JPH01183263A - 密着イメージセンサー - Google Patents
密着イメージセンサーInfo
- Publication number
- JPH01183263A JPH01183263A JP63006885A JP688588A JPH01183263A JP H01183263 A JPH01183263 A JP H01183263A JP 63006885 A JP63006885 A JP 63006885A JP 688588 A JP688588 A JP 688588A JP H01183263 A JPH01183263 A JP H01183263A
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- JP
- Japan
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- line
- signal
- digital
- ground line
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ファクシミリ、イメージスキャナー等にお
いて文字等のイメージを読み取るのく利用する密着イメ
ージセンサ−に関するものである。
いて文字等のイメージを読み取るのく利用する密着イメ
ージセンサ−に関するものである。
第４図は、例えば三菱電機株式会社昭和６２年６月作成
のカタログ「三菱イメージセンサ」Ｋ示された従来の密
着イメージセンサ−（以下、ＣＩＳと呼ぶ）を示す断面
図であり、１は発光ダイオードアレイ（以下、ＬＥＤア
レイという）、２はガラス、３はガラス２に密接しなが
ら送られる原稿、４はロッドレンズアレイ、５はセンサ
ー基板、６は信号処理回路基板、７はＬＥＤアレイ１
、ガラス２．ロッドレンズアレイ４．センサー基板５お
よび信号処理回路基板６を収納する筐体である。
のカタログ「三菱イメージセンサ」Ｋ示された従来の密
着イメージセンサ−（以下、ＣＩＳと呼ぶ）を示す断面
図であり、１は発光ダイオードアレイ（以下、ＬＥＤア
レイという）、２はガラス、３はガラス２に密接しなが
ら送られる原稿、４はロッドレンズアレイ、５はセンサ
ー基板、６は信号処理回路基板、７はＬＥＤアレイ１
、ガラス２．ロッドレンズアレイ４．センサー基板５お
よび信号処理回路基板６を収納する筐体である。
第５図は従来のＣＩＳの動作を説明するためのブロック
図であり、８はセンサー基板５上に配設された複数の光
電変換素子、５Ａは原稿に対応した濃淡信号を並直列変
換およびスイッチングして出力する信号出力回路で、シ
フトレジスタおよびアナログスイッチからなる。第６図
は第５図に示すＣＩＳのブロック図の動作を説明するタ
イミングチャートである。
図であり、８はセンサー基板５上に配設された複数の光
電変換素子、５Ａは原稿に対応した濃淡信号を並直列変
換およびスイッチングして出力する信号出力回路で、シ
フトレジスタおよびアナログスイッチからなる。第６図
は第５図に示すＣＩＳのブロック図の動作を説明するタ
イミングチャートである。
次に動作について説明する。第４図〜第６図において、
ＬＥＤアレイ１の光源から投射された光は、ガラス２上
に装填された原稿を照射し、この原稿の濃淡に従い、そ
の原稿が濃い場合は光が吸収されるために、その反射光
はロッドレンズアレイ４に照射されない。一方、原稿が
淡い場合や白の場合、その反射光は犬きく、ロッドレン
ズアレイ４で集束され、正立等倍実像としてセンサー基
板５上の光電変換素子８に入射する。このため光電流が
流れ、信号処理回路基板６の８４ｇ端子に出力が発生す
る。この出力信号は、白原稿の特約２７ｍＶ程度であり
、黒原稿の特約５０ｍＶとなる。従って、例えばｎ個の
光電変換素子８が横一列に配設されている場合、光電変
換素子８に蓄積された電荷を光電流に変換し、出力を順
次検出するが、かかる動作はＳＩ端子にスタートパルス
を送出し、その後クロック端子から第６図に示すクロッ
クパルスを送出することによシ、順次スタートパルスが
光電変換素子８の１から始まる各番地に移動する時に電
荷を検出することによって行われる。これが信号ライン
６ａに光電流として流れ、これが信号処理回路基板６の
キャパシターに充電されるため、電位を発生する。この
電位を増幅器にてｌＯ〜２０倍程に増幅し、８ＩＧ端子
に出力する。ここで、このＳＩＧ端子に出力された信号
は上記クロックパルスに同期した出力信号となる。
ＬＥＤアレイ１の光源から投射された光は、ガラス２上
に装填された原稿を照射し、この原稿の濃淡に従い、そ
の原稿が濃い場合は光が吸収されるために、その反射光
はロッドレンズアレイ４に照射されない。一方、原稿が
淡い場合や白の場合、その反射光は犬きく、ロッドレン
ズアレイ４で集束され、正立等倍実像としてセンサー基
板５上の光電変換素子８に入射する。このため光電流が
流れ、信号処理回路基板６の８４ｇ端子に出力が発生す
る。この出力信号は、白原稿の特約２７ｍＶ程度であり
、黒原稿の特約５０ｍＶとなる。従って、例えばｎ個の
光電変換素子８が横一列に配設されている場合、光電変
換素子８に蓄積された電荷を光電流に変換し、出力を順
次検出するが、かかる動作はＳＩ端子にスタートパルス
を送出し、その後クロック端子から第６図に示すクロッ
クパルスを送出することによシ、順次スタートパルスが
光電変換素子８の１から始まる各番地に移動する時に電
荷を検出することによって行われる。これが信号ライン
６ａに光電流として流れ、これが信号処理回路基板６の
キャパシターに充電されるため、電位を発生する。この
電位を増幅器にてｌＯ〜２０倍程に増幅し、８ＩＧ端子
に出力する。ここで、このＳＩＧ端子に出力された信号
は上記クロックパルスに同期した出力信号となる。
故に、その出力電位の高低にて、原稿の文字の判読を行
うことが可能になる。
うことが可能になる。
従来の密着イメージセンサ−は以上のように構成されて
いるので、信号ライン６ａ上の光電流が電源ラインやク
ロック信号ライン、スタートパルスラインなどのディジ
タル信号ラインからのノイズ等の影響を受けて、黒原稿
読取９時の出力電圧である光電変換素子８の掃引による
暗出力レベルが、第７図に示すように大きくうねって高
レベルで変動し、黒の解像度にばらつきを生じるなどの
問題点があった。
いるので、信号ライン６ａ上の光電流が電源ラインやク
ロック信号ライン、スタートパルスラインなどのディジ
タル信号ラインからのノイズ等の影響を受けて、黒原稿
読取９時の出力電圧である光電変換素子８の掃引による
暗出力レベルが、第７図に示すように大きくうねって高
レベルで変動し、黒の解像度にばらつきを生じるなどの
問題点があった。
この発明は上記の・ような問題点を解消するためになさ
れたもので、光電変換素子群から変動が小さくかつ安定
した暗出力電圧を得ることができる密着イメージセンサ
−を得ることを目的とする。
れたもので、光電変換素子群から変動が小さくかつ安定
した暗出力電圧を得ることができる密着イメージセンサ
−を得ることを目的とする。
この発明に係る密着イメージセンサ−は、光電変換素子
から得られる原稿の濃淡に応じた光電流を供給する光電
流の信号ラインおよびアナロググランドラインを、セン
サ基板上において、スタートパルスやクロックパルスな
どのディジタルｓ号ラインおよびディジタルグランドラ
インとは隔離して設けたものである。
から得られる原稿の濃淡に応じた光電流を供給する光電
流の信号ラインおよびアナロググランドラインを、セン
サ基板上において、スタートパルスやクロックパルスな
どのディジタルｓ号ラインおよびディジタルグランドラ
インとは隔離して設けたものである。
この発明における光′１流の信号ラインおよびアナログ
グランドラインは、ディジタル信号ラインやディジタル
グランドラインとは隔離して設けたため、かかるディジ
タル系の各ライン上に流れるパルス電流によって生じる
スパイクノイズがアナログ系の各ラインにとび込むのを
抑えることができ、これによって光電流の信号のうち暗
出力信号を安定した低レベルに保持できるようにする。
グランドラインは、ディジタル信号ラインやディジタル
グランドラインとは隔離して設けたため、かかるディジ
タル系の各ライン上に流れるパルス電流によって生じる
スパイクノイズがアナログ系の各ラインにとび込むのを
抑えることができ、これによって光電流の信号のうち暗
出力信号を安定した低レベルに保持できるようにする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、９はセンサー基板、１０ａ〜１０ｎは半導
体チップ、１１は光電変換素子であシ、半導体チップ１
０２〜１０ｎ上にある。１２は半導体チップ１０８〜１
０ｎ上の信号端子と下記の各ラインごとに設けたパター
ン上の信号端子とを接続する金ワイヤーである。
図において、９はセンサー基板、１０ａ〜１０ｎは半導
体チップ、１１は光電変換素子であシ、半導体チップ１
０２〜１０ｎ上にある。１２は半導体チップ１０８〜１
０ｎ上の信号端子と下記の各ラインごとに設けたパター
ン上の信号端子とを接続する金ワイヤーである。
また、１３は光電流の信号（８ＩＧ）ライン、１４はア
ナロググランド（ＡＧＮＤ）ライン、１５（ｚクロック
信号（Ｃ１ｏｃｋ ）のライン、１６はディジタルグラ
ンド（ＧＮＤ）ライン、１７はスタートパルス（８Ｉ）
のライン、１８は電源（Ｖ’ｎｎ）ラインで、これらは
いずれもセンサー基板９上にパターン化されている。
ナロググランド（ＡＧＮＤ）ライン、１５（ｚクロック
信号（Ｃ１ｏｃｋ ）のライン、１６はディジタルグラ
ンド（ＧＮＤ）ライン、１７はスタートパルス（８Ｉ）
のライン、１８は電源（Ｖ’ｎｎ）ラインで、これらは
いずれもセンサー基板９上にパターン化されている。
次に、動作について説明する。光電変換素子１１よシ流
出した光′電流は、信号ライン１３上を通過するが、こ
の時クロックパルスやスタートパルスのディジタル信号
も起動しており、信号ライン１３に対するこのディジタ
ル信号の各ライン１５．１６からのノイズの侵入が問題
となる。光電流は通常ｌμＡ以下の微弱電流であるため
、たとえばクロツク信号のライン１５と信号ライン１３
上のパターン間の絶縁抵抗がＩＯＭΩであっても、クロ
ック信号が５ｖの場合には帆５μＡの誘起電流が流れる
。従って、信号ライン１３は他のディジタル信号のライ
ン１５．１６とは第１図に示すように距離的にまず隔離
する必要がある。またアナロググランドライン１４も、
リセット時の基準電位となるため、同様のことが言える
。この発明では信号ライン１３のパターンおよびアナロ
ググランドライン１４のパターンと、他のディジタル信
号のライン１５．１６とを隔離するため、これらの各ラ
インが交差しないようにし、しかもディジタルグランド
ライン１６とアナロググランドライン１４とは接続しな
いようにしている。これはアナロググランドライン１４
がディジタル信号からのスパイク電流の帰路となるのを
防止するためである。
出した光′電流は、信号ライン１３上を通過するが、こ
の時クロックパルスやスタートパルスのディジタル信号
も起動しており、信号ライン１３に対するこのディジタ
ル信号の各ライン１５．１６からのノイズの侵入が問題
となる。光電流は通常ｌμＡ以下の微弱電流であるため
、たとえばクロツク信号のライン１５と信号ライン１３
上のパターン間の絶縁抵抗がＩＯＭΩであっても、クロ
ック信号が５ｖの場合には帆５μＡの誘起電流が流れる
。従って、信号ライン１３は他のディジタル信号のライ
ン１５．１６とは第１図に示すように距離的にまず隔離
する必要がある。またアナロググランドライン１４も、
リセット時の基準電位となるため、同様のことが言える
。この発明では信号ライン１３のパターンおよびアナロ
ググランドライン１４のパターンと、他のディジタル信
号のライン１５．１６とを隔離するため、これらの各ラ
インが交差しないようにし、しかもディジタルグランド
ライン１６とアナロググランドライン１４とは接続しな
いようにしている。これはアナロググランドライン１４
がディジタル信号からのスパイク電流の帰路となるのを
防止するためである。
このように、゛センサー基板９上の信号ライン１３およ
びアナロググランドライン１４に対して上記ディジタル
信号のライン１５．１６を隔離することによって、スパ
イクノイズなどによる影響が少ない、第３図に示すよう
な低い暗出力レベルを、全掃引時間において安定に得る
ことかできる。
びアナロググランドライン１４に対して上記ディジタル
信号のライン１５．１６を隔離することによって、スパ
イクノイズなどによる影響が少ない、第３図に示すよう
な低い暗出力レベルを、全掃引時間において安定に得る
ことかできる。
第２図はこの発明の他の実施例を示す。ここではセンサ
ー基板９には信号ライン１３のパターンおよびアナログ
グランドライン１４を各半導体チップ１０８〜１０ｎに
接近して設け、他の電源ライン１８．ディジタルグラン
ドライン１６．クロック信号ライン１５およびスタート
パルスのライン１７は各半導体チップ１０ａ〜１０ｎか
ら離れたセンサー基板９０片端に設置しである。このよ
うにすることＫよシ、信号ライン１３およびアナロググ
ランドライン１４への、各ディジタルラインからのノイ
ズのとび込みを、より顕著に低減することができる。
ー基板９には信号ライン１３のパターンおよびアナログ
グランドライン１４を各半導体チップ１０８〜１０ｎに
接近して設け、他の電源ライン１８．ディジタルグラン
ドライン１６．クロック信号ライン１５およびスタート
パルスのライン１７は各半導体チップ１０ａ〜１０ｎか
ら離れたセンサー基板９０片端に設置しである。このよ
うにすることＫよシ、信号ライン１３およびアナロググ
ランドライン１４への、各ディジタルラインからのノイ
ズのとび込みを、より顕著に低減することができる。
以上のように、この発明によれば、光電変換して得た原
稿の濃淡に応じた光電流の信号ラインおよびアナロググ
ランドラインを、センサー基板上において、スタートパ
ルスやクロックパルスナトのディジタル信号ラインおよ
びディジタルグランドラインとは隔離させるように構成
したので、ディジタル系の上記ラインから上記光電流の
信号ラインやアナロググランドラインへのノイズのとび
こみを抑えることができ、これによシ暗出力レベルを低
くでき、しかも安定化できるものが得られる効果がある
。
稿の濃淡に応じた光電流の信号ラインおよびアナロググ
ランドラインを、センサー基板上において、スタートパ
ルスやクロックパルスナトのディジタル信号ラインおよ
びディジタルグランドラインとは隔離させるように構成
したので、ディジタル系の上記ラインから上記光電流の
信号ラインやアナロググランドラインへのノイズのとび
こみを抑えることができ、これによシ暗出力レベルを低
くでき、しかも安定化できるものが得られる効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例による密着イメージセンサ
−のセンサー基板を示すライン配置図、第２図は他の実
施例を示すライン配置図、第３図はこの発明における密
着イメージセンサ−の暗出力レベル特性図、第４図は従
来の密着イメージセンサ−の構成を示す断面図、第５図
は第４図の密着イメージセンサ−の信号系回路を示すブ
ロック接続図、第６図は第５図のブロック各部の信号波
形を示すタイミングチャート、第７図は従来の密着イメ
ージセンサ−の暗出力レベル特性図である。 ９はセンサー基板、１１は光電変換素子、１３は信号ラ
イン、１４はアナロググランドライン、１５はクロック
ライン、１６はディジタルグランドライン、１７はスタ
ートパルスライン、１８？−ｊ電源ライン。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 特許出願人 三菱電機株式会社 第５図 ４′ 第６図
−のセンサー基板を示すライン配置図、第２図は他の実
施例を示すライン配置図、第３図はこの発明における密
着イメージセンサ−の暗出力レベル特性図、第４図は従
来の密着イメージセンサ−の構成を示す断面図、第５図
は第４図の密着イメージセンサ−の信号系回路を示すブ
ロック接続図、第６図は第５図のブロック各部の信号波
形を示すタイミングチャート、第７図は従来の密着イメ
ージセンサ−の暗出力レベル特性図である。 ９はセンサー基板、１１は光電変換素子、１３は信号ラ
イン、１４はアナロググランドライン、１５はクロック
ライン、１６はディジタルグランドライン、１７はスタ
ートパルスライン、１８？−ｊ電源ライン。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 特許出願人 三菱電機株式会社 第５図 ４′ 第６図
Claims (1)
- 原稿の濃淡に応じた光が入射されるセンサー基板上の
複数の光電変換素子と、これらの光電変換素子から得ら
れる光電流をスタートパルスによりクロックパルスのタ
イミングでシリアル出力する信号出力回路とを備えた密
着イメージセンサーにおいて、上記光電流の信号ライン
およびアナロググランドラインを、上記センサー基板上
において、電源ライン、上記スタートパルスやクロック
パルスなどのディジタル信号ラインおよびディジタルグ
ランドラインとは隔離して設けたことを特徴とする密着
イメージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006885A JPH01183263A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 密着イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006885A JPH01183263A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 密着イメージセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183263A true JPH01183263A (ja) | 1989-07-21 |
Family
ID=11650688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63006885A Pending JPH01183263A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 密着イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183263A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870569A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-27 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS62116069A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Canon Inc | 原稿読取装置 |
| JPS62193353A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-25 | Canon Inc | 画像読取センサ |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63006885A patent/JPH01183263A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870569A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-27 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS62116069A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Canon Inc | 原稿読取装置 |
| JPS62193353A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-25 | Canon Inc | 画像読取センサ |
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