JPS62210641A - 半導体集積回路配線方式 - Google Patents
半導体集積回路配線方式Info
- Publication number
- JPS62210641A JPS62210641A JP61052610A JP5261086A JPS62210641A JP S62210641 A JPS62210641 A JP S62210641A JP 61052610 A JP61052610 A JP 61052610A JP 5261086 A JP5261086 A JP 5261086A JP S62210641 A JPS62210641 A JP S62210641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- interconnection
- layer
- input
- output terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/118—Masterslice integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
この発明は、ゲートアレイ方式により構成される半導体
集積回路の配線方式に関する。
集積回路の配線方式に関する。
(従来の技術)
ゲートアレイにおいて、高集積化、大規模化をはかるた
め、いくつかの3層配線ゲートアレイが開発されている
。その中の一つとして次のような配線構造をもちいた3
層配線ゲートアレイが発表されている。
め、いくつかの3層配線ゲートアレイが開発されている
。その中の一つとして次のような配線構造をもちいた3
層配線ゲートアレイが発表されている。
2@配線用CADの使用を前提として、第1層目の配線
により、NAND、NOR等の機能セルを作成し、第2
層目の配線と第3層目の配線を用いてこれらの機能セル
を配線する。この様な配線構造を採用することにより、
ベーシックセル(基本セル)を半導体チップ上に敷き詰
めて配コし、それらベーシックセル上の領域を機能セル
間を配線する配線領域に使用することができる。この様
子を、従来の2層配線ゲートアレイと対比して第2図に
示す。このように、この3層配線ゲートアレイは、従来
の2層配線用のCADシステムを用いて、大規模、高集
積のLSIを容易に実現できるという利点を持つ。
により、NAND、NOR等の機能セルを作成し、第2
層目の配線と第3層目の配線を用いてこれらの機能セル
を配線する。この様な配線構造を採用することにより、
ベーシックセル(基本セル)を半導体チップ上に敷き詰
めて配コし、それらベーシックセル上の領域を機能セル
間を配線する配線領域に使用することができる。この様
子を、従来の2層配線ゲートアレイと対比して第2図に
示す。このように、この3層配線ゲートアレイは、従来
の2層配線用のCADシステムを用いて、大規模、高集
積のLSIを容易に実現できるという利点を持つ。
この配線構造を持つ3層配線ゲートアレイ(以後、本3
層配線ゲートアレイといった場合、上述した配線構造を
持ったゲートアレイを指す)は、l5SCC85にて発
表されている。このゲートアレイは、従来の2層配線ゲ
ートアレイに比べて、チップサイズを約35%縮小して
いると推定されている。
層配線ゲートアレイといった場合、上述した配線構造を
持ったゲートアレイを指す)は、l5SCC85にて発
表されている。このゲートアレイは、従来の2層配線ゲ
ートアレイに比べて、チップサイズを約35%縮小して
いると推定されている。
(発明が解決しようとする問題点)
今後、上述した3層配線技術に加え素子の微細化による
高集積化、大規模化か進むと予想される。
高集積化、大規模化か進むと予想される。
しかし、動作速度に関して考えると、大規模化、高集積
化に伴い、配線容量の与える影響が増大し、それ程の改
善は、望めないのが現状である。
化に伴い、配線容量の与える影響が増大し、それ程の改
善は、望めないのが現状である。
本3層ゲートアレイにおいて、この問題を解決するため
には、より配線容量の少ない第3層目の配線を多用し、
かつ総配線長の短い自動配線CADを開発することが最
適であろうか、その様なCADの開発は、極めて困難で
ある。本発明は、配線容量の少ない、したがって動作速
度の速い3層配線ゲートアレイをレイアウトする確率が
高く、かつ、実現の容易な半導体集積回路配線方式を提
供することを目的とする。
には、より配線容量の少ない第3層目の配線を多用し、
かつ総配線長の短い自動配線CADを開発することが最
適であろうか、その様なCADの開発は、極めて困難で
ある。本発明は、配線容量の少ない、したがって動作速
度の速い3層配線ゲートアレイをレイアウトする確率が
高く、かつ、実現の容易な半導体集積回路配線方式を提
供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
上)ホした問題点を解決するため、次の様な配線方式を
提案する。本3@配線ゲートアレイの機能セル間の配線
を、入出力端子の列に対して平行な配線部分は、第30
目の配線を用い、入出力端子の列に対して垂直な配線部
分は、第2層目の配線を用いる。本発明では、この様な
手段を用いて前述した問題点の解決をはかった。
提案する。本3@配線ゲートアレイの機能セル間の配線
を、入出力端子の列に対して平行な配線部分は、第30
目の配線を用い、入出力端子の列に対して垂直な配線部
分は、第2層目の配線を用いる。本発明では、この様な
手段を用いて前述した問題点の解決をはかった。
(作 用)
単位長さ当たりの配線容量は、第3層目の配線のほうが
、第2層目の配線よりも少ない。したがって、本発明で
提案した配線方式を適用した場合、総記線容量は少なく
なる確率が高い。また、本発明による配線方式を実行す
るCADは、2層配線用のCADをそのまま用いればい
いので、本発明で提案した配線方式を実現することは、
非常に容易である。
、第2層目の配線よりも少ない。したがって、本発明で
提案した配線方式を適用した場合、総記線容量は少なく
なる確率が高い。また、本発明による配線方式を実行す
るCADは、2層配線用のCADをそのまま用いればい
いので、本発明で提案した配線方式を実現することは、
非常に容易である。
(実施例)
第1図に、本発明で提供した配線方式を用いてレイアウ
トされた配線の例を示す。振止セル1間の配線において
、入出力端子2の列に対して平行な配線部分は、第3層
目の配線4で配線し、入出力端子の列に対して垂直な配
線部分は、第2層目の配線3で行うという配線方式を用
いてレイアウトされている。
トされた配線の例を示す。振止セル1間の配線において
、入出力端子2の列に対して平行な配線部分は、第3層
目の配線4で配線し、入出力端子の列に対して垂直な配
線部分は、第2層目の配線3で行うという配線方式を用
いてレイアウトされている。
2層配線ゲートアレイでは、機能セルを第1゜2召目の
配線で実現し、機能セル間も第1,2層目の配線で配線
するため、第2図に示すように、基本セル列の間に入出
力端子の列に対して平行な方向に長い、長方形の配線専
用の領域12を設け、この領域を用いて機能セル間の配
線を実行する。
配線で実現し、機能セル間も第1,2層目の配線で配線
するため、第2図に示すように、基本セル列の間に入出
力端子の列に対して平行な方向に長い、長方形の配線専
用の領域12を設け、この領域を用いて機能セル間の配
線を実行する。
また、基本セル列をスルーする配線は、各機能セルの配
線可能領域を発見し、配線を行わなければならないため
、このようなスルーを少なくなるようにレイアウトする
。例えば、第3図に示すように、信号線13に対し、(
イ)のレイアウトと(D)のレイアウトが可能な場合、
どちらの場合も信号線の配線長は同じであるが、0)の
レイアウトが採用される。第4図も同様でおる。そのた
め、チップ形状にもよるが、2層配線ゲートアレイでは
、入出力端子の列に平行な配線部分の総配線長は、入出
力端子の列に垂直な配線部分の総配線長よりも長い場合
が多い。
線可能領域を発見し、配線を行わなければならないため
、このようなスルーを少なくなるようにレイアウトする
。例えば、第3図に示すように、信号線13に対し、(
イ)のレイアウトと(D)のレイアウトが可能な場合、
どちらの場合も信号線の配線長は同じであるが、0)の
レイアウトが採用される。第4図も同様でおる。そのた
め、チップ形状にもよるが、2層配線ゲートアレイでは
、入出力端子の列に平行な配線部分の総配線長は、入出
力端子の列に垂直な配線部分の総配線長よりも長い場合
が多い。
同じことが、本3層配線ゲートアレイに対してもいえる
。本3層配線ゲートアレイは、第2図かられかるように
、2層配線ゲートアレイに比べ、入出力端子の列に対し
て垂直な配線部分を平行な配線部分よりも多く短縮する
。従って、本3層配線ゲートアレイにおいては、より多
くの場合、入出力端子の列に対して平行な配線部分の総
配線長は、入出力端子の列に対して垂直な配線部分の総
配線長よりも長い。
。本3層配線ゲートアレイは、第2図かられかるように
、2層配線ゲートアレイに比べ、入出力端子の列に対し
て垂直な配線部分を平行な配線部分よりも多く短縮する
。従って、本3層配線ゲートアレイにおいては、より多
くの場合、入出力端子の列に対して平行な配線部分の総
配線長は、入出力端子の列に対して垂直な配線部分の総
配線長よりも長い。
以下において、上記のことを実際に開発されl5SCC
85にて発表された3層配線ゲートアレイでW認してみ
る。このゲートアレイは、4つのブロックに分割されて
レイアウトされた。このうち形状の異なる縦長のブロッ
クと横長のブロックの機能セル間の配線長を分析した結
果が、表1である。
85にて発表された3層配線ゲートアレイでW認してみ
る。このゲートアレイは、4つのブロックに分割されて
レイアウトされた。このうち形状の異なる縦長のブロッ
クと横長のブロックの機能セル間の配線長を分析した結
果が、表1である。
表1
表よりわかるように、縦長のブロックB、横長のブロッ
クA共に、入出力端子の列に対して平行な配線部分の総
配線長は、垂直な配線部分の総配線長よりも長い。
クA共に、入出力端子の列に対して平行な配線部分の総
配線長は、垂直な配線部分の総配線長よりも長い。
したがって、本3層ゲートアレイを従来の2層配線用の
CADでレイアウトした場合、機能セル間の配線の配線
長について、「入出力端子の列に対して平行な配線部分
の総配線長は、垂直な配線部分の総配線長よりも長い場
合が多い」といえる。
CADでレイアウトした場合、機能セル間の配線の配線
長について、「入出力端子の列に対して平行な配線部分
の総配線長は、垂直な配線部分の総配線長よりも長い場
合が多い」といえる。
(発明の効果)
前述したように、本発明で提案した方式は、総記線容量
の減少をはかれる場合が多いので、動作速度の速い3層
配線ゲートアレイを実現する確率が高い。また、従来の
2層配線用のCADをそのまま用いることができるので
、その実現は容易である。
の減少をはかれる場合が多いので、動作速度の速い3層
配線ゲートアレイを実現する確率が高い。また、従来の
2層配線用のCADをそのまま用いることができるので
、その実現は容易である。
第1図は本発明の配線方式に従うレイアウト図、第2図
は2層配線ゲートアレイと3層配線ゲートアレイの概略
図、第3図及び第4図は、2層配線ゲートアレイのレイ
アウト用CADの性質を説明する図である。 1・・・機能セル 2・・・入出力端子 3・・・第2層目の配線 4・・・第3層目の配線 5・・・第2層目の配線と第3層目の配線のビア6・・
・2召配線ゲートアレイ 7・・・3層配線ゲートアレイ 8・・・2層配線ゲートアレイの基本セル9・・・3層
配線ゲートアレイの基本セル10・・・2層配線ゲート
アレイの入出力端子11・・・3層配線ゲートアレイの
入出力端子12・・・配線専用の領域 13・・・信号線 14・・・信号線 15・・・基本セル列 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第 1 図 第2図
は2層配線ゲートアレイと3層配線ゲートアレイの概略
図、第3図及び第4図は、2層配線ゲートアレイのレイ
アウト用CADの性質を説明する図である。 1・・・機能セル 2・・・入出力端子 3・・・第2層目の配線 4・・・第3層目の配線 5・・・第2層目の配線と第3層目の配線のビア6・・
・2召配線ゲートアレイ 7・・・3層配線ゲートアレイ 8・・・2層配線ゲートアレイの基本セル9・・・3層
配線ゲートアレイの基本セル10・・・2層配線ゲート
アレイの入出力端子11・・・3層配線ゲートアレイの
入出力端子12・・・配線専用の領域 13・・・信号線 14・・・信号線 15・・・基本セル列 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第 1 図 第2図
Claims (1)
- 1つの半導体チップ内に、pチャンネルトランジスタと
nチャンネルトランジスタとからなるCMOSトランジ
スタにより構成される基本セルをあらかじめマトリック
ス状に集積形成しこれら基本セルを適宜に配線して所望
の論理機能を有する機能セルを構成し、さらにこれら機
能セルを適宜に配線して所望の論理動作を実行する論理
回路を構成する半導体集積回路であり、かつ、前記配線
の構造を立体3層構造として配線にかかわる領域を前記
基本セル上に設け、第1層目の配線で前記機能セルを構
成し、それらの入出力端子を、各当該基本セルの中央付
近にかつ該半導体チップ内において複数の列を構成する
ように設け、第2層目の配線と第3層目の配線とで、縦
横の機能セルを接続して前記論理回路を構成するように
した3層配線のゲートアレイ型の半導体集積回路におい
て、前記機能セル間の配線を、前記入出力端子の列に対
して平行な配線部分には第3層目の配線を用い、前記入
出力端子の列に対して垂直な配線部分には第2層目の配
線を用いて実現することを特徴とする半導体集積回路配
線方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61052610A JPS62210641A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 半導体集積回路配線方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61052610A JPS62210641A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 半導体集積回路配線方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62210641A true JPS62210641A (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=12919565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61052610A Pending JPS62210641A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 半導体集積回路配線方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62210641A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02248073A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP61052610A patent/JPS62210641A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02248073A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0480538B2 (ja) | ||
US5377136A (en) | Semiconductor integrated circuit device with built-in memory circuit group | |
JPS61292341A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS62210641A (ja) | 半導体集積回路配線方式 | |
JPS61114550A (ja) | 論理回路装置 | |
JPS6197849A (ja) | ゲ−トアレイlsi装置 | |
JPS62210640A (ja) | 半導体集積回路配線方式 | |
JP2508214B2 (ja) | マスタスライス方式半導体集積回路装置 | |
JPS63273332A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JPS63229733A (ja) | マスタ−スライスlsi | |
JPS61225845A (ja) | 半導体装置 | |
JPH01152642A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS62179744A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS59175747A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS60175438A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS601844A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS60247943A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS61214543A (ja) | ゲ−トアレイ | |
JPS58210636A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS62273751A (ja) | 集積回路 | |
US5172210A (en) | Master slice integrated circuit having a memory region | |
JPS6248042A (ja) | マスタ−スライス方式半導体集積回路 | |
JPS63299135A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS62189740A (ja) | 半導体集積回路の配線形成方法 | |
JPH02205342A (ja) | 機能ブロック上を通過する配線の配線方法 |