JPS62209037A - α−ヒドロキシケトン誘導体の製造法 - Google Patents
α−ヒドロキシケトン誘導体の製造法Info
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- JPS62209037A JPS62209037A JP5179486A JP5179486A JPS62209037A JP S62209037 A JPS62209037 A JP S62209037A JP 5179486 A JP5179486 A JP 5179486A JP 5179486 A JP5179486 A JP 5179486A JP S62209037 A JPS62209037 A JP S62209037A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、α−ヒドロキシケトン誘導体の製造法に関す
る。さらに詳しくは9本発明は。
る。さらに詳しくは9本発明は。
一般式(IV)
(式中 R1は置換または非置換アルキル基またはアラ
ルキル基を Hzは置換または非置換アルキル基、アラ
ルキル基またはアリール基を、又は水素原子またはアシ
ル基を示す。)工表されるα−ヒドロキシケトン誘導体
の製造法に関する。
ルキル基を Hzは置換または非置換アルキル基、アラ
ルキル基またはアリール基を、又は水素原子またはアシ
ル基を示す。)工表されるα−ヒドロキシケトン誘導体
の製造法に関する。
fQ式cIV)で表されるα−ヒドロキシケトン誘導体
は工業薬品、溶剤、医薬、農薬等として有用なものが多
く、またこれらの合成中間体、特に各種生理活性中間体
として重要な化合物である。
は工業薬品、溶剤、医薬、農薬等として有用なものが多
く、またこれらの合成中間体、特に各種生理活性中間体
として重要な化合物である。
例えば、還元条件を選択することによって、エリトロ−
1,2−ジオールとトレオー1.2−ジオールを高選択
的に得ることができる。
1,2−ジオールとトレオー1.2−ジオールを高選択
的に得ることができる。
従来、メチルチオメチルアリールスルホン誘導体からケ
トン誘導体を得る方法としては、塩酸−メタノールCK
、Ogura et al、、Chem、L:ett、
、1982.813)あるいはシリカゲル−塩化銅(Y
、Murata et at、。
トン誘導体を得る方法としては、塩酸−メタノールCK
、Ogura et al、、Chem、L:ett、
、1982.813)あるいはシリカゲル−塩化銅(Y
、Murata et at、。
Bull、Chem、 Soc、 Jpn、、54.2
539(1983)で処理する方法等が用いられてきた
が、これらの方法は一般式(IV)で表されるα−ヒド
ロキシケトン誘導体の製造法に適用した場合は経済性が
悪く、工業的製造法としては実用的でなかった。
539(1983)で処理する方法等が用いられてきた
が、これらの方法は一般式(IV)で表されるα−ヒド
ロキシケトン誘導体の製造法に適用した場合は経済性が
悪く、工業的製造法としては実用的でなかった。
本発明者らはこの問題を解決すべく鋭意研究を重ねた結
果、一般式(1) ルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す)を
R1は置換または非置換アルキル基またはアラルキル
基を示す〕で表される化合物、すなわち、メチルチオメ
チルアリールスルホンの置換または非置換アルキル化体
あるいはアラルキル体を塩基でアニオン化したのち、一
般式(II)R”−CHo (n) (式中 、R2は置換または非置換アルキル基、アラル
キル基またはアリール基を示す。)で表されるアルデヒ
ドに付加させ、そのまま、またはアシル化して得られた
一般式〔■〕 (式中I R’ は置換または非置換アルキル基また
はアラルキル基を R2は置換または非置換アルキル基
、アラルキル基または了り−ル基を、Xは水素原子また
はアシル基を示す。) で表される化合物をシリカゲル上で加水分解することに
よって目的化合物を高収率で得る方法をみいだし2本発
明を完成した。
果、一般式(1) ルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す)を
R1は置換または非置換アルキル基またはアラルキル
基を示す〕で表される化合物、すなわち、メチルチオメ
チルアリールスルホンの置換または非置換アルキル化体
あるいはアラルキル体を塩基でアニオン化したのち、一
般式(II)R”−CHo (n) (式中 、R2は置換または非置換アルキル基、アラル
キル基またはアリール基を示す。)で表されるアルデヒ
ドに付加させ、そのまま、またはアシル化して得られた
一般式〔■〕 (式中I R’ は置換または非置換アルキル基また
はアラルキル基を R2は置換または非置換アルキル基
、アラルキル基または了り−ル基を、Xは水素原子また
はアシル基を示す。) で表される化合物をシリカゲル上で加水分解することに
よって目的化合物を高収率で得る方法をみいだし2本発
明を完成した。
以下に本発明の製造法を反応式を記して詳細に説明、す
るが1本発明はこれらによって限定されるものではない
。
るが1本発明はこれらによって限定されるものではない
。
以下余白
(TV)
アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す)
を、R′は置換または非置換アルキル基またはアラルキ
ル基を 、R2は置換または非置換アルキル基、アラル
キル基またはアリール基を、Xは水素原子またはアシル
基を示す。
を、R′は置換または非置換アルキル基またはアラルキ
ル基を 、R2は置換または非置換アルキル基、アラル
キル基またはアリール基を、Xは水素原子またはアシル
基を示す。
〕本発明の第一工程は一般式CI)で表される化合物を
塩基でアニオン化した後、一般式(II)で表されるア
ルデヒドと反応させるものであるが、この工程で用いる
塩基としては、水素化ナトリウムや水素化カリウムの如
きアルカ゛り金属水素化物。
塩基でアニオン化した後、一般式(II)で表されるア
ルデヒドと反応させるものであるが、この工程で用いる
塩基としては、水素化ナトリウムや水素化カリウムの如
きアルカ゛り金属水素化物。
リチウムイソプロピルアミドの如きアルカリ金属または
アルカリ土類金属アミド等が挙げられる。
アルカリ土類金属アミド等が挙げられる。
収率の点からリチウムアミド誘導体およびアルキルリチ
ウムが好適に用いられ、使用量は1当量で十分である。
ウムが好適に用いられ、使用量は1当量で十分である。
この工程の実施にあたってはテトラヒドロフランやジオ
キサン等の非プロトン性溶媒を用いることが好ましい。
キサン等の非プロトン性溶媒を用いることが好ましい。
反応終了後、水等のプロトン源を添加した後、一般的後
処理によってほぼ純粋な一般式〔■゛〕 (式中 R1は置換または非置換アルキル基またはアラ
ルキル基を H2は置換または非置換アルキル基、アラ
ルキル基またはアリール基を示す。)で表される化合物
を得ることができる。所望ならこの水酸基を、酸無水物
や酸塩化物などカルボン酸活性誘導体をピリジンやトリ
エチルアミンなどの塩基存在下で反応させて、保護する
ことによって一般式〔■”〕 (式中 R1は置換または非置換アルキル基またはアラ
ルキル基を Btは置換または非置換アルキル基、アラ
ルキル基またはアリール基を、Xはアシル基を示す、)
で表される化合物に導くことができる。
処理によってほぼ純粋な一般式〔■゛〕 (式中 R1は置換または非置換アルキル基またはアラ
ルキル基を H2は置換または非置換アルキル基、アラ
ルキル基またはアリール基を示す。)で表される化合物
を得ることができる。所望ならこの水酸基を、酸無水物
や酸塩化物などカルボン酸活性誘導体をピリジンやトリ
エチルアミンなどの塩基存在下で反応させて、保護する
ことによって一般式〔■”〕 (式中 R1は置換または非置換アルキル基またはアラ
ルキル基を Btは置換または非置換アルキル基、アラ
ルキル基またはアリール基を、Xはアシル基を示す、)
で表される化合物に導くことができる。
このようにして得られた一般式(I[[)で表される化
合物の粗製物を、シリカゲルで処理して一般式(IV)
で表されるα−ヒドロキシケトン誘導体に導く工程は、
シリカゲル処理で達成できる。用いるシリカゲルは市販
品を特に処理することな(。
合物の粗製物を、シリカゲルで処理して一般式(IV)
で表されるα−ヒドロキシケトン誘導体に導く工程は、
シリカゲル処理で達成できる。用いるシリカゲルは市販
品を特に処理することな(。
そのまま使用できる。一般式CI[[]で表される化合
物をシリカゲルに吸着させ放置するという極めて簡単な
操作で加水分解は進行する。温度は室温で十分であるが
、加温することによって促進される傾向にある。一般に
は0℃から80℃が好ましい。これによって生成した一
般式(IV)で表されるα−ヒドロキシケトン誘導体は
溶媒により溶出させ、減圧により濃縮して、高純度・高
収率で得ることができる。
物をシリカゲルに吸着させ放置するという極めて簡単な
操作で加水分解は進行する。温度は室温で十分であるが
、加温することによって促進される傾向にある。一般に
は0℃から80℃が好ましい。これによって生成した一
般式(IV)で表されるα−ヒドロキシケトン誘導体は
溶媒により溶出させ、減圧により濃縮して、高純度・高
収率で得ることができる。
以下、実施例を挙げてさらに詳細に説明するが。
本発明はこれらによって限定されるものではない。
去止五−上
l−メチルチオ−1−(p−トリルスルホニル)プロパ
ン539mgを無水テトラヒドロフラン15m1に溶か
し、−78℃冷却した。n−ブチルリチウムのヘキサン
溶液(1,55M) 1.9m1(1,3mol eq
、)を3分間で滴下した。これを−40〜−50℃で1
時間攪拌した。再び一78℃に冷却したのち3−フェニ
ルプロパナール404mg (1,4mol eq、)
を2分間で滴下し−60〜−70℃で1時間攪拌した。
ン539mgを無水テトラヒドロフラン15m1に溶か
し、−78℃冷却した。n−ブチルリチウムのヘキサン
溶液(1,55M) 1.9m1(1,3mol eq
、)を3分間で滴下した。これを−40〜−50℃で1
時間攪拌した。再び一78℃に冷却したのち3−フェニ
ルプロパナール404mg (1,4mol eq、)
を2分間で滴下し−60〜−70℃で1時間攪拌した。
水20m1に注ぎエーテル20+++1で1回、10m
1で3回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。減圧濃縮し、淡黄色油状物1.047gを得た
。このものは、はぼ純粋な2−メチルチオ−2−(p−
トリルスルホニル)−1−(2−フェニルエチル)−1
−ブクノールの2種の混合物であった。
1で3回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。減圧濃縮し、淡黄色油状物1.047gを得た
。このものは、はぼ純粋な2−メチルチオ−2−(p−
トリルスルホニル)−1−(2−フェニルエチル)−1
−ブクノールの2種の混合物であった。
NM R(CDCI:l):
主たるジアステレオマーをA。
副のジアステレオマーをBとする。
60.91 (t、 J=7Hz、 A)と1.02(
t、J=8Hz、B)合わせて31(。
t、J=8Hz、B)合わせて31(。
1.75(s、A)と2.09(s、B)合わせて31
1゜2.43 (3tl、 s、 A+B) 、 7.
23 (511,s、 A+8)7.34(211,d
、J=8.4Hz、A+B)7.81(2H,d、J=
8.411z、A+8)その他1.0〜4.4(88,
m) このうち、 607mg (全体の58%)を10m1
ナスフラスコにとり、ベンゼン3 mlを加え、シリカ
ゲル1.5gを加え、室温で16時間放置した。溶媒を
留去し。
1゜2.43 (3tl、 s、 A+B) 、 7.
23 (511,s、 A+8)7.34(211,d
、J=8.4Hz、A+B)7.81(2H,d、J=
8.411z、A+8)その他1.0〜4.4(88,
m) このうち、 607mg (全体の58%)を10m1
ナスフラスコにとり、ベンゼン3 mlを加え、シリカ
ゲル1.5gを加え、室温で16時間放置した。溶媒を
留去し。
カラムクロマトグラフィー(シリカゲル、ベンゼン)で
分離して4−ヒドロキシ−6−フェニル−3−へキサノ
ン237mgを無色油状物質として得た。収率は96%
であった。
分離して4−ヒドロキシ−6−フェニル−3−へキサノ
ン237mgを無色油状物質として得た。収率は96%
であった。
(R(neat) : 3480.1710cm −
tNMR(CDC1ff) : 67.29(5H,s)。
tNMR(CDC1ff) : 67.29(5H,s)。
4.15(IH,m、DzO添加でdd、 J=3.6
.7.811z) 。
.7.811z) 。
3.70(1B、broad d、DzO添加で消失)
2.90−1.57(611,m)、 1.05(3
11,t、J=7.2)1z)MS(相対強度): m/e 192(M” 、6)、134(40)、11
7(26)、105(50)。
2.90−1.57(611,m)、 1.05(3
11,t、J=7.2)1z)MS(相対強度): m/e 192(M” 、6)、134(40)、11
7(26)、105(50)。
92 (37) 、 91 (100) 、 8B (
49) 、 57 (22) 。
49) 、 57 (22) 。
ス1貰二」−
1−メチルチオ−1−(p−)リルスルホニル)−2−
フェニルエタン361mgを無水テトラヒドロフラン1
0−1に溶かし、−78℃冷却した。n−ブチルリチウ
ムのヘキサン溶液(1,55M) 1.0m1(1,3
■ol eq、)を1分間で滴下した。はじめ淡黄色で
あった反応系が、30分で一50℃まで昇温するうちに
。
フェニルエタン361mgを無水テトラヒドロフラン1
0−1に溶かし、−78℃冷却した。n−ブチルリチウ
ムのヘキサン溶液(1,55M) 1.0m1(1,3
■ol eq、)を1分間で滴下した。はじめ淡黄色で
あった反応系が、30分で一50℃まで昇温するうちに
。
しだいに赤褐色に変化をしてきた。再び一78℃に冷却
したのち3−フェニルプロパナール206mg(1,3
■ol eq、)を1分間で滴下した。反応系はすぐに
淡黄色に変化した。そのまま1時間攪拌した。
したのち3−フェニルプロパナール206mg(1,3
■ol eq、)を1分間で滴下した。反応系はすぐに
淡黄色に変化した。そのまま1時間攪拌した。
水20m lに注ぎ、エーテル20m1で1回、10m
1で3回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。減圧濃縮し、淡黄色油状物632mgを得た。
1で3回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。減圧濃縮し、淡黄色油状物632mgを得た。
このものは、2−メチルチオ−1,5−ジフェニル−2
−(p4リルスルホニル)−3−ベンテノールの2種の
混合物であった。
−(p4リルスルホニル)−3−ベンテノールの2種の
混合物であった。
NMR(CDCh) :
主たるジアステレオマーをA。
副のジアステレオマーをBとする。
δ2.02(s、A)と2.28(s、B)合わせて3
L2.46(3H,s、A+8)、 6.9〜7.5
(12H,a、A十B)7.81 (d、 J−8,4
Hz、 A)と7.84(d、J=8411z、B)合
わせて21(。
L2.46(3H,s、A+8)、 6.9〜7.5
(12H,a、A十B)7.81 (d、 J−8,4
Hz、 A)と7.84(d、J=8411z、B)合
わせて21(。
その他1.0〜4.5(8H,m)
これにベンゼン5 mlを加え、シリカゲル2.5gを
加え、室温で12時間、30℃で2時間、40〜50℃
で27時間放置した。溶媒を留去し、カラムクロマトグ
ラフィー(シリカゲル、ベンゼン−酢酸エチル50:1
))により分離して、3−ヒドロキシ−1゜5−ジフェ
ニル−2−ペンタノン259mgを無色油状物質として
得た。収率は96%であつた。
加え、室温で12時間、30℃で2時間、40〜50℃
で27時間放置した。溶媒を留去し、カラムクロマトグ
ラフィー(シリカゲル、ベンゼン−酢酸エチル50:1
))により分離して、3−ヒドロキシ−1゜5−ジフェ
ニル−2−ペンタノン259mgを無色油状物質として
得た。収率は96%であつた。
I R(neat) : 3490,1712cm
−’N M R(CDCh) : 67.0−7,5(5Lm)、 7.23(5H,s
)。
−’N M R(CDCh) : 67.0−7,5(5Lm)、 7.23(5H,s
)。
4.24(ltl、m、DtO添加でdd、J=4.2
,7.8Hz)3、71 (2H,s) 。
,7.8Hz)3、71 (2H,s) 。
3.43(1)1.d、J−4,811z、DzO添加
で消失)2.96−2.38(2H,m)、 2.2
4−1.64(2H,m)MS(相対強度): vale 254(M″″、 3’) 、 150 (
70) 、 134 (49) 、 121 (24)
。
で消失)2.96−2.38(2H,m)、 2.2
4−1.64(2H,m)MS(相対強度): vale 254(M″″、 3’) 、 150 (
70) 、 134 (49) 、 121 (24)
。
117(25) 、 105(26) 、92(56)
、91 (100) 。
、91 (100) 。
65 (26) 。
大隻■工主
1−メチルチオ−1−(p−)リルスルホニル)プロパ
ン315mgを無水テトラヒドロフラン7mlに溶かし
、−78℃冷却した。n−ブチルリチウムのヘキサン溶
−a(1,55M) 1.0m1(1,2mol eq
、)を1分間で滴下した。これを−40〜−50℃で1
時間攪拌した。再び一78℃に冷却したのち3−フェニ
ルプロパナール255mg (1,5a+oleq、)
を1分間で滴下し−60〜−70℃で1時間攪拌した。
ン315mgを無水テトラヒドロフラン7mlに溶かし
、−78℃冷却した。n−ブチルリチウムのヘキサン溶
−a(1,55M) 1.0m1(1,2mol eq
、)を1分間で滴下した。これを−40〜−50℃で1
時間攪拌した。再び一78℃に冷却したのち3−フェニ
ルプロパナール255mg (1,5a+oleq、)
を1分間で滴下し−60〜−70℃で1時間攪拌した。
水20m1に注ぎ。
エーテル20m lで1回、10m1で3回抽出した。
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧濃縮し
、淡黄色油状物639mgを得た。これをさらにデシケ
ータ中で減圧乾燥した。窒素雰囲気下、無水ピリジン4
ml+蒸溜した無水酢酸1.5 mlを加え。
、淡黄色油状物639mgを得た。これをさらにデシケ
ータ中で減圧乾燥した。窒素雰囲気下、無水ピリジン4
ml+蒸溜した無水酢酸1.5 mlを加え。
室温で20時間攪拌した。減圧濃縮し黄褐色油状物69
7mgを得た。これにベンゼン3mlを加え、シリカゲ
ル1.5gを加えて、室温で44時間放置した。溶媒を
留去し、カラムクロマトグラフィー(シリカケル、ヘキ
サン−ベンゼン、1:3)で分離して4−アセトキシ−
6−フェニル−3−へキサノン208mgを得た。収率
は69%であった。
7mgを得た。これにベンゼン3mlを加え、シリカゲ
ル1.5gを加えて、室温で44時間放置した。溶媒を
留去し、カラムクロマトグラフィー(シリカケル、ヘキ
サン−ベンゼン、1:3)で分離して4−アセトキシ−
6−フェニル−3−へキサノン208mgを得た。収率
は69%であった。
I R(neat) : 1745,1730.12
45cm −’NMR(CDC13) : 67.23(5H,s)、 5.01(LH,t
、J=6.0flz)。
45cm −’NMR(CDC13) : 67.23(5H,s)、 5.01(LH,t
、J=6.0flz)。
2.86−1.84(68,m)、 2.12(3H,
s)。
s)。
1.03(3H,t、J=7.2Hz)特許出願人 日
産化学工業株式会社 手続補正書(方式) %式% l 事件の表示 昭和61年特許願第51794号 2 発明の名称 α−ヒドロキシケトン誘導体の製造法 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区神田錦町3丁目7番地1名称 (
398)日産化学工業株式会社4 補正命令の日付(発
送日) (2)明細書第1頁第3行と同第4行の間に「2、特許
請求の範囲」を補充する。
産化学工業株式会社 手続補正書(方式) %式% l 事件の表示 昭和61年特許願第51794号 2 発明の名称 α−ヒドロキシケトン誘導体の製造法 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区神田錦町3丁目7番地1名称 (
398)日産化学工業株式会社4 補正命令の日付(発
送日) (2)明細書第1頁第3行と同第4行の間に「2、特許
請求の範囲」を補充する。
−ハ ・−、芝ム)
Claims (2)
- (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、Aは、▲数式、化学式、表等があります▼(R
は水素原子、低級アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す)を、R^1は置換または非置換アルキ
ル基またはアラルキル基を示す〕で表されるメチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体を塩基存在下、一般式〔
II〕 R^2−CHO〔II〕 (式中、R^2は置換または非置換アルキル基、アラル
キル基またはアリール基を示す。)で表されるアルデヒ
ドと反応させ、そのまま、またはさらにアシル化して 一般式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 (式中、R^1は置換または非置換アルキル基またはア
ラルキル基を、R^2は置換または非置換アルキル基、
アラルキル基またはアリール基を、Xは水素原子または
アシル基を示す。)で表される化合物を得て、該化合物
にシリカゲルを作用させることを特徴とする 一般式〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 (式中、R^1は置換または非置換アルキル基またはア
ラルキル基を、R^2は置換または非置換アルキル基、
アラルキル基またはアリール基を、Xは水素原子または
アシル基を示す。)で表されるα−ヒドロキシケトン誘
導体の製造法。 - (2)一般式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 (式中、R^1は置換または非置換アルキル基またはア
ラルキル基を、R^2は置換または非置換アルキル基、
アラルキル基またはアリール基を、Xは水素原子または
アシル基を示す。)で表される化合物にシリカゲルを作
用させることを特徴とする一般式〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 (式中、R^1は置換または非置換アルキル基またはア
ラルキル基を、R^2は置換または非置換アルキル基、
アラルキル基またはアリール基を、Xは水素原子または
アシル基を示す。)で表されるα−ヒドロキシケトン誘
導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5179486A JPS62209037A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | α−ヒドロキシケトン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5179486A JPS62209037A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | α−ヒドロキシケトン誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62209037A true JPS62209037A (ja) | 1987-09-14 |
Family
ID=12896844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5179486A Pending JPS62209037A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | α−ヒドロキシケトン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62209037A (ja) |
-
1986
- 1986-03-10 JP JP5179486A patent/JPS62209037A/ja active Pending
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