JPS62193353A - 画像読取センサ - Google Patents
画像読取センサInfo
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- JPS62193353A JPS62193353A JP61034732A JP3473286A JPS62193353A JP S62193353 A JPS62193353 A JP S62193353A JP 61034732 A JP61034732 A JP 61034732A JP 3473286 A JP3473286 A JP 3473286A JP S62193353 A JPS62193353 A JP S62193353A
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- sensor chips
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は画像を光電的に読取るための画像読取センサに
関するものである。
関するものである。
〔従来の技術）
デジタル複写機やファクシミリの原稿画像読取り用に、
単一の基板上に複数のリニアイメージセンサを配列し、
これにより原稿を一対一で読取り可能な密着型マルチチ
ップリニアイメージセンサが提案されている。
単一の基板上に複数のリニアイメージセンサを配列し、
これにより原稿を一対一で読取り可能な密着型マルチチ
ップリニアイメージセンサが提案されている。
この従来提案の密着型マルチチップリニアイメージセン
サは第４図に示すように、短尺なリニアイメージセンサ
チップ１〜５を必要とする原稿主走査長を賄える長さだ
けつなぎ合わせる。このために、長尺なセラミック基板
１１を用い、この基板ｌｌ上に形成した連続する導電ラ
ンドパタン７上に前述のリニアイメージセンサチップ１
〜５をハンダ取り付けし一体物として製作していた。
サは第４図に示すように、短尺なリニアイメージセンサ
チップ１〜５を必要とする原稿主走査長を賄える長さだ
けつなぎ合わせる。このために、長尺なセラミック基板
１１を用い、この基板ｌｌ上に形成した連続する導電ラ
ンドパタン７上に前述のリニアイメージセンサチップ１
〜５をハンダ取り付けし一体物として製作していた。
即ち、第４図において、１〜５は、直線上に並べられた
多数の感光画素を有し、入射する量に応じて画像信号を
出力する個々に独立なＣＣＤリニアイメージセンサチッ
プ、６はＣＣＤリニアイメージセンサチップ１〜５を一
体化するための長尺セラミック基板、７はセラミック基
板６上に設けられた個々に独立なＣＣＤリニアイメージ
センサチップをセラミック基板６上に取り付け、かつ各
ＣＣＤリニアイメージセンサチップ１〜５に電源を供給
する為の導電性ランドバタン、８は個々に独立なＣＣＤ
リニアイメージセンサチップ１〜５を駆動する為に、外
部から与えられるセンサ駆動パルスや個々のセンサが出
力する画像信号を外部へ取り出す為のセラミック基板６
上に設けられた導電パタン、９は導電バタン８をセラミ
ック基板６上で終端し、セラミック基板６上から各信号
を外部から、また外部へ伝達する為のターミナルランド
である。第５図に第４図で丸棒で囲んだ部分の拡大図を
示す。第５図において１０は個々に独立なリニアイメー
ジセンサチップ１〜５を駆動する為の、あるいはリニア
イメージセンサデツプ１〜５からの出力を、セラミック
板上の導電バタン８へ接続する為のボンディングワイア
である。
多数の感光画素を有し、入射する量に応じて画像信号を
出力する個々に独立なＣＣＤリニアイメージセンサチッ
プ、６はＣＣＤリニアイメージセンサチップ１〜５を一
体化するための長尺セラミック基板、７はセラミック基
板６上に設けられた個々に独立なＣＣＤリニアイメージ
センサチップをセラミック基板６上に取り付け、かつ各
ＣＣＤリニアイメージセンサチップ１〜５に電源を供給
する為の導電性ランドバタン、８は個々に独立なＣＣＤ
リニアイメージセンサチップ１〜５を駆動する為に、外
部から与えられるセンサ駆動パルスや個々のセンサが出
力する画像信号を外部へ取り出す為のセラミック基板６
上に設けられた導電パタン、９は導電バタン８をセラミ
ック基板６上で終端し、セラミック基板６上から各信号
を外部から、また外部へ伝達する為のターミナルランド
である。第５図に第４図で丸棒で囲んだ部分の拡大図を
示す。第５図において１０は個々に独立なリニアイメー
ジセンサチップ１〜５を駆動する為の、あるいはリニア
イメージセンサデツプ１〜５からの出力を、セラミック
板上の導電バタン８へ接続する為のボンディングワイア
である。
また、第４図で１１はリニアイメージセンサチップ１〜
５とセラミック基板６から成る密着型マルチデツプリニ
アイメージセンサを示す。
５とセラミック基板６から成る密着型マルチデツプリニ
アイメージセンサを示す。
第４図、第５図に示すように、従来の密着型マルヂチツ
ブリニアイメージセンサ１１は独立なリニアイメージセ
ンサチップ１〜５を１枚のセラミック基板６上の導電性
ランドパタン７上に組み立て、セラミック基板６上の導
電バタン８、ボンディングワイア１０、そしてターミナ
ルランド９を通して内部の個々に独立なリニアイメージ
センサチップ１〜５への駆動信号、電源、画像信号の授
受を外部と行っていた。そして、この独立なリニアイメ
ージセンサチップ１〜５が独立に出力する分割主走査画
像は、不図示の外部装置にて合成され一木の連続した主
走査画像が形成される。
ブリニアイメージセンサ１１は独立なリニアイメージセ
ンサチップ１〜５を１枚のセラミック基板６上の導電性
ランドパタン７上に組み立て、セラミック基板６上の導
電バタン８、ボンディングワイア１０、そしてターミナ
ルランド９を通して内部の個々に独立なリニアイメージ
センサチップ１〜５への駆動信号、電源、画像信号の授
受を外部と行っていた。そして、この独立なリニアイメ
ージセンサチップ１〜５が独立に出力する分割主走査画
像は、不図示の外部装置にて合成され一木の連続した主
走査画像が形成される。
しかしながら、この従来の富者型マルチチップリニアイ
メージセンサ１１には隣接独立イメージセンサチップ間
の信号が互いにわずかではあるが混じり合う信号クロス
トークという問題があった。これはこのセンサを用いた
原稿画像読み取り装置が白、黒のみを判別する二値画像
読み取り装置である場合は、その白黒検出比較信号レベ
ル差が大きな為問題とはならなかったが、原稿の白レベ
ルから黒レベルまで連続した階調画像の読取りを行おう
とした場合、この隣接する独立イメージセンサチップ間
の信号もわが主走査全体の原稿画像読み取り信号の質を
著しく劣化させる。
メージセンサ１１には隣接独立イメージセンサチップ間
の信号が互いにわずかではあるが混じり合う信号クロス
トークという問題があった。これはこのセンサを用いた
原稿画像読み取り装置が白、黒のみを判別する二値画像
読み取り装置である場合は、その白黒検出比較信号レベ
ル差が大きな為問題とはならなかったが、原稿の白レベ
ルから黒レベルまで連続した階調画像の読取りを行おう
とした場合、この隣接する独立イメージセンサチップ間
の信号もわが主走査全体の原稿画像読み取り信号の質を
著しく劣化させる。
例えば、第６図に示すように、信号コントラストのはっ
きりした白黒パタンを有した原稿１２を走査して得た白
黒信号がリニアイメージセンサデツプ４に入フた場合、
第７図に示すとおり、リニアイメージセンサチップ４に
隣接する独立した筈のリニアイメージセンサチップ３及
び５にもＶＲ３、ＶＲ５というリニアイメージセンサチ
ップ４の信号Ｖ４の捕れ信号が現われる。この隣接する
リニアイメージセンサチップ間の信号漏れ原因はセラミ
ック基板６上のリニアイメージセンサチップ取り付は用
の導電性ランドパタン７が微小な電気抵抗を含んでいる
事に起因する。
きりした白黒パタンを有した原稿１２を走査して得た白
黒信号がリニアイメージセンサデツプ４に入フた場合、
第７図に示すとおり、リニアイメージセンサチップ４に
隣接する独立した筈のリニアイメージセンサチップ３及
び５にもＶＲ３、ＶＲ５というリニアイメージセンサチ
ップ４の信号Ｖ４の捕れ信号が現われる。この隣接する
リニアイメージセンサチップ間の信号漏れ原因はセラミ
ック基板６上のリニアイメージセンサチップ取り付は用
の導電性ランドパタン７が微小な電気抵抗を含んでいる
事に起因する。
第５図のイメージセンサの電源等価回路を描くと第８図
の様になる。つまり、各独立したリニアイメージセンサ
チップへの電源供給が隣接センサチップ相互間にて微小
な電気抵抗をもった供給線にて行われる為、１つの独立
したイメージセンサチップへの光入力信号変化による７
流変化が他独立イメージセンサチップの電源電圧変化と
なる。
の様になる。つまり、各独立したリニアイメージセンサ
チップへの電源供給が隣接センサチップ相互間にて微小
な電気抵抗をもった供給線にて行われる為、１つの独立
したイメージセンサチップへの光入力信号変化による７
流変化が他独立イメージセンサチップの電源電圧変化と
なる。
従って、この共通電源供給線に存在する微小な抵抗分が
原因となって画像信号変化による電源変動を起こし個々
に独立な筈のリニアイメージセンサチップの画像出力が
互いに僅かであるが混じり合う現象を起こし、原稿画像
読み取り装置としての性能を落とす原因となっていた。
原因となって画像信号変化による電源変動を起こし個々
に独立な筈のリニアイメージセンサチップの画像出力が
互いに僅かであるが混じり合う現象を起こし、原稿画像
読み取り装置としての性能を落とす原因となっていた。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、密着型マ
ルチチップリニアイメージセンサにおけるチップ間クロ
ストークを無くし、高精度に画像信号を作成する画像読
取センサの実現を目的とするものである。
ルチチップリニアイメージセンサにおけるチップ間クロ
ストークを無くし、高精度に画像信号を作成する画像読
取センサの実現を目的とするものである。
以下、本発明を好ましい実施例を用いて詳細に説明する
。
。
第１図に本発明を通用した密着型マルチチップリニアイ
メージセンサ４１の構成を示す。第１図において、３１
〜３５は直線状に並べられた多数の感光画素を有し、入
射する光量に応じて画像信号を出力する個々に独立なＣ
ＣＤリニアイメージセンサチップ、３６はＣＣＤリニア
イメージセンサチップ３１〜３５を一体化するための長
尺セラミック基板２１〜２５はセラミック基板３６上に
設けられた個々に独立なＣＣＤリニアイメージセンサチ
ップ３１〜３５の夫々を独立にセラミック基板３６上に
取り付け、かつ各ＣＣＤリニアイメージセンサチップ３
１〜３５に電源を供給する為の導電性ランドバタン、３
８は個々に独立ＣＣＤリニアイメージセンサチップ３１
〜３５を駆動する為に、外部から与えられるセンサ駆動
パルスや個々のセンサが出力する画像信号を外部へ取り
出す為のセラミック基板３６上に設けられた導電バタン
、３９は導電バタン３８をセラミック基板３６上で終端
し、セラミック基板３６上から各信号を外部から、また
外部へ伝達する為のターミナルランドである。第２図に
第１図で丸棒で囲んだ部分の拡大図を示す。第２図にお
いて４０は個々に独立なリニアイメージセンサチップ３
１〜３５を駆動する為の、あるいはリニアイメージセン
サチップ３１〜３５からの出力を、セラミック板上の導
電バタン３８へ接続する為のボンディングワイアである
。
メージセンサ４１の構成を示す。第１図において、３１
〜３５は直線状に並べられた多数の感光画素を有し、入
射する光量に応じて画像信号を出力する個々に独立なＣ
ＣＤリニアイメージセンサチップ、３６はＣＣＤリニア
イメージセンサチップ３１〜３５を一体化するための長
尺セラミック基板２１〜２５はセラミック基板３６上に
設けられた個々に独立なＣＣＤリニアイメージセンサチ
ップ３１〜３５の夫々を独立にセラミック基板３６上に
取り付け、かつ各ＣＣＤリニアイメージセンサチップ３
１〜３５に電源を供給する為の導電性ランドバタン、３
８は個々に独立ＣＣＤリニアイメージセンサチップ３１
〜３５を駆動する為に、外部から与えられるセンサ駆動
パルスや個々のセンサが出力する画像信号を外部へ取り
出す為のセラミック基板３６上に設けられた導電バタン
、３９は導電バタン３８をセラミック基板３６上で終端
し、セラミック基板３６上から各信号を外部から、また
外部へ伝達する為のターミナルランドである。第２図に
第１図で丸棒で囲んだ部分の拡大図を示す。第２図にお
いて４０は個々に独立なリニアイメージセンサチップ３
１〜３５を駆動する為の、あるいはリニアイメージセン
サチップ３１〜３５からの出力を、セラミック板上の導
電バタン３８へ接続する為のボンディングワイアである
。
第１図、第２図示の密着型マルチチップリニアイメージ
センサ４１は独立なリニアイメージセンサチップ３１〜
３５を１枚のセラミック基板３６上に各リニアイメージ
センサチップに対応して設けらた電気的に独立した導電
性ランドバタン２１〜２５上に組み立て、セラミック基
板３６上の導電バタン３８、ボンディングワイア４′０
、そしてターミナルランド３９を通して内部の個々に独
立なリニアイメージセンサチップ３１〜３５への駆動信
号、電源、画像信号の授受を外部と行う。そして、この
独立なリニアイメージセンサチップ３１〜３５が独立に
出力する分割主走査画像は、不図示の外部装置にて合成
され一木の連続した主走査画像が形成される。
センサ４１は独立なリニアイメージセンサチップ３１〜
３５を１枚のセラミック基板３６上に各リニアイメージ
センサチップに対応して設けらた電気的に独立した導電
性ランドバタン２１〜２５上に組み立て、セラミック基
板３６上の導電バタン３８、ボンディングワイア４′０
、そしてターミナルランド３９を通して内部の個々に独
立なリニアイメージセンサチップ３１〜３５への駆動信
号、電源、画像信号の授受を外部と行う。そして、この
独立なリニアイメージセンサチップ３１〜３５が独立に
出力する分割主走査画像は、不図示の外部装置にて合成
され一木の連続した主走査画像が形成される。
このように、セラミック基板３６上でセンサチップ取り
付は用の導電性ランドバタン２１〜２５を各チップ３１
〜３５ごとに電気的独立にする。すなわち、第３図に示
す等価回路の如く各リニアイメージセンサチップに独立
に電源供給する構成で密着型マルチチップリニアイメー
ジセンサを形成する事で、隣接イメージセンサチップ間
の電源電圧変動を押えるものである。
付は用の導電性ランドバタン２１〜２５を各チップ３１
〜３５ごとに電気的独立にする。すなわち、第３図に示
す等価回路の如く各リニアイメージセンサチップに独立
に電源供給する構成で密着型マルチチップリニアイメー
ジセンサを形成する事で、隣接イメージセンサチップ間
の電源電圧変動を押えるものである。
尚、本実施例では、セラミック基板上に５本のリニアイ
メージセンサチップを設けた密着型マルチチップイメー
ジセンサを提示したが、これに限るものではなく、読取
るべき主走査中や解像度等により、リニアイメージセン
サチップの数や夫々の長さは適宜選択できる。
メージセンサチップを設けた密着型マルチチップイメー
ジセンサを提示したが、これに限るものではなく、読取
るべき主走査中や解像度等により、リニアイメージセン
サチップの数や夫々の長さは適宜選択できる。
以上説明の通り、本発明によると複数のリニアイメージ
センサチップを一木の基板上に独立な電源配線となる様
に取り付け、独立に電源供給する事で隣接するイメージ
センサチップ間の画像信号クロストークを無くし、連続
階調を有する原稿画像の高画質読み取りが可能となるも
のである。
センサチップを一木の基板上に独立な電源配線となる様
に取り付け、独立に電源供給する事で隣接するイメージ
センサチップ間の画像信号クロストークを無くし、連続
階調を有する原稿画像の高画質読み取りが可能となるも
のである。
第１図は本発明を適用した密着型マルチチップリニアイ
メージセンサの構成図、第２図は第１図の部分拡大図、
第３図は第１図の等価回路図、第４図は従来の密着型マ
ルチチップリニアイメージセンサの構成図、第５図は第
４図の部分拡大図、第６図は画像の一例を示す図、第７
図は第６図示の画像を第４図の密着型マルチチップリニ
アイメージセンサで走査した場合の出力を示す図、第８
図は第４図の等価回路図であり、２１〜２５は導電性ラ
ンドバタン、３１〜３−５はＣＣＤリニアイメージセン
サチップ、３６はセラミック基板、３９はターミナルラ
ンドである。 男５図
メージセンサの構成図、第２図は第１図の部分拡大図、
第３図は第１図の等価回路図、第４図は従来の密着型マ
ルチチップリニアイメージセンサの構成図、第５図は第
４図の部分拡大図、第６図は画像の一例を示す図、第７
図は第６図示の画像を第４図の密着型マルチチップリニ
アイメージセンサで走査した場合の出力を示す図、第８
図は第４図の等価回路図であり、２１〜２５は導電性ラ
ンドバタン、３１〜３−５はＣＣＤリニアイメージセン
サチップ、３６はセラミック基板、３９はターミナルラ
ンドである。 男５図
Claims (1)
- 複数のリニアイメージセンサチップを単一の基板上に原
稿主装置域を分割して読取る様に配列し、上記複数のリ
ニアイメージセンサチップを上記基板上において電気的
に独立するとともに、上記複数のリニアイメージセンサ
チップへの電源配線を上記基板上にて独立に布線したこ
とを特徴とする画像読取センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034732A JPH0740715B2 (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 画像読取センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034732A JPH0740715B2 (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 画像読取センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193353A true JPS62193353A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0740715B2 JPH0740715B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=12422486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034732A Expired - Fee Related JPH0740715B2 (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 画像読取センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740715B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183263A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 密着イメージセンサー |
| JP2014131179A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Canon Components Inc | イメージセンサユニット、それを用いた画像読取装置、画像形成装置、及びイメージセンサユニットの制御方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080361A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034732A patent/JPH0740715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080361A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183263A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 密着イメージセンサー |
| JP2014131179A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Canon Components Inc | イメージセンサユニット、それを用いた画像読取装置、画像形成装置、及びイメージセンサユニットの制御方法 |
| US9363407B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-06-07 | Canon Components, Inc. | Image sensor unit and image reading apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0740715B2 (ja) | 1995-05-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |