JPS62198029A - 電子管陰極 - Google Patents
電子管陰極Info
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- JPS62198029A JPS62198029A JP61041050A JP4105086A JPS62198029A JP S62198029 A JPS62198029 A JP S62198029A JP 61041050 A JP61041050 A JP 61041050A JP 4105086 A JP4105086 A JP 4105086A JP S62198029 A JPS62198029 A JP S62198029A
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Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はディスプレイ用陰極線管などの電子管に用い
られる傍熱形の陰極に関し、特にその電子放射特性の向
上を図ったものである。
られる傍熱形の陰極に関し、特にその電子放射特性の向
上を図ったものである。
従来、この種の陰極には、ニッケルを生成分とする基体
金属上にBa f含むアルカリ土類金属酸化物層を被着
形成した陰極が用いられているが最近ディスプレイ用陰
極線管や撮像管の高精細度化に伴って、高電流密度で使
用する要求が強くなってきている。
金属上にBa f含むアルカリ土類金属酸化物層を被着
形成した陰極が用いられているが最近ディスプレイ用陰
極線管や撮像管の高精細度化に伴って、高電流密度で使
用する要求が強くなってきている。
しv)Lながら、従来の陰極では、0.5〜0.8 A
/mの電流密度での使用が限界であり、これ以上の電流
密度で使用すると陰極の寿命が短くなるという問題が生
じる。
/mの電流密度での使用が限界であり、これ以上の電流
密度で使用すると陰極の寿命が短くなるという問題が生
じる。
1N2図はディスプレイ用陰極線管や撮像管に用いられ
ている陰極の構成を示す縦断面図で、(1)は519M
g等の還元性元素を微量含むニッケルからなる基体金属
、(2)は基体金属(1)の面上に被着形成されている
電子放射物質層で、 Ba 、 Sr 、 Ca の
三元アルカリ土類金属酸化物で形成され遊離Baが含ま
れている。(3)は基体金属〔1)を介して電子放射物
質層(2)を加熱するヒータである。アルカリ土類金属
酸化物層(2)は、 Ba 、 Sr 、 Caの複合
炭酸塩粉末をバインダ溶液中に懸濁させた塗布液を、ス
フレなどの方法によって基体金属(1)の面上に塗布し
、真空排気工程においてヒータ(3)によっテ加熱して
炭酸塩から酸化9勿に変える分解工程と、さらに900
〜1100”cに加熱してその酸化物の一部を還元して
酸素を取り除き、半導体的性質を有するようにする活性
化工程とを施して電子放射性を得ている。基体金属(1
)の中5こ微量のSi 、 Mgなどの還元性元素を含
有させているのは、活性化工程蚤こおし)で還元反応を
行なわせるためである。すなわち基体金属(1)中の還
元性元素は、拡散によりアルカリ土類金属酸化物と基体
金属[1)との界面に移動してアルカリ土類金属酸化物
と反応する。例えばBaOは以Fのように反応する。
ている陰極の構成を示す縦断面図で、(1)は519M
g等の還元性元素を微量含むニッケルからなる基体金属
、(2)は基体金属(1)の面上に被着形成されている
電子放射物質層で、 Ba 、 Sr 、 Ca の
三元アルカリ土類金属酸化物で形成され遊離Baが含ま
れている。(3)は基体金属〔1)を介して電子放射物
質層(2)を加熱するヒータである。アルカリ土類金属
酸化物層(2)は、 Ba 、 Sr 、 Caの複合
炭酸塩粉末をバインダ溶液中に懸濁させた塗布液を、ス
フレなどの方法によって基体金属(1)の面上に塗布し
、真空排気工程においてヒータ(3)によっテ加熱して
炭酸塩から酸化9勿に変える分解工程と、さらに900
〜1100”cに加熱してその酸化物の一部を還元して
酸素を取り除き、半導体的性質を有するようにする活性
化工程とを施して電子放射性を得ている。基体金属(1
)の中5こ微量のSi 、 Mgなどの還元性元素を含
有させているのは、活性化工程蚤こおし)で還元反応を
行なわせるためである。すなわち基体金属(1)中の還
元性元素は、拡散によりアルカリ土類金属酸化物と基体
金属[1)との界面に移動してアルカリ土類金属酸化物
と反応する。例えばBaOは以Fのように反応する。
2 BaO−h St = 2 Ba + 5i02B
aO” Mg = Ba ” MgOこの結果、アルカ
リ土類金属酸化物の一部が還元されて酸素欠乏型の半導
体となり、陰極温度・700〜joo℃ノ動作温度動作
温度−0,5〜0cIIノ電流密度で使用できる電子放
射物質層(21が得られる。従来の陰極が上記以上の電
流を取り出すことができないのは、 ■活性化工程番こおける還元反応の結果、基体金属(1
)と電子放射物質ノー(2)との界面に、S io 2
、 MgOなどの酸化物層(中間層)が形成され、こ
の中間層が高抵抗層となって電流の流れを妨げる。
aO” Mg = Ba ” MgOこの結果、アルカ
リ土類金属酸化物の一部が還元されて酸素欠乏型の半導
体となり、陰極温度・700〜joo℃ノ動作温度動作
温度−0,5〜0cIIノ電流密度で使用できる電子放
射物質層(21が得られる。従来の陰極が上記以上の電
流を取り出すことができないのは、 ■活性化工程番こおける還元反応の結果、基体金属(1
)と電子放射物質ノー(2)との界面に、S io 2
、 MgOなどの酸化物層(中間層)が形成され、こ
の中間層が高抵抗層となって電流の流れを妨げる。
■中間層か存在するために、アルカリ土類金属酸化物と
還元性元素との反応が抑制されて、十分な量のBaが生
成されないなどの理由によるものと考えられる。
還元性元素との反応が抑制されて、十分な量のBaが生
成されないなどの理由によるものと考えられる。
以上のように従来の陰極では、活性化工程において、金
属基体(1)とアルカリ土類金属酸化物層(21の界面
に中間層が生成されるため、高電流密度で使用できない
という問題点かあった。
属基体(1)とアルカリ土類金属酸化物層(21の界面
に中間層が生成されるため、高電流密度で使用できない
という問題点かあった。
この発明は上記問題点を解消するためになされたもので
、中間層の存在による高電流の電子放射の抑制及び遊離
Baの生成の抑制番こよる影響が低減でき、高電流密度
で使用できる陰極を得る事を目的とする。
、中間層の存在による高電流の電子放射の抑制及び遊離
Baの生成の抑制番こよる影響が低減でき、高電流密度
で使用できる陰極を得る事を目的とする。
この発明に係る陰極は、ニッケル基体上に被着形成する
電子放射物質層を、酸化スカンジウム(Sc40g )
粉末を分散して含むアルカリ土類金属酸化物からなるj
llの電子放射物質層と、このIJlの層上に設けた酸
化スカンジウムを含まないアルカリ土類金g酸化物から
なる第2の電子放射物質層との積層構造にしたものであ
る。
電子放射物質層を、酸化スカンジウム(Sc40g )
粉末を分散して含むアルカリ土類金属酸化物からなるj
llの電子放射物質層と、このIJlの層上に設けた酸
化スカンジウムを含まないアルカリ土類金g酸化物から
なる第2の電子放射物質層との積層構造にしたものであ
る。
〔作用]
ニッケル基体上1こ被着形成した酸化スカンジウム粉末
を含む第1の電子放射物質層は、中間層の形成をこよる
導電性の低下を防止し、史に、アルカリ土類金属酸化物
の中に分散している酸化スカンジウム粉末は、’g電子
放射物質層導電性を娼めるととも3こ、酸化スカンジウ
ムがアルカリ土類金属酸化物と反応して生成される複合
酸化物例えば(BaH8c409)が、陰極の作動中に
熱分解を起して遊離Baを生成し、熱電子の放射を増大
させる作用を行う。また、9E1の電子放射物質層の上
に積層して形成した第2の電子放射物質層は、酸化スカ
ンジウム粉末を含まない従来と同じ電子放射物質層を形
成するので、従来と同じメカニズムで遊離&を生成して
動作するため、安定した初期特性が得られる。
を含む第1の電子放射物質層は、中間層の形成をこよる
導電性の低下を防止し、史に、アルカリ土類金属酸化物
の中に分散している酸化スカンジウム粉末は、’g電子
放射物質層導電性を娼めるととも3こ、酸化スカンジウ
ムがアルカリ土類金属酸化物と反応して生成される複合
酸化物例えば(BaH8c409)が、陰極の作動中に
熱分解を起して遊離Baを生成し、熱電子の放射を増大
させる作用を行う。また、9E1の電子放射物質層の上
に積層して形成した第2の電子放射物質層は、酸化スカ
ンジウム粉末を含まない従来と同じ電子放射物質層を形
成するので、従来と同じメカニズムで遊離&を生成して
動作するため、安定した初期特性が得られる。
以下、この発明の一実施例を第1図により説明する。バ
リウム、ストロンキウム、カルシウムの三元炭酸塩粉末
に酸化スカンジウム粉末を5.0重量係添加して混合し
、これにニトロセルローズラッカー、酢酸ブチルを加え
てローリング混合して懸濁液を調整した。この懸濁液を
基体金属(1)上にスプレィ法により約40ミクロンの
厚さに塗布し、第1の電子放射物質層(2a)を形成す
る。次に、酸化スカンジウム粉末を添加しない従来の懸
濁液を上記と同じスプレィ法でff1lの電子放射物質
層(2a)の上蚤こ約40ミクロンの厚さ曇こ積層塗布
して、第2の電子放射物質層(2b)を形成し、電子放
射物質層(2)を作成する。次いで従来と同じ条件で排
気加熱工程および活性化工程を施して陰極を製作した。
リウム、ストロンキウム、カルシウムの三元炭酸塩粉末
に酸化スカンジウム粉末を5.0重量係添加して混合し
、これにニトロセルローズラッカー、酢酸ブチルを加え
てローリング混合して懸濁液を調整した。この懸濁液を
基体金属(1)上にスプレィ法により約40ミクロンの
厚さに塗布し、第1の電子放射物質層(2a)を形成す
る。次に、酸化スカンジウム粉末を添加しない従来の懸
濁液を上記と同じスプレィ法でff1lの電子放射物質
層(2a)の上蚤こ約40ミクロンの厚さ曇こ積層塗布
して、第2の電子放射物質層(2b)を形成し、電子放
射物質層(2)を作成する。次いで従来と同じ条件で排
気加熱工程および活性化工程を施して陰極を製作した。
図中、 QDはアルカリ土類金属炭酸塩が熱分解して出
来たアルカリ土類金属酸化物、c!2は酸化スカンジウ
ム粉禾で分散して含まれている状態を模式的に示したも
のである。
来たアルカリ土類金属酸化物、c!2は酸化スカンジウ
ム粉禾で分散して含まれている状態を模式的に示したも
のである。
このようにして製作した陰極を使用して2極真空管を作
成して試験したところ、陰極の動作温度700〜800
℃で1〜2 A/dの電子放射特性が得られ、従来に比
較して高電流密度で長期間使用できることが確認された
。
成して試験したところ、陰極の動作温度700〜800
℃で1〜2 A/dの電子放射特性が得られ、従来に比
較して高電流密度で長期間使用できることが確認された
。
上記実施例において、良好な電子放射が得られたのは、
つきの理由によるものと考えられる。
つきの理由によるものと考えられる。
■電子放射物層(2)のうち第1の電子放射物質層(2
a) lこ添加混合した酸化スカンジウム粉末のかアル
カリ土類金属酸化物0例えば、BaOと反応して生成さ
れた複合酸化物(BJLBS(!40G )が第1の電
子放射物質層C2m)内に分散しており−この複合酸化
物が陰極の動作中(こ熱分解を起こして遊離Baを生成
しやすくなる。従来の陰極における遊離Baの生成は、
基体金Ji (11中に微量含まれているSiや砲等の
還元素による還元反応に依存していたが、この実施例に
おいては複合酸化物の熱分解により生成された遊離Ba
が附加されるので、たとえ中間層により還元反応が抑制
されていたとしても遊離Baの量が不足することがない
。
a) lこ添加混合した酸化スカンジウム粉末のかアル
カリ土類金属酸化物0例えば、BaOと反応して生成さ
れた複合酸化物(BJLBS(!40G )が第1の電
子放射物質層C2m)内に分散しており−この複合酸化
物が陰極の動作中(こ熱分解を起こして遊離Baを生成
しやすくなる。従来の陰極における遊離Baの生成は、
基体金Ji (11中に微量含まれているSiや砲等の
還元素による還元反応に依存していたが、この実施例に
おいては複合酸化物の熱分解により生成された遊離Ba
が附加されるので、たとえ中間層により還元反応が抑制
されていたとしても遊離Baの量が不足することがない
。
■複合酸化物中のScの一部が遊離して金属スカンジウ
ムとなり、第1の電子放射物質層(ム)内金体に分布す
る。この金属スカンジウムの存在1こより電子放射物質
層(2)の導電性が高まり、中間層による導電性の低下
を補って、電子放射物質層(2)の導電性が向上する。
ムとなり、第1の電子放射物質層(ム)内金体に分布す
る。この金属スカンジウムの存在1こより電子放射物質
層(2)の導電性が高まり、中間層による導電性の低下
を補って、電子放射物質層(2)の導電性が向上する。
なお、上記実施例では、第1の電子放射物質層(2a)
に添加する酸化スカンジウム粉末については0.5重量
風温合した例を説明したか、酸化スカンジウムの混合量
が0.1重量係以下では効果が小さくて実用的でなく、
他方、混合量が20重重量風上になると、初期特性か悪
くなって実用的ではなかった。
に添加する酸化スカンジウム粉末については0.5重量
風温合した例を説明したか、酸化スカンジウムの混合量
が0.1重量係以下では効果が小さくて実用的でなく、
他方、混合量が20重重量風上になると、初期特性か悪
くなって実用的ではなかった。
以上のようにこの発明は、アルカリ土類金属炭酸塩粉末
に酸化スカンジウム粉末を混合して均一に分散させたも
のを基体金属の面上に被着させて第1の電子放射物質層
とし、酸化スカンジウムを含まないアルカリ土類金属炭
酸塩粉末からなる第2の電子放射物質層を9J1の電子
放射物質層上に積層して被着形成した電子放射物質層を
備えた陰極であるから、第1の電子放射物質l−内に分
散された酸化スカンジウムにより生成されている複合酸
化物憂こよる遊離Baの生成作用と、電子放射物質層の
導電性を高める作用とにより従来の陰極よりも高電流密
度で使用できる電子管陰極が得られる。
に酸化スカンジウム粉末を混合して均一に分散させたも
のを基体金属の面上に被着させて第1の電子放射物質層
とし、酸化スカンジウムを含まないアルカリ土類金属炭
酸塩粉末からなる第2の電子放射物質層を9J1の電子
放射物質層上に積層して被着形成した電子放射物質層を
備えた陰極であるから、第1の電子放射物質l−内に分
散された酸化スカンジウムにより生成されている複合酸
化物憂こよる遊離Baの生成作用と、電子放射物質層の
導電性を高める作用とにより従来の陰極よりも高電流密
度で使用できる電子管陰極が得られる。
第】図は本発明の電子管陰極の一例を示す断面模式図、
第2図は従来の電子管陰極の一例を示す縦断面図である
。 図において、(1)・・・基体金属、(2)・・・電子
放射物質層、(2a)・・・第1の電子放射物質層、(
2b)・・・第2の電子放射物質層、弼・・・アルカリ
土類金属酸化物、■・・・酸化スカンジウム粉末。 なお、図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
第2図は従来の電子管陰極の一例を示す縦断面図である
。 図において、(1)・・・基体金属、(2)・・・電子
放射物質層、(2a)・・・第1の電子放射物質層、(
2b)・・・第2の電子放射物質層、弼・・・アルカリ
土類金属酸化物、■・・・酸化スカンジウム粉末。 なお、図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)ニッケル基体金属の面上に、バリウムを生成分と
するアルカリ土類金属酸化物からなる電子放射物質層が
被着形成されている陰極において、上記電子放射物質層
は、酸化スカンジウム粉末が分散して含まれるアルカリ
土類金属酸化物からなり上記基体金属の面上に被着され
た第1の電子放射物質層と、酸化スカンジウムを含まな
いアルカリ土類金属酸化物からなり上記第1の電子放射
物質層上に被着された第2の電子放射物質層とから成る
ことを特徴とする電子管陰極。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4105086A JPH0782800B2 (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 電子管陰極 |
CA000513900A CA1270890A (en) | 1985-07-19 | 1986-07-16 | Cathode for electron tube |
US06/886,777 US4797593A (en) | 1985-07-19 | 1986-07-17 | Cathode for electron tube |
DE86305560T DE3689134T2 (de) | 1985-07-19 | 1986-07-18 | Kathode für Elektronenröhre. |
CN86104753.2A CN1004452B (zh) | 1985-07-19 | 1986-07-18 | 电子管用阴极 |
EP86305560A EP0210805B1 (en) | 1985-07-19 | 1986-07-18 | Cathode for electron tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4105086A JPH0782800B2 (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 電子管陰極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62198029A true JPS62198029A (ja) | 1987-09-01 |
JPH0782800B2 JPH0782800B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=12597576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4105086A Expired - Lifetime JPH0782800B2 (ja) | 1985-07-19 | 1986-02-25 | 電子管陰極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0782800B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01225032A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 電子管用陰極 |
JPH01235121A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電子管用陰極 |
US5122707A (en) * | 1988-02-02 | 1992-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode in a cathode ray tube |
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JPS4833677A (ja) * | 1971-09-03 | 1973-05-11 | ||
JPS4912758A (ja) * | 1972-05-12 | 1974-02-04 |
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1986
- 1986-02-25 JP JP4105086A patent/JPH0782800B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0782800B2 (ja) | 1995-09-06 |
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