JPS6219707A - 膜厚の測定方法 - Google Patents
膜厚の測定方法Info
- Publication number
- JPS6219707A JPS6219707A JP15865485A JP15865485A JPS6219707A JP S6219707 A JPS6219707 A JP S6219707A JP 15865485 A JP15865485 A JP 15865485A JP 15865485 A JP15865485 A JP 15865485A JP S6219707 A JPS6219707 A JP S6219707A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- waveform
- thickness
- current
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ＪＩｌ要］
本発明は、膜厚の測定方法であって、１０００Å以下の
極めて薄い膜厚を測定する方法であり、また被測定膜を
非接触、非破壊で膜厚を測定するために、成膜した膜面
に加速電圧を変化した矩形波の電子ビームを投射するこ
とにより、膜を流れる矩形波の電子ビーム電流の波形を
観測し、予め求めである、膜厚と加速電圧と波形との相
関を求めた図表と対照することにより膜厚の測定を行う
ものである。
極めて薄い膜厚を測定する方法であり、また被測定膜を
非接触、非破壊で膜厚を測定するために、成膜した膜面
に加速電圧を変化した矩形波の電子ビームを投射するこ
とにより、膜を流れる矩形波の電子ビーム電流の波形を
観測し、予め求めである、膜厚と加速電圧と波形との相
関を求めた図表と対照することにより膜厚の測定を行う
ものである。
［産業上の利用分野］
本発明は、膜厚の測定方法に係わり、特に矩形波の電子
ビームを使用することによる極薄膜の厚みの測定方法に
関する。
ビームを使用することによる極薄膜の厚みの測定方法に
関する。
半導体装置の高集積化が進み、高密度化と緻密化により
、パターニングが微細になると共に、成膜される膜厚も
極めて薄い膜形成が必要になり、さらにその膜厚を正確
に測定することが要求されるようになった。
、パターニングが微細になると共に、成膜される膜厚も
極めて薄い膜形成が必要になり、さらにその膜厚を正確
に測定することが要求されるようになった。
従来、１０００Å以下程度の薄膜では、膜厚の測定には
被測定膜に厚みの段差を形成し、それに光を投射して、
光学的反射法により測定するか、光学的な干渉光を利用
して膜厚を測定する方法等が採用されている。
被測定膜に厚みの段差を形成し、それに光を投射して、
光学的反射法により測定するか、光学的な干渉光を利用
して膜厚を測定する方法等が採用されている。
しかしながら、この場合には、被測定物を破壊すること
になり、また、微小領域の膜厚を光学的な手段で測定す
るためには原理的に不利であり、精度も不正確になると
いう欠点がある。
になり、また、微小領域の膜厚を光学的な手段で測定す
るためには原理的に不利であり、精度も不正確になると
いう欠点がある。
このよ°うな理由から、被測定物を非接触で非破壊の状
態で、小面積の薄い膜厚でも正確に測定できる方法が要
望されている。
態で、小面積の薄い膜厚でも正確に測定できる方法が要
望されている。
［従来の技術］
第５図は、従来の膜厚を測定するための模式要部断面図
である。
である。
被測定物が光反射性であるシリコン等の場合には、下層
物体１を例えばシリコンとし、その表面に薄膜２として
、例えば二酸化シリコン膜があるものとし、その二酸化
シリコン膜の膜厚を測定する場合には、薄膜２を破壊し
て段差３を形成し、−その段差部分に、膜厚とほぼ同程
度の波長を有する、例えば波長が約６０００人のタリウ
ム光源等を用いた矢印のような光を投射して、それぞれ
の段差の差異による反射光をディスプレイ装置４に描画
して、その画像５から、膜厚を測定する方法が広く採用
されている。
物体１を例えばシリコンとし、その表面に薄膜２として
、例えば二酸化シリコン膜があるものとし、その二酸化
シリコン膜の膜厚を測定する場合には、薄膜２を破壊し
て段差３を形成し、−その段差部分に、膜厚とほぼ同程
度の波長を有する、例えば波長が約６０００人のタリウ
ム光源等を用いた矢印のような光を投射して、それぞれ
の段差の差異による反射光をディスプレイ装置４に描画
して、その画像５から、膜厚を測定する方法が広く採用
されている。
第６図は、従来の他の測定方法として、下層物体６の上
層に光透過性の薄膜７の膜厚を測定する際に採用される
もので、被測定物の薄膜７に斜め方向から投射光８を投
射し、薄膜７を透過して基板６から反射される反射光９
と、薄膜６の表面から反射される反射光１０との位相差
の比較から、薄膜の厚みを求める方法である。
層に光透過性の薄膜７の膜厚を測定する際に採用される
もので、被測定物の薄膜７に斜め方向から投射光８を投
射し、薄膜７を透過して基板６から反射される反射光９
と、薄膜６の表面から反射される反射光１０との位相差
の比較から、薄膜の厚みを求める方法である。
このような従来の方法では、光の被測定物からの光反射
や光屈折が、膜厚測定領域との形状にも関連して複雑に
なり、その結果測定精度が低く、また被測定物に段差を
形成する場合には、被測定物を破壊しなければならぬと
いう欠点がある。
や光屈折が、膜厚測定領域との形状にも関連して複雑に
なり、その結果測定精度が低く、また被測定物に段差を
形成する場合には、被測定物を破壊しなければならぬと
いう欠点がある。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の光学的方法による膜厚測定方法では、被測定物を
破壊して段差を形成するとか、また被測定物の複雑な光
学的特性のために、精度が低く、さらに小面積領域の膜
厚が測定不可能等の問題がある。
破壊して段差を形成するとか、また被測定物の複雑な光
学的特性のために、精度が低く、さらに小面積領域の膜
厚が測定不可能等の問題がある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、上記問題点を解決した膜厚の測定方法を提供
するもので、その解決の手段は、予め、電子ビーム波形
がパルス状の電子ビームを、複数の厚みの異なる膜の表
面に印加して、それぞれの膜厚に対応した膜の導通電流
波形の印加時からピーク値迄の遅れ時間とを測定して、
膜厚と加速電圧および電流波形のピーク迄の遅れ時間と
の相関関係を求めておき、実際に、成膜した膜の厚みを
測定する際には、その膜に矩形波の電子ビームを印加し
て、その膜内に流れる電流波形から、電圧印加時からピ
ーク値迄の遅れ時間を測定し、この測定値を既知の相関
関係と比較することで、膜の膜厚を測定するように考慮
したものである。
するもので、その解決の手段は、予め、電子ビーム波形
がパルス状の電子ビームを、複数の厚みの異なる膜の表
面に印加して、それぞれの膜厚に対応した膜の導通電流
波形の印加時からピーク値迄の遅れ時間とを測定して、
膜厚と加速電圧および電流波形のピーク迄の遅れ時間と
の相関関係を求めておき、実際に、成膜した膜の厚みを
測定する際には、その膜に矩形波の電子ビームを印加し
て、その膜内に流れる電流波形から、電圧印加時からピ
ーク値迄の遅れ時間を測定し、この測定値を既知の相関
関係と比較することで、膜の膜厚を測定するように考慮
したものである。
本発明は、ある物質に所定の加速電圧で加速された電子
ビームを投射すると、電子ビームがその物質に浸入する
到達深さは、その物質に固有の密度と、電子ビームの加
速電圧にのみ関係し、従って膜厚よりも電子の到達深さ
が大きければ、膜の導通電流が原型の矩形波の波形と同
形のまま貫通電流（波形のピーク値が立ち上がり時とほ
ぼ一致）となるし、反対に膜厚よりも電子の到達深さが
小であれば、膜の導通電流は原型の矩形波の波形とかな
り異なる波形の貫通電流（矩形波が山型になり、ピーク
値が立ち上がり時から遅れる）になることを利用したも
のである。
ビームを投射すると、電子ビームがその物質に浸入する
到達深さは、その物質に固有の密度と、電子ビームの加
速電圧にのみ関係し、従って膜厚よりも電子の到達深さ
が大きければ、膜の導通電流が原型の矩形波の波形と同
形のまま貫通電流（波形のピーク値が立ち上がり時とほ
ぼ一致）となるし、反対に膜厚よりも電子の到達深さが
小であれば、膜の導通電流は原型の矩形波の波形とかな
り異なる波形の貫通電流（矩形波が山型になり、ピーク
値が立ち上がり時から遅れる）になることを利用したも
のである。
そのため、予め、それぞれ異なる厚みの物質について、
加速電圧をパラメータにして膜を貫通する矩形波の電流
波形を測定すると、その物質について、加速電圧、波形
のピーク値迄の遅れ時間。
加速電圧をパラメータにして膜を貫通する矩形波の電流
波形を測定すると、その物質について、加速電圧、波形
のピーク値迄の遅れ時間。
膜厚の相関関係が得られる。
この既知の相関関係を利用して、実際の膜面に矩形波の
電子ビームを投射して、その膜面貫通電流波形から、膜
厚を測定するものである。
電子ビームを投射して、その膜面貫通電流波形から、膜
厚を測定するものである。
［実施例］
一般に、物質に電子ビームを投射すると、電子はその物
質の成る深さ迄到達するが、この場合に周知の下記の式
が成立する。
質の成る深さ迄到達するが、この場合に周知の下記の式
が成立する。
Ｒｇ ””４．６ｘｌＯ−６Ｅ ／ Ｉ） （１
）（１）式で、 Ｒｇ−物質内の電子の到達深さくｃｍ）ρ ＝物質の密
度 （ｇ／ ｃｎｌ） Ｅ −電子ビームの加速電圧（ＫＶ） 従って、加速電圧が大きい程、また密度が小である程、
電子はその物質の深い部分まで到達し、反対に加速電圧
が小で、密度が大である程、電子はその物質の浅い部分
までしか到達できない。
）（１）式で、 Ｒｇ−物質内の電子の到達深さくｃｍ）ρ ＝物質の密
度 （ｇ／ ｃｎｌ） Ｅ −電子ビームの加速電圧（ＫＶ） 従って、加速電圧が大きい程、また密度が小である程、
電子はその物質の深い部分まで到達し、反対に加速電圧
が小で、密度が大である程、電子はその物質の浅い部分
までしか到達できない。
第１図は、所定の物質で薄膜を形成し、その薄膜に矩形
波の電子ビームを投射した時に、矩形波の電子ビームが
薄膜を通過した矩形波が、矩形波が印加されてからピー
ク値迄の時間と、矩形波の電子ビームの加速電圧との相
関図であり、薄膜の厚みをパラメータにして表している
。
波の電子ビームを投射した時に、矩形波の電子ビームが
薄膜を通過した矩形波が、矩形波が印加されてからピー
ク値迄の時間と、矩形波の電子ビームの加速電圧との相
関図であり、薄膜の厚みをパラメータにして表している
。
第２図は、上記の関係図を求めるために行った膜厚の測
定方法の断面図である。
定方法の断面図である。
シリコン基板１１の表面に、例えば二酸化シリコン膜１
２の薄膜を形成し、基板には接続用端子１３を介してシ
ンクロスコープ１４に接続して接地し、その薄膜の表面
領域に、所定の加速電圧で加速された矩形波の電子ビー
ム１５で、矢印のように投射する。
２の薄膜を形成し、基板には接続用端子１３を介してシ
ンクロスコープ１４に接続して接地し、その薄膜の表面
領域に、所定の加速電圧で加速された矩形波の電子ビー
ム１５で、矢印のように投射する。
シリコン基板１１と二酸化シリコン膜１２には、矩形波
のビーム電流が流れ、シンクロスコープ１４に電流波形
が検知されるので、この波形からピーク値迄の遅れ時間
を求めることができる。
のビーム電流が流れ、シンクロスコープ１４に電流波形
が検知されるので、この波形からピーク値迄の遅れ時間
を求めることができる。
第３図（ａ）〜第３図（ｆ）は、薄膜に印加する矩形波
の電子ビームと薄膜の厚さと基板と薄膜を貫通した電流
波形とを、それぞれ比較している。
の電子ビームと薄膜の厚さと基板と薄膜を貫通した電流
波形とを、それぞれ比較している。
第３図（ａ）は薄膜に印加する原矩形波であり、第３図
〜）〜第３図（ｆｌは、それぞれ加速電圧が５ＫＶ。
〜）〜第３図（ｆｌは、それぞれ加速電圧が５ＫＶ。
１０ＫＶ、２０ＫＶが印加された際の膜厚を示している
。
、（即ち第３図（ｂ）の波形は加速電圧が５Ｋ
Ｖで５０００人の厚み、ｌ０ＫＶで１５０００人の厚み
、２０ＫＶで２００００人の膜厚の時の波形を示してい
る。
。
、（即ち第３図（ｂ）の波形は加速電圧が５Ｋ
Ｖで５０００人の厚み、ｌ０ＫＶで１５０００人の厚み
、２０ＫＶで２００００人の膜厚の時の波形を示してい
る。
同様に第３図（Ｃ）の波形は加速電圧が５ＫＶで４００
０人の厚み、１０ Ｋ Ｖ テ１２０００人の厚み、２
０ＫＶで４００００人の膜厚の時の波形を示し、第３図
（ｄ＞の波形は加速電圧が５ＫＶで２０００人の厚み、
ｌ０ＫＶで６０００人の厚み、２０ＫＶで２００００人
の膜厚の時の波形を示し、第３図（Ｑ）の波形は加速電
圧が５ＫＶで１０００人の厚み、１０Ｋｖテ３０００人
の厚み、２０Ｋｖで１００００人の膜厚の時の波形を示
し、第３図（ｆ）の波形は加速電圧が５ＫＶで５００人
の厚み、ｌ０ＫＶで１５００人の厚み、２０ＫＶで５０
００人の膜厚の時の波形を示している。
０人の厚み、１０ Ｋ Ｖ テ１２０００人の厚み、２
０ＫＶで４００００人の膜厚の時の波形を示し、第３図
（ｄ＞の波形は加速電圧が５ＫＶで２０００人の厚み、
ｌ０ＫＶで６０００人の厚み、２０ＫＶで２００００人
の膜厚の時の波形を示し、第３図（Ｑ）の波形は加速電
圧が５ＫＶで１０００人の厚み、１０Ｋｖテ３０００人
の厚み、２０Ｋｖで１００００人の膜厚の時の波形を示
し、第３図（ｆ）の波形は加速電圧が５ＫＶで５００人
の厚み、ｌ０ＫＶで１５００人の厚み、２０ＫＶで５０
００人の膜厚の時の波形を示している。
即ち第３図（ｂ）の波形はシンクロスコープで測定され
た、薄膜と基板を通過する電流波形図であるが、それぞ
れ加速電圧が大きくなる程、また膜厚が薄くなる程、薄
膜と一基板を通過してきた電流波形図は、原電流波形図
に近似してくる。
た、薄膜と基板を通過する電流波形図であるが、それぞ
れ加速電圧が大きくなる程、また膜厚が薄くなる程、薄
膜と一基板を通過してきた電流波形図は、原電流波形図
に近似してくる。
従って、電流波形のピーク値（図でＰで示している）を
基準にして、その値の原矩形波を印加した時間からの遅
れ時間を測定することにより、膜厚が測定できることに
なる。
基準にして、その値の原矩形波を印加した時間からの遅
れ時間を測定することにより、膜厚が測定できることに
なる。
この遅れ時間は、加速電圧によるがｎ Ｓｅｃ乃至ｍ５
ｅｃ程度である。
ｅｃ程度である。
第４図は、本発明の実施例である薄膜の測定方法を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
シリコン基板２１の表面に、二酸化シリコン膜２２があ
り、特に直径が数μ糟程度の凹部２３を形成して、その
部分の薄膜２４の厚みを測定するものとする。
り、特に直径が数μ糟程度の凹部２３を形成して、その
部分の薄膜２４の厚みを測定するものとする。
測定方法は、矢印で示す矩形−の電子ビーム２５のビー
ムスポットを、凹部にある薄膜２４の寸法に合わせて絞
り、薄膜にビーム投射することにより、シンクロスコー
プ２６に映像される電流波形を観測して、ピーク値の遅
れを測定し、第１図で説明した予め求めである。相関図
に照合して、容易に膜厚を測定することができる。
ムスポットを、凹部にある薄膜２４の寸法に合わせて絞
り、薄膜にビーム投射することにより、シンクロスコー
プ２６に映像される電流波形を観測して、ピーク値の遅
れを測定し、第１図で説明した予め求めである。相関図
に照合して、容易に膜厚を測定することができる。
［発明の効果］ 。
以上、詳細に説明したように、本発明による膜厚測定方
法により、極薄膜の厚みを測定することが可能となり、
膜厚の正確測定により高精度の高集積回路半導体装置を
供し得るという効果大なるものである。
法により、極薄膜の厚みを測定することが可能となり、
膜厚の正確測定により高精度の高集積回路半導体装置を
供し得るという効果大なるものである。
第１図は、膜厚をパラメータとした矩形波のビー々値迄
の時間と、電子ビームの加速電圧との相関図、 第２図は、本発明による膜厚測定方法を説明するための
模式要部断面図である。 第３図（ａ）〜第３図（ｆｌは、電流波形図、第４図は
、本発明の実施例である薄膜の測定方法を示す模式断面
図、 第５図は、従来の膜厚を測定するための模式要部断面図
である。 第６図は、従来の他の膜厚を測定するための模式要部断
面図、 図において、 １１はシリコン基板、 １２は二酸化シリコン膜１３
は接続端子 １４はシンクロスコープ１５は矩
形波の電子ビーム、 ２１はシリコン基板、 ２２は二酸化シリコン膜２３
は凹部、 ２４は薄膜、２５は電子ビーム
、２６はシンクロスコープをそれぞれ示している。 ｊｆｌ；１ｑ７ｕｐ電斤ｔ ビーフａ４ＬｔｚＩ？ｔ７
１ｔｑＪａｍ図１７ｓ１ 図 ＪＩＭＬｑＭＪ定７及ＱｔＴｔｆｒｔＪｍｌＩ ２ 図 （ｂ） 電Ａ：ｉ指困 第３図 ＄給萌ｄ）薄膜、Ｊ！處税εゼ癖挿ｍ 第４図
の時間と、電子ビームの加速電圧との相関図、 第２図は、本発明による膜厚測定方法を説明するための
模式要部断面図である。 第３図（ａ）〜第３図（ｆｌは、電流波形図、第４図は
、本発明の実施例である薄膜の測定方法を示す模式断面
図、 第５図は、従来の膜厚を測定するための模式要部断面図
である。 第６図は、従来の他の膜厚を測定するための模式要部断
面図、 図において、 １１はシリコン基板、 １２は二酸化シリコン膜１３
は接続端子 １４はシンクロスコープ１５は矩
形波の電子ビーム、 ２１はシリコン基板、 ２２は二酸化シリコン膜２３
は凹部、 ２４は薄膜、２５は電子ビーム
、２６はシンクロスコープをそれぞれ示している。 ｊｆｌ；１ｑ７ｕｐ電斤ｔ ビーフａ４ＬｔｚＩ？ｔ７
１ｔｑＪａｍ図１７ｓ１ 図 ＪＩＭＬｑＭＪ定７及ＱｔＴｔｆｒｔＪｍｌＩ ２ 図 （ｂ） 電Ａ：ｉ指困 第３図 ＄給萌ｄ）薄膜、Ｊ！處税εゼ癖挿ｍ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子ビーム波形がパルス状の電子ビーム（１５）を、そ
れぞれ異なる厚みを有する膜（１２）の表面に印加し、 予めそれぞれの膜厚に対応して、該膜の導通電流波形の
印加時からピーク値迄の遅れ時間を測定して、相関関係
（第１図）を求めておき、 膜の厚さを測定する際には、該膜に矩形波の電子ビーム
を印加して、該成膜に導通する電流波形の印加時からピ
ーク値迄の遅れ時間を求め、この遅れ時間を前記相関関
係と比較することにより、膜の膜厚を測定することを特
徴とする膜厚の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865485A JPS6219707A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 膜厚の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865485A JPS6219707A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 膜厚の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6219707A true JPS6219707A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15676431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15865485A Pending JPS6219707A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 膜厚の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6219707A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6768324B1 (en) | 1999-11-05 | 2004-07-27 | Fab Solutions, Inc. | Semiconductor device tester which measures information related to a structure of a sample in a depth direction |
| US6809534B2 (en) | 2000-05-30 | 2004-10-26 | Fab Solutions, Inc. | Semiconductor device test method and semiconductor device tester |
| US6842663B2 (en) | 2001-03-01 | 2005-01-11 | Fab Solutions, Inc. | Production managing system of semiconductor device |
| US6850079B2 (en) | 2002-01-17 | 2005-02-01 | Fab Solutions, Inc. | Film thickness measuring apparatus and a method for measuring a thickness of a film |
| US6897440B1 (en) | 1998-11-30 | 2005-05-24 | Fab Solutions, Inc. | Contact hole standard test device |
| US6943043B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-09-13 | Fab Solutions, Inc. | Surface contamination analyzer for semiconductor wafers, method used therein and process for fabricating semiconductor device |
| JP2006119133A (ja) * | 1999-11-05 | 2006-05-11 | Fab Solution Kk | 半導体デバイス検査装置 |
| WO2007007372A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Topcon Corporation | 半導体測定装置、半導体測定方法および半導体デバイス製造方法 |
| CN106643587A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-05-10 | 西安交通大学 | 一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法 |
| JP2018037366A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 株式会社日立製作所 | 走査型顕微鏡 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP15865485A patent/JPS6219707A/ja active Pending
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940296B2 (en) | 1998-11-30 | 2005-09-06 | Fab Solutions, Inc. | Contact hole standard test device, method of forming the same, method of testing contact hole, method and apparatus for measuring a thickness of a film, and method of testing a wafer |
| US7232994B2 (en) | 1998-11-30 | 2007-06-19 | Fab Solutions, Inc. | Contact hole standard test device, method of forming the same, method of testing contact hole, method and apparatus for measuring a thickness of a film, and method of testing a wafer |
| US6982418B2 (en) | 1998-11-30 | 2006-01-03 | Fab Solutions, Inc. | Contact hole standard test device, method of forming the same, method of testing contact hole, method and apparatus for measuring a thickness of a film, and method of testing a wafer |
| US6967327B2 (en) | 1998-11-30 | 2005-11-22 | Fab Solutions, Inc. | Contact hole standard test device, method of forming the same, method testing contact hole, method and apparatus for measuring a thickness of a film, and method of testing a wafer |
| US6897440B1 (en) | 1998-11-30 | 2005-05-24 | Fab Solutions, Inc. | Contact hole standard test device |
| US7385195B2 (en) | 1999-11-05 | 2008-06-10 | Topcon Corporation | Semiconductor device tester |
| US6975125B2 (en) | 1999-11-05 | 2005-12-13 | Fab Solutions, Inc. | Semiconductor device tester |
| US6768324B1 (en) | 1999-11-05 | 2004-07-27 | Fab Solutions, Inc. | Semiconductor device tester which measures information related to a structure of a sample in a depth direction |
| JP2006119133A (ja) * | 1999-11-05 | 2006-05-11 | Fab Solution Kk | 半導体デバイス検査装置 |
| US6946857B2 (en) | 1999-11-05 | 2005-09-20 | Fab Solutions, Inc. | Semiconductor device tester |
| US6809534B2 (en) | 2000-05-30 | 2004-10-26 | Fab Solutions, Inc. | Semiconductor device test method and semiconductor device tester |
| US7550982B2 (en) | 2000-05-30 | 2009-06-23 | Topcon Corporation | Semiconductor device test method for comparing a first area with a second area |
| US7420379B2 (en) | 2000-05-30 | 2008-09-02 | Topcon Corporation | Semiconductor device test method and semiconductor device tester |
| US6900645B2 (en) | 2000-05-30 | 2005-05-31 | Fab Solutions, Inc. | Semiconductor device test method and semiconductor device tester |
| US7049834B2 (en) | 2000-05-30 | 2006-05-23 | Fab Solutions, Inc | Semiconductor device test method and semiconductor device tester |
| US6914444B2 (en) | 2000-05-30 | 2005-07-05 | Fab Solutions, Inc. | Semiconductor device test method and semiconductor device tester |
| US7321805B2 (en) | 2001-03-01 | 2008-01-22 | Fab Solutions, Inc. | Production managing system of semiconductor device |
| US6842663B2 (en) | 2001-03-01 | 2005-01-11 | Fab Solutions, Inc. | Production managing system of semiconductor device |
| US6943043B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-09-13 | Fab Solutions, Inc. | Surface contamination analyzer for semiconductor wafers, method used therein and process for fabricating semiconductor device |
| US7700380B2 (en) | 2001-03-02 | 2010-04-20 | Topcon Corporation | Surface contamination analyzer for semiconductor wafers, method used therein and process for fabricating semiconductor device |
| US7795593B2 (en) | 2001-03-02 | 2010-09-14 | Topcon Corporation | Surface contamination analyzer for semiconductor wafers |
| US6850079B2 (en) | 2002-01-17 | 2005-02-01 | Fab Solutions, Inc. | Film thickness measuring apparatus and a method for measuring a thickness of a film |
| WO2007007372A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Topcon Corporation | 半導体測定装置、半導体測定方法および半導体デバイス製造方法 |
| JP2018037366A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 株式会社日立製作所 | 走査型顕微鏡 |
| CN106643587A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-05-10 | 西安交通大学 | 一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法 |
| CN106643587B (zh) * | 2016-09-14 | 2019-05-24 | 西安交通大学 | 一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6219707A (ja) | 膜厚の測定方法 | |
| GB2306825A (en) | Laser ranging using time correlated single photon counting | |
| US3039056A (en) | Testing of semiconductors | |
| US2727153A (en) | Electron diffraction camera | |
| JPH0719844A (ja) | ウエーハの表面粗さ測定方法 | |
| JPS6212808A (ja) | 膜厚の測定方法 | |
| JPS63164219A (ja) | 集束イオンビーム加工方法及びその装置 | |
| JPH0529424A (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| JPS61173171A (ja) | 半導体ウエハの抵抗率測定法 | |
| JPH071780B2 (ja) | エピタキシャルウエーハの遷移領域の評価方法 | |
| JP2546500B2 (ja) | 膜厚測定方法 | |
| CN109839398B (zh) | 一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法 | |
| JPH025404A (ja) | ホトレジスト層パターン測定方法 | |
| JPH09321107A (ja) | 半導体の層厚測定装置 | |
| JPH0431321B2 (ja) | ||
| Hart | A laser-source photo-electric microscope for sensing moving scale lines | |
| JP2856562B2 (ja) | 絶縁膜の検査方法 | |
| JPS629631A (ja) | マスクアライメント方法 | |
| SU1002829A1 (ru) | Способ определени толщины оптически прозрачных слоев | |
| JPH0685024A (ja) | 半導体ウエハの電荷量測定方法 | |
| JPH0210209A (ja) | 膜厚測定方法 | |
| JPH0460487A (ja) | 電子ビーム径測定方法及び電子ビーム径測定装置 | |
| Algazi | Measurement of probabilities and correlations with a storage tube | |
| JPH02238646A (ja) | 半導体不純物の測定方法 | |
| JPS61281947A (ja) | 光物性測定装置 |