JPS62185351A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPS62185351A JPS62185351A JP2593486A JP2593486A JPS62185351A JP S62185351 A JPS62185351 A JP S62185351A JP 2593486 A JP2593486 A JP 2593486A JP 2593486 A JP2593486 A JP 2593486A JP S62185351 A JPS62185351 A JP S62185351A
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- wiring
- ceramic substrate
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
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-
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
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- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
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- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、大型コンピュータ等の電子機器に使用して好
適な多層配線基板に関するものである。
適な多層配線基板に関するものである。
一般に高速大容量処理が求められている大型コンピュー
タ等の電子機器においては、配線の高密度化と高速化と
が同時に要求されている。さらに高速化に伴い新装電力
密度も高まり、電源配線の低抵抗化も同時に要求されて
いる。
タ等の電子機器においては、配線の高密度化と高速化と
が同時に要求されている。さらに高速化に伴い新装電力
密度も高まり、電源配線の低抵抗化も同時に要求されて
いる。
このような多項目にわする要求にこ友え得るＬＳＩチッ
プ実装用配線基板としてセラミック積層配線基板の内層
配線を主に電源供給用の配線として用いることにより、
電源配線の低抵抗化を達成するとともにセラミック積層
多層配線基板の上にさらに薄膜技術を用いて微細な配線
パターンを有する多層配線層を形成し、この薄膜多層配
線層を信号配線として割シ合てることにより、配線層の
高密度化をも達成するという構造が近年用いられている
。
プ実装用配線基板としてセラミック積層配線基板の内層
配線を主に電源供給用の配線として用いることにより、
電源配線の低抵抗化を達成するとともにセラミック積層
多層配線基板の上にさらに薄膜技術を用いて微細な配線
パターンを有する多層配線層を形成し、この薄膜多層配
線層を信号配線として割シ合てることにより、配線層の
高密度化をも達成するという構造が近年用いられている
。
従来、この種のセラミック積層配線基板として用いられ
ている基板表裏を貫通するスルーホール配＃Ｊを有する
セラミック基板は、アルミナグリーンシートを用いて形
成されている。し友がって、焼結温度として１４００℃
以上が必要なため、導体材料としてタングステンやモリ
ブデンなどの高融点金属を使用せざるを得す、このため
金、銀ま几はパラジウム々との金属に比べて固有電気抵
抗が高く、セラミック基板内部の電源配線抵抗を十分小
さくすることが困難であるという欠点がある。
ている基板表裏を貫通するスルーホール配＃Ｊを有する
セラミック基板は、アルミナグリーンシートを用いて形
成されている。し友がって、焼結温度として１４００℃
以上が必要なため、導体材料としてタングステンやモリ
ブデンなどの高融点金属を使用せざるを得す、このため
金、銀ま几はパラジウム々との金属に比べて固有電気抵
抗が高く、セラミック基板内部の電源配線抵抗を十分小
さくすることが困難であるという欠点がある。
また、上記の工うな基板の上に多層配線を形成する場合
、無機絶縁材料を使用して形成しｔものは、有機絶縁材
料に比べ誘電率が高いので、配線遅延時間が長いという
欠点がある。
、無機絶縁材料を使用して形成しｔものは、有機絶縁材
料に比べ誘電率が高いので、配線遅延時間が長いという
欠点がある。
本発明は、内部に銀パラジウムからなる電源配？ｌｊ層
およびスルーホール配線を含むガラスセラミック基板の
表面に、ポリイミド系樹脂からなる絶縁層と、金とポリ
イミド系樹脂との混合物からなるヴイアホール配線と、
この絶縁層の表面に銅薄膜による導体配線ノ脅を有して
いる。
およびスルーホール配線を含むガラスセラミック基板の
表面に、ポリイミド系樹脂からなる絶縁層と、金とポリ
イミド系樹脂との混合物からなるヴイアホール配線と、
この絶縁層の表面に銅薄膜による導体配線ノ脅を有して
いる。
本発明においては、電源配線抵抗およびスルーホー＃装
置ｆ／ｌ：銀パラジウムを用いることに工す配線抵抗が
低下し、絶縁材にポリイミド系樹脂を、ヴイアホール配
線に金とポリイミド系樹脂との混合物をそれぞれ用いる
ことに工り、誘電率が低下する。
置ｆ／ｌ：銀パラジウムを用いることに工す配線抵抗が
低下し、絶縁材にポリイミド系樹脂を、ヴイアホール配
線に金とポリイミド系樹脂との混合物をそれぞれ用いる
ことに工り、誘電率が低下する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
図において、１はガラスセラミック基板、２は多層配線
層、３は入出力端子であり、４，５．６はガラスセラミ
ック基板１のガラスセラミックグリーンシート、７，８
．９はそのスルーホール配線、１０．１１はその電源配
線層である。ま之、１２゜１３．１４は多層配線層２の
配謀パターン、１５゜１６はヴイアホール配線、１７．
１８はポリイミド絶縁層である。
層、３は入出力端子であり、４，５．６はガラスセラミ
ック基板１のガラスセラミックグリーンシート、７，８
．９はそのスルーホール配線、１０．１１はその電源配
線層である。ま之、１２゜１３．１４は多層配線層２の
配謀パターン、１５゜１６はヴイアホール配線、１７．
１８はポリイミド絶縁層である。
このよつな構成において、ガラスセラミック基板１は約
１４００℃以下の低温空気中で焼結可能な無機組成物で
構成されており、この無機組成物からなるグリーンシー
ト４，５および６にはそれぞれスルーホール配線７，８
お工び９を形成するスルーホールが穿設され、それぞれ
のグリーンシート４，５，６穿設され九スルーホールに
銀ノくラジウムを主成分とする厚膜導体ペーストが印刷
法にエフつめ込まれている。さらにグリーンシート４の
表面に第１の電源配線層１０として銀パラジウムを主成
分とする厚膜導体ペーストが印刷法により形成され、さ
らに裏面に端子３形成用のパッドが同様に形成され、ま
友、グリーンシート５の表面に第２の電源配線層１１が
同様に印刷形成されている。次にこれらのグリーンシー
）４，５．６は、それぞれが目合わせの後、積層され・
プレス法によって各層が貼り合わされ、しかる後、この
グリーンシー）４，５．６積層体が７００℃〜９００℃
の空気中で焼成される。この工程によって各グリーンシ
ート４，５．６ｕ一体化されてガラスセラミック基板１
となり、各導体ペーストは焼成されて電源配線層１０，
１１お工びスルーホール配Ｍ１７，８．９となり、端子
３のうちの゛電源端子のそれぞれと各電源配線層との相
互電気的接続および各端子３のスルーホール配線の表面
露出部との電気的接続が行なわれる。このようにして形
成されたガラスセラミック基板１の表面には、スルーホ
ール配線９の表面露出部が形成されている。しかし、ス
ルーホール配線９は前述のように導体ペーストをつめ込
み印刷した後に焼成するのみの状態であるので、表面の
凹凸が激しいことから、焼成後、ガラスセラミック基板
１０表面を研磨して滑らかにし、次に述べる多層配線層
２の形成全容易にしている。このようにして得られ之ガ
ラスセラミック基板１の上にポリイミド系樹脂により絶
縁膜１Ｔを形成し、薄膜法に工り形成されｔ銅の配線パ
ターン１２と上層との導通を得るための手段としてヴイ
アホールを穿設し、金とポリイミド系樹脂との混合物で
ヴイアフイルを形成シ、ヴィアホール配線１５となり、
さらに薄膜法により銅の配線パターン１３を形成する工
程を繰り返し、多層化を行う。
１４００℃以下の低温空気中で焼結可能な無機組成物で
構成されており、この無機組成物からなるグリーンシー
ト４，５および６にはそれぞれスルーホール配線７，８
お工び９を形成するスルーホールが穿設され、それぞれ
のグリーンシート４，５，６穿設され九スルーホールに
銀ノくラジウムを主成分とする厚膜導体ペーストが印刷
法にエフつめ込まれている。さらにグリーンシート４の
表面に第１の電源配線層１０として銀パラジウムを主成
分とする厚膜導体ペーストが印刷法により形成され、さ
らに裏面に端子３形成用のパッドが同様に形成され、ま
友、グリーンシート５の表面に第２の電源配線層１１が
同様に印刷形成されている。次にこれらのグリーンシー
）４，５．６は、それぞれが目合わせの後、積層され・
プレス法によって各層が貼り合わされ、しかる後、この
グリーンシー）４，５．６積層体が７００℃〜９００℃
の空気中で焼成される。この工程によって各グリーンシ
ート４，５．６ｕ一体化されてガラスセラミック基板１
となり、各導体ペーストは焼成されて電源配線層１０，
１１お工びスルーホール配Ｍ１７，８．９となり、端子
３のうちの゛電源端子のそれぞれと各電源配線層との相
互電気的接続および各端子３のスルーホール配線の表面
露出部との電気的接続が行なわれる。このようにして形
成されたガラスセラミック基板１の表面には、スルーホ
ール配線９の表面露出部が形成されている。しかし、ス
ルーホール配線９は前述のように導体ペーストをつめ込
み印刷した後に焼成するのみの状態であるので、表面の
凹凸が激しいことから、焼成後、ガラスセラミック基板
１０表面を研磨して滑らかにし、次に述べる多層配線層
２の形成全容易にしている。このようにして得られ之ガ
ラスセラミック基板１の上にポリイミド系樹脂により絶
縁膜１Ｔを形成し、薄膜法に工り形成されｔ銅の配線パ
ターン１２と上層との導通を得るための手段としてヴイ
アホールを穿設し、金とポリイミド系樹脂との混合物で
ヴイアフイルを形成シ、ヴィアホール配線１５となり、
さらに薄膜法により銅の配線パターン１３を形成する工
程を繰り返し、多層化を行う。
以上説明し友ように本発明によれば、ガラスセラミック
基板では多層配線部に銀パラジウムを、多層配線部には
銅を使用することにより、低抵抗と低価格化とを同時に
実現でき、さらに絶縁層にポリイミド系樹脂を、ヴイア
ホール配）懐に金とポリイミド系樹脂との混合物を用い
ることにエリ、高速かつ高密度な信号配線を形成でき、
なおかつ信頼性が向上するという効果が得られる。
基板では多層配線部に銀パラジウムを、多層配線部には
銅を使用することにより、低抵抗と低価格化とを同時に
実現でき、さらに絶縁層にポリイミド系樹脂を、ヴイア
ホール配）懐に金とポリイミド系樹脂との混合物を用い
ることにエリ、高速かつ高密度な信号配線を形成でき、
なおかつ信頼性が向上するという効果が得られる。
図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
１・・・・ガラス・セラミック基板、２−・・・多、層
配１．地、３・・・・入出力端子、４，５．６・・・・
ガラス・セラミックグリーンシート、７．８．９・・・
・スルーホール配線、１０．１１・・・・醒源配；１濠
層、１２，１３．１４・・・・配蔵ハターン、１５．１
６・・・・ヴイアホール配緋、１７．１８・・・・ポリ
イミド絶縁層。
配１．地、３・・・・入出力端子、４，５．６・・・・
ガラス・セラミックグリーンシート、７．８．９・・・
・スルーホール配線、１０．１１・・・・醒源配；１濠
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６・・・・ヴイアホール配緋、１７．１８・・・・ポリ
イミド絶縁層。
Claims (1)
- 内部に銀パラジウムからなる電源配線層および表裏面を
貫通するスルーホール配線を含むガラスセラミック基板
の表面に、ポリイミド系樹脂絶縁層と、金とポリイミド
系樹脂との混合物からなるヴィアホール配線と、銅薄膜
からなる配線パターンとを交互に積層形成することを特
徴とした多層配線基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2593486A JPS62185351A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 多層配線基板 |
| FR878700396A FR2593346B1 (fr) | 1986-01-17 | 1987-01-15 | Substrat de cablage utilisant une ceramique comme isolant |
| US07/180,585 US4827083A (en) | 1986-01-17 | 1988-04-07 | Wiring substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2593486A JPS62185351A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62185351A true JPS62185351A (ja) | 1987-08-13 |
Family
ID=12179602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2593486A Pending JPS62185351A (ja) | 1986-01-17 | 1986-02-10 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62185351A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100604366B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2006-07-25 | 고등기술연구원연구조합 | 금속상 저온 동시 소성 세라믹 기판 및 그 세라믹 기판의접지면 형성방법 |
-
1986
- 1986-02-10 JP JP2593486A patent/JPS62185351A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100604366B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2006-07-25 | 고등기술연구원연구조합 | 금속상 저온 동시 소성 세라믹 기판 및 그 세라믹 기판의접지면 형성방법 |
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