JPS62198853A - レジスト塗布方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばフォトマスクブランクの遮光性膜を所
望パターンに加工してフォトマスクを形成する際や、そ
のようなフォトマスクを用いて液晶パネル等の透明電極
を形成する際などに用いられるレジストの塗布方法に関
する。

〔従来の技術〕

従来、例えば８インチ×１０インチＸ　０．０９インチ
というような大形のソーダライムガラス基板に、クロム
からなる遮光性膜を形成してなるフォトマスクブランク
上にレジスト膜を形成する方法として、ロールコート法
と呼ばれる方法がある。

これは、フォトマスクブランクをコンベアベルト上に載
置して移動させる一方、上方に配置したコーティングロ
ールにレジストを供給すると、ロールの外周面に沿って
運ばれたレジストがフォトマスクブランクの遮光性膜上
に塗布されるもので、レジスト膜の膜厚は、遮光性膜と
ロールとの間隔によって最終的に規定される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、このような従来のロールコート法によるレジス
ト塗布方法では、コーティングロールの材質、ロールの
表面に刻まれた溝の不均一、回転むらなどによると考え
られる膜厚のばらつきが生じ、大形の液晶等のディスプ
レイパネルやフォトマスクのパターンを高精細に製作す
ることができなかった。すなわち、例えば前述したよう
な８インチ×１０インチの面内で５００ＯＡ　　あるい
は１００００Ａ　の基準値に対して±１０００〜１５０
０Ａ以上ものばらつきが生ずると、パターン幅が一定に
ならなかったシ、うねりを生じたシして、パターン幅が
１０μｍ　未満のパターンを製作することはできなかっ
た。

〔問題点を解決するだめの手段〕

この発明は、ロールコート法において、一定方向にレジ
ストの塗布を行なった後、方向を変えて再度塗布する工
程を設は友ものである。

〔作用〕

先の塗布工程で膜厚を少なめに設定しておき、最終の塗
布工程で所望の膜厚の、しかもばらつきの緩和されたレ
ジスト膜が得られる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例に用いるロールコータの平面
図、第２図は正面図である。次に、このロールコータ２
０を用いてレジストを塗布する方法を説明する。

まず、第３図に示すように主表面が８インチ×１０イン
チの長方形（すなわち主寸法は１０インチ）で厚さが０
．０９インチの石英からなる基板１１に、被エツチング
層としてＣｒからなる遮光性膜１２をスパッタ法によ、
！１１７５ＯＡの膜厚に付着し、フォトマスクブランク
１０を製作する。

次に、第１図および第２図に示したロールコータ２０に
おいて、ドクターロール２１のコーティングロール２２
への押込み量を正確に調整する０これらのロール２１．
２２は円柱状で、その軸は互いに平行に設定しておる。

次いでこのドクターロール２１とコーティングロール２
２　ト（７）間Ｋ、ノズル２３からレジスト液３０を滴
下し、両ロールの外周面に広げた。レジストは、ナフト
キノ／ジアジドとフェノールノボラック樹脂とからなる
感光材料を溶質とし、主たる溶媒としてセロソルブアセ
テートを用いた市販のレジスト（本実施例では動粘度が
３０センチストークスのヘキスト社製ＡＺ−８１６−２
９）を用いた。コーティングロール２２の外周面には、
幅が４００μｍ１深さが１５０〜２００μｍの溝がらせ
ん状に刻んであシ、レジストはこの溝に導かれるように
して全面に広がる０ 一方、先に用意したフォトマスクブランク１０を、遮光
性膜１２を上に向け、第１図（ａ）に示したように、矢
印で示したコンベアベルト２４の移動方向を長辺方向と
してコンベアベルト２４上に載置シ、コンベアベルト２
４を毎分４，６ｍのスピードで駆動する。

この結果、フォトマスクブランク１０力予コーテイング
ロール２２の下を通る際に、コーティングロール２２の
周面に付着しているレジスト液３０が遮光性膜１２上に
塗布される０この遮光性膜１２上に塗布されるレジスト
ａの膜厚は、ドクターロール２１のコーティングロール
２２に対する押込み量および遮光性膜１２とコーティン
グロール２２との間隔によって設定される。この間隔の
設定は、支持台２５の高さを調整することによって行な
われる。本実施例では、この第１回目の塗布による膜厚
は１１０００　Ａに設定した。

次に、今度は第１図（ｂ）に示したようにフォトマスク
ブランク１０の短辺方向をコンベアベルト２４の移動方
向として同様にレジスト３０を再塗布する。この結果、
遮光性膜１２上に形成されたレジスト膜の膜厚は１２（
＞００　ｇとなったが、１回目の塗布の段階でｌ１００
ＯＡの膜厚に対して±１５００Ａあったばらつきが２回
目の塗布の後では１２００Ａに対して±２００Ａと大幅
に減少した。

このようにレジスト膜を形成したフォトマスクブランク
は、次にコンペクショナルオープン内に入れ、９０℃の
温度で３０分間プリベークを行なった。その後、オープ
ンから取り出したレジスト膜付きフォトマスクブランク
に対し、５μｍ幅のパターンを有するフォトマスクを通
した露光を行ない、Ａｚ専専用デベロッパ液液よって約
６０秒間現像を行なってレジストパターンを形成した。

最後に、硝酸第２セリウムアンモンと過塩素酸との混合
液で露出している遮光性膜１２をエツチングした。この
エツチングによシ形成されたパターン幅を測定したとこ
ろ、５±０．２μｍで、従来得られ々かったパターンの
幅が一定でうねυのないシャープな微細パターンを得る
ことができた０このように本実施例では、３０センチス
トークスという比較的高粘度のレジスト液を使用したに
もかかわらず、１回の塗布後、方可を９０°変えて再塗
布することによって均一な膜厚のレジスト膜が得られ、
高精度のパターンが得られた。

なお、上述した実施例において、先にフォトマスクブラ
ンク１０の短辺方向に塗布し、次いで長辺方向に変えて
再塗布しても同様の効果が得られる０ また、レジスト液の動粘度を３０七ンチス）−クスとし
たが、これは１０〜６０センチストークスの範囲が望ま
しい。１０センチストークス未Ｓではレジスト液内の溶
媒の量が多すぎて、容易にレジスト膜が形成できず、逆
に６０センチストークスを越えるとレジスト膜を２００
００　Ａ以下にすることができなくなり、高解像度が得
られにくくなる。換言すれば、重ね塗シを行なって最終
的に得られる膜厚は２００００Ａ以下とすることが望ま
しい。

さらにレジスト液は、他のレジスト液、例えばナフトキ
ノンジアジドとクレゾールノボラック樹脂とからなる感
光性材料を含有するレジスト液であってもよい。この場
合も、動粘度は１０〜６０七ンテストークスの範囲が望
ましい。

また、レジスト膜厚は第１回目でｌ１００ＯＡ。

最終的に１２０００Ｘとしたが、一般ニ４０００　Ｘ以
上２００００Ａ未満の範囲であれば、方向を変えて塗布
することＫよυ膜厚のばらつきは±２００Ａ程度に抑え
ることができる。

また、上述した実施例では、１回目と２回目で塗布方向
を９０回転した。この回転角度は、特に限定されるもの
ではない（ただし１８ｏ０は除く）が、望ましくは４５
〜１３５°、さらに好ましくは８０〜１００の範囲にす
ることが、膜厚のばらつきを抑えるために有効である。

以上、フォトマスクブランク上にレジストを塗布し、フ
ォトマスクを製作する場合について説明したが、液晶そ
の他のディスプレイパネルや太陽電池の透明導電膜、さ
らにはシリコンウェハ等の半導体基板をパターモングす
る際にも、本発明は同様に適用できる。これら被塗布基
板の形状は矩形に限らず円形、楕円形等任意である。ま
た寸法も限定されないが、特に８インチ以上のような大
形のものについては、従来方法によった場合ばらつきが
大きくなることから、本発明は特に有用である。

直接レジストが塗布されることとなる被エツチング層は
、フォトマスクブランクであれば遮光性膜、例えば””
％　Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の金属やこれらの酸化物、窒化物
、炭化物、ケイ化物等であるが、上述したようにディス
プレイパネルや太陽電池では透明導電膜であり、さらに
シリコンウェハ等ではその半導体基板そのものである。

また、この被エツチング層は単層とは限らない。

なお、塗布方向を変えて行なうレジストの再這布は、先
の塗布後、即時に行なわなければならないものではない
が、先のレジスト膜が乾燥してしまった後で塗シ重ねる
と、上下層間で感度差が生ずることが考えられるため、
先のレジスト膜の形成後グリベーク等は行なわず、常温
ないし４０’Ｃ以下程度に保つことが望ましい。

また、１台のロールコータを用い、被塗布基板を方向を
変えてこのロールコータに再投入することによって再塗
布してもよいが、複数のロールコータをコンベアベルト
の移動方向に沿って並べ、間にターンテーブルのような
基板の回転機構を設けて連続して行なうようにすれば、
生産性が向上する。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によればレジストを一定方
向に塗布した後、方向を変えて再度塗布することによシ
、膜厚のばらつきの少ないレジスト膜が形成でき、高精
度のパターンを形成することが可能となシ、特に大形の
基板の場合にはきわめて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示す図で、第
１図はロールコータの平面図、第２図はその正面図、第
３図は被塗布基板としてのフォトマスクブランクの断面
図である。 １０・・・拳フォトマスクブランク（被塗布基板）、２
Ｏ−−、、ロールコータ、２２・φ・・コーティングロ
ール、３０・・争ψレジスト液。 区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ロールコート法によるレジスト塗布方法において、一定
   方向に塗布した後、方向を変えて再度塗布する工程を有
   することを特徴とするレジスト塗布方法。