JPS62195165A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPS62195165A JPS62195165A JP3781586A JP3781586A JPS62195165A JP S62195165 A JPS62195165 A JP S62195165A JP 3781586 A JP3781586 A JP 3781586A JP 3781586 A JP3781586 A JP 3781586A JP S62195165 A JPS62195165 A JP S62195165A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
-
- H—ELECTRICITY
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層配線基板に関し、特に大型コンピュータ等
に使用する多層配線基板に関する。
に使用する多層配線基板に関する。
従来、この種の多層配線基板は、基板の絶縁材料にアル
ミナセラミックを用い、このセラミック積層配線基板の
内層配線を主に電源配線として電源電圧降下を減少させ
ると共に、この基板上にさらに薄膜技術を用いて微細信
号配線層を形成し゛〔高密度化を達成させる方法がとら
れていた。
ミナセラミックを用い、このセラミック積層配線基板の
内層配線を主に電源配線として電源電圧降下を減少させ
ると共に、この基板上にさらに薄膜技術を用いて微細信
号配線層を形成し゛〔高密度化を達成させる方法がとら
れていた。
上述した従来の多層配線基板は、アルミナセラミックを
基板の絶縁材料に使用しているので、そのアルミナセラ
ミックの空気中焼成温度が１４００Ｃと高く内層の導体
材料にはタングステン、モリブデンなど１４００′ｃ以
上の尚温焼成に耐える金網しか使用できなかった。しか
し、これらの高融点金属は金、銀、パラジウムなどより
比抵抗が高く、基板内部の電源配線抵抗を小さくするこ
とが困難であるという欠点がある。
基板の絶縁材料に使用しているので、そのアルミナセラ
ミックの空気中焼成温度が１４００Ｃと高く内層の導体
材料にはタングステン、モリブデンなど１４００′ｃ以
上の尚温焼成に耐える金網しか使用できなかった。しか
し、これらの高融点金属は金、銀、パラジウムなどより
比抵抗が高く、基板内部の電源配線抵抗を小さくするこ
とが困難であるという欠点がある。
そこで最近、１０００Ｃの低温で焼成口」能なガラスセ
ラミックを絶縁材料とし、金を導体に使用した基板が使
われてきた。しかし、これにも、電源電圧降下を抑える
ために多量の金を使用するため、非常にコストが篩くな
るという欠点かある。
ラミックを絶縁材料とし、金を導体に使用した基板が使
われてきた。しかし、これにも、電源電圧降下を抑える
ために多量の金を使用するため、非常にコストが篩くな
るという欠点かある。
次に、このセラミック基板上に薄膜多層配線層 ゛を
形成１′る場合、各配＃層間の絶縁相料に従来はガラス
セラミックを主成分とする絶縁ペーストを使用し、スク
リーン印刷等でパターン加工をしてスルーホールを形成
するが、この加工方法では最小寸法およびパターン精度
がスクリーン等に依存しているために悪く、また、絶縁
層表面の表面の荒さか大きいために微細配勝が形成でき
ないという欠点がある。
形成１′る場合、各配＃層間の絶縁相料に従来はガラス
セラミックを主成分とする絶縁ペーストを使用し、スク
リーン印刷等でパターン加工をしてスルーホールを形成
するが、この加工方法では最小寸法およびパターン精度
がスクリーン等に依存しているために悪く、また、絶縁
層表面の表面の荒さか大きいために微細配勝が形成でき
ないという欠点がある。
本発り」の目的は、多層配線基板内層の導体拐料にパラ
ジウム銀を使用し、又基板絶縁材料に低温焼成可能なガ
ラスセラミックを使用することにより、基板内層電源配
線抵抗の小さな導体材料の内層配線を設けることができ
る安価な多層配線基板を提供することにある。
ジウム銀を使用し、又基板絶縁材料に低温焼成可能なガ
ラスセラミックを使用することにより、基板内層電源配
線抵抗の小さな導体材料の内層配線を設けることができ
る安価な多層配線基板を提供することにある。
本発明の多層配線基板は、内層導体材料にパラジウム銀
を使用した電源配線層、８よび板面の表裏を貫通する第
ｌのスルーホール配線層を有するガラスセラミック基板
と、このガラスセラミック基板の表面に、絶細層材相と
してポリイミド糸柾脂を、配＆！層表展を貫通する第２
のスルーホールの埋込み材料とし゛〔金倣粉末とポリイ
ミド系樹脂の混合物を、導体材料として金を用いこそね
それ形成された”／１ｉｆＢψ多層配線層とを備えて構
成さｔする。
を使用した電源配線層、８よび板面の表裏を貫通する第
ｌのスルーホール配線層を有するガラスセラミック基板
と、このガラスセラミック基板の表面に、絶細層材相と
してポリイミド糸柾脂を、配＆！層表展を貫通する第２
のスルーホールの埋込み材料とし゛〔金倣粉末とポリイ
ミド系樹脂の混合物を、導体材料として金を用いこそね
それ形成された”／１ｉｆＢψ多層配線層とを備えて構
成さｔする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す部分破砕斜視図である
。
。
ガラスセラミック基板ｌは、特開昭５７−１７４７４号
〔多層セラミック基板〕の無機組成物で構成された９０
０〜１４００ｔ：’の低温空気中で焼成可能な基板であ
る。電源配線層２，３および第ｌのスルーホール配線４
，５．６ には銀パラジウムを導体材料に用いている
。７はガラスセラミック基板の表面層、８はガラスセラ
ミック基板の入出力端子、シートを９００〜１４００ｔ
ｌ：で空気中焼成されたガラスセラミックシートである
。
〔多層セラミック基板〕の無機組成物で構成された９０
０〜１４００ｔ：’の低温空気中で焼成可能な基板であ
る。電源配線層２，３および第ｌのスルーホール配線４
，５．６ には銀パラジウムを導体材料に用いている
。７はガラスセラミック基板の表面層、８はガラスセラ
ミック基板の入出力端子、シートを９００〜１４００ｔ
ｌ：で空気中焼成されたガラスセラミックシートである
。
薄膜多層配線層１３はその表向に搭載される複数個のＩ
Ｃチップ相互を接続するための信号配線及びこの複数個
のＩ Ｃチップの信号及び電源端子と多層配線基板の端
子５とを接続するためにガラスセラミック基板ｌの上に
形成される配線層である。絶縁層１４．１５ はポリイ
ミド系樹脂を絶縁材料に用いている。薄膜配線層１６．
１７ は全選択めっきにより形成される。１８．１９
はそれぞれスルーホール配線の表面露出部９と第ｌの
金薄膜配線層１６、第１の金薄膜配線層１６と第２の金
薄膜配線層１７を接続する第２のスルーホール配線であ
る。
Ｃチップ相互を接続するための信号配線及びこの複数個
のＩ Ｃチップの信号及び電源端子と多層配線基板の端
子５とを接続するためにガラスセラミック基板ｌの上に
形成される配線層である。絶縁層１４．１５ はポリイ
ミド系樹脂を絶縁材料に用いている。薄膜配線層１６．
１７ は全選択めっきにより形成される。１８．１９
はそれぞれスルーホール配線の表面露出部９と第ｌの
金薄膜配線層１６、第１の金薄膜配線層１６と第２の金
薄膜配線層１７を接続する第２のスルーホール配線であ
る。
このガラスセラミック基板ｌは、ガラスセラミックシー
） １０，１１．１２の間に、内層導体である電源配線
層２および３と、これら電源配線層２゜３間の接続、さ
らに基板上部の薄膜多層配線層１３との接続、入出力端
子８との接続を可能とする板面の表裏を貫通するスルー
ホール４，５．６が設けられる。これらスルーホール４
．５．６ ｋ！、金より低価格でかつ金と同じように比
抵抗の低いパラジウム銀を使用してグリーンシート法に
より９００〜１４００Ｃの低温空気中で基板ｌ上に焼成
される。
） １０，１１．１２の間に、内層導体である電源配線
層２および３と、これら電源配線層２゜３間の接続、さ
らに基板上部の薄膜多層配線層１３との接続、入出力端
子８との接続を可能とする板面の表裏を貫通するスルー
ホール４，５．６が設けられる。これらスルーホール４
．５．６ ｋ！、金より低価格でかつ金と同じように比
抵抗の低いパラジウム銀を使用してグリーンシート法に
より９００〜１４００Ｃの低温空気中で基板ｌ上に焼成
される。
この基板ｌの表面に、絶縁１−材料としてポリイミド系
樹脂１４．１５ を、また配線層表裏を貫通するスル
ーホール１８，１９ の埋込み材料として金微粉末と
ポリイミド系樹脂の混合物を使用し、これら薄膜配線１
６，１７ の導体材料として金を用いて形成された薄膜
多層配線層１３がガラスセラミック基板１の上部に厚膜
印桐法で形成され、必要な電源配線のみスルーホール６
および１８を通して接続される。
樹脂１４．１５ を、また配線層表裏を貫通するスル
ーホール１８，１９ の埋込み材料として金微粉末と
ポリイミド系樹脂の混合物を使用し、これら薄膜配線１
６，１７ の導体材料として金を用いて形成された薄膜
多層配線層１３がガラスセラミック基板１の上部に厚膜
印桐法で形成され、必要な電源配線のみスルーホール６
および１８を通して接続される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、基板の絶縁材料としてガ
ラスセラミックを、基板内部の電源配線層および基板表
裏を貫通するスルーホール配線層としてパラジウム銀を
使用することにより、低抵抗化と低価格化を同時に実現
でき、さらに基板表
ラスセラミックを、基板内部の電源配線層および基板表
裏を貫通するスルーホール配線層としてパラジウム銀を
使用することにより、低抵抗化と低価格化を同時に実現
でき、さらに基板表
第１図は本発明の一実施例を示す俯隆図である。
１・・・・・・ガラスセラミンク基＆、２．３・・・・
・・％（ｌｉ配線層、４．５．６ ・・・・・・スル
ーホール配線、７・・・・・・ガラスセラミック基板表
面層、８・・・・・・入出力端子、９・・・・・・スル
ーホール配線の表面臓出部、１０゜１１．１２ ・・
・・・・カラスセラミックシート、１３・・・・−・薄
膜多層配線）輪、１４．１５ ・・・・・・ポリイミ
ド絶縁層、１６，１７ ・・・・・・ｍ膜配線、１８
．１９ ・・・・・・スルーホール配線。
・・％（ｌｉ配線層、４．５．６ ・・・・・・スル
ーホール配線、７・・・・・・ガラスセラミック基板表
面層、８・・・・・・入出力端子、９・・・・・・スル
ーホール配線の表面臓出部、１０゜１１．１２ ・・
・・・・カラスセラミックシート、１３・・・・−・薄
膜多層配線）輪、１４．１５ ・・・・・・ポリイミ
ド絶縁層、１６，１７ ・・・・・・ｍ膜配線、１８
．１９ ・・・・・・スルーホール配線。
Claims (1)
- 内層導体材料にパラジウム銀を使用した電源配線層、お
よび板面の表裏を貫通する第１のスルーホール配線層を
有するガラスセラミック基板と、このガラスセラミック
基板の表面に、絶縁層材料としてポリイミド系樹脂を、
配線層表裏を貫通する第２のスルーホールの埋込み材料
として、金微粉末とポリイミド系樹脂の混合物を、導体
材料として金を用いてそれぞれ形成された薄膜多層配線
層とを備えることを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3781586A JPS62195165A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3781586A JPS62195165A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195165A true JPS62195165A (ja) | 1987-08-27 |
Family
ID=12508015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3781586A Pending JPS62195165A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62195165A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464247A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-10 | Fujitsu Ltd | Formation of multilayered interconnection |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5085873A (ja) * | 1973-12-03 | 1975-07-10 | ||
| JPS55105398A (en) * | 1979-02-08 | 1980-08-12 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | High packing density multilayer circuit board |
| JPS5717474A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-29 | Nippon Electric Co | Multilayer ceramic substrate |
| JPS60117796A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | 日本電気株式会社 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JPS6136996A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | 日本電気株式会社 | ビイアフイル形成方法 |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP3781586A patent/JPS62195165A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5085873A (ja) * | 1973-12-03 | 1975-07-10 | ||
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