JPS5949131A - 電子管陰極 - Google Patents
電子管陰極Info
- Publication number
- JPS5949131A JPS5949131A JP57160082A JP16008282A JPS5949131A JP S5949131 A JPS5949131 A JP S5949131A JP 57160082 A JP57160082 A JP 57160082A JP 16008282 A JP16008282 A JP 16008282A JP S5949131 A JPS5949131 A JP S5949131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkaline earth
- earth metal
- cathode
- metal oxide
- oxide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＴＶ用ジブラウン管どに用いられる電子管陰極
に関し、特に電子放射性酸化物層の改良に関する。
に関し、特に電子放射性酸化物層の改良に関する。
従来、ブラウン管などの電子管にはバリウム、ストロン
チウムおよびカルシウムの酸化物がニッケルを主成分と
する基体金属に被着された陰極が用いられてきた。しか
しながら、最近、ブラウン管や撮像管の高性能化にとも
なって、高電流密度の陰極に対する要求が強くなってき
た。従来の陰極では０．５〜０．８Ａ／ｄ の電流密
度が限界であシ、これ以上の電流をとシ出すと、陰極の
寿命が短くなる。
チウムおよびカルシウムの酸化物がニッケルを主成分と
する基体金属に被着された陰極が用いられてきた。しか
しながら、最近、ブラウン管や撮像管の高性能化にとも
なって、高電流密度の陰極に対する要求が強くなってき
た。従来の陰極では０．５〜０．８Ａ／ｄ の電流密
度が限界であシ、これ以上の電流をとシ出すと、陰極の
寿命が短くなる。
図は従来、ブラウン管や撮像管に用いられている陰極を
示すものであシ、Ｓｉ 、Ｚｒ 、Ｍｆ 、ｆｉＪ、Ｗ
などの還元性元素を含むＮｉ基体（１）の上に、Ｂａ、
ｓｒ。
示すものであシ、Ｓｉ 、Ｚｒ 、Ｍｆ 、ｆｉＪ、Ｗ
などの還元性元素を含むＮｉ基体（１）の上に、Ｂａ、
ｓｒ。
Ｃａのアルカリ土類金属酸化物からなる電子放射物質（
２）が被覆され、ヒータ（３）によって加熱される。
２）が被覆され、ヒータ（３）によって加熱される。
通常、上記電子放射物質（２）は、１３ａ、Ｓｒ、Ｃａ
の炭酸塩でＮｉ基体（１）に塗布され、真空中で加熱し
て炭酸塩から炭化物にかえる分解過程と、さらに酸化物
の一部を還元して酸素なとシ除き、半導体的性質を有す
るようにする活性化の過程を経る。これによって初めて
電子放射を得ることが可能となる。 ゛上記Ｎｉ基体
（１）のなかに８１． Ｍｙ 、 Ａｉ、などの元素を
含有させているのは、上記還元反応２行なわせるためで
ある。すなわち、ＮＩ基体（１）中の上記還元性元素は
、拡散によジアルカリ土類金属酸化物とＮｉ基体（１）
の界面に移動し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。
の炭酸塩でＮｉ基体（１）に塗布され、真空中で加熱し
て炭酸塩から炭化物にかえる分解過程と、さらに酸化物
の一部を還元して酸素なとシ除き、半導体的性質を有す
るようにする活性化の過程を経る。これによって初めて
電子放射を得ることが可能となる。 ゛上記Ｎｉ基体
（１）のなかに８１． Ｍｙ 、 Ａｉ、などの元素を
含有させているのは、上記還元反応２行なわせるためで
ある。すなわち、ＮＩ基体（１）中の上記還元性元素は
、拡散によジアルカリ土類金属酸化物とＮｉ基体（１）
の界面に移動し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。
例えばＢａＯは以下のように反応する。
２ＢａＯ＋５ｉ−２Ｂａ＋ＳｉＯ２
この結果、Ｎｉ基体（１）上に塗布したアルカリ土類金
属酸化物の一部が還元され酸素欠乏型の半導体となり、
陰極温度７００〜８００℃の動作温度で０．５〜０．８
Ａ／ｃｎ！の電子放射が得られる。これ以上の電流を
とシ出すことができない理由として、上記還元反応の結
果、Ｎｉ基体（１）とアルカリ土類金属酸化物との界面
に、５ｉＱ２．Ｍ２Ｏなどの酸化物層（これを中間層と
云う）が形成され、この中間層が高抵抗層となって電流
の流れを妨げること、また上記中間層が存在するために
アルカリ土類金属酸化物と還元性元素との反応が抑制さ
れ、十分なりａが生成されないことなどが考えられる。
属酸化物の一部が還元され酸素欠乏型の半導体となり、
陰極温度７００〜８００℃の動作温度で０．５〜０．８
Ａ／ｃｎ！の電子放射が得られる。これ以上の電流を
とシ出すことができない理由として、上記還元反応の結
果、Ｎｉ基体（１）とアルカリ土類金属酸化物との界面
に、５ｉＱ２．Ｍ２Ｏなどの酸化物層（これを中間層と
云う）が形成され、この中間層が高抵抗層となって電流
の流れを妨げること、また上記中間層が存在するために
アルカリ土類金属酸化物と還元性元素との反応が抑制さ
れ、十分なりａが生成されないことなどが考えられる。
本発明はこの欠点の改善をはかるためになされたもので
あシ、アルカリ土類金属酸化物に周期律表のＷａ族、■
族、ＩＹｂ族、Ｖｉａ族、Ｗａ族、ｖｍ族の金属の炭化
物のうち少なくとも１種の粉末を混合させた電子放射物
質を被着させたことを特徴とするものである。
あシ、アルカリ土類金属酸化物に周期律表のＷａ族、■
族、ＩＹｂ族、Ｖｉａ族、Ｗａ族、ｖｍ族の金属の炭化
物のうち少なくとも１種の粉末を混合させた電子放射物
質を被着させたことを特徴とするものである。
以下、本発明の具体的実施例を説明する。Ｂａ。
Ｓｒ、Ｃａの三元炭酸塩に炭化珪素の粉末を１．０重量
％添加し、これにニトロセルローズラッカー、酢酸ブチ
ルなどを加えて混合して懸濁液を作成した。
％添加し、これにニトロセルローズラッカー、酢酸ブチ
ルなどを加えて混合して懸濁液を作成した。
これをＳｉ、Ｍｆなどの還元性元素を含むＮｉ基体にス
゛プレイによって約１００μｍの厚みで塗布した。この
ように作成した陰極をブラウン管に実装して試験し、ま
たこの陰極を使用して２極真空管を作製して試験したと
ころ、陰極の温度７００〜８００°Ｃで１〜２ＡＡの電
子放射が得られ、従来に比較して高電流が得られること
が確認された。
゛プレイによって約１００μｍの厚みで塗布した。この
ように作成した陰極をブラウン管に実装して試験し、ま
たこの陰極を使用して２極真空管を作製して試験したと
ころ、陰極の温度７００〜８００°Ｃで１〜２ＡＡの電
子放射が得られ、従来に比較して高電流が得られること
が確認された。
本発明において良好な電子放射を得られる理由は、アル
カリ土類金属酸化物に添加したＳｉＣ粉末によって、Ｎ
ｉ基体からアルカリ土類金属酸化物層表面までの導電性
がよくなったこと、およびＳｉＣ粉末がアルカリ土類金
属酸化物層のなかに含まれているので、このＳｉＣ粉末
によってアルカリ土類金属酸化物が還元され、活性化が
十分に良く行なわれるためと考えられる。
カリ土類金属酸化物に添加したＳｉＣ粉末によって、Ｎ
ｉ基体からアルカリ土類金属酸化物層表面までの導電性
がよくなったこと、およびＳｉＣ粉末がアルカリ土類金
属酸化物層のなかに含まれているので、このＳｉＣ粉末
によってアルカリ土類金属酸化物が還元され、活性化が
十分に良く行なわれるためと考えられる。
本発明において、アルカリ土類金属酸化物に添加するＳ
ｉＣ粉末の添加量につ゛いて検討したところ、（）１％
〜１０チの範囲が良い。この量が１０％を越えると・還
元作用が強すぎて、過剰のＢａが生成され、陰極の寿命
が短かくなる。また００１％よシ少ないと、酸化物層の
還元の度合が小さい。
ｉＣ粉末の添加量につ゛いて検討したところ、（）１％
〜１０チの範囲が良い。この量が１０％を越えると・還
元作用が強すぎて、過剰のＢａが生成され、陰極の寿命
が短かくなる。また００１％よシ少ないと、酸化物層の
還元の度合が小さい。
上記発明において、ＳｉＣ粉末の代シにＭｇ２Ｃ。
ＬａＣ２、ＷＣ、Ｍ’ｎＣ、Ｆｅ５Ｃなどの粉末を使用
して、上記と同様の試験を行なったところ、同様の効果
が得られた。またＷａ族、■族、■ｂ族、Ｗａ族、Ｗａ
族、■族の金属の炭化物を使用してもよいことは明白で
ある。
して、上記と同様の試験を行なったところ、同様の効果
が得られた。またＷａ族、■族、■ｂ族、Ｗａ族、Ｗａ
族、■族の金属の炭化物を使用してもよいことは明白で
ある。
なお、本発明において、上記炭化物を夫々単独に混合し
ても良いが、これらを混合して使用しても艮いととは勿
論である。
ても良いが、これらを混合して使用しても艮いととは勿
論である。
以上説明したように、本発明による電子管陰極において
は、生成中がニッケルからなる基体に、アルカリ土類金
属酸化物に周期律表のＷａ族、■族、ｆｆｂ族、Ｗａ族
、Ｗａ族、Ｖｌ族の金属の炭化物の少なくとも１種を混
合させた電子放射物質を被着させたことによシ、酸化物
層の導電性が増加し、また活性化が十分に行なわれる効
果が生じ、その結果従来よシも高電流密度の電子管陰（
寅を得ることができる。
は、生成中がニッケルからなる基体に、アルカリ土類金
属酸化物に周期律表のＷａ族、■族、ｆｆｂ族、Ｗａ族
、Ｗａ族、Ｖｌ族の金属の炭化物の少なくとも１種を混
合させた電子放射物質を被着させたことによシ、酸化物
層の導電性が増加し、また活性化が十分に行なわれる効
果が生じ、その結果従来よシも高電流密度の電子管陰（
寅を得ることができる。
図は、電子管陰極の一例を示す要部断面図である。
図において、（１）は基体、（２〕は電子放射物質、（
３）はヒータを示す。 代理人 葛野 信−
３）はヒータを示す。 代理人 葛野 信−
Claims (1)
- 主成分がニッケルからなる基体金属に、バリウムを含む
アルカリ土類金属酸化物層を被着形成した陰極において
、上記アルカリ土類金属酸化物に周期律表ｃ７）Ｉｌａ
族、■族、ｌＶｂ族、％’ｌａ族、■ａ族、■族の金属
の炭化物の少なくとも１種が混合されてなることを特徴
とする電子管陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160082A JPS5949131A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 電子管陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160082A JPS5949131A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 電子管陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949131A true JPS5949131A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=15707473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57160082A Pending JPS5949131A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 電子管陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949131A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9500286A (nl) * | 1994-10-12 | 1996-05-01 | Samsung Display Devices Co Ltd | Cathode voor electronenbuis. |
| NL1003086C2 (nl) * | 1995-10-30 | 1998-05-14 | Samsung Display Devices Co Ltd | Kathode voor een elektronenbuis. |
| EP1288997A1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Osram-Sylvania Inc. | Cathode coating for thermionic arc discharge lamp cathodes |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP57160082A patent/JPS5949131A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9500286A (nl) * | 1994-10-12 | 1996-05-01 | Samsung Display Devices Co Ltd | Cathode voor electronenbuis. |
| NL1003086C2 (nl) * | 1995-10-30 | 1998-05-14 | Samsung Display Devices Co Ltd | Kathode voor een elektronenbuis. |
| EP1288997A1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Osram-Sylvania Inc. | Cathode coating for thermionic arc discharge lamp cathodes |
| JP2003151490A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-05-23 | Osram Sylvania Inc | 熱電子陰極のための電子放出被膜、熱電子陰極、アーク放電ランプ |
| JP4681202B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2011-05-11 | オスラム シルヴェニア インコーポレイテッド | 熱電子陰極のための電子放出被膜、熱電子陰極、アーク放電ランプ |
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