JPS62204526A - 多層レジスト構造 - Google Patents
多層レジスト構造Info
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- JPS62204526A JPS62204526A JP4759486A JP4759486A JPS62204526A JP S62204526 A JPS62204526 A JP S62204526A JP 4759486 A JP4759486 A JP 4759486A JP 4759486 A JP4759486 A JP 4759486A JP S62204526 A JPS62204526 A JP S62204526A
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- 50angstrom
- intermediate layer
- thick resin
- thick
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の微細加工に用いられる多層レジ
スト構造に関する。
スト構造に関する。
従来の多層レジスト構造は、第２図に断面図として示す
ように基板１１上の酸化シリコン層１２上に設けられた
厚い樹脂層１３、薄い窒化シリコン中間層１５およびレ
ジスト層１６から構成される。
ように基板１１上の酸化シリコン層１２上に設けられた
厚い樹脂層１３、薄い窒化シリコン中間層１５およびレ
ジスト層１６から構成される。
中間層１５を窒化シリコンから形成しているのは、スパ
ッタ蒸着法で設けられた窒化シリコンは、基板１１の上
に設けられた酸化シリコン層１２のエツチング液である
フッ酸緩街溶液に対し耐性が大きい為である。
ッタ蒸着法で設けられた窒化シリコンは、基板１１の上
に設けられた酸化シリコン層１２のエツチング液である
フッ酸緩街溶液に対し耐性が大きい為である。
半導体装置が１μｍ、又は、それ以下の寸法になると、
従来の光学露光では限界に近づき、電子ビームのような
荷電ビームを用いるパターン形成用の露光を行うように
なる。荷電ビームは、従来の光と異なり、大きなエネル
ギーをもっており、新らたな問題が発生ずるようになっ
た。
従来の光学露光では限界に近づき、電子ビームのような
荷電ビームを用いるパターン形成用の露光を行うように
なる。荷電ビームは、従来の光と異なり、大きなエネル
ギーをもっており、新らたな問題が発生ずるようになっ
た。
それは、例えば電子ビームで、第２図のレジスト層１６
にパターン描画、又はこの三層レジストを通してパター
ン重ね合せマークの検出を行おうとするとその電子ビー
ムの熱エネルギーにより窒化シリコン中間層１５と厚い
樹脂層１３の間からガスが発生し、パターン形成に異常
をきたしたリ、重ね合せマーク検出時に異常が発生する
という問題点がある。
にパターン描画、又はこの三層レジストを通してパター
ン重ね合せマークの検出を行おうとするとその電子ビー
ムの熱エネルギーにより窒化シリコン中間層１５と厚い
樹脂層１３の間からガスが発生し、パターン形成に異常
をきたしたリ、重ね合せマーク検出時に異常が発生する
という問題点がある。
本発明の目的は、上記ガス発生の問題を解消することに
より、より微細な半導体の加工を容易にする多層レジス
１〜構造を提供することにある。
より、より微細な半導体の加工を容易にする多層レジス
１〜構造を提供することにある。
本発明の多層レジスト構造は、基板上に順次設けられた
厚い樹脂層と、厚さ１０人から５０人のＴｉ中間層、薄
い窒化シリコン中間層、およびレジスト層とから構成さ
れる。
厚い樹脂層と、厚さ１０人から５０人のＴｉ中間層、薄
い窒化シリコン中間層、およびレジスト層とから構成さ
れる。
１、作用〕
本発明の多層レジスト構造は、荷電ビーノ、でレジスト
層を露光したり、マークを検出しなりする時に第２図に
示した厚い樹脂層１３と窒化シリコン中間層１５の間に
発するガスを薄いＴｉ中間層によって前もって吸収して
おくことを目的に、膜厚１０人から５０人のＴｉ中間層
を挿入していることが特徴である。
層を露光したり、マークを検出しなりする時に第２図に
示した厚い樹脂層１３と窒化シリコン中間層１５の間に
発するガスを薄いＴｉ中間層によって前もって吸収して
おくことを目的に、膜厚１０人から５０人のＴｉ中間層
を挿入していることが特徴である。
その上限を５０人としたのは、５０Å以下だとＴｉとそ
の下の厚い樹脂層が反応してフッ酸緩衝溶液に工・ソチ
ングされない反応層が形成されるからである。５０Å以
上にすると、未反応のＴｉが残り、フッ酸緩衝溶液で容
易にＴｉ膜がエツチングされるようになる。この場合、
中間層としてフッ酸緩衝溶液でエツチングされないスバ
・ツタ法による窒化シリコン層を用いた意味が無くなり
、本来の目的からはなれる。
の下の厚い樹脂層が反応してフッ酸緩衝溶液に工・ソチ
ングされない反応層が形成されるからである。５０Å以
上にすると、未反応のＴｉが残り、フッ酸緩衝溶液で容
易にＴｉ膜がエツチングされるようになる。この場合、
中間層としてフッ酸緩衝溶液でエツチングされないスバ
・ツタ法による窒化シリコン層を用いた意味が無くなり
、本来の目的からはなれる。
Ｔｉ中間層の膜厚の下限を１０人としたのは、現在の技
術でほぼ均一にＴｉ膜を蒸着できる下限に近く、かつ厚
い樹脂層と窒化シリコン層の間の潜在ガスを吸収できる
下限膜厚であるからである。
術でほぼ均一にＴｉ膜を蒸着できる下限に近く、かつ厚
い樹脂層と窒化シリコン層の間の潜在ガスを吸収できる
下限膜厚であるからである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
第１図において、酸化シリコン層２を設けた基板１上に
順次、厚い樹脂層３（例えばＡＺ−２４００レジストを
４０００ｒｐｍで回転塗布し、２５０℃にて窒素ガス雰
囲気中で１時間ベーキングしたもの）を１．２μｍ、Ｔ
ｉ中間層４を３０人、窒化シリコン中間層５を１０００
人、レジスト層６を１μｍの厚さでそれぞれ設けた。Ｔ
ｉ中間層４と窒化シリコン中間ＮＩ５は、スパッタ蒸着
材により、連続蒸着して形成できる。
順次、厚い樹脂層３（例えばＡＺ−２４００レジストを
４０００ｒｐｍで回転塗布し、２５０℃にて窒素ガス雰
囲気中で１時間ベーキングしたもの）を１．２μｍ、Ｔ
ｉ中間層４を３０人、窒化シリコン中間層５を１０００
人、レジスト層６を１μｍの厚さでそれぞれ設けた。Ｔ
ｉ中間層４と窒化シリコン中間ＮＩ５は、スパッタ蒸着
材により、連続蒸着して形成できる。
以上、詳細説明したとおり、本発明の多層レジスト構造
は、大きな熱エネルギーをもつ荷電ビーム露光に際して
、厚い樹脂層と、窒化シリコン中間層の間で発生するガ
スを前もって吸収する効果をもつＴｉ中間層をスパッタ
窒化シリコン中間層の下に設けたことにより発生ガスの
影響を除去できる為、微細な半導体の加工を容易にでき
る効果がある。
は、大きな熱エネルギーをもつ荷電ビーム露光に際して
、厚い樹脂層と、窒化シリコン中間層の間で発生するガ
スを前もって吸収する効果をもつＴｉ中間層をスパッタ
窒化シリコン中間層の下に設けたことにより発生ガスの
影響を除去できる為、微細な半導体の加工を容易にでき
る効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の多
層レジスト構造の一例の断面図である。 １．１１・・・基板、２，１２・・・酸化シリコン層、
３．１３・・・厚い樹脂層、４・・・Ｔｉ中間層、５，
１５第１図 第２図
層レジスト構造の一例の断面図である。 １．１１・・・基板、２，１２・・・酸化シリコン層、
３．１３・・・厚い樹脂層、４・・・Ｔｉ中間層、５，
１５第１図 第２図
Claims (1)
- 表面に酸化シリコン層が設けられた基板上に順次、厚い
樹脂層とＴｉ中間層と窒化シリコン中間層およびレジス
ト層を設けてなる多層レジスト構造において、前記Ｔｉ
中間層の膜厚を１０Åから５０Åにしたことを特徴とす
る多層レジスト構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4759486A JPH0666254B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 多層レジスト構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4759486A JPH0666254B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 多層レジスト構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204526A true JPS62204526A (ja) | 1987-09-09 |
| JPH0666254B2 JPH0666254B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=12779572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4759486A Expired - Lifetime JPH0666254B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 多層レジスト構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666254B2 (ja) |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP4759486A patent/JPH0666254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666254B2 (ja) | 1994-08-24 |
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