JPS62193696A - 超純水の製造法 - Google Patents

超純水の製造法

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JPS62193696A
JPS62193696A JP61033843A JP3384386A JPS62193696A JP S62193696 A JPS62193696 A JP S62193696A JP 61033843 A JP61033843 A JP 61033843A JP 3384386 A JP3384386 A JP 3384386A JP S62193696 A JPS62193696 A JP S62193696A
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JP
Japan
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water
treated
photocatalyst
ultrapure water
toc
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Application number
JP61033843A
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English (en)
Inventor
Tomoji Kawai
知二 川合
Hisao Sato
久雄 佐藤
Yoshiharu Oota
太田 嘉治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nomura Micro Science Co Ltd
Original Assignee
Nomura Micro Science Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/30Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
    • C02F1/32Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation with ultraviolet light
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S210/00Liquid purification or separation
    • Y10S210/90Ultra pure water, e.g. conductivity water

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超純水の製造にお゛ける有機不純物の除去工程
、特に超純水の製造を目的とする水処理に際し、被処理
水中に含まれる有機物、すなわち全有機炭素(以下TO
Cという)を分解除去する工程を特徴とする超純水の製
造法に関するものである。
従来の技術Sよび問題点 半導体集積回路製造工程での半導体ウェハー洗が求めら
れている。また医薬品製造においても製造用仕込水及び
ファイナル洗浄水として超純水が求められている。
現在までに種々の超純水製造法が提案され、使用されて
おり、それらは被処理原水の種類、したがって原水に含
まれる混入物の種類、量等に応じて適切な前処理法と組
合せた逆浸透法、活性炭吸着法、イオン交換樹脂吸着法
、限外r適法、さらには特に近年半導体集積回路製造工
程の洗浄水の再生のために有用とされている紫外線によ
る有機物の酸化分解法(UV酸化法と呼ぶ)等の適宜の
多段工程からなる。これら超純水の製造のための従来技
術によれば、超純水中に含まれろ不純物のうちイオン分
については測定器の定量限界以下とすることができるが
、TOCに関しては完全な除去は難しく、なお改善の余
地がある。
上述したごとく、超純水製造技術において特に一層の改
善が求められている微渣の有機不純物の除去、すなわち
TOC値の減少の観点から、上記従来技術を評価すると
、概して膜f適法、吸着法等については、TOCに関与
しない成分の除去とともKTOC関与成分も除去しよう
とするものである。しかしながら、被処理水中のTOC
が高い場合には超純水製造装置への負荷が大きくなり、
膜r過去に8いては膜の目詰りKよる造水量の低下や膜
の劣化による不純物除去率の低下が生起し、また吸着法
においては、吸着飽和量の管理が難しいため、吸着飽和
による不純物のリークが起るなどの故障が発生する恐れ
がある。
膜p適法に?ける有機不純物の除去は、相当の前処理を
行った後にイオン、微粒子などとともに逆浸透法により
行うが、被処理水中の濃度により30〜80チの除去が
限界である。また限外r適法では、有機不純物の除去は
高分子量のもののみが対象となるため、TOC除去目的
よりもむしろ微粒子などを除去することに使用されてい
る。低分子量の有機不純物については、膜r過去ではほ
とんと除去できない。
イオン交換樹脂法、活性炭法等の吸着法によれば、その
TOC除去能力は被処理水中のTOC濃度にもよるがせ
いぜい50チ程度に過ぎず、しかもイオン交換樹脂法で
は有機不純物に電荷がないと除去できず、また活性炭法
では低分子量のものは吸着できない上イオン性不純物の
溶出があるために、いずれも使用範囲が限られ、さらに
吸着飽和の管理が難しい等の欠点がある。
一方、UV酸化法は主として半導体集積回路製造工程で
排出される洗浄廃水の処理に使用されているもので、か
〜る洗浄廃水に過酸化水素を添加し、これに紫外線を照
射することにより主としてTOC成分、たとえばメタノ
ール、イソゾロビルアルコール、酢酸、界面活性剤、レ
ジスト等を酸化分解させて除去しようとするものである
。しかしながら、UV酸化法は処理水1m3 当り2〜
10KWの紫外線照射で2〜4時間程度の長い反応時間
を必要とし、しかも分解能力は初期TOC濃度の172
〜115程度までを限界としており、なお満足すべきも
のではない。
か〜る従来技術の現状において、一方省資源と環境汚染
の防止の観点から水の回収再利用の問題のより有効な解
決のため及びより高純度の超純水の需要の拡大に対応す
るためKより効果的でかつより高品質の超純水を製造す
る技術の開発が要望されている。
本発明者らは上述したごとき従来の超純水製造技術にお
いて特に重要視されているTOC値の減少、すなわちT
oam与成分の除去のための有効な方法として微粒子状
無機半導体の光触媒作用の利用に着目して検討した結果
、微粒子状の無機半導体に周期律表第■族の金属及び/
又はその酸化物を担持してなる光触媒の存在下に被処理
水に光照射することにより該被処理水中に含まれる有機
物を炭酸ガスと水にまで完全に酸化分解せしめ得ること
、したがってこの処理工程を超純水の製造のための既知
技術と組合わせることによって、従来技術よりも著しく
効率的にかつより高純度の超純水を製造し得ることを認
めた。
したがって、本発明は、超純水の製造を目的とする水処
理において、被処理水中に含まれる有機物を、微粒子状
の無機半導体に周期律表第■族の金属及び/又はその酸
化物を担持してなる光触媒の存在において光照射により
酸化分解させる工程を行なうことを特徴とする超純水の
製造法を提供するものである。
微粒子状の無機半導体の光触媒作用はそれ自体既知のも
のである。すなわち、微粒子状無機半導体にその価電子
帯と伝導帯とのノ々ンドギャップ以上の光を照射すると
価電子帯から電子が伝導帯へ移動し、価電子帯には正孔
が発生する。この電子と正孔は微粒子効果により微粒千
円拡散からその表面に達し、該微粒子が有機物を含む水
溶液中にある場き、該有機物を酸化分解する。さらにこ
の微粒子状半導体の表面に周期律表第■族の金属及び/
又はその酸化物を担持させることにより、その触媒活性
は大幅に高められる。
光触媒に関しては、新エネルギーとして注目されている
水から水素発生の新しい方法として研究されているが、
この強い酸化力を利用して、超純水製造を目的とする水
処理法において被処理水中の微量の有機不純物を分解除
去しようとする試みについてはまだ何等報告されていな
い。本発明においてか〜る光触媒の超純水製造への適用
を試みた結果、微量の有機不純物を測定器の定量限界以
下にまで除去し得たことは本発明者ら自身にとっても予
想外のことである。
以下本発明を具体的に説明すれば、本発明は超純水の製
造を目的とする任意の製造法において被処理水中に含ま
れる有機不純物の除去のために適用し得るものである。
有機不純物含有被処理水の代表的なものとしては水道水
、工業用水、井水。
洗浄廃水、それらから誘導される部分的精製水及び純水
をあげることができ、洗浄廃水としては特に半導体集積
回路製造工程からの洗浄廃水の再生処理に有利に適用し
得る。
本発明で使用される微粒子状半導体としては一般に0.
5〜7 eV のバンドギャップ、好ましくは1〜3 
eV のバンドギャップをもつもの、具体的にはTie
、 SrTiO3,WO3,In2O3,CdS、 C
dO,CdSe。
SiC,MoS  Mode  及びFe2O3を例示
し得る。特2’       2 に価電子帯と伝導帯のバンドギャップと標準水素電極電
位忙対する位置から、有機物の酸化分解に対してはTi
OSrTiO30wo5. Fe2O3,CdS等が適
2′ 当であり、特にTlO2(アナターゼ型)が好ましい。
微粒子状無機半導体の粒径は一般に約30mμ〜100
μの範囲、より好ましくは100mμ〜10μの範囲の
ものが使用される。
微粒子状無機半導体に担持される周期律表第彊族金属及
び/又はその酸化物の代表的なものとしてはPt、 P
d、 Rh、 Ni、 NiO及びRuO2をあげるこ
とができ、これらは所望ならば二種以上組合わせて使用
することもできる。該金属及び/又は金属酸化物の担持
量はその種類、使用する無機半導体の種類、使用目的等
に従って変動し得るが、一般に無機半導体に対して0.
01〜20重7%、より通常は0.1〜15重量%程度
である。
本発明で使用される光触媒の種類、すなわち微粒子状無
機半導体と周期律表第■族金属及び/又はその酸化物と
の組合せ、その組成及び使用1等は、本発明の教示に基
づき個々特定の被処理水及び目的とする超純水に要求さ
れる品質に応じて所要に応じて当業者が実験的に選定し
得るであろう。
本発明で使用される光触媒の代表的な例としてはTiO
/Pt、  TiO/Rub2.  TiO□/Pt+
Ru0゜’rto2/pd、  Tie2/Rh、  
Tie2/Ni、  CdS/Pt。
WO3/ Pt、  re203/ Pt、  In2
O3/ Pt  等をあげることができるが、勿論これ
らに限定されるものではない。
無機半導体への金属の担持法としては無機半導体の種類
により適宜選定され、既知の方法、たとえば混線法、光
電析法(光メッキ法)等を使用し得るが、担持した金属
の無機半導体への結合力が大である点で光電析法の使用
が好ましい。
本発明の方法は、超純水の製造において主として被処理
原水の種類に応じて選定される適宜の段階で実施される
。たとえば、被処理原水として水道水、工業用水、井水
等を使用する場合には、たとえばその水質に応じて逆浸
透法による処理水又はイオン交換法による処理水をその
対象とすることが好ましい。また被処理原水として半導
体集積回路製造工程で生ずる洗浄廃水を使用する場合に
は、たとえば洗浄廃水に活性炭、イオン交換処理を行っ
た後に組込む方法があげられるが、これらは単なる組合
せの例示であり、勿論これらに限られるものではない。
本発明の方法を具体的に実施するには、分解する有機物
の種類や量に応じて触媒を選択する。例えば、無機半導
体としてTiO2を選択する場合には、光源の利用波長
範囲は広くないが酸化力が非常に強いのでほとんどの有
機物の酸化分解が可能であるが、これに、pt  を担
持することにより、著しく活性を高めることができろ。
また、CdS /pt の場合は光源の利用範囲が広い
ので、酸化力はTlO2/ Ptよりも弱いがエネルイ
ー的に有利である。一般に、本発明に従って光触媒反応
により水中の有機不純物を酸化分解するためには、まず
適宜の光触媒を選択し、それに厄じて光源の波長を決定
する。また、無機半導体は微粒子状であるため、その取
扱い上から30mμ〜100μ程度、特に実用上100
mμ〜10μ程度の大きさのものが適しており、一方担
持される周期律表第■族の金属及び/又はその酸化物は
その活性の度合と担持法による半導体との結合力から選
択する必要がある。またその担持量についても無機半導
体の種類に応じ、例えばTiO2では1.0〜10重量
−程度であるが、担持法や触媒活性の強さ、担持する金
属及び/又はその酸化物により異なるため適宜選択する
必要がある。これら光触媒の組成の決定は個々特定の場
合について当業者が簡単な実験により行ない得るであろ
う。
以下本発明の効果を被処理水として半導体集積回路製造
工程で生ずる洗浄廃水の処理に関して代表的な従来技術
であるUV酸化法と対比して説明する。か〜る洗浄廃水
中に含まれる有機物の主成分はメタノール、イソプロピ
アルコール、酢酸であり、これらの分解除去はUV酸化
法ではそれらの初期濃度の175〜1/2までを限界と
しているに対し、本発明の光触媒法では検出器では測定
ができない、すなわち定量限界以下の低濃度(< O,
0Sqc/l )まで分解除去が可能である0この分解
力について、光触媒としてTiO2/Ptを用いた場合
とUV酸化による場合とな比較すると、同じ光エネルギ
を与えて反応を生起させたとき、UV酸化法でToe値
がその初期濃度の1/2に達するまでに光触媒法では測
定器の定量限界である0、05tpq c / を以下
にまで達することが認められた。か〜る比較の一具体例
として、メタノール、イソゾロビル アルコール及び酢
酸をそれぞれ10■/1m解した超純水(超純水自体の
Toeは0.07tlfc/l ) 200−を被処理
水(TOC値13.7711VC/ t )とし、本発
明の光触媒法〔アナターゼ型Ti02(粒度0.1〜1
0μの市販品)にその1重量%のpt  を光電析法に
よって担持した光触媒0.59を使用〕と従来技術によ
るUV酸化法〔被処理水のTOD値の1.2倍量の過酸
化水素を添加して紫外線照射する)により、いずれも5
00W高圧水銀ランプを用いて2時間処理した場合につ
いて、30分毎に処理水中のToe値をドーマンDC−
80型TOCアナライザーを用いて測定し、結果を添付
図面に示す。この比較試験結果は上述した本発明の顕著
に優れた効果を裏付けるものである。すなわち、本発明
における光触媒によるTOC関与成分の分解除去能力は
従来技術の水準からは全く予想外の驚くべき効果である
。UV酸化法により有機不純物を分解除去して得られた
水はなお水道水、工業用水と同じ程度あるいはそれ以上
のToe値(有機不純物含量)を示すため、この回収シ
ステムにより処理された水はそのままでは超純水として
使用することはできない。
しかるに、光触媒法を用いてTOC関与成分を分解除去
する回収システムから得られた処理水はそのまま超純水
として利用が可能である。さらに本発明は触媒反応であ
るため、従来のUV酸化法のように被処理水に添加され
た過酸化水素のような未反、応の残留酸化剤をさらに処
理する工程を必要としないという利点もある。このよう
に1本発明の方法はたとえば半導体集積回路製造工程で
発生する洗浄廃水の回収処理に8けるTOC関与成分の
分解除去をほとんど完全に行えるという利点がある。
さらに本発明の方法によれば、被処理水として半導体集
積回路製造用の洗浄水として用いられる超純水の製造用
水、あるいは医薬品製造工程で用いられる製造用仕込水
及びファイナル洗浄水の製造用水として用いられる水道
水、工業用水、井水及びこれらから誘導される部分的精
製水又は純水を被処理水として、それらに含まれる有機
不純物を完全に分解除去することも可能である。また、
医薬品用の超純水に要求される人体に有害な水中の微量
有機不純物の確実な分解除去も達成可能である〇 現在使用されている種々の超純水製造装置では、被処理
水中に含まれる有機不純物が原因となって超純水製造装
置に負荷を与え、故障の発生を惹起すこともあるが、本
発明の方法を用いて有機不純物を分解除去することによ
りか〜る負荷がなくなるという利点もある。
実施例 以下、本発明を実施例により説明するが、これらは何等
本発明を限定するものではない。
実施例1 被処理水として、半導体集積回路製造工程で排出されろ
洗浄廃水に擬製して、か〜る廃水中に最も多量に含ま・
れているメタノール、イソゾロビルアルコール及び酢酸
の各10++y/lを超純水(それ自体のTOC値0.
071ngC/L)に溶解した水溶液(TOC値13.
77ηC/z)を標準試料として選び、これを用いてこ
れらの有機物の酸化分解効果を測定した。
光触媒として、アナターゼ型T iO2(粒度0.1〜
10μの市販品)にその1重量%のpt  を光電析法
(光メッキ法)によって担持させた触媒0.5gを用い
た。
上記水溶液200−を500−のナスフラスコに採り、
上記光触媒(TlO2/ P t ) 0−59を添加
し、攪拌しつつ、500W高圧水銀ランプで2時間照射
した。処理後、処理水のTOC値を前出のドーマンDC
−80型TOCアナライザーにより測定したところ、(
0,05ηC/l、すなわち該測定器の定量限界以下で
あった・ 比較例1 比較のため、実施例1の方法を、たyし光触媒として金
属を担持しないアナターゼ型Tio20.51のみを用
いて反復した。処理水のTOC値は0.6ηc7tであ
った。
比較例2 本例はUV酸化法による比較例である。光触媒を使用せ
ず、過酸化水素を被処理水のT0n値の1.2倍量添加
した以外は実施例1に述べた方法を反復した。処理水の
TOC値は6.3119C/lであった。
実施例2 光触媒として混線法により調製したTiO2/Pt(p
t 担持i1 : TiO2の10重量%)を用いた以
外は実施例1の方法を反復して実施例1と同一の結果を
得た。
本実施例は担持方法による触媒活性の差を検討するため
のものであり、光電析法の方がT iO2K対するpt
 の結合力において顕著に優れ、pt 使用量を大幅に
低減せしめ得ることが認められたが、触媒活性は同等で
あった。
実施例2の方法を、たrLPt  の代りに他の金属及
び/又は金属酸化物を用いて反復した。各実施例で使用
した光触媒の明細及び得られた処理水のTOC値の測定
結果を次表に示す。
実 施 例 無機半導体 担持金属 処理水のTOC値
実施例3   TiO2(0,5)  Pd (10)
   <o、os実施例4   TiO2(0−5) 
 Ru02(10)   0.1実施例5   Ti0
2(0,5)  Ni (10)    0.07実施
例6   TiO2(0,5)  Rh (10)  
 <o、os実施例7   TiO2(0,5)  R
uQ2+Pt(5+5) <0.05上記実施例で光触
媒を混線法で調製したのは処理がきわめて簡単であるた
めである。
実施例8 光源トして500WのXe  ランプを用いた以外は実
施例2の方法を反復した。得られた処理水のTOC値は
(0,05■C/lであり、結果は実施例2と同等であ
た。
実施例8の方法を、たyし光触媒としてTiO2以外の
種々の無機半導体にpt  を該半導体の10重量%の
量で担持したものを用いて反復した。各実施例で使用し
た光触媒の明細及び得られた処理水のTOC値の測定結
果を次表忙示す。
実施例 無機半導体 担持金属 処理水のTOC値実施
例9 Fe2O3(0−5)   Pt(IQ)   
   5.1実施例+owo、   (0,5)   
Pt(to)      2.0実施例If CdS 
  (0,5)   Pt(10)     <0.0
5実施例12In203 (0,5)   Pt(IQ
)      0.11実施例13 被処理水として実際の半導体集積回路製造工程で排出さ
れた洗浄廃水(TOC値2511vC/ l )を用い
た以外は実施例1の方法を反復した。得られた処理水の
TOC値は<O,OS■C/ tであり、実施例1と同
等以上の効果が認められた。
実施例14 被処理水として水道水(TOC値1.0■C/l )を
用いて実施例1の方法を反復した。処理水のTOC値は
0.08ηC/lであった・ 上記実施例及び比較例から明らかなように、本発明の特
徴とする光触媒の活性はUV酸化法と比較して有機物の
酸化分解力の点で当初の予想を大幅に超えるものであっ
た。現在のTOCアナライザーは信頼のおける測定値と
して定量限界値を設定しているが、本発明方法によって
得られる処理水、すなわち超純水のTOC値はか〜る定
量限界値を下回り、標準試料として用いた被処理水の調
製に使用した超純水のTOC値0.07QC/lよりも
さらに低いo、osttqc7を以下であり、実際上約
0.01■C/を又はそれ以下であろうと推定される。
また本発明方法においては利用波長の異なる二種又はそ
れ以上の無機半導体を組合せて光触媒中に用いることに
より、光源の波長を全範囲にわたって利用することも可
能である。特に上記実施例ではTiO2に比較して活性
が低め結果を示したWO3,Fe2O3,In2O3等
は、利用波長範囲がT io2  よシも広いためエネ
ルギー効率が高いという利点がある。したがって本発明
は、実用上、UV酸化法に比して分解力のみならずエネ
ルギー効率の面でもはるかに有利な方法として期待され
る。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の光触媒法と従来技術のUV酸化法による
水中の微量有機不純物の分解除去効果を処理水のTOC
値により比較するグラフであり、曲線Aは光触媒として
TiO2/ Ptを使用した本発明方法、曲線Bは過酸
化水素を添加してUv照射するUV酸化法のTOC値を
時間の関数として示すものである。 手続補正書(自発) 昭和61年3月17日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 超純水の製造を目的とする水処理において、被処理水中
    に含まれる有機物を、微粒子状の無機半導体に周期律表
    第VIII族の金属及び/又はその酸化物を担持してなる光
    触媒の存在において光照射により酸化分解させる工程を
    行なうことを特徴とする超純水の製造法。
JP61033843A 1986-02-20 1986-02-20 超純水の製造法 Pending JPS62193696A (ja)

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