合デバイス
には急峻な組成変化を有するヘテロ界面の形成が必要で
ある。急峻なヘテロ界面を得る成長方法としてＭＢＥ法
が知られて２す、−搬に分子線ソースケセル内で加熱さ
せて蒸発させるＭＢＥ装置１２で、成長したエピタキシ
ャル層表面には数〜数十ミクロンのオーバルディフェク
トと呼ばれる表面欠陥が存在し、デバイス作成上問題に
なっていた。
これに対し、分子線ノースケガス状にして反応室内に導
入するガスソースＭＢＥ装置が考えられてｐシ、この装
置？用いた成長ではオーバルディフェクトがないことか
ら新しい成長装置として期待されている。
入するガスソースＭＢＥ装置が考えられてｐシ、この装
置？用いた成長ではオーバルディフェクトがないことか
ら新しい成長装置として期待されている。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕従来
、ガスンースＭＢＥ装置では、勃、峻なヘテロ界面を得
るため、組成？変化させるときに供給を止める分子線ガ
スの噴出部分ｔシャッターで遮さ゛す、また供給？始め
る分子線ガスの噴出部分にあるシャッターヶ退ける励作
ｒ行っていた。
、ガスンースＭＢＥ装置では、勃、峻なヘテロ界面を得
るため、組成？変化させるときに供給を止める分子線ガ
スの噴出部分ｔシャッターで遮さ゛す、また供給？始め
る分子線ガスの噴出部分にあるシャッターヶ退ける励作
ｒ行っていた。
しかし、この装置において分子線ガスは、反応室へガス
ヶ供給する供給管等に付着しないように蒸気圧の高いガ
ス？用いるため、シャッターへの゛付着が起こらず、ン
ヤッターの裏側への周シ込みが生じ、シャッターによっ
てガスｒ完全に遮断することができなかった。
ヶ供給する供給管等に付着しないように蒸気圧の高いガ
ス？用いるため、シャッターへの゛付着が起こらず、ン
ヤッターの裏側への周シ込みが生じ、シャッターによっ
てガスｒ完全に遮断することができなかった。
本発明では、反応室内へ供給するガスがシャッターに付
着するようにして、シャッターの制御による急峻なヘテ
ロ界面の形成を可能とするガスノースＭＢＥ装置ケ提供
する。
着するようにして、シャッターの制御による急峻なヘテ
ロ界面の形成を可能とするガスノースＭＢＥ装置ケ提供
する。
本発明によれば、上述の問題は、反応室内に分子線ガス
を供給するガス供給部と、該反応室内に設けられ基ａｋ
保持する基板保打部と、前記反応室内のガス供給部と基
板保持部間に２いて分子線ガスを遮断するシャッターと
金有し、該シャッターに加熱手段が設けられてなるガス
ソースＭＢＥ装置によって解決される。
を供給するガス供給部と、該反応室内に設けられ基ａｋ
保持する基板保打部と、前記反応室内のガス供給部と基
板保持部間に２いて分子線ガスを遮断するシャッターと
金有し、該シャッターに加熱手段が設けられてなるガス
ソースＭＢＥ装置によって解決される。
本発明では、ガスンースＭＢＥ装背に供給される有機ｆ
ｉ覆ガスが、加熱されたシャッターにあたシ、金属とメ
タン、エチレン等の炭化水素ガスに熱分解され、金属が
シャッターに付着する。炭化水素ガスは真空ポンプに引
かれ成長には影響しないＯ 〔実施例〕 第１図は本発明一実施例のガスンースＭＢＥ装置の部分
断面図である。
ｉ覆ガスが、加熱されたシャッターにあたシ、金属とメ
タン、エチレン等の炭化水素ガスに熱分解され、金属が
シャッターに付着する。炭化水素ガスは真空ポンプに引
かれ成長には影響しないＯ 〔実施例〕 第１図は本発明一実施例のガスンースＭＢＥ装置の部分
断面図である。
図中、１は反応室−２は液体窒素シュラウド。
８は反応室内に分子線ガスを供給するガス供給部のガス
噴出ノズル、４はガスの供給ｒ制御するパルプ、５はシ
ャッター板、６はフランジ、７はベロー、８は基板、９
は基板を保持する基板保持部。
噴出ノズル、４はガスの供給ｒ制御するパルプ、５はシ
ャッター板、６はフランジ、７はベロー、８は基板、９
は基板を保持する基板保持部。
１０はシャッター板の裏側に設けられたシャッター板加
熱用ヒーター、１１はヒーター１０の温度制御部、１２
は排気ポンプである。
熱用ヒーター、１１はヒーター１０の温度制御部、１２
は排気ポンプである。
シャツグー板５はタンタル、タングステン等の高融点金
属から成り、反応室１外部の枢動機構（図示ぞず）によ
り上下して分子線ガスの遮断動作を行う。
属から成り、反応室１外部の枢動機構（図示ぞず）によ
り上下して分子線ガスの遮断動作を行う。
第２図は、本実施例に係るシャツグーの斜視図である。
図示のように、熱抵抗体から成るヒーター１０が絶縁板
１Ｂ’ｉ（介してシャッター板５の裏側に取り付けられ
ている。
１Ｂ’ｉ（介してシャッター板５の裏側に取り付けられ
ている。
次に、ＡｌＧａＡｓ ９とＧａＡｓ層勿連、続して成長
する場合について説明する。
する場合について説明する。
Ａ、ｌＧａＡｓ 層成長状態では、基板８表面部分にム
１？供給するのに、ＡＩ供給用のガス噴出ノズル３から
トリエチルアルミニウム又はトリメチルアルミニウムが
基板８に向けて噴出されている。
１？供給するのに、ＡＩ供給用のガス噴出ノズル３から
トリエチルアルミニウム又はトリメチルアルミニウムが
基板８に向けて噴出されている。
ＡｌＧａＡｓ ｌｌ１ｉｉｉかうＧａム５層に成長層？
換エテヘテロ接合を形成するとき、あらかじめヒーター
１０により加＃１されたシャッター板５で噴出ガス？遮
断する。このときの加熱温度は基板８の加熱温度とほぼ
同じく約６００ｂとする。
換エテヘテロ接合を形成するとき、あらかじめヒーター
１０により加＃１されたシャッター板５で噴出ガス？遮
断する。このときの加熱温度は基板８の加熱温度とほぼ
同じく約６００ｂとする。
加熱により噴出ガスがＡＩと炭化水素ガスに分解され、
シャッター板に完全にＡ１が付着するので、基板８表面
部分にＡＩが供給されず、ＧａＡｓ層が成長し急峻なヘ
テロ接合が形成される。このとき分解された炭化水素ガ
スは排気ポンプ１２ンζより排気される。
シャッター板に完全にＡ１が付着するので、基板８表面
部分にＡＩが供給されず、ＧａＡｓ層が成長し急峻なヘ
テロ接合が形成される。このとき分解された炭化水素ガ
スは排気ポンプ１２ンζより排気される。
尚、本実施例では反応室は水素雰囲気とし、１０−’Ｔ
ｏｒｒ 程朋の減圧にする。
ｏｒｒ 程朋の減圧にする。
以上説明したように、本実施例のガスソースＭＢＥ装置
によれば、ヒーター板に成長成分子付漸させるので、成
長成分の遮断が良好に為すことができ、成長成分の切換
えを急峻に旨うことができる。
によれば、ヒーター板に成長成分子付漸させるので、成
長成分の遮断が良好に為すことができ、成長成分の切換
えを急峻に旨うことができる。
尚、本実施例ではＡ１供給ガスを途中から遮断する場合
について述べたが、反対に遮断状態から開放状態ンてシ
ャッター制御ｒ切換える場合にも適用できる。また、Ａ
ｌ供給ガス以外の供給ガスにも適用できる。
について述べたが、反対に遮断状態から開放状態ンてシ
ャッター制御ｒ切換える場合にも適用できる。また、Ａ
ｌ供給ガス以外の供給ガスにも適用できる。
本発明によれば、分子線ガスｋＲＮするシャッターに加
熱手段に設けることにより、シャッターの遮断状態［ｊ
？いて成長成分？シャッターに付着させるので、成長ガ
スの急峻な切換えができ、急峻な界面分布を有するペテ
ロ接合全形成できる。
熱手段に設けることにより、シャッターの遮断状態［ｊ
？いて成長成分？シャッターに付着させるので、成長ガ
スの急峻な切換えができ、急峻な界面分布を有するペテ
ロ接合全形成できる。
、′１
第１図は本発明一実施例の部分断面図、第２図は本発明
一実施例に係るシャッターの斜視図である。 図で、１は反応室、２は液体窒素シュラウド。 ８はガス噴出ノズル、４はバルブ、５はシャッター板９
８は基板、９は基板保持部、１０はヒ本免明−実洸イ列
のｐ分ｌ！ＩＴ面図 ギ１ｉ￥１ １３絶球籾 て■ 〔 本発明−Ｔ： ンヤ・１！７−坂 基 くｒ下 借 壱イ列斥イ來、るンヤ・ツクー匁４斗汗尼図第 ２ 図
一実施例に係るシャッターの斜視図である。 図で、１は反応室、２は液体窒素シュラウド。 ８はガス噴出ノズル、４はバルブ、５はシャッター板９
８は基板、９は基板保持部、１０はヒ本免明−実洸イ列
のｐ分ｌ！ＩＴ面図 ギ１ｉ￥１ １３絶球籾 て■ 〔 本発明−Ｔ： ンヤ・１！７−坂 基 くｒ下 借 壱イ列斥イ來、るンヤ・ツクー匁４斗汗尼図第 ２ 図
Claims (1)
- 反応室内に分子線ガスを供給するガス供給部と、該反応
室内に設けられ基板を保持する基板保持部と、前記反応
室内のガス供給部と基板保持部間において分子機ガスを
遮断するシャッターとを有し、該シャッターに加熱手段
が設けられてなることを特徴とするガスソースＭＢＥ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6123586A JPS62217612A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | ガスソ−スｍｂｅ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6123586A JPS62217612A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | ガスソ−スｍｂｅ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62217612A true JPS62217612A (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=13165360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6123586A Pending JPS62217612A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | ガスソ−スｍｂｅ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62217612A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143419A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Hitachi Ltd | 気相成長による薄膜形成方法及びその装置 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP6123586A patent/JPS62217612A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143419A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Hitachi Ltd | 気相成長による薄膜形成方法及びその装置 |
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