JPH01179372A - 混成集積化光電変換素子アレイ - Google Patents
混成集積化光電変換素子アレイInfo
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- JPH01179372A JPH01179372A JP62334996A JP33499687A JPH01179372A JP H01179372 A JPH01179372 A JP H01179372A JP 62334996 A JP62334996 A JP 62334996A JP 33499687 A JP33499687 A JP 33499687A JP H01179372 A JPH01179372 A JP H01179372A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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-
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-
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- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光信号の読取り幅と原稿幅とが１対１に対応す
る密着読取りに好適の混成集積化光電変換素子アレイに
関する。
る密着読取りに好適の混成集積化光電変換素子アレイに
関する。
［従来の技術］
ファクシミリ送信機等用の読取りデバイスとして、ＭＯ
ＳスはＣＣＤ等の所謂ＩＣセンサによる一次元光電変換
素子アレイに替り、原稿幅と光電変換素子アレイ幅とを
１対１で対応させた密着型イメージセンサが実用化され
ている。この密着型イメージセンサは縮小結像系の光路
が不要であるため、その微妙な調整を必要とせず、送信
機の小型化及び低価格化に寄与するからである。
ＳスはＣＣＤ等の所謂ＩＣセンサによる一次元光電変換
素子アレイに替り、原稿幅と光電変換素子アレイ幅とを
１対１で対応させた密着型イメージセンサが実用化され
ている。この密着型イメージセンサは縮小結像系の光路
が不要であるため、その微妙な調整を必要とせず、送信
機の小型化及び低価格化に寄与するからである。
第３図は従来の密着型イメージセンサの光電変換素子ア
レイを示す断面図である。透明ガラス基板３１に設けら
れたアモルファスシリコン光導電体層３２上に、共通電
極３４と個別電極３３とが成膜されてパターン化されて
いる。各個別電極３３と共通電極３４とが対向する間隙
領域が各画素部分に相当し、これによりセンサ素子アレ
イ基板３５が構成される。センサ素子アレイ基板３５は
マトリクス駆動を行うために隣接して配置された２層マ
トリクス配線基板３６の端子電極３７にボンディングワ
イヤ３８により接続されている。なお、ワイヤボンディ
ングするために、これらの基板は金属筐体３９に載置固
着され、更に、この２層配線基板３６はリード線４０を
介して別に設けた外部駆動回路基板（図示せず）に接続
されている。また、金属筐体３９には、画像光１０を透
明ガラス基板３１の裏面側から光導電体層３２に導光す
るための孔３９ａが形成されている。
レイを示す断面図である。透明ガラス基板３１に設けら
れたアモルファスシリコン光導電体層３２上に、共通電
極３４と個別電極３３とが成膜されてパターン化されて
いる。各個別電極３３と共通電極３４とが対向する間隙
領域が各画素部分に相当し、これによりセンサ素子アレ
イ基板３５が構成される。センサ素子アレイ基板３５は
マトリクス駆動を行うために隣接して配置された２層マ
トリクス配線基板３６の端子電極３７にボンディングワ
イヤ３８により接続されている。なお、ワイヤボンディ
ングするために、これらの基板は金属筐体３９に載置固
着され、更に、この２層配線基板３６はリード線４０を
介して別に設けた外部駆動回路基板（図示せず）に接続
されている。また、金属筐体３９には、画像光１０を透
明ガラス基板３１の裏面側から光導電体層３２に導光す
るための孔３９ａが形成されている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上述した従来の光電変換素子アレイにお
いては、センサ素子アレイ基板３５と２層配線基板３６
とを接続するために、全素子に対応した数だけのボンデ
ィングワイヤ３８が必要となり、例えばＡ４版の原稿に
対する画素密度が８素子／關のセンサ素子アレイ基板の
場合には、１７２８箇所以上の基板間端子接続を必要と
する。
いては、センサ素子アレイ基板３５と２層配線基板３６
とを接続するために、全素子に対応した数だけのボンデ
ィングワイヤ３８が必要となり、例えばＡ４版の原稿に
対する画素密度が８素子／關のセンサ素子アレイ基板の
場合には、１７２８箇所以上の基板間端子接続を必要と
する。
このため、製造が２雑であり、信頼性に問題があった。
また、センサ素子基板３５は、下方からの画像光１０に
対する照明導光系の光軸に予め精度良く位置合わせをし
て金属筐体３９に固定する必要がありその作業が複雑で
ワイヤボンディング時にも特殊な搬送系を必要とする。
対する照明導光系の光軸に予め精度良く位置合わせをし
て金属筐体３９に固定する必要がありその作業が複雑で
ワイヤボンディング時にも特殊な搬送系を必要とする。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
基板間の接続点数が減少し、製造が容易であって信頼性
が向上した混成集積化光電変換素子アレイを提供するこ
とを目的とする。
基板間の接続点数が減少し、製造が容易であって信頼性
が向上した混成集積化光電変換素子アレイを提供するこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明に係る混成集積化光電変換素子アレイは、複数個
のセンサ素子及びマトリクス配線が形成されてなるデバ
イス基板と、前記センサ素子を駆動するための駆動回路
基板と、該駆動回路基板と前記デバイス基板とを接続す
る配線部とを有する混成集積化光電変換素子アレイにお
いて、前記デバイス基板が前記駆動回路基板に載置固定
されていることを特徴とする。
のセンサ素子及びマトリクス配線が形成されてなるデバ
イス基板と、前記センサ素子を駆動するための駆動回路
基板と、該駆動回路基板と前記デバイス基板とを接続す
る配線部とを有する混成集積化光電変換素子アレイにお
いて、前記デバイス基板が前記駆動回路基板に載置固定
されていることを特徴とする。
［作用］
本発明においては、マトリクス駆動を行うためのマトリ
ックス多層配線と、センサ素子アレイとが同一基板上に
一体化して形成されてデバイス基板を構成しているため
に、全素子に対してのボンディング接続は不要となる。
ックス多層配線と、センサ素子アレイとが同一基板上に
一体化して形成されてデバイス基板を構成しているため
に、全素子に対してのボンディング接続は不要となる。
また、駆動回路基板上にこの一体化デバイス基板が載置
されているために、多層配線部及びセンサ素子アレイか
らのブロック端子のボンディング接続だけで足りる。従
って、例えば、１０８群×１６相のマトリクス構成であ
れば、基本的に１２４本の小数の接続だけで良いことに
なる。このため、接続点数が減少する。また、ボンディ
ング前の導光系との位置合わせも不要である。従って、
本発明に係る光電変換素子アレイは量産性が優れている
と共に、信頼性が高い。
されているために、多層配線部及びセンサ素子アレイか
らのブロック端子のボンディング接続だけで足りる。従
って、例えば、１０８群×１６相のマトリクス構成であ
れば、基本的に１２４本の小数の接続だけで良いことに
なる。このため、接続点数が減少する。また、ボンディ
ング前の導光系との位置合わせも不要である。従って、
本発明に係る光電変換素子アレイは量産性が優れている
と共に、信頼性が高い。
［実施例］
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。第
１の透明ガラス基板１１上にアモルファスシリコン光導
電体層】２が成膜されており、光導電体層１２上には第
１導体層１３を形成した後パターニングすることにより
、共通電極及び個別電極が形成されている。この共通電
極及び個別電極（第１導体層１３）上には、共通電極と
個別電極との間隙を埋めるようにして感光性ポリイミド
膜】４が塗布されている。そして、このポリイミド膜１
４にスルーホールを設けた後、このスルーホールを埋め
るようにしてポリイミド膜１４上に第２導体層１５を形
成し、この第２導体層１５をパターン化して、センサ素
子アレイ基板１６が構成されている。
１の透明ガラス基板１１上にアモルファスシリコン光導
電体層】２が成膜されており、光導電体層１２上には第
１導体層１３を形成した後パターニングすることにより
、共通電極及び個別電極が形成されている。この共通電
極及び個別電極（第１導体層１３）上には、共通電極と
個別電極との間隙を埋めるようにして感光性ポリイミド
膜】４が塗布されている。そして、このポリイミド膜１
４にスルーホールを設けた後、このスルーホールを埋め
るようにしてポリイミド膜１４上に第２導体層１５を形
成し、この第２導体層１５をパターン化して、センサ素
子アレイ基板１６が構成されている。
一方、第２の透明ガラス基板１７上には、第３導体層１
８がパターン形成されており、この第３導体層１８上に
駆動用ＩＣ１９が搭載されている。
８がパターン形成されており、この第３導体層１８上に
駆動用ＩＣ１９が搭載されている。
また、第３導体Ｊｉ１８が形成されていない第２の透明
ガラス基板１７上には、前述のセンサ素子アレイ基板１
６が載置されて固着されている。そして、駆動用ＩＣ１
９及びセンサ素子アレイ基板１６と第２の透明ガラス基
板１７上の配線層（第３導体層１８〉との間をボンディ
ングワイヤ２０により接続する。
ガラス基板１７上には、前述のセンサ素子アレイ基板１
６が載置されて固着されている。そして、駆動用ＩＣ１
９及びセンサ素子アレイ基板１６と第２の透明ガラス基
板１７上の配線層（第３導体層１８〉との間をボンディ
ングワイヤ２０により接続する。
本実施例においては、センサ素子アレイ基板１６にマト
リクス配線が形成されているので基板間相互の接続点数
は極めて少ない。例えば、Ａ４判であって画素密度が８
素子／ ｍｍのセンサデバイスであれば、ボンディング
ワイヤ２０の数は１２４本で足りる。
リクス配線が形成されているので基板間相互の接続点数
は極めて少ない。例えば、Ａ４判であって画素密度が８
素子／ ｍｍのセンサデバイスであれば、ボンディング
ワイヤ２０の数は１２４本で足りる。
このような構成を有する混成集積化光電変換素子アレイ
においては、上述したように、センサ素子アレイ基板１
６と駆動回路基板（基板１７）との間の接続のためのボ
ンディングワイヤ数が極めて少なく、しかも駆動用ＩＣ
１９のワイヤボンディングと同時に、容易に且つ確実に
接続処理することができる。また、光電変換素子アレイ
としては、基板１６上に駆動回路部とセンサ素子とが一
体化されているので、導光系との間の光軸調整はユニッ
ト組立時に特性を観察しながら容易に実施することがで
き、容易に最適位置で固定することができる。
においては、上述したように、センサ素子アレイ基板１
６と駆動回路基板（基板１７）との間の接続のためのボ
ンディングワイヤ数が極めて少なく、しかも駆動用ＩＣ
１９のワイヤボンディングと同時に、容易に且つ確実に
接続処理することができる。また、光電変換素子アレイ
としては、基板１６上に駆動回路部とセンサ素子とが一
体化されているので、導光系との間の光軸調整はユニッ
ト組立時に特性を観察しながら容易に実施することがで
き、容易に最適位置で固定することができる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。
第２図において第１図と同一物には同一符号を付して説
明を省略する。この実施例は、第１の実施例の透明ガラ
ス基板１７の替りに、ガラス−エポキシ樹脂等のプリン
ト基板で構成した駆動回路基板２７を使用した点が第１
の実施例と異なる。
明を省略する。この実施例は、第１の実施例の透明ガラ
ス基板１７の替りに、ガラス−エポキシ樹脂等のプリン
ト基板で構成した駆動回路基板２７を使用した点が第１
の実施例と異なる。
そして、この駆動回路基板２７上に第１の実施例のセン
サ素子アレイ基板１６が載置固着されている。
サ素子アレイ基板１６が載置固着されている。
そして、基板の下方から画像光１０を受光するため、セ
ンサ素子アレイ基板１６の直下の駆動回路基板２７には
、光路を妨げないようにするために導光用孔２１が設け
られている。なお、この導光用孔２１を設ける替わりに
、センサ素子アレイ基板１６を駆動回路基板２７の端部
からその側方に突き出した位置に固着してもよい。
ンサ素子アレイ基板１６の直下の駆動回路基板２７には
、光路を妨げないようにするために導光用孔２１が設け
られている。なお、この導光用孔２１を設ける替わりに
、センサ素子アレイ基板１６を駆動回路基板２７の端部
からその側方に突き出した位置に固着してもよい。
このような構成の混成集積化光電変換素子アレイは、第
１の実施例と同様の効果が得られる他、駆動回路基板２
７がプリント板であるので金属筐体に直接ねし止めで固
定することができると共に、外部回路への接続も通常の
半田付等で安定して確実に実施することができる。従っ
て、この実施例によれば、更に一層低価格化及び高信顆
化が可能である。
１の実施例と同様の効果が得られる他、駆動回路基板２
７がプリント板であるので金属筐体に直接ねし止めで固
定することができると共に、外部回路への接続も通常の
半田付等で安定して確実に実施することができる。従っ
て、この実施例によれば、更に一層低価格化及び高信顆
化が可能である。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、駆動回路基板上に
センサデバイス基板を載置固着するから、構造が極めて
簡単で、量産性が優れた光電変換素子アレイを得ること
ができる。
センサデバイス基板を載置固着するから、構造が極めて
簡単で、量産性が優れた光電変換素子アレイを得ること
ができる。
従って、本発明に係る光電変換素子アレイを、例えばフ
ァクシミリ装置の原稿読取りデバイスに適用すれば、そ
の低価格化、小型化及び信頼性の向上に多大の効果を奏
する。
ァクシミリ装置の原稿読取りデバイスに適用すれば、そ
の低価格化、小型化及び信頼性の向上に多大の効果を奏
する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来の光
電変換素子アレイを示す断面図である。 １０；画像光、１１，１７，３１ 、透明ガラス基板、
１２，３２；アモルファスシリコン光導電体層、１３；
第１導体層、１４．；ポリイミド膜、１５；第２導体層
、１６，３５：センサ素子アレイ基板、１８；第３導体
層、１９；駆動用ＩＣ１２７；駆動回路基板、３３；個
別電極、３４；共通電極、３６；マトリクス配線基板、
３７；端子電極、３８，２０；ボンディングワイヤ、２
１；導光用孔 第３図
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来の光
電変換素子アレイを示す断面図である。 １０；画像光、１１，１７，３１ 、透明ガラス基板、
１２，３２；アモルファスシリコン光導電体層、１３；
第１導体層、１４．；ポリイミド膜、１５；第２導体層
、１６，３５：センサ素子アレイ基板、１８；第３導体
層、１９；駆動用ＩＣ１２７；駆動回路基板、３３；個
別電極、３４；共通電極、３６；マトリクス配線基板、
３７；端子電極、３８，２０；ボンディングワイヤ、２
１；導光用孔 第３図
Claims (1)
- 複数個のセンサ素子及びマトリクス配線とが形成され
てなるデバイス基板と、前記センサ素子を駆動するため
の駆動回路基板と、該駆動回路基板と前記デバイス基板
とを接続する配線部とを有する混成集積化光電変換素子
アレイにおいて、前記デバイス基板が前記駆動回路基板
に載置固定されていることを特徴とする混成集積化光電
変換素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334996A JPH01179372A (ja) | 1987-12-31 | 1987-12-31 | 混成集積化光電変換素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334996A JPH01179372A (ja) | 1987-12-31 | 1987-12-31 | 混成集積化光電変換素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179372A true JPH01179372A (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=18283566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62334996A Pending JPH01179372A (ja) | 1987-12-31 | 1987-12-31 | 混成集積化光電変換素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01179372A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100791932B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2008-01-04 | 한국 고덴시 주식회사 | 광소자 패키지 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5868969A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-25 | Canon Inc | 固体光電変換装置 |
| JPS62293765A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Tokyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
-
1987
- 1987-12-31 JP JP62334996A patent/JPH01179372A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5868969A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-25 | Canon Inc | 固体光電変換装置 |
| JPS62293765A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Tokyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
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| KR100791932B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2008-01-04 | 한국 고덴시 주식회사 | 광소자 패키지 |
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