JPS62193671A - 帯状体への塗布液のワイピング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、帯状体への塗布液のワイピング装置、特に、
帯状体の高速走行時にワイピングガスの流れを８周節す
ることによってスプラッシュミストによるノズル閉塞さ
らには品質劣化を防止する装置に関する。

近年のメンキラインは生産性向上を目的にして高速化が
要求されている。このことは、塗布型化成処理法につい
ても同様であり、高速化が求められている。

本発明は、このような当業界での今日的要求に応えるも
のである。

（従来の技術） ところで、従来、化成処理皮膜の付着量コントロール法
としてロール絞りが、一般的であったが、ラインスピー
ドにより付着量が変化するとか、またロールがストリッ
プエツジで損傷されるとその傷が成品に転写される、等
の問題がみられる。

あるいは、ストリップエツジ部への回り込みによるエツ
ジ着色等の問題があった。

かかる問題の解決策として、高速ガスを吹付けて余剰の
塗布液を払拭するガスワイピング法が提案されているが
、この方法の最大の欠点は、ワイピング時に生しるスプ
ラッシュによるミス１ル発生（以下、単に「スプラッシ
ュミスト」という）である。スプラッシュミス１−が発
生すると、ワイピングノズルの閉塞、帯状体への付着、
不均一イ」着等の問題が生じてくる。

かかるスプラッシュミストにたいして従来その解決策が
種々提案されてきた。

例えば、特開昭５３−５２５４９号は、ガスワイピング
の際のスプラッシュミストによる付着量の調整、品質確
保を目的に、ワイピングノズルで周囲空間を二分し、上
側空間を大きくすることにより、その上側空間からのガ
ス流れを下側空間に持ち来して、ワイピングノズル周囲
の空間内において全体として下向きの強力なガス流れを
生成させ、スプラッシュミストによる害作用を防止しよ
うとしている。かかる方式では、ワイピングノズルの背
後から回り込んだ下向きのガス流れは不可欠である。

特開昭５８−５５０６９号にあっては、ガスワイピンク
リズルの下方にバッフル板を設けるとともに、このバッ
フル板との間に二次空気通路を設け、ノズル下端にミス
トを同伴していないきれいな二次空気を取り入れている
。この場合にも、ガスワイピングノズルの下端面でのノ
ズル先端に向かう空気流れは必須である。

しかしながら、本発明者らの実験結果からは、上述のよ
うな従来の装置では、今日要求されているような、例え
ば１５０ｍ　／分収上というような高速処理を行う場合
、スプラッシュミストによる害作用を必ずしも充分に満
足できる程度に防止できないことが判った。

すなわち、高速になればなるほどスプラッシュミストに
よる害作用が顕著になってくるのである。

（発明が解決しようとする問題点） したがって、本発明の目的は、スプラッシュミストによ
る害作用を防止するワイピング装置を提供することであ
る。

また、本発明の別の目的は、帯状体の走行速度が、例え
ば、１５０ｍ／ｍｉｎ以上と大きくなって、ミストの発
１１夕速度が大きくなっても、帯状体の走行方向の上流
側にミストを効果的に排出できるワイピング装置を提供
することである。

（問題点を解決するための手段） かくして、本発明者らは、かかる目的達成のために、鋭
意検討を重ねたところ、従来にあって、バッフル板を設
けるのはよいが、そのバッフル板の上面とワイピングノ
ズルの下端面との間に空間を設りてそのノズル先端に向
かったガス流れを生成させても、ミストを構成する細か
い粒子は運動エネルギーを与えられているため、そのよ
うなガス流れに抗して容易に飛散してしまうことを知っ
た。

このように、ワイピングノズル下端面の流れに反してス
プラッシュ自体の運動エネルギーでワイピングノズルと
パンフル板との間を囲繞体側壁の方向に飛散するスプラ
ッシュミストが存在し、これがこの囲繞体側壁近傍に不
可避的に存在する上昇気流に乗りワイピング処理後の成
品に付着するのである。かかるスプラッシュはライン速
度が高速になればストリップにより持ち上げられる化成
処理液量が多くなるためより激しくなる。

ここに、本発明の要旨とするところは、塗布液の付着し
た、走行する帯状体の少なくとも一方の面に対向して設
けられたガスワイピングノズル；前記帯状体およびガス
ワイピングノズルを包囲し、該帯状体の出口部を備えた
囲繞体；該囲繞体内にあって、前記ガスワイピングノズ
ルの少なくともｌの下端面に接して配置され、前記帯状
体の走行する開口部を残して、該囲繞体を、前記ガスワ
イピングノズルが配置された上部空間と下部空間とに分
離、区画する、該帯状体を挟んで対向配置された一対の
パンフル板；および前記囲繞体の下部空間に連通し、吸
引、排気手段に接続したワイピングガス排出口 を備えたことを特徴とする、帯状体への塗布液のワイピ
ング装置である。

また、前記囲繞体の下端を開放端として、前記帯状体を
浸漬、引上げる塗布液浴に浸漬してもよく、および／ま
たは前記ガスワイピングノズルの先端部から前記下部空
間内に伸びたワイピングガスの泗曲案内板をさらに備え
てもよい。

剰塗布液の受け皿部を、前記下部空間内に設けてもよい
。

本発明の処理の対象となるのは、溶融亜鉛めっきなどの
溶融めっき処理、電気めっき鋼板等に対するクロメート
処理などの化成処理、その他各種の表面処理であり、そ
れらの処理に際して、塗布液の均一付着、回り込み防止
、等を目的に行うガスワイピング法一般に適用されるの
である。

したがって、「塗布液」には、溶融金属、化成液、その
他の表面処理液が包含される。

「帯状体」にも、したがって、いわゆる鋼ストリップば
かりでなく、アルミストリップ等も包含されるのである
。

（作用） ここで、添付図面を参照しながら本発明をさらに詳細に
説明する。

第１図ないし第３図は、本発明にかかるワイピング装置
の概念を模式的に示すものであり、第４図は、本発明に
係る装置を具体的に組め立てたときの斜視図である。

各図面において、同一部材は同一符号で示す。

第１図において、塗布液の浴２から引き上げられる帯状
体４および一般に対になって配置されているガスワイピ
ングノズル６は囲繞体８によって包囲されており、帯状
体４の出口部９を頂部に設けた該囲繞体８はパ・７フル
板１０によって上部空間１２と下部空間１４とに区画さ
れている。下部空間１４にはワイピングガスの排出口１
６が設けられている。

このガスワイピングノズル６は慣用のものであって、特
に制限はない。

図示例では囲繞体８の下端は開放端となっていて浴２に
浸漬されている。変更例としては、下端部も閉じて、帯
状体４の入口部のみを設けるようにしてもよい。

本発明によれば、ガスワイピングノズル６の下端とハソ
フル仮１０との間には空気通路も空間も設けられていな
い。また、上部空間１２と下部空間１４とは帯状体４の
通路となる開口部１７によってのみ連絡しているだけで
ある。ワイピングノズル６からのワイピングガスは、図
中、矢印で示すように、専ら上記排出口１６から吸引、
排出される。この排出口１６は、適宜吸引、排気装置（
図示せず）に接続されている。

このため、ワイピング装置内には絶えず通板方向と逆方
向にワイピングガスの流れがみられ、その流速は排出口
１６からの吸引、排出速度を変えることによって容易に
変えることができる。

したがって、上述のような構成により、帯状体の高速走
行時においても、スプラフシュそのものの発生は阻止で
きないがスプラッシュミストによる成品汚染は消滅し、
美麗な処理表面が得られるのである。

第１図に示す構造例は最も単純化したものであるが、第
２図においては、ワイピングガスに同伴した塗布液の受
皿部１８を設けており、図示例の場合、ワイピングガス
の湾曲案内板がパンフル１０と兼用となっている。さら
に第３図においては、パンフル板１０の先端、つまりガ
スワイピングノズル６の先端から伸びた湾曲案内板２０
がパンフル板１０とは別に設けられており、ガスワイピ
ングノズル６の先端から伸びていて、第１図の場合と同
様にバッフル仮ＩＯから垂下している。

第４図は、第３図の構造例の装置の略式斜視図であり、
同図において、囲繞体８内は吸引、排出口１６から排気
されているために絶えずノズル開口部を通して下向きの
ガス流れがのられ、スプラッシュミストも絶えず下向き
に吸引されワイピング処理後の帯状体４には４１着しな
い。ノズル開口部を経てワイピングガスに同伴されたス
プラッシュミストは湾曲案内板２０に沿っそ吸引される
につれ減速してゆき、このとき同伴ミストを受け皿部１
８に落下させ、このミストを構成する塗布液は浴２に戻
される。

なお、囲繞体８の外への排気はワイピングガス量と同等
以上吸引するのが望ましく、望ましくはガス量の１．５
倍以上を吸引することが望ましい。

吸引比が１以上であれば、囲繞体上部開口部が外気吸引
となり、化成処理ヒユームが囲繞体の外へ出ていくこと
がなくなり、有害物質をコーティングする場合のコーテ
ィングに適する。

次に、」二連のような構造の本発明にかかる装置が効果
的にスプラッシュミストの害作用を効果的に防止できる
ことを明らかにするために、実施例を示す。

実施例 第３図および第４図に示す装置を使って、クロメート処
理を鋼ストリップに対して行った。そのときのクロメー
ト処理液を塗布液としてワイピングガスとして空気を使
い、下記条件でワイピング処理した。

第１膚 ガス圧　　　　　：　０．５　　ｋｇ／ｃｍ２ノズルス
リット　：　１．Ｏｍｍ ノスルストリソプ（間隔）：　１５ｍｍストリップ寸法
　：　０．８　Ｘ　１０００ｍｍ処理液　　　　　＝２
．５％Ｃｒ溶液 クロムり着量　　：　３０〜４０　ｍｇ／％比較のため
、ハソフル板を設けなかった例を比較例−１、へソフル
板とガスワイピングノズルとを離間設置した例を比較例
−２、この比較例−２においてハソフル板下方の空間を
吸引排気した例を比較例−３として同様にしてクロメ−
１へ処理し１ま た。

なお、第２図の装置を使った例を本発明例−１、同じく
第３図の場合を本発明例−２とする。

結果を第５図にグラフにまとめて示す。図中、各記号は
第２表に示す通り。

策叢λ 比較例−１・・・× 〃　−２・・・ム 〃　−３・・・△ 本発明例−１・・・○ 〃　−２・・・・ 第５図のグラフにおいて、成品外観は目視により５段階
に評価し、スプラッシュ汚染の程度で評価した。◎印し
ベルはスプラッシュミスト皆無の外観である。本発明例
においては２００ｍ　７分の高速処理においてもスプラ
ッシュ汚染は皆無であり、従来技術に比べ格段の効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は、本発明の装置の概念図；第４図
は、第３図の装置の一部破壊して示す斜視図；および 第５図は、実施例の結果をまとめて示すグラフである。 ２：浴　　　　　　　４：帯状体 ６：ガスワイピングノズル

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）塗布液の付着した、走行する帯状体の少なくとも
   一方の面に対向して設けられたガスワイピングノズル； 前記帯状体およびガスワイピングノズルを包囲し、該帯
   状体の出口部を備えた囲繞体； 該囲繞体内にあって、前記ガスワイピングノズルの少な
   くとも１の下端面に接して配置され、前記帯状体の走行
   する開口部を残して、該囲繞体を、前記ガスワイピング
   ノズルが配置された上部空間と下部空間とに分離、区画
   する、該帯状体を挟んで対向配置された一対のバッフル
   板；および前記囲繞体の下部空間に連通し、吸引、排気
   手段に接続したワイピングガス排出口 を備えたことを特徴とする、帯状体への塗布液のワイピ
   ング装置。
2. （２）前記囲繞体の下端を開放端として、前記帯状体を
   浸漬、引上げる塗布液浴に浸漬した、特許請求の範囲第
   １項記載のワイピング装置。
3. （３）前記ガスワイピングノズルの先端部から前記下部
   空間内に伸びたワイピングガスの湾曲案内板をさらに備
   えた、特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載のワイ
   ピング装置。
4. （４）前記湾曲案内板が前記バッフル板を兼用する、特
   許請求の範囲第３項記載のワイピング装置。
5. （５）ワイピングガスに同伴された余剰塗布液の受け皿
   部を、前記下部空間内に設けた、特許請求の範囲第１項
   ないし第４項のいずれかに記載のワイピング装置。