JPS5992502A - 薄膜抵抗体、その製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗体、その製造方法Info
- Publication number
- JPS5992502A JPS5992502A JP57202574A JP20257482A JPS5992502A JP S5992502 A JPS5992502 A JP S5992502A JP 57202574 A JP57202574 A JP 57202574A JP 20257482 A JP20257482 A JP 20257482A JP S5992502 A JPS5992502 A JP S5992502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film resistor
- tantalum
- nitrogen
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は感熱記録用サーマルヘッドの発熱体等に用いら
れる薄膜抵抗体とその製造方法に関するものである。
れる薄膜抵抗体とその製造方法に関するものである。
従来技術と問題点
従来薄膜プロセスによ多形成された感熱記録用サーマル
ヘッドは、発熱体として窒化タンタル（Ｔａｌ＃）を用
いていた。
ヘッドは、発熱体として窒化タンタル（Ｔａｌ＃）を用
いていた。
ところかこのＴａ２Ｎの薄膜抵抗体は次の各種の欠点を
崩している。
崩している。
（１）比抵抗が２００〜３００μΩ・ａｍ程度と低いた
め、面積抵抗が１００Ω７４程度のものしか得られない
。
め、面積抵抗が１００Ω７４程度のものしか得られない
。
（２）耐酸化性が悪く、ヘッドの使用温度の約４００℃
以上で急速に酸化される。
以上で急速に酸化される。
これらの欠点を解決するため、第１図に示すように、折
り曲けた形の抵抗体１を導体２，３の間に形成する方式
も提案されているが、微細加工が要求されるため歩留シ
の低下は避けられなかった。
り曲けた形の抵抗体１を導体２，３の間に形成する方式
も提案されているが、微細加工が要求されるため歩留シ
の低下は避けられなかった。
発明の目的
本発明は上述の欠点を解決するためのもので、比抵抗が
高くしかも耐酸化性が優れた薄膜抵抗体を提供するとと
もに該薄膜抵抗体の製造方法を提供することを目的とし
ている。
高くしかも耐酸化性が優れた薄膜抵抗体を提供するとと
もに該薄膜抵抗体の製造方法を提供することを目的とし
ている。
発明の構成
本発明は、上述の目的を達成するため、アルミニウムと
酸素とタンタルと窒素を含む薄膜抵抗体を構成したもの
で、またその製造に際しては、酸化アルミニウムとタン
タルよシなるターゲットを用い、窒素とアルゴンの混合
気体中でスバツタリングを行って基板上に薄膜抵抗体を
形成するものである。
酸素とタンタルと窒素を含む薄膜抵抗体を構成したもの
で、またその製造に際しては、酸化アルミニウムとタン
タルよシなるターゲットを用い、窒素とアルゴンの混合
気体中でスバツタリングを行って基板上に薄膜抵抗体を
形成するものである。
実施例
以下、第２図乃至第４図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
本発明は窒化タンタル抵抗体に絶縁物である酸化アルミ
ニウム（アルミナ）を混ぜることによシ比抵抗の増大と
耐酸化性の向上を図ったものである。
ニウム（アルミナ）を混ぜることによシ比抵抗の増大と
耐酸化性の向上を図ったものである。
このような構成の薄膜抵抗体は、例えば、第２図に示す
ように、アルミナ焼結体１１上にタンタル板１２を乗せ
たターゲットを用いてスパッタリングすることによシ得
ることができる。
ように、アルミナ焼結体１１上にタンタル板１２を乗せ
たターゲットを用いてスパッタリングすることによシ得
ることができる。
次にこのターゲットにより得られた薄膜抵抗体の特性を
調べた結果を説明する。
調べた結果を説明する。
特性調査用の試料は、純度９９．９９％のアルミナを用
い、タンタル板の量を調整してタンタルの面積がアルミ
ナの表面積に対し５０％、２５％、１２．５１とした３
種類のターゲットを使用してＲＦマグネトロンスパッタ
法によシ作成した。この場合のスパッタ（３） ガスはアルゴンと窒素の混合気体で、各種ターゲットに
ついて窒素分圧を変化させてそれぞれ試料を作成した。
い、タンタル板の量を調整してタンタルの面積がアルミ
ナの表面積に対し５０％、２５％、１２．５１とした３
種類のターゲットを使用してＲＦマグネトロンスパッタ
法によシ作成した。この場合のスパッタ（３） ガスはアルゴンと窒素の混合気体で、各種ターゲットに
ついて窒素分圧を変化させてそれぞれ試料を作成した。
こうして得られた試料上の薄膜抵抗体の比抵抗ρと抵抗
値変化率を測定した結果、第３図及び第４図のグラフが
得られた。
値変化率を測定した結果、第３図及び第４図のグラフが
得られた。
第３図は窒素分布に対する比抵抗の関係を示すグラフで
、カーブＡはタンタル面積比５０チの場合の特性を、カ
ーブＢはタンタル面積比２５チの場合の特性を、カーブ
Ｃはタンタル面積比１２．５％の場合の特性をそれぞれ
示している。本図に明らかなように、窒素分圧の上昇に
伴ないρは上昇しておシ、タンタルの面積比と窒素分圧
を適当に設定することによシ比抵抗３００〜１００００
μΩ・Ｏｍ の範囲で所望の薄膜抵抗体が得られる。
、カーブＡはタンタル面積比５０チの場合の特性を、カ
ーブＢはタンタル面積比２５チの場合の特性を、カーブ
Ｃはタンタル面積比１２．５％の場合の特性をそれぞれ
示している。本図に明らかなように、窒素分圧の上昇に
伴ないρは上昇しておシ、タンタルの面積比と窒素分圧
を適当に設定することによシ比抵抗３００〜１００００
μΩ・Ｏｍ の範囲で所望の薄膜抵抗体が得られる。
また、第４図は窒素分圧に対する抵抗値変化率の関係を
示すグラフである。これは薄膜抵抗体の耐酸化性を評価
するために行ったもので、試料を３５０℃で１時間熱処
理した後に抵抗値変化率を測定した。図中、カーブＤは
タンタル面積比５０チの場合の特性を、カーブＥはタン
タル面積比２５チの（４） 場合の特性を、カーブＦはタンタル面積比１２．５ ％
の場合の特性をそれぞれ示している。
示すグラフである。これは薄膜抵抗体の耐酸化性を評価
するために行ったもので、試料を３５０℃で１時間熱処
理した後に抵抗値変化率を測定した。図中、カーブＤは
タンタル面積比５０チの場合の特性を、カーブＥはタン
タル面積比２５チの（４） 場合の特性を、カーブＦはタンタル面積比１２．５ ％
の場合の特性をそれぞれ示している。
本図に明らかなように、スパッタガスに窒素を入れない
場合は抵抗値変化率が約１４％と大きいが、窒素を適当
な分圧だけ入れることにょシ抵抗値変化率を＋１〜２チ
に抑えることができる。なお、比較のため従来の窒化タ
ンタルの薄膜抵抗体についても同様の測定を行ったとこ
ろ、抵抗値変化率は約６チであシ、本発明の抵抗体がは
るかに優れていることが確かめられた。
場合は抵抗値変化率が約１４％と大きいが、窒素を適当
な分圧だけ入れることにょシ抵抗値変化率を＋１〜２チ
に抑えることができる。なお、比較のため従来の窒化タ
ンタルの薄膜抵抗体についても同様の測定を行ったとこ
ろ、抵抗値変化率は約６チであシ、本発明の抵抗体がは
るかに優れていることが確かめられた。
上述の説明ではタンタル板をアルミナ上に乗せたターゲ
ットを用いた例について述べたが、タンタルとアルミナ
の混合物をターゲットとして用いても良いことは勿論で
ある。
ットを用いた例について述べたが、タンタルとアルミナ
の混合物をターゲットとして用いても良いことは勿論で
ある。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、比抵抗が高くしか
も耐酸化性が優れた薄膜抵抗体を得ることができ、しか
もその製造は容易である。
も耐酸化性が優れた薄膜抵抗体を得ることができ、しか
もその製造は容易である。
第１図は従来の薄膜抵抗体の構造説明図、第２図乃至第
４図は本発明の実施例を示すもので、第２図はターゲッ
トの１例を示す正面図、第３図は窒素分圧と比抵抗の関
係を示すグラフ、第４図は窒素分圧と抵抗値変化率の関
係を示すグラフである。 図中、１１はアルミナ焼結体、１２はタンタル板である
。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部（外３名）
４図は本発明の実施例を示すもので、第２図はターゲッ
トの１例を示す正面図、第３図は窒素分圧と比抵抗の関
係を示すグラフ、第４図は窒素分圧と抵抗値変化率の関
係を示すグラフである。 図中、１１はアルミナ焼結体、１２はタンタル板である
。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部（外３名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 アルミニウムと酸素とタンタルと窒素とを含むこ
とを特徴とする薄膜抵抗体。 ２ ？！＆化アルアルミニウムンタルとよシなるターゲ
ットを用い、窒素とアルゴンの混合気体中テスパッタリ
ングを行うことを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202574A JPS5992502A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 薄膜抵抗体、その製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202574A JPS5992502A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 薄膜抵抗体、その製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992502A true JPS5992502A (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=16459741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57202574A Pending JPS5992502A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 薄膜抵抗体、その製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016136610A (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-28 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP57202574A patent/JPS5992502A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016136610A (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-28 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
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