JPS6220418A

JPS6220418A - スイツチング装置

Info

Publication number: JPS6220418A
Application number: JP15840285A
Authority: JP
Inventors: Tsukasa Fukushima; 司福島; Kaneya Noda; 野田　金矢
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1985-07-19
Filing date: 1985-07-19
Publication date: 1987-01-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、スイッチング素子として電界効果トランジス
タを使用し、この電界効果トランジスタのゲート端子に
直列に抵抗素子を接続してなるスイッチング装置、特に
その電界効果トランジスタの破壊検出に関する。

〔従来の技術〕

従来この種のスイッチング装置を利用したものとして、
第５図に示すインバータ装置がある。図において、（１
ａ）、　（１ｂ）はＭＯ８世電界効果トランジスタ（以
下ＭＯＳ型ＦＥＴという）、（２ａ）　、　（２ｂ）は
抵抗素子で、ＭＯ８型ＦＥＴ　（１ａ）、　（１ｂ）の
ゲート端子に直列に接続されている。（３ａ）、　（３
ｂ）はゲートドライブ回路、（４）は制御回路で、ゲー
トドライブ回路（３ａ）、　（３ｂ）に点弧信号（７ａ
）、σｂ）　ｅ送出する。（５）は直流電源で、直列に
接続されたＭＯ８型ＦＥＴ（１ａ）。

（１ｂ）に直流電圧を印加する。（６）は出力端子で、
ＭＯ８型Ｆ’　Ｅ　Ｔ　　（１ａ）と（１ｂ）との接続
点から引き出される。

従来のインバータ装置は上記のように構成され。

制御回路（４）から選出される点弧信号（７ａ）、σｂ
）によりゲートドライブ回路（３ａ）　、　（３ｂ）が
作動して、このゲートドライブ回路（ろａ）　、　（３
ｂ）から抵抗（２ａ）。

（２ｂ）を介してＭＯ８型ＦＥＴ　　（１ａ）、　（Ｉ
ｂ）のゲートにゲート電圧が印加され、電界効果トラン
ジスタ（１ａ）、　（１ｂ）が交互にオン、オフをくり
返して、出力端子（６）から所望の出力が得られる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のようなインバータ装置では、ＭＯ８型ＥＦ’Ｔ（
１ａ）、　（１ｂ）が破壊すると、ゲートとソース間が
短絡するため、抵抗（２ａ）　、　（２ｂ）に過大な電
流が流れて発熱し、抵抗（２ａ）、　（２ｂ）の抵抗値
が小さい場合にけ焼損するという問題点があった。

本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもの
で、電界効果トランジスタの般壊を検出して各種の保護
動作を機能させ得るようにしたスイッチング装置を得る
ことを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係るスイッチング装置は、電界効果トランジス
タのゲート端子に直列に接続された抵抗素子に、温度セ
ンナを取付けたものである。

〔作用〕

本発明において、電界効果トランジスタが破壊すると、
ゲートに過大な電流が流れる。これにより抵抗素子は発
熱する。この発熱を温度センサが検知し、その検知出力
に基づいて電界効果トランジスタの駆動を停止１せる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例に係るインバータ装置を示す
ブロック図であり、（ｌａ）、　（１ｂ）　〜（７ａ）
。

ｇｂ）は上記従来装置と同一のものである。（８ａ）。

（８ｂ）は温度センサで、抵抗素子（２ａ）、　（２ｂ
）にそれぞれ取付けられる。この取付方法としては、例
えば第２図及び第６図に示す方法がある。すなわち、第
２図及び第６図において、（２）は抵抗素子、（９ａ）
。

（９ｂ）はそのリード線で、（８）は温度センサ、（１
０ａ）。

（１０ｂ）　Ｖｉそのリード線である。このような抵抗
素子（２）と温度センサ（８）とを適当な接着剤で一体
にしたり、或いはモールド底形により一体化して、抵抗
素子（２）と温度センサ（８）との間の熱抵抗を小さな
ものとしている。

更に、第１図の符号ａυは制御回路で、その詳細な回路
を第４図に示す。制御回路α］）は、発振器αａ、増幅
器（１３ａ）　、　（１３ｂ）　、及びインバータα４
から構成されている。増幅器（１３ａ）の出力端子（ト
）からけ点弧信号（７ａ）が、増幅器（１３ｂ）の出力
端子αＱからけ点弧信号（７ｂ）が送出される。なお、
増幅器（１３ｂ）は。

発振器（６）の出力がインバータα４を介して供給され
るので、その出力は増幅器（１３ａ）のそれとは位相が
１８０異なつ九反転信号となる。

また、増幅器（１３ａ）　、　（１３ｂ）にはそれぞれ
端子ってその接点が開成状態となると、増幅器（１３ａ
）。

（１３ｂ）はその出力が短絡されるように構成されてい
る。

上記のように構成されたインバータ装置においては、制
御回路αηから点弧信号（７ａ）、　（’ｂ）が交互に
送出され、ゲートドライブ回路（３ａ）、　（３ｂ）は
その信号に基づいてゲート電圧を送出する。これにより
、ＭＯ８型ＦＥＴ　　（１ａ）、　（１ｂ）は交互にオ
ン・オフをくり返し、出力端子（６）から所望の出力が
得られる。

例えばＭＯ８ｆｆｌＦＥＴ　　（１ａ）が何らかの原因
で破壊すると、そのゲートとソースの間が短絡し、抵抗
素子（２ａ）に大きな電流が流れる。この電流により抵
抗素子Ｇ２ａ）は元熱し、所定の温度以上になると温度
センサ（８ａ）の接点が開成されろ。この事は端子（１
７ａ）、　（１７ｂ）を介して増幅器（１３ａ）に伝え
られ、増幅器（１３ａ）の出力は短絡てれ、点弧信号（
７ａ）の送出は停止する。このためゲートドライブ回路
（３ａ）からはゲート電圧は送出でれず、抵抗素子（２
ａ）には電流が流れないのでその焼損はまぬがれる。

なお、上記の実施例でけＭＯ８型ＦＥＴ（１ａ）の破壊
により、ゲートドライブ回路（３ａ）からゲート電圧が
現われないようにした例を示したが、ゲートドライブ回
路（３ａ）、ｆ″３ｂ）の双方からゲート電圧が現われ
ないようにしてもよい。更に、温度センサ■ａ）、　（
ｓｂ）の出力に基づいて故障したＭＯ８型Ｆ’ＥＴの入
水又は異常状態の送水を併わせで行なうようにしてもよ
い、ま念、抵抗素子には面抵抗の他に、正の温度特性を
有する感熱抵抗素子を用いてもよい。

更に、上記の実施例ではインバータ装置の例について示
したが、本発明においてはこれに限定されるものではな
く、他のスイッチング装置に適用できることはいうまで
もない〇〔発明の効果〕本発明は以上説明したとおり、抵抗素子に温度センサを
取付けることにより、電界効果トランジスタの破壊を検
出し、これにより抵抗素子等の適切な保護を可能にして
いる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るインバータ装置のブロ
ック図、第２図及び第６図は抵抗素子と温間センサとの
取付構造を示す正面図及び側面図、第４図は第１図の制
御回路のブロック図、第５図は従来のインバータ装置の
ブロック図である。（Ｉａ）、　（１ｂ）　・・−ＭＯ８型ＦＥＴ　　−（
２ａ）、　（２ｂ）　−抵抗素子、Φａ）、（８ｂ）・
・・温度センサ。なお、図中同一符号は同−又は相当部を示すものとする
。代理人　弁理士　佐　藤　正　年第１図第２図　　　　第３図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）スイッチング素子として電界効果トランジスタを
使用し、この電界効果トランジスタのゲート端子に直列
に抵抗素子を接続してなるスイッチング装置において、
前記抵抗素子に取付けられた温度センサを備え、該温度
センサの出力により電界効果トランジスタの駆動を停止
するようにしたことを特徴とするスイッチング装置。
（２）抵抗素子として固定抵抗を使用したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のスイッチング装置。
（３）抵抗素子として正の温度特性を有する感熱素子を
使用したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
スイッチング装置。