JPS61281947A - 光物性測定装置 - Google Patents

光物性測定装置

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JPS61281947A
JPS61281947A JP12270285A JP12270285A JPS61281947A JP S61281947 A JPS61281947 A JP S61281947A JP 12270285 A JP12270285 A JP 12270285A JP 12270285 A JP12270285 A JP 12270285A JP S61281947 A JPS61281947 A JP S61281947A
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JP
Japan
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light
light source
sample
fluctuation
probe
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Pending
Application number
JP12270285A
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English (en)
Inventor
Kenji Saito
謙治 斉藤
Takeshi Eguchi
健 江口
Harunori Kawada
河田 春紀
Yoshinori Tomita
佳紀 富田
Takashi Nakagiri
孝志 中桐
Yukio Nishimura
征生 西村
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、固体、液体および気体の物性を光学的に測定
する光物性測定装置に関し、特に、試料の種々の特性分
析1例えば単分子累積膜の形成に際し、累積すべき液面
上に展開された単分子層の特性分析等の基礎となる光吸
収特性の測定装置に関する。
[従来の技術] 従来、ある試料の光吸収特性を測定する方法としては、
透過率又は反射率から光吸収特性を求める方法がある。
しかし、試料に光が照射された場合、透過光、反射光の
他に散乱光があり、更に高精度を期すためには光の吸収
成分を直接測定する方法が光吸収特性評価上重要となる
光の吸収成分を直接測定する方法としては、断続的に光
を照射すると、試料に吸収された光エネルギーが無輻射
緩和過程により、断続的に熱に変換されることを利用し
た測定法である光音響分光法(Photoacoust
ic 5pectroscopy:  PAS )や光
熱輻射分光法(Photothermal Radio
metry:  PTR)がある。
PAS法は、検出器の種類によりマイクロホン法と圧電
素子法に分けられるが、マイクロホン法では試料を密閉
した試料室にいれる必要があり、圧電素子法では検出器
と試料の配置が問題となり、いずれも液面上に展開され
た薄1模の測定の様な、特異な環境下にある試料の測定
には不向きである。また、 PTR法は、赤外線検出器
を用いていることから、水蒸気等の大気変動の影響を受
けやすいという欠点がある。
一方、やはり光の吸収成分を直接測定する方法として、
光熱偏向分光法(PhotothermalDefle
ction 5pectroscopy:  PDS 
)と言われる方法がある。このPDS法は、試料の光吸
収による発熱と共に、試料内及び試料近傍に温度分布が
生じて屈折率が変化し、これによってそこに入射する光
が偏向することを利用したものである。即ち、試料の測
定部位に、光吸収されたときに発熱による温度分布を生
じさせて屈折率を変化させる励起光と、これによる偏向
量を測定するためのプローブ光とを照射し、励起光の波
長とプローブ光の偏向量とから試料の光吸収特性を測定
するものである。この方法は、試料と検出系が独立に設
定でき、現場での計測や遠隔計測に適している。このP
DS法は、励起光とプローブ光の配置によって、横方向
(transverse)型と縦方向(colline
ar )型の2通りがあり、いずれも上記のように試料
の励起光吸収量に応じたプローブ光の偏向量を測定する
もので、検出器に位置敏感検出器(PSD)を用いるこ
とが多い。
第8図(a)は縦方向型の例で、励起光源81より出た
励起光82は、チョッパー83で断続光となり、レンズ
84で集束されて試料85に照射される。一方、プロー
ブ光源86より出たプローブ光87は、レンズ88およ
びミラー等からなる光路調整器89により、励起光82
が照射されている前記試料85の領域を通過させられ、
検出器90へと至り、破線で示されるように偏向したと
きの偏向量が測定される。
第8図(b)は横方向型の例で、プローブ光87が試料
85の表面に平行に照射される点が縦方向型と相違する
だけで他は同様である。
このPDS法の理論的取扱いは、試料内の熱伝導方程式
を解けばよく、偏向角φとして測定される偏向量は、励
起光強度、屈折率の温度係数(n/T ) 、プローブ
光の通過する領域での温度勾配(T/り等に比例するこ
とになる。試料の光吸収係数に比例する項は(T/りに
含まれる。また(n/T )は、試料によっては正負い
ずれかの値をとり得、このことは偏向角も正負両方の場
合があることを示している。
第9図は、1次元PSDの構造例を示す縦断面図である
。第9図において、1次元PSOは、平板状シリコン8
1の表面にP層の均一な抵抗層92を構成し1両辺にそ
れぞれ電極XI およびX2が配設され、裏面の8層9
3には共通電極84が配設されている。
第10図は、その動作原理を示す模式図である。
光Qの入射位置に対応させた光生成電荷は、そのエネル
ギーに相当する光電流として前記抵抗層92に達し、そ
の位置Qと両端の取出し電極XI  。
x2までの距離に逆比例して分割され、各電極から出力
される。入射光による光電流をI[とすると、電極XI
、X2から出力される電流IXI。
IX2は、 I x+=  I L  ° RX2/  (RXl+
 RX2)IX2=  IL  ° RXI/  (R
Xl+RX2)となり、さらにXl−X2間の抵抗は均
一の分布を保っているので、x、−x2間の抵抗と長さ
しとの間に次の各式が成立する。
RXl+RX2=L RXI=X Rx2=L−x このため、各電極から取り出される信号はLとXで表わ
され、 lX1=IL  ・(L−x) /L IX2=IL  °x/L のようになる。即ち、光の入射位置と光強度の情報がX
I、X2の電極に得られることになる。
さらにIXIとIX2の和と差の比をとり、これを位置
信号Pとすれば、 が得られ、X=OからLに対応して、 x=o、  P=1 X=3+、   I’=。
x=L、   P=−1 のように、光強度変化に無関係な位置信号が連続で得ら
れることになる。
以上は1次元の場合であるが、2次元の位置検出器につ
いても同様に考えられ、第11図に示される動作回路の
ブロック図により、位置信号が求められる。
ここで、PSDの動作原理から、2点景りの光入射があ
る場合は、各々の光強度に比例して重み付けされた位置
信号が得られる。また、光束が広がっている場合も、光
強度の重心的な位置信号が得られる。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、L記の如きPDS法を、液面上に展開さ
れた薄膜などの測定にそのまま適用すると、試料である
薄膜が超薄膜であるために生じる不都合があった。即ち
、このようなPSDを用いた測定では、光源自体の出射
角の変動が測定・精度に大きな影響を芋え、特に、ガス
レーザーを用いた測定では、高精度に位置検出を行うこ
とが不可能で、所望の光吸収特性を得ることが困難であ
った。本発明は、このような光源自体の変動の#響を除
去し、PSDの分解能の限界まで測定精度を上昇させ、
液面に展開された薄膜のようにきわめて薄く特異な環境
下にある試料についても、その光吸収特性を高精度かつ
高感度に測定できる光物性測定装置を提供することを目
的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、励起光を出射する励起光源と、出射された励
起光を試料の測定部位の手前で強度変調する光強度変調
器と、ビーム光を出射するプローブ光源と、出射された
ビーム光を2分割する分光手段と、プローブ光源の変動
に起因するビーム光の変動に対して、その補償すべき方
向成分が互いに対称となる2本のビーム光に前記2分割
光を構成する手段と、それらのビーム光を前記測定部位
又はその近傍へ導く光学素子と、ビーム光を受光する光
位置検出器とを備えることを特徴とするものである。
[作 用] 励起光が試料たる薄膜に吸収されると、励起光の照射時
と非照射時とでは測定部位及びその近傍の屈折率が変化
するので、これをプローブ光の偏向量として検出するこ
とによって光吸収特性を測定することができる。このP
DS法の原理の特徴として、PSDm力は最終的に光強
度分布の重心的位置の信号を得るということがある。
第3図は、本発明による補償方法の原理を説明する座標
図である。第3図(a)は、光源から出射される光ビー
ムの平均出射方向に垂直な平面上に、互いに直交するX
−Y座標軸を設定したもので、出射光の偏向量が矢印1
1で示されている。仮に、所要の光学系により、上記の
座標軸を反転させたとすると、その投影は第3図(b)
のようにX’−Y’となり、出射光の偏向量も矢印12
で示される如くになる。これらの互いに反転した光ビー
ムが目標照射面に照射されると、その座標は第3図(C
)に示されるように原点0に対して点対称(lla、 
12a)となり、両方の光ビーム強度が等しいとすれば
、光ビーム・エネルギーの重心位置は原点と常に一致す
る。従って、」二足の条件を満足する光学系を使用すれ
ば、光源の変動が生じても、照射ビームの強度中心は影
響されずに補償されることになる。
第4図は、上記の原理に基づく効果を一次元的に検証す
る基本的装置の載量構成図で、He−Ne光源41から
の光ビームをハーフミラ−42によって振幅分割し、分
割された光ビームをそれぞれミラー43aおよび43b
により光位置検出器44へ照射させ、光源41の変動を
記録するものである。第5図は上記構成による光ビーム
の位ごずれ量の測定結果のグラフであり、縦軸は光ビー
ムの検出位置Pを示し、横軸は時間tを示す、第4図に
おいて、ハーフミラ−42とミラー43aおよび43b
とから成る光学系を介さずに、直接光位置検出器44へ
光ビームを照射した場合は、第5図における(a)の如
く変動が記録され、本発明により補償された場合は第5
図の(b)のようになり、光源変動が除去されているの
がわかる。
[実施例] 以下1本発明の実施例を、図面と共に説明する。
第1図は、本発明を実施した縦方向型PDSによる光物
性測定装置の一例を示す構成図で、被験試料5によるプ
ローブ光の、図中縦方向の偏向を一次元PSDにより測
定しようとするものである。
励起光源1から出射された励起光2は、チョッパー3で
断続光に変調され、レンズ4で集束されて試料5に照射
される。一方で、プローブ光源6から出射されたビーム
光7は、ビームスプリッタ8によって2本のビーム光7
aおよび7bに分割され、ミラー9aとハーフミラ−1
2で再び近接する2本のビーム光にされたのち、レンズ
4及び光路調整器117により前記試料5の励起光照射
領域を通過させられ、試料の吸収量に対応する偏向量で
、図中破線に示される縦方向に偏向し、光位置検出器の
PSD受光面10で検出される。このとき、プローブ用
光源6の変動により、プローブ光のビームが微少量変動
したとする。この微少量は、励起光照射領域に比較して
も充分小さく、試料の吸収による偏向量が変わらない程
度として、第2図の部分拡大図に示す如く、ビーム光7
はビーム光7゛へ移動し、試料5へ向うプローブ光はビ
ーム7Cを中心として対称的に移動するビーム光7a’
および7b’になる。従って、光路調整器117を経て
到達するPSD受光面10においても、光源変動のない
場合の試料の吸収による偏向量に対応した位置を中心と
して、互いに対称な方向へそれぞれ移動することになり
、PSDの測定原理から、出力は試料の吸収に対応した
値に一定となり、プローブ用光源の変動の影響が除去さ
れたことになる。
第6図は1本発明を実施した横方向型PDSによる光物
性測定装置の一例を示す構成図で、試料に対する励磁光
およびプローブ光の照射角度が横方向型のものである以
外は、各部の機能は第1図の例と同様であり、プローブ
用光源の変動の影響を除去することができる。
第7図は、本発明を実施した横方向型PDSによる光物
性測定装置の別な一例を示す構成図で、プローブ光源6
からのビーム光7をビームスプリッタ8により2分割し
たのち、一方のビーム光7aを参照用として被測定領域
とは別の参照領域を通過させ、最終的には同じPSD受
光受光面l熱射させるものである。この場合も、PSD
の測定原理によれば、出力は参照プローブ光位置と試料
の吸収に対応した測定プローブ光位置との中心を表わす
一定の値になり、プローブ用光源の変動の影響を除去す
ることができる。
[発明の効果] 以上、説明したとおり、本発明によれば、光源自体の変
動に起因する光ビームの出射方向ずれの影響を除去する
ことが可能で、 PStD木来の本来能の限界まで測定
精度を向上させ、きわめて薄く特異な環境下にある試料
についても、その光吸収特性を高精度かつ高感度に測定
し得る光物性測定装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は第1図の
部分拡大図、第3図は本発明の詳細な説明図、第4図は
その原理の検証機構の構成図、第5図は検証結果のグラ
フ、第6図および第7図は本発明の別な実施例の構成図
、第8図は従来例の構成図、!@9図〜第11図はPS
Dの説明図である。 1.81・・・励起光源、2,82・・・励起光、3.
83・・・チョッパー、4,84.88・・・レンズ、
5.85・・・試料、6.86・・・グローブ光源。 7.87・・・プローブ光、、9.43・・・ミラー。 12、42・・・ハーフミラ−、10・・・PSD受光
面、44 、90・・・検出器、11.89・・・光路
調整器。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)励起光を出射する励起光源と、出射された励起光を
    試料の測定部位の手前で強度変調する光強度変調器と、
    ビーム光を出射するプローブ光源と、出射されたビーム
    光を2分割する光分割手段と、前記2分割光を、プロー
    ブ光源の変動に起因するビーム光の変動に対して、その
    補償すべき方向成分が互いに対称となる2本のビーム光
    にする手段と、それらのビーム光を前記測定部位又はそ
    の近傍へ導く光学素子と、ビーム光を受光する光位置検
    出器とを備えることを特徴とする光物性測定装置。
JP12270285A 1985-06-05 1985-06-07 光物性測定装置 Pending JPS61281947A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12270285A JPS61281947A (ja) 1985-06-07 1985-06-07 光物性測定装置
US07/296,028 US4952027A (en) 1985-06-05 1989-01-11 Device for measuring light absorption characteristics of a thin film spread on a liquid surface, including an optical device

Applications Claiming Priority (1)

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JP12270285A JPS61281947A (ja) 1985-06-07 1985-06-07 光物性測定装置

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JPS61281947A true JPS61281947A (ja) 1986-12-12

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JP (1) JPS61281947A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142440A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Tetsuo Ikari 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置
JP2019007802A (ja) * 2017-06-22 2019-01-17 株式会社東芝 光学検査装置及び光学検査方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142440A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Tetsuo Ikari 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置
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