JPS5870569A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPS5870569A JPS5870569A JP56169146A JP16914681A JPS5870569A JP S5870569 A JPS5870569 A JP S5870569A JP 56169146 A JP56169146 A JP 56169146A JP 16914681 A JP16914681 A JP 16914681A JP S5870569 A JPS5870569 A JP S5870569A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアアクシt リ等の原稿読取装置の小型化、低
価格化のために、その読取部に使用される密着源イメー
ジセンサとその駆動方法に関する。
価格化のために、その読取部に使用される密着源イメー
ジセンサとその駆動方法に関する。
近年ファクシミリ等の原稿読取装置において、小型化と
低価格化を目的として、jK稿面と1対1に対応し、光
学系の小量化が計れる密着型イメージセンサの開発が盛
んになっている。これを実現する方法として数種のイメ
ージセンサが考案されているが、これらのイメージセン
サは、駆動方法の点から蓄積型と非蓄WaSに大別され
る。後者は単なる光導電体をセンナとして用いるもので
あり光電流の2次電流を利用できるため一般に光電流紘
大きいが、電流値の0N−OFF比や光応答性の点で問
題がある。一方、蓄積型は高抵抗膜の上に電荷を蓄積し
、素子に光を当てることによって発生した光電荷で、先
に蓄積された電荷を打消しその打消された電荷量を検出
する。光による1次電荷しか利用しないため、光電荷そ
のものの値は小さいが、一定時間、これを蓄積するため
、先の利用効率はよ<、0N−OFF比も大きく、光応
答も速いという特長がある。以上のことにより、一般に
イメージセンサとして社蓄櫨型の方が望ましいとされて
きた。これit、11L在、撮像管のほとんどが蓄積麺
であることからも明らかである。
低価格化を目的として、jK稿面と1対1に対応し、光
学系の小量化が計れる密着型イメージセンサの開発が盛
んになっている。これを実現する方法として数種のイメ
ージセンサが考案されているが、これらのイメージセン
サは、駆動方法の点から蓄積型と非蓄WaSに大別され
る。後者は単なる光導電体をセンナとして用いるもので
あり光電流の2次電流を利用できるため一般に光電流紘
大きいが、電流値の0N−OFF比や光応答性の点で問
題がある。一方、蓄積型は高抵抗膜の上に電荷を蓄積し
、素子に光を当てることによって発生した光電荷で、先
に蓄積された電荷を打消しその打消された電荷量を検出
する。光による1次電荷しか利用しないため、光電荷そ
のものの値は小さいが、一定時間、これを蓄積するため
、先の利用効率はよ<、0N−OFF比も大きく、光応
答も速いという特長がある。以上のことにより、一般に
イメージセンサとして社蓄櫨型の方が望ましいとされて
きた。これit、11L在、撮像管のほとんどが蓄積麺
であることからも明らかである。
しかし、センナの駆動の簡単さを考えた場合には、電極
の一方に整流性接触を持たせることによってスイッチ数
が少なくてすむマトリックス方式が実現できる非蓄積型
の方が蓄@i型よりも有利であ゛った。特に、密着型イ
メージセンサの場合例えば原稿がム4版であれば、読I
IIL部は221程度O長尺となり、マトリックス方式
にすると、共通配線を読取部の長さだけ引回さねばなら
ず、その結果発生する非常に大きな浮遊容量への電荷の
漏れのため、蓄積捜のマトリックス駆動紘碌しいとされ
てきた。そのため現在までに考案されている蓄積型の密
着型イメージセンサ祉、素子1個1個にそれぞれ読取り
用のスイッチを設けたものか、あるい社、全体をいくつ
かの群に分けて、1つの群ごとに蓄積、読出しをくり返
す方式のものであつ前者の一行分に相当する時間がかか
るため、分銅した群の数をNとすれば、−行の走査時間
は前者の8倍になってしまうという欠点を持っている。
の一方に整流性接触を持たせることによってスイッチ数
が少なくてすむマトリックス方式が実現できる非蓄積型
の方が蓄@i型よりも有利であ゛った。特に、密着型イ
メージセンサの場合例えば原稿がム4版であれば、読I
IIL部は221程度O長尺となり、マトリックス方式
にすると、共通配線を読取部の長さだけ引回さねばなら
ず、その結果発生する非常に大きな浮遊容量への電荷の
漏れのため、蓄積捜のマトリックス駆動紘碌しいとされ
てきた。そのため現在までに考案されている蓄積型の密
着型イメージセンサ祉、素子1個1個にそれぞれ読取り
用のスイッチを設けたものか、あるい社、全体をいくつ
かの群に分けて、1つの群ごとに蓄積、読出しをくり返
す方式のものであつ前者の一行分に相当する時間がかか
るため、分銅した群の数をNとすれば、−行の走査時間
は前者の8倍になってしまうという欠点を持っている。
このように、従来の蓄積型イメージセンナは非蓄積塵の
イメージセンサに比べ、スイッチの数カ非常に多(なる
か、走査時間が長くなるという欠点を持っていた。
イメージセンサに比べ、スイッチの数カ非常に多(なる
か、走査時間が長くなるという欠点を持っていた。
本発明は前記111Mイメージセンサの欠点を解消すべ
くなされたもので、マトリックス駆動のためのブHyキ
ンダ用ダイオード群を設け、さらに読取りスイッチ並び
に電源側スイッチとアースの間に新たなスイッチを訛け
、浮遊容量の影響を消して、蓄積型において、非蓄積型
と同等のマトリックス駆動を可能にしたものである。
くなされたもので、マトリックス駆動のためのブHyキ
ンダ用ダイオード群を設け、さらに読取りスイッチ並び
に電源側スイッチとアースの間に新たなスイッチを訛け
、浮遊容量の影響を消して、蓄積型において、非蓄積型
と同等のマトリックス駆動を可能にしたものである。
第1図は本発明の走査回路である。8 (1,1)〜8
(n、m)は蓄積型用薄膜受光素子であり、n×m個並
んでいる。D(1,1) 〜D(n、m)はそれぞれの
受光素子に直列接続されたプロツキ2ング用ダイオード
である。C−81は単一素子の容量ではなく、D(1,
1)−D(1,nz)への共通配l1lS1の浮遊容量
であり、同様にC−82−C−8n及びC−R1−C−
Rmaそれぞれ共過配l1182−8 m及び共通配@
R1−Rmの浮遊容量である。これらの浮遊容量は先に
述べたように、例えばム4版の密着型イメージセンナの
場合配線は22個程度にも及ぶため、受光素子の容量に
比べ100倍から1000倍の大きさになるものと予想
される。S−1人〜8−mAは電源側の駆動スイッチ、
RI−IA−R−+aAは読取り側の駆動スイッチであ
る。8−113〜S −n B及びR−1B −R−m
B ijそれぞれ電源側、読取り側の浮遊容量の影響を
消すために付加したスイッチ群である。尚、後述するよ
うにS−を人〜8−1Bと組になったスイッチは1つの
ドライバ(例えば〒lrもオープンコレクタドライバ)
等に置換えることが可能である。1は電荷蓄積用電源、
2は保護抵抗、3社駆動制御回路である。4は信号読取
り回路であり、第2WJに示す2種の方法がある。
(n、m)は蓄積型用薄膜受光素子であり、n×m個並
んでいる。D(1,1) 〜D(n、m)はそれぞれの
受光素子に直列接続されたプロツキ2ング用ダイオード
である。C−81は単一素子の容量ではなく、D(1,
1)−D(1,nz)への共通配l1lS1の浮遊容量
であり、同様にC−82−C−8n及びC−R1−C−
Rmaそれぞれ共過配l1182−8 m及び共通配@
R1−Rmの浮遊容量である。これらの浮遊容量は先に
述べたように、例えばム4版の密着型イメージセンナの
場合配線は22個程度にも及ぶため、受光素子の容量に
比べ100倍から1000倍の大きさになるものと予想
される。S−1人〜8−mAは電源側の駆動スイッチ、
RI−IA−R−+aAは読取り側の駆動スイッチであ
る。8−113〜S −n B及びR−1B −R−m
B ijそれぞれ電源側、読取り側の浮遊容量の影響を
消すために付加したスイッチ群である。尚、後述するよ
うにS−を人〜8−1Bと組になったスイッチは1つの
ドライバ(例えば〒lrもオープンコレクタドライバ)
等に置換えることが可能である。1は電荷蓄積用電源、
2は保護抵抗、3社駆動制御回路である。4は信号読取
り回路であり、第2WJに示す2種の方法がある。
第2図(a)は光電流によって消去された受光素子上の
電荷を補う電流を読取り抵抗R,を使りて検出する方法
を示している。第2図(b)は光電流によって受光素子
上の電荷が消去されることにより生じる電位の変化を検
出する方式を示しており、 CL線読取り容量、8−L
は信号読取り時にCLに蓄積される電荷を消去するため
のスイッチ用FFfTである。以下、簡単のため素子数
が8(1,1)−8(3,3)の9ピツFかうなる本発
明の密着型イメージセンサにおいて、スイッチングが着
干複雑な112図(b)の読取り回路を例にとり、光信
号読取り動作を説明する。
電荷を補う電流を読取り抵抗R,を使りて検出する方法
を示している。第2図(b)は光電流によって受光素子
上の電荷が消去されることにより生じる電位の変化を検
出する方式を示しており、 CL線読取り容量、8−L
は信号読取り時にCLに蓄積される電荷を消去するため
のスイッチ用FFfTである。以下、簡単のため素子数
が8(1,1)−8(3,3)の9ピツFかうなる本発
明の密着型イメージセンサにおいて、スイッチングが着
干複雑な112図(b)の読取り回路を例にとり、光信
号読取り動作を説明する。
第3図に9ビツトの場合に、それぞれのスイッチを駆動
するタイミングを示す。タイミングは、スイッチ&−L
のパルス幅をTとして目盛うである。またスイッチ紘パ
ルスが’High″の状態でONするものとする。以下
0時間に8−1人、R−1人がON状態になるところか
ら順を迫って説明する。
するタイミングを示す。タイミングは、スイッチ&−L
のパルス幅をTとして目盛うである。またスイッチ紘パ
ルスが’High″の状態でONするものとする。以下
0時間に8−1人、R−1人がON状態になるところか
ら順を迫って説明する。
尚、以下()紘τを単位として、タイミングを表わす。
まず上記2つのスイッチがONすることによって光セン
サ8(1,1)と読取り容量CLが接続され、このスイ
ッチングの前に光電流によって蓄積された電荷が続出さ
れる。次に電荷消去用スイッチS−Lが入り、読取り容
量CL上の電荷が消失され、同時に8(1,1)上の電
荷量が、−走置(IE源電圧×七セン容量)になるまで
電荷の蓄積がなされる(1τ)、次にR−2AがONし
、8(1,2)の読取り、電荷の消去及び蓄積が上記8
(1,1)の場合と同様に行なわれるが(2r〜4τ)
、R,−1人が0Fli’すると同時にR−IBがON
する。このスイッチが本発明の特徴である電荷漏れ防止
の一部をなすものであり、第4図にその効果を示す。
サ8(1,1)と読取り容量CLが接続され、このスイ
ッチングの前に光電流によって蓄積された電荷が続出さ
れる。次に電荷消去用スイッチS−Lが入り、読取り容
量CL上の電荷が消失され、同時に8(1,1)上の電
荷量が、−走置(IE源電圧×七セン容量)になるまで
電荷の蓄積がなされる(1τ)、次にR−2AがONし
、8(1,2)の読取り、電荷の消去及び蓄積が上記8
(1,1)の場合と同様に行なわれるが(2r〜4τ)
、R,−1人が0Fli’すると同時にR−IBがON
する。このスイッチが本発明の特徴である電荷漏れ防止
の一部をなすものであり、第4図にその効果を示す。
第4図体)、(b厳センサ8(1,3)が読取り状態に
なった瞬間を示しており(47)、特に第4図(a)は
電荷漏れ防止用スイッチR−IB−R−3Bを含まない
場合を示している。第4図(a)から明らかなように、
センサ8(1,1)、8(1,2)唸初期電荷を蓄積し
た後、も浮遊容量C−几1〜C−82を通して図中1の
電源からの電圧がかかることになり、光が素子に当って
、センサ上の電位R2に’lll荷の漏れが生じる。従
って次にセンサS(2,1)や8(2,2)から信号を
読取る時、C−R1,C−R2に蓄積された電荷が、素
子からの正常な読取りを妨げる働きをすることになる。
なった瞬間を示しており(47)、特に第4図(a)は
電荷漏れ防止用スイッチR−IB−R−3Bを含まない
場合を示している。第4図(a)から明らかなように、
センサ8(1,1)、8(1,2)唸初期電荷を蓄積し
た後、も浮遊容量C−几1〜C−82を通して図中1の
電源からの電圧がかかることになり、光が素子に当って
、センサ上の電位R2に’lll荷の漏れが生じる。従
って次にセンサS(2,1)や8(2,2)から信号を
読取る時、C−R1,C−R2に蓄積された電荷が、素
子からの正常な読取りを妨げる働きをすることになる。
スイッチR,−IB−R−3Bは前記の電荷の漏れを防
止すべく、回路に付加されたもので、これらのスイッチ
は13図のタイミングチャートに示すように読取りスイ
ッチ凡−1A〜B−3ムがそれぞれOFFすると同時J
CONI、、浮遊容量を短絡することによって電荷の流
出を訪いでいる。このとき第4図缶)から明らかなよう
に、センサS(1゜1)、8(1,2)は電源との間に
MWH路を形成し、電源からセンサへの電荷の蓄積と全
く同じ状態になっている。このため、読取りスイッチを
それぞれ個別にセンナに設けた場合に比べ、光電流の蓄
積時間は若干短くなるが゛、例えばA4版の密着型イメ
ージセンサで1鱈に8ビツトの棄子数とし、全体を17
28ビツト、これを32ビツトづつ54群に分割し、マ
トリックスを形成した場合。
止すべく、回路に付加されたもので、これらのスイッチ
は13図のタイミングチャートに示すように読取りスイ
ッチ凡−1A〜B−3ムがそれぞれOFFすると同時J
CONI、、浮遊容量を短絡することによって電荷の流
出を訪いでいる。このとき第4図缶)から明らかなよう
に、センサS(1゜1)、8(1,2)は電源との間に
MWH路を形成し、電源からセンサへの電荷の蓄積と全
く同じ状態になっている。このため、読取りスイッチを
それぞれ個別にセンナに設けた場合に比べ、光電流の蓄
積時間は若干短くなるが゛、例えばA4版の密着型イメ
ージセンサで1鱈に8ビツトの棄子数とし、全体を17
28ビツト、これを32ビツトづつ54群に分割し、マ
トリックスを形成した場合。
最大でも蓄積時間が全体の54分の1短くなるだけであ
り実用上全く問題はない。尚、これらのスイッチングの
*、センサ素子間の分離が、センサに付加したプレッキ
ング用ダイオードによって、なされることは、非罫積型
のマトリックス方式の場合と同様である。
り実用上全く問題はない。尚、これらのスイッチングの
*、センサ素子間の分離が、センサに付加したプレッキ
ング用ダイオードによって、なされることは、非罫積型
のマトリックス方式の場合と同様である。
次にもう一方の電荷漏れ防止用スイッチの動作を説明す
る。これは前記電荷漏れ防止用スイッチ5−IB−8−
3Bの動作とも関連するもので基本的には、一つの群を
スイッチングする際に、その共通配線に存在する浮遊容
量(この例の場合はc−s1〜C−8a)に蓄積される
電荷を消去するものである。この動作を省略した場合、
浮遊容量が比較的大きいため群の共通配m側(電源4J
s)に常時電源電圧程度の電圧がかかっている状態とな
り、正常な動作はなし得ない。このことを解消するため
例えば#3[に示したタイミングチャートで7τの時ス
イッチS−I BをONL、て電荷を消去する動作を挿
入するわけである。尚、このIFBTスイッチ2個づつ
の組(例えばS −IAと8−IB等)社、それぞれ1
個のTTLオープンコレタタドライバ等で置換えること
もできる。そのa8−I B〜8−3Bの各モードは必
要なく、理論的に酸スイッチングも簡単なTTI、ド2
イパの方が望ましい。両者の違いは、PRTにした時読
取り側のスイッチ詳と会わせてモノリシック化できるこ
とと、光による蓄積電荷の消去時に素子の一端が接地さ
れているか、あるいは容量C−81〜C−83を遇して
浮いているかということだけであり、プレツキンダ用ダ
イオードが正常に動作していればいずれの方式ても間l
i紘ない。
る。これは前記電荷漏れ防止用スイッチ5−IB−8−
3Bの動作とも関連するもので基本的には、一つの群を
スイッチングする際に、その共通配線に存在する浮遊容
量(この例の場合はc−s1〜C−8a)に蓄積される
電荷を消去するものである。この動作を省略した場合、
浮遊容量が比較的大きいため群の共通配m側(電源4J
s)に常時電源電圧程度の電圧がかかっている状態とな
り、正常な動作はなし得ない。このことを解消するため
例えば#3[に示したタイミングチャートで7τの時ス
イッチS−I BをONL、て電荷を消去する動作を挿
入するわけである。尚、このIFBTスイッチ2個づつ
の組(例えばS −IAと8−IB等)社、それぞれ1
個のTTLオープンコレタタドライバ等で置換えること
もできる。そのa8−I B〜8−3Bの各モードは必
要なく、理論的に酸スイッチングも簡単なTTI、ド2
イパの方が望ましい。両者の違いは、PRTにした時読
取り側のスイッチ詳と会わせてモノリシック化できるこ
とと、光による蓄積電荷の消去時に素子の一端が接地さ
れているか、あるいは容量C−81〜C−83を遇して
浮いているかということだけであり、プレツキンダ用ダ
イオードが正常に動作していればいずれの方式ても間l
i紘ない。
本発明の一実施例を第5wJ(ロ)K、そのプ田ツキン
グ用ダイオードとセンサ素子からなる基本七ンすデバイ
スの断面図を第585(a)に示す。5はガラス基板で
あり、この基板上に例えば、鳳型基板7KP層8*nj
19をJI!成したシリ:lン(DP−n11合ダイオ
ードを設け、pM@に共通電116.810゜噂の絶縁
膜10を介して1個別電極11を形成する。このとき電
極1.1 a受光素子の受光面を決める遮光層の役目も
兼ねている。12は8nO,やITO等の透明導電膜で
ある。この透明電極上に13のアモルファスシリコンや
Cd8あるいはS・−T@痔の高抵抗、光導電体導体膜
を形成し、その上に電極14を形成する。上記iniを
持つ基本上ンサデバイスがjls図缶)に示されている
ように多数1次元配列されており、多層配線された第1
共通電極群16と群ごとのj12共通配線群15を介し
てスイッチ群及び、ドライバ群等に配線されている。1
7は読取側、電源側及び電荷漏防止用スイッチ群とその
制御回路である。以上の密着型イメージセンサ装置を用
い%原稿からの反射光を七ル7オックレンズや光フアイ
バアレイ等の光学系を使って、素子の形成されていない
側のガラス面から入射させ、透明電極上に像を結ばさせ
、前記、信号の読取り方式に従ってスイッチングを行な
うと、原稿面からの情報を電気信号に変換することがで
きる。
グ用ダイオードとセンサ素子からなる基本七ンすデバイ
スの断面図を第585(a)に示す。5はガラス基板で
あり、この基板上に例えば、鳳型基板7KP層8*nj
19をJI!成したシリ:lン(DP−n11合ダイオ
ードを設け、pM@に共通電116.810゜噂の絶縁
膜10を介して1個別電極11を形成する。このとき電
極1.1 a受光素子の受光面を決める遮光層の役目も
兼ねている。12は8nO,やITO等の透明導電膜で
ある。この透明電極上に13のアモルファスシリコンや
Cd8あるいはS・−T@痔の高抵抗、光導電体導体膜
を形成し、その上に電極14を形成する。上記iniを
持つ基本上ンサデバイスがjls図缶)に示されている
ように多数1次元配列されており、多層配線された第1
共通電極群16と群ごとのj12共通配線群15を介し
てスイッチ群及び、ドライバ群等に配線されている。1
7は読取側、電源側及び電荷漏防止用スイッチ群とその
制御回路である。以上の密着型イメージセンサ装置を用
い%原稿からの反射光を七ル7オックレンズや光フアイ
バアレイ等の光学系を使って、素子の形成されていない
側のガラス面から入射させ、透明電極上に像を結ばさせ
、前記、信号の読取り方式に従ってスイッチングを行な
うと、原稿面からの情報を電気信号に変換することがで
きる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ブロ
ッキング用ダイオードと電荷漏れ防止スイッチを設けた
ことにより、高感度かつ光応答の速い蓄積型イメージセ
ンナにおいてマトリックス方式が実現でき、従来のイメ
ージセンサに比べ、スイッチ数の大幅削減、並びに駆動
回路の簡単化が可能となり、小型、低価格の密着型イメ
ージセンサを実現することができる。
ッキング用ダイオードと電荷漏れ防止スイッチを設けた
ことにより、高感度かつ光応答の速い蓄積型イメージセ
ンナにおいてマトリックス方式が実現でき、従来のイメ
ージセンサに比べ、スイッチ数の大幅削減、並びに駆動
回路の簡単化が可能となり、小型、低価格の密着型イメ
ージセンサを実現することができる。
第1図は本発明の一実施例の走査回路ブロック図、g2
図は2種類の読取り回路、第3図は9ビツトの場合のス
イッチングタイミングチャート、第4図は電荷漏れ防止
効果を説明するための部分的な走査回路、第5図は1実
施例を示している。 1・・・電荷蓄積用電源、2・・・保護抵抗、3・・・
蛇動制御回路、4・・・読取り回路、S(1,1)〜S
(n、m)−光センサ、D(1,,1)−D(n。 m)・・・ブロッキング用ダイオード、S−1ム〜5−
IA、8−I B−8−nB、R−IA−R−mAR−
I B−R−mB−スイッチ、C−Ll〜C−5n
C−′R−1〜C−R,m、、、浮遊容量、5l−8n
、R1〜几m;・・共通電極群、RL・・・読取り抵抗
、CL・・・読取り容量、8−L・・・読取りスイッチ
、5°°・ガ、ラス基板、6,11.“14・・・電極
、7・・・n型シリコン基板、8・・・p型層、9・・
・n型層、10・・・絶縁膜、12−・・透明導電膜、
13・・・光導電体導体膜、15.16・・・配線群、
17・・・信号処理回路。 篤2図 Ca) Cb) 第4図 (α) (b’) 第5図 (α) 5 Cb)
図は2種類の読取り回路、第3図は9ビツトの場合のス
イッチングタイミングチャート、第4図は電荷漏れ防止
効果を説明するための部分的な走査回路、第5図は1実
施例を示している。 1・・・電荷蓄積用電源、2・・・保護抵抗、3・・・
蛇動制御回路、4・・・読取り回路、S(1,1)〜S
(n、m)−光センサ、D(1,,1)−D(n。 m)・・・ブロッキング用ダイオード、S−1ム〜5−
IA、8−I B−8−nB、R−IA−R−mAR−
I B−R−mB−スイッチ、C−Ll〜C−5n
C−′R−1〜C−R,m、、、浮遊容量、5l−8n
、R1〜几m;・・共通電極群、RL・・・読取り抵抗
、CL・・・読取り容量、8−L・・・読取りスイッチ
、5°°・ガ、ラス基板、6,11.“14・・・電極
、7・・・n型シリコン基板、8・・・p型層、9・・
・n型層、10・・・絶縁膜、12−・・透明導電膜、
13・・・光導電体導体膜、15.16・・・配線群、
17・・・信号処理回路。 篤2図 Ca) Cb) 第4図 (α) (b’) 第5図 (α) 5 Cb)
Claims (1)
- 蓄Il型光七ンサ素子と、ブ田ツキング用ダイオード素
子を直列接続した基本センナデバイスが基板上に多数−
次元配列され、該プpツキング用ダイオード側を共通電
極として複数の群に分割された七ンす群と、各群ごとに
対応する基本センナデバイスを共通に接続し読取り回路
に導く第1配線群と、上記群の各々を個別に接続し、電
源側ドライブ回路に導く第2配線群と、電源側及び読取
り側の各スイッチ群を定められた順序で駆動する制御回
路とを具備し、スイッチ群に、浮遊容量への電荷漏れ防
止スイッチ群を付加したことによって蓄積型のイメージ
センサのマトリックス方式を構成していることを特徴と
する密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56169146A JPS5870569A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56169146A JPS5870569A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5870569A true JPS5870569A (ja) | 1983-04-27 |
JPH0227821B2 JPH0227821B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=15881134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56169146A Granted JPS5870569A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5870569A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60240285A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-29 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 電子的輻射感知装置及び方法 |
JPS62124585A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-05 | Fujitsu Ltd | 多層ホログラム |
JPH01183263A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 密着イメージセンサー |
JPH02274160A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Seiko Instr Inc | イメージセンサ |
-
1981
- 1981-10-22 JP JP56169146A patent/JPS5870569A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60240285A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-29 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 電子的輻射感知装置及び方法 |
JPS62124585A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-05 | Fujitsu Ltd | 多層ホログラム |
JPH01183263A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 密着イメージセンサー |
JPH02274160A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Seiko Instr Inc | イメージセンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0227821B2 (ja) | 1990-06-20 |
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