JPS62195102A - 薄膜抵抗体 - Google Patents
薄膜抵抗体Info
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- JPS62195102A JPS62195102A JP61036510A JP3651086A JPS62195102A JP S62195102 A JPS62195102 A JP S62195102A JP 61036510 A JP61036510 A JP 61036510A JP 3651086 A JP3651086 A JP 3651086A JP S62195102 A JPS62195102 A JP S62195102A
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Links
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はサーマルヘッドの発熱体等に用いられる薄膜抵
抗体の使用時における抵抗値の変動を減少させることを
目的としたもので、タングステンとシリコンと酸素を含
む構成の採用により目的の達成を図っている。
抗体の使用時における抵抗値の変動を減少させることを
目的としたもので、タングステンとシリコンと酸素を含
む構成の採用により目的の達成を図っている。
本発明はサーマルヘッドの発熱体等に用いられる薄膜抵
抗体に関するものである。
抗体に関するものである。
サーマルプリンタにおいては、薄膜抵抗体である発熱体
が形成されたサーマルヘッドを備えており、この発熱体
に通電することによる該発熱体の発熱を利用して印字が
行われる。
が形成されたサーマルヘッドを備えており、この発熱体
に通電することによる該発熱体の発熱を利用して印字が
行われる。
この場合、高温における発熱体の抵抗値の変動が大きい
と印字品質に悪影響を及ぼすので、この変動を少なくす
ることが重要な課題となる。
と印字品質に悪影響を及ぼすので、この変動を少なくす
ることが重要な課題となる。
従来、この種の抵抗体として窒化タンタル（ＴａｚＮ）
が用いられてきたが、比抵抗が低くかつ耐酸化性に欠け
るため、これに代る各種の抵抗体が提案されてきた。そ
の中でも、金属とシリコンの化合物であるシリサイドは
耐酸化性が高いことで知られ、具体的にはタンタルシリ
サイド、クロムシリサイドなどが抵抗体として提案され
ている。
が用いられてきたが、比抵抗が低くかつ耐酸化性に欠け
るため、これに代る各種の抵抗体が提案されてきた。そ
の中でも、金属とシリコンの化合物であるシリサイドは
耐酸化性が高いことで知られ、具体的にはタンタルシリ
サイド、クロムシリサイドなどが抵抗体として提案され
ている。
この中のタンタルシリサイドは、高温で抵抗値が減少す
る傾向があり、これを改善するために窒素を混入させ、
かつシリコンの分量を低く抑えているが完全な対策には
なっていない。これにより得られる比抵抗は５００〜６
００μΩ・Ｃｍ程度で、窒化タンタル（抵抗値が２５０
μΩ・Ｃｍ程度）の２倍程になっている。また、クロム
シリサイドあるいはこれに酸素を混ぜたクロム−シリコ
ン−酸素（Ｃｒ−３ｔ−０）系の抵抗体も、比抵抗は１
０００〜２０００μΩ・ｃｍと高い値が得られるものの
、高温で抵抗値が減少しやすい。さらに、クロムシリサ
イドはぶつ酸を含む液でエツチングをする必要があるた
め、組み合わせて用いる基板材料あるいは導体材料が制
限される。
る傾向があり、これを改善するために窒素を混入させ、
かつシリコンの分量を低く抑えているが完全な対策には
なっていない。これにより得られる比抵抗は５００〜６
００μΩ・Ｃｍ程度で、窒化タンタル（抵抗値が２５０
μΩ・Ｃｍ程度）の２倍程になっている。また、クロム
シリサイドあるいはこれに酸素を混ぜたクロム−シリコ
ン−酸素（Ｃｒ−３ｔ−０）系の抵抗体も、比抵抗は１
０００〜２０００μΩ・ｃｍと高い値が得られるものの
、高温で抵抗値が減少しやすい。さらに、クロムシリサ
イドはぶつ酸を含む液でエツチングをする必要があるた
め、組み合わせて用いる基板材料あるいは導体材料が制
限される。
このように、従来提案されているシリサイドは、高温で
の安定性に問題があった。
の安定性に問題があった。
本発明は上述の問題点を解決することのできる薄膜抵抗
体を提供するもので、次の構成を有している。
体を提供するもので、次の構成を有している。
すなわち、本発明の薄膜抵抗体は、タングステンとシリ
コンと酸素を含んで構成されている。
コンと酸素を含んで構成されている。
タングステンとシリコンの混合物のシリサイド形成温度
は６５０’Ｃと高く、これにさらに酸素を混入すること
により、高温で安定な抵抗体が得られる。
は６５０’Ｃと高く、これにさらに酸素を混入すること
により、高温で安定な抵抗体が得られる。
また、本発明の薄膜抵抗体は、窒化タンタル膜と比較し
て優れた耐酸化性を有することが確かめられている。
て優れた耐酸化性を有することが確かめられている。
以下、第１図及び第２図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
金属とシリコンの混合物成膜時には、完全なシリサイド
が形成されておらずアモルファス状態になっており、こ
れを高温で処理するとシリサイドの結晶が成長する。こ
の場合、シリサイドの比抵抗は数十μΩ・ｃｍと低いの
で、高温下での膜の比抵抗が減少する。
が形成されておらずアモルファス状態になっており、こ
れを高温で処理するとシリサイドの結晶が成長する。こ
の場合、シリサイドの比抵抗は数十μΩ・ｃｍと低いの
で、高温下での膜の比抵抗が減少する。
本発明は、これを防ぐために、シリサイド形成温度が６
−５００Ｃと高いタングステンを用い、さらに酸素を混
入することにより、高温で安定な抵抗体を得るものであ
る。
−５００Ｃと高いタングステンを用い、さらに酸素を混
入することにより、高温で安定な抵抗体を得るものであ
る。
本発明の薄膜抵抗体の形成要領を作用、効果と関連して
説明すると次の通りである。
説明すると次の通りである。
薄膜抵抗体の形成に際しては、第１図に示すように金属
タングステンのターゲット１の上に単結晶シリコン２を
置き、ＲＦマグネトロンによりタングステンとシリコン
の混合膜を表面に形成する。
タングステンのターゲット１の上に単結晶シリコン２を
置き、ＲＦマグネトロンによりタングステンとシリコン
の混合膜を表面に形成する。
この場合、タングステンとシリコンの比を、約１＝３と
したとき、得られた膜の比抵抗は、約１０００μΩ・ｃ
ｍであった。
したとき、得られた膜の比抵抗は、約１０００μΩ・ｃ
ｍであった。
次に、これを用いてスパッタリングを行う際に、スパッ
タガスであるアルゴンに酸素を混ぜてスパッタリングを
行う。これにより、タングステン。
タガスであるアルゴンに酸素を混ぜてスパッタリングを
行う。これにより、タングステン。
シリコン、酸素の混合物が基板上に成膜される。
次に、この膜を窒素中で７００°０．２０分熱処理する
。この場合の熱処理前後での抵抗値の変化を調べた結果
は第２図に示す通りで、酸素量を適当に調節することに
より、熱処理の前後で抵抗値変化の少ない膜が得られる
ことが確かめられた。なお、酸素の混入により比抵抗は
やや上昇し、１２００〜１５００μΩ・ｃｍ（酸素量に
より変化する）の膜が得られた。
。この場合の熱処理前後での抵抗値の変化を調べた結果
は第２図に示す通りで、酸素量を適当に調節することに
より、熱処理の前後で抵抗値変化の少ない膜が得られる
ことが確かめられた。なお、酸素の混入により比抵抗は
やや上昇し、１２００〜１５００μΩ・ｃｍ（酸素量に
より変化する）の膜が得られた。
この膜を用いて作成したサーマルヘッドは、窒化タンタ
ル膜使用の場合と比較して優れた耐酸化性を有し、しか
も動作中の抵抗値の減少も少なく優れた安定性が得られ
た。またこの膜は酸素を混入したフレオン（ＣＦ４）ガ
スにより容易にドライエツチングができ、クロムシリサ
イドの場合のようにぶつ酸系の液を使用しないため、基
板材料。
ル膜使用の場合と比較して優れた耐酸化性を有し、しか
も動作中の抵抗値の減少も少なく優れた安定性が得られ
た。またこの膜は酸素を混入したフレオン（ＣＦ４）ガ
スにより容易にドライエツチングができ、クロムシリサ
イドの場合のようにぶつ酸系の液を使用しないため、基
板材料。
導体材料が制限されることはない。
以上述べたように、本発明によれば、耐酸化性と高温で
の安定性を備えた抵抗体を得ることができる。
の安定性を備えた抵抗体を得ることができる。
第１図は本発明の実施例のタングステンとシリコンの混
合膜形成要領説明図、 第２図は本発明における酸素混入の効果を示すグラフで
、 図中、 ■は金属タングステンのターゲット、 ２は単結晶シリコンである。
合膜形成要領説明図、 第２図は本発明における酸素混入の効果を示すグラフで
、 図中、 ■は金属タングステンのターゲット、 ２は単結晶シリコンである。
Claims (1)
- タングステンとシリコンと酸素を含むことを特徴とする
薄膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036510A JPS62195102A (ja) | 1986-02-22 | 1986-02-22 | 薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036510A JPS62195102A (ja) | 1986-02-22 | 1986-02-22 | 薄膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195102A true JPS62195102A (ja) | 1987-08-27 |
Family
ID=12471825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61036510A Pending JPS62195102A (ja) | 1986-02-22 | 1986-02-22 | 薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62195102A (ja) |
-
1986
- 1986-02-22 JP JP61036510A patent/JPS62195102A/ja active Pending
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