JPS62214530A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPS62214530A JPS62214530A JP61056919A JP5691986A JPS62214530A JP S62214530 A JPS62214530 A JP S62214530A JP 61056919 A JP61056919 A JP 61056919A JP 5691986 A JP5691986 A JP 5691986A JP S62214530 A JPS62214530 A JP S62214530A
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- thin film
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は光学式の光ディスクに関するものである。
光ディスクとして、従来よシ基板上に形成された情報信
号記録薄膜に、エネルギービームを照射し、記録される
べき情報に対応したビット列を形成するようにしたもの
がある。このような光デイスク担体においては、孔を形
成したり、バブルを形成するなどの幾可字形状の変化や
、熱変態などによる光学的性質の変化(屈折率の変化、
相転移など)を利用して情報信号を記録再生することが
知られている。従来のこのような光ディスクには高密度
で大容量の記録が要求されており、そのため、1.5〜
2μmピッチで記録トラックが同心円状またはらせん状
に形成されている。この場合、ガラス基板に写真蝕刻法
により溝を形成したものを原盤としてガラス板またはプ
ラスチック板にトラッキング用溝を転写する方法がとら
れている。その断面形状は、第3図に示すような矩形あ
るいはV字形の溝を有した基板(7)の上に記録用の薄
膜(8)が形成される。しかし、このようなトラッキン
グ用溝は高精度が必要であり、また原盤作成から転写ま
でのプロセスがたいへん複雑であった。
号記録薄膜に、エネルギービームを照射し、記録される
べき情報に対応したビット列を形成するようにしたもの
がある。このような光デイスク担体においては、孔を形
成したり、バブルを形成するなどの幾可字形状の変化や
、熱変態などによる光学的性質の変化(屈折率の変化、
相転移など)を利用して情報信号を記録再生することが
知られている。従来のこのような光ディスクには高密度
で大容量の記録が要求されており、そのため、1.5〜
2μmピッチで記録トラックが同心円状またはらせん状
に形成されている。この場合、ガラス基板に写真蝕刻法
により溝を形成したものを原盤としてガラス板またはプ
ラスチック板にトラッキング用溝を転写する方法がとら
れている。その断面形状は、第3図に示すような矩形あ
るいはV字形の溝を有した基板(7)の上に記録用の薄
膜(8)が形成される。しかし、このようなトラッキン
グ用溝は高精度が必要であり、また原盤作成から転写ま
でのプロセスがたいへん複雑であった。
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、ト
ラッキング用パターンを精度よく簡単に形成し、また記
録、再生時における安定性の向上レーザ効率の向上によ
ってS/N比の高い、信頼性の高い光ディスクを提供す
ることにある。
ラッキング用パターンを精度よく簡単に形成し、また記
録、再生時における安定性の向上レーザ効率の向上によ
ってS/N比の高い、信頼性の高い光ディスクを提供す
ることにある。
すなわち本発明の光ディスクは、基板上に形成された金
属薄膜と、前記金属薄膜上に形成され光反射率の異なる
トラッキング用パターンを有するフォトレジスト層と、
前記フォトレジスト上に形成された記録薄膜とを備えた
ことを特徴とする。
属薄膜と、前記金属薄膜上に形成され光反射率の異なる
トラッキング用パターンを有するフォトレジスト層と、
前記フォトレジスト上に形成された記録薄膜とを備えた
ことを特徴とする。
本発明に係る光ディスクは第1図(a)に示す構造をな
す。すなわち、1龍〜2間の厚さからなるガラスtたは
プラスチック(アクリル、ポリカーボネート、エポキシ
等)の基板(1)上に100X以下の厚さで金属薄膜(
2)を真空蒸着法またはスパッタ法等によシ形成する。
す。すなわち、1龍〜2間の厚さからなるガラスtたは
プラスチック(アクリル、ポリカーボネート、エポキシ
等)の基板(1)上に100X以下の厚さで金属薄膜(
2)を真空蒸着法またはスパッタ法等によシ形成する。
ここで、金属薄膜(2)としては例えばAg、AA!、
Au、Cr、Cu、Fe等の単体もしくは酸化物等の化
合物を用いることができるが、その反射率は10チ以下
であることが好ましい。この金属薄膜上に7オトレジス
ト模(3)を回転塗布法等により700〜1500Aの
厚さで形成する。次いで、表面から低エネルギーのエネ
ルギービーム(4)を第1図(b)に示すように照射す
ると、光反射率が周囲よシも高いトラッキング用パター
ン(6)が得られる。この後に、情報信号記録薄膜(5
)を被着形成することによって1本発明になる光ディス
クが得られる。
Au、Cr、Cu、Fe等の単体もしくは酸化物等の化
合物を用いることができるが、その反射率は10チ以下
であることが好ましい。この金属薄膜上に7オトレジス
ト模(3)を回転塗布法等により700〜1500Aの
厚さで形成する。次いで、表面から低エネルギーのエネ
ルギービーム(4)を第1図(b)に示すように照射す
ると、光反射率が周囲よシも高いトラッキング用パター
ン(6)が得られる。この後に、情報信号記録薄膜(5
)を被着形成することによって1本発明になる光ディス
クが得られる。
このフォトレジスト膜及び情報信号記録薄膜の膜厚は、
それぞれ記録・再生するエネルギービームの波長の1/
4n 、または1/8n (n :基板の屈折率)とす
ることが望ましい。また記録・再生は、基板または記録
膜に応じて表面から、または基板側から行うので、光の
照射される側の基板又は記録薄膜は光が通過するように
半透明あるいは透明であることが必要である。またこの
記録薄膜として有機化合物を用いる際に回転塗布法を用
いれば本発明に係る光ディスクでは溝がないので均一な
記録膜を容易に得ることができ、これよシ信頓性の高い
光デイスク担体を得ることができる。
それぞれ記録・再生するエネルギービームの波長の1/
4n 、または1/8n (n :基板の屈折率)とす
ることが望ましい。また記録・再生は、基板または記録
膜に応じて表面から、または基板側から行うので、光の
照射される側の基板又は記録薄膜は光が通過するように
半透明あるいは透明であることが必要である。またこの
記録薄膜として有機化合物を用いる際に回転塗布法を用
いれば本発明に係る光ディスクでは溝がないので均一な
記録膜を容易に得ることができ、これよシ信頓性の高い
光デイスク担体を得ることができる。
次に実施例をあげて、本発明を具体的に説明するが、こ
れに限定されるものではない。
れに限定されるものではない。
本実施例では、第1図で示した基板としてガラス板を用
いている。またこの基板には、ガラス板の他にもプラス
チック(アクリル、ポリカーボネート、エポキシ)板で
あってもよく、これは適宜選択することが可能である。
いている。またこの基板には、ガラス板の他にもプラス
チック(アクリル、ポリカーボネート、エポキシ)板で
あってもよく、これは適宜選択することが可能である。
そしてこの基板上に501の厚さでクロム金属層(2)
を蒸着法によシ形成する。
を蒸着法によシ形成する。
次に1回転塗布法により、ポジ型フォトレジス)MP−
1400(マイクロポジット社)を1100Xの厚さで
塗布した。これに波長4481mのアルゴンイオンレー
ザ(4)をフォトレジスト膜(3)面でのスポット径1
μmとして5m/secの速度で走査しながら照射した
。レーザビームエネルギーに対するこのフォトレジスト
膜(3)の光反射率の変化を第2図に示す。第2図に示
したように、出力0.7〜4.QmWのレーザビームを
5m/secで7オトレジスト膜(3)上を走査するこ
とにより、光反射率が3.0q6から12係へと上昇す
る。よってこの範囲の出力のレーザビームを用いて第1
図(b)に示すように、記録トラックに沿って、トラッ
キング用パターン(6)を形成する。セしてさらK、こ
のフォトレジスト膜(3)上に情報信号記録薄膜として
Teを用いて、厚さ760 Xの膜を形成し、この記録
膜面でのスポット径1μm、波長830nmのレーザビ
ームを5m/secの速度で、記録すべき情報に応じて
変調された6mWのレーザビームを、先に形成したトラ
ッキング用パターン(6)に沿って走査することによっ
て、情報に応じた孔または凹部を形成する。この情報の
記録に際しては、トラッキング用パターン(6)からの
反射光または透過光を検出しながら、トラッキングする
ことにより、トラックピッチが1.0〜2.0μmとい
った高密度の記録が可能であった。またこのトラッキン
グ用パターン(6)は、再生時にも利用できることはい
うまでもない。
1400(マイクロポジット社)を1100Xの厚さで
塗布した。これに波長4481mのアルゴンイオンレー
ザ(4)をフォトレジスト膜(3)面でのスポット径1
μmとして5m/secの速度で走査しながら照射した
。レーザビームエネルギーに対するこのフォトレジスト
膜(3)の光反射率の変化を第2図に示す。第2図に示
したように、出力0.7〜4.QmWのレーザビームを
5m/secで7オトレジスト膜(3)上を走査するこ
とにより、光反射率が3.0q6から12係へと上昇す
る。よってこの範囲の出力のレーザビームを用いて第1
図(b)に示すように、記録トラックに沿って、トラッ
キング用パターン(6)を形成する。セしてさらK、こ
のフォトレジスト膜(3)上に情報信号記録薄膜として
Teを用いて、厚さ760 Xの膜を形成し、この記録
膜面でのスポット径1μm、波長830nmのレーザビ
ームを5m/secの速度で、記録すべき情報に応じて
変調された6mWのレーザビームを、先に形成したトラ
ッキング用パターン(6)に沿って走査することによっ
て、情報に応じた孔または凹部を形成する。この情報の
記録に際しては、トラッキング用パターン(6)からの
反射光または透過光を検出しながら、トラッキングする
ことにより、トラックピッチが1.0〜2.0μmとい
った高密度の記録が可能であった。またこのトラッキン
グ用パターン(6)は、再生時にも利用できることはい
うまでもない。
以上本発明によればトラッキング用溝のない光ディスク
が得られ、転写工穆を要することなく、トラッキング用
パターンを簡単に精度よく形成できる。また、溝がない
ため、記録再生時の安定性が向上し、信頼性の高い光デ
ィスクを得ることができる。
が得られ、転写工穆を要することなく、トラッキング用
パターンを簡単に精度よく形成できる。また、溝がない
ため、記録再生時の安定性が向上し、信頼性の高い光デ
ィスクを得ることができる。
第1図(a) 、 (1))は本発明に係る光ディスク
の断面構造を表す模式図、第2図は同実施例におけるト
ラッキング用パターンを形成する際のレーザビームのエ
ネルギーと反射率との関係を示すl特性図第3図(a)
、 (h)は、従来のトラッキング用溝を有する光デ
ィスクの@面M構造を表す模式図である。 1.7・・・基板、 2・・・金部薄膜、3・・・フ
ォトレジスト模、 4・・・光ビーム、5.8・・・
情報信号記録用薄膜、 6・・・トラッキング用パターン。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 在 喜久男 (a) 第1図 ヒームエネ)しで− /my 第2図
の断面構造を表す模式図、第2図は同実施例におけるト
ラッキング用パターンを形成する際のレーザビームのエ
ネルギーと反射率との関係を示すl特性図第3図(a)
、 (h)は、従来のトラッキング用溝を有する光デ
ィスクの@面M構造を表す模式図である。 1.7・・・基板、 2・・・金部薄膜、3・・・フ
ォトレジスト模、 4・・・光ビーム、5.8・・・
情報信号記録用薄膜、 6・・・トラッキング用パターン。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 在 喜久男 (a) 第1図 ヒームエネ)しで− /my 第2図
Claims (1)
- 基板上に形成された金属薄膜と、前記金属薄膜上に形
成され光反射率の異なるトラッキング用パターンを有す
るフオトレジスト層と、前記フォトレジスト上に形成さ
れた記録薄膜とを備えたことを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61056919A JPS62214530A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61056919A JPS62214530A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 光デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62214530A true JPS62214530A (ja) | 1987-09-21 |
Family
ID=13040892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61056919A Pending JPS62214530A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 光デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62214530A (ja) |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61056919A patent/JPS62214530A/ja active Pending
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