JPS6156913B2 - - Google Patents

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JPS6156913B2
JPS6156913B2 JP54073646A JP7364679A JPS6156913B2 JP S6156913 B2 JPS6156913 B2 JP S6156913B2 JP 54073646 A JP54073646 A JP 54073646A JP 7364679 A JP7364679 A JP 7364679A JP S6156913 B2 JPS6156913 B2 JP S6156913B2
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JP
Japan
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JP54073646A
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JPS55165066A (en
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Seishiro Yoshioka
Yutaka Hirai
Tadaharu Fukuda
Masaki Fukaya
Takashi Nakagiri
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPS55165066A publication Critical patent/JPS55165066A/ja
Publication of JPS6156913B2 publication Critical patent/JPS6156913B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、多数に分割された受光面に、光情報
が入力され、該光情報をその強度の強弱に応じた
電気信号に変換する光電変換装置、殊に、フアク
シミリ、デジタル複写機、イテリジエント複写機
等の装置に具備される光入力装置に応用され得る
光電変換装置に関する。
従来の光電変換装置の1つとして、画素数に応
じて多数のホトセンサー要素をアレー状に配列
し、これ等に入力される光情報の強度の強弱に応
じた電荷量を各ホトセンサー要素毎に設けられて
あるコンデンサ等から成る蓄積要素で構成される
蓄積部に蓄積し、各蓄積要素に電荷量の情報とし
て蓄積されている信号を、シフトレジスターより
の転送信号によつて各蓄積要素毎に設けられてあ
るスイツチング素子を順次ON−OFF作動するこ
とによつて、次々に読出して時系列的に出力する
光電変換装置がある。
而乍ら、この様な構成の光電変換装置に於て
は、ホトセンサー要素、蓄積要素、スイツチング
素子が、各々画素数分だけ設ける必要がある為
に、それ等の均一特性化が極めて難しく、画素数
の増大に従つて各要素或いは素子間に於ける特性
上のバラツキが殖え、生産性、量産性の低下の原
因となつている。
例えば、フアクシミリの光電変換原稿読取装置
の様に、210mmの巾を8lines/mmの解像度で原稿
を読もうとすると、ホトセンサーの個数、蓄積要
素、スイツチング素子、及びシフトレジスタのビ
ツト数が各々最低1680個を要し、それ等の特性の
均一化を計る事は甚だ困難であり、又、それ等の
電気的接続も高度な精密製造技術が要求される等
低コスト化、量産化の弊害となつている。
この様な問題を解決する方策としては、蓄積要
素、スイツチング素子及びシフトレジスタのビツ
ト数を減らす事が考えられる。その1つの解決策
は、a個のホトセンサー要素を、n個ずつm個の
ブロツクに分け、各ブロツクに共通の、n個の蓄
積要素から成る蓄積部と、各ブロツクのホトセン
サー要素をブロツク毎にスイツチングするm個の
スイツチング素子と前記蓄積部を構成するn個の
蓄積要素に蓄積されている電荷信号を、次々にス
イツチングして転送する為のn個のスイツチング
素子と、該n個のスイツチング素子を作動させる
シフトレジスター、ホトセンサー要素と蓄積要素
との間に、クロストーク防止用として、a個のホ
トセンサー要素の各々に対してa個のクロストー
ク防止用のダイオードを設けた、所謂ダイオード
アレーを使用したマトリツクス配線を導入するこ
とが挙げられる。
この種の光電変換装置に於ては、m×n個のホ
トセンサー要素(m+n)個のスイツチング素子
及びシフトレジスターのビツト数とすることが出
来、前述の光電変換装置に較べてスイツチング素
子及びシフトレジスターのビツト数がm×n個よ
り(m+n)個に減少出来るという利点を有す
る。
而乍ら、ダイオードをm×n個必要とする為、
全体的には、それ程装置の構成要素数は減少せ
ず、矢張り、前記した様な問題を内報している。
又、特開昭53−41118号公報には、フオトダイ
ーオードタイプのセンサーセルの光電流を直接光
情報として出力し、又、同一ブロツク内のセンサ
ーセル間のクロストークの防止の為には、センサ
ーセル自身のダイオード構造を利用し、光源とし
ては、分割型照明光源を用いた固体状光電変換装
置が示されている。
しかし乍ら、上記公報に記載された光電変換装
置は、各センサーセルからの光情報に基く光電流
はリアルタイムに直接出力アンプに転送されるた
めに、ブロツク境界近傍における隣接光源ブロツ
ク間の洩れ照射の影響を除去するのに、一列に配
された分割型照明光源を奇数番目と偶数番目との
グループに分けて、グループ毎にグループ内の光
源を順次点灯しているので、センサーセル及び光
源のマトリツクスの構成が大きくなり、実装上の
結線及び駆動が複雑になつて実用的には芳しくな
い。
又、センサーセル間のクロストークを防止する
為に、センサーセル毎にダイオード構造を設けて
いるが、その為に、光電流の均一性、歩留り等の
向上に実用的な問題点がある。
更に、各センサーセルからの光電流の出力はリ
アルタイムで出力アンプに転送されるために、各
センサーセルに対する光照射と読出しタイミング
が均一でなく、光応答性、加電圧応答性が直接的
に読み出し信号のバラツキに重畳されるという問
題点を有している。
本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものであ
つて構成要素の点数を少なくし、解像度の高い且
つ画素数の多い装置の場合でも、生産性、量産性
を飛躍的に向上し得、又、各構成要素の均一特性
化を容易に成し得、低コストで生産し得る。又従
来の光電変換装置に於いて、各ホトセンサー要素
毎に、クロストーク防止の為に設けられていたダ
イオードを全く必要とせずにクロストーク防止が
出来る構造の光電変換装置を提供することを目的
とする。
本発明の光電変換装置は、 等ピツチで列状に配列されたn個のホトセンサ
ー要素が一端より等数的に分配されてN個のホト
センサーブロツクを構成し、各ホトセンサーブロ
ツクは、M個のホトセンサーユニツトにグループ
化されて、各ホトセンサーブロツクに於けるM個
のホトセンサーユニツトが各ホトセンサーブロツ
クで順序正しく同じ配列順で配列されており、各
ホトセンサーブロツクの同配列順位にあるホトセ
ンサーユニツトを構成するホトセンサー要素の中
の同配列順位のホトセンサー要素同志が共通結線
されているホトセンサー部; N個のホトセンサーブロツクの中の1つに対応
して設けられ、該ホトセンサーブロツクを構成す
るホトセンサーユニツト毎に一対一に設けられた
M個の蓄積ユニツトを有し、これ等M個の蓄積ユ
ニツトの各々が、対応するホトセンサーユニツト
を構成するホトセンサー要素毎に一対一に対応し
て結線されている蓄積要素で構成されている蓄積
部; 前記ホトセンサーユニツト毎に対応して設けら
れたMN個の光源と; 該光源を時系列的に点灯するための走査手段; とを具備する事を特徴とする。
以下、本発明の光電変換装置の動作に就て、好
適な実施態様を挙げて具体的に説明する。
第1図には、本発明の光電変換装置の好適な実
施態様の構成図が示される。
第1図に示される光電変換装置は、等ピツチで
列状に配列されたn個のホトセンサー要素Eを等
数的に分配して形成されるN個のホトセンサーブ
ロツクBで構成されるホトセンサー部、該ホトセ
ンサー部の受光面に光情報を与える為の光源L、
該光源を作動する為のシフトレジスタSR、スイ
ツチング素子ST、必要に応じてレンズ、スリツ
ト、オプチカルフアイバー等の光学系で構成され
る光学装置、ホトセンサー部に入力された光情報
を電気情報として蓄積するM個の蓄積ユニツトS
で構成される蓄積部、各蓄積ユニツトSに蓄積さ
れている電気情報を読出して他に転送する為のM
個のシフトレジスタSR−1,SR−2………,SR
−M、各シフトレジスタから出力される転送信号
によつてスイツチング動作をする複数のスイツチ
ング素子SWを具備する。
N個のホトセンサーブロツクB−1,B−2,
………,B−Nは、同一の構造を有しており、各
ホトセンサーブロツクに於て入力された光情報
は、該ホトセンサーブロツクで光電変換されて、
共通の蓄積部に時系列的に転送される。
ホトセンサーブロツクBと蓄積部との電気的結
線関係を、第1番目及び第2番目のホトセンサー
ブロツクB−1,B−2の例を挙げて説明する。
ホトセンサーブロツクB−1は、n/N個のホ
トセンサー要素を有し、該n/N個のホトセンサ
ー要素は、一端よりa個、b個、………、S個ず
つにグループ化されて、形成されるM個のホトセ
ンサーユニツトu−11,u−12,………,u
−1Mを構成している。
M個のホトセンサーユニツトu−11,u−1
2,………,u−1Mには一対一に応じてM個の
蓄積ユニツトS−1,S−2………,S−Mが電
気的に直接結線されている。
M個の蓄積ユニツトS−1,S−2,………,
S−Mの各々は、各々に対応するホトセンサーユ
ニツトuを構成するホトセンサー要素Eの数に相
等しい蓄積要素Cを有する。
蓄積要素Cの各々には、各蓄積要素に蓄積され
ている電気情報を読出して他に転送する為のスイ
ツチング動作を行うスイツチング素子SWが直接
に接続されてある。
M個の蓄積ユニツトS−1,S−2,………,
S−Mの各々は、N個のホトセンサーブロツクB
−1,B−2,………,B−Nの各々に於ける同
配列順位のホトセンサーユニツトとも直結されて
いる。
即ち、N個のホトセンサーブロツクB−1,B
−2,………,B−Nに於ける同配列順位のホト
センサーユニツトを構成するホトセンサー要素の
中の同配列順位のホトセンサー要素が共通配線さ
れて、各々から出力される信号が、相当する蓄積
ユニツトを構成する蓄積要素群の中の相当する蓄
積要素に入力される様に結線されている。例えば
各ホトセンサーブロツクの第1順位に配列されて
いるホトセンサーユニツトu−11,u−21,
………u−M1の各々を構成するホトセンサー要
素の中の第1順位のホトセンサー要素1E−1
1,2E−11,3E−11,………,NE−1
1は、共通結線されて、第1順位の蓄積ユニツト
S−1を構成するa個の蓄積要素の中の第1順位
の蓄積要素C−11に接続されている。
ホトセンサー要素Eは、光導電特性或いは光起
電力特性を示す材料、例えば、結晶性シリコン、
結晶性ゲルマニウム、アモルフアスシリコン、ア
モルフアスゲルマニウム、セレン、セレン・テル
ル合金、硫化カドミニウム等で感光領域が形成さ
れた、通常、知られている構造の光導電型、或い
は光起電力型とされる。
第1図に於ては、光導電型のホトセンサー要素
Eの場合に就てが示され、その為に電源P−1が
設けられているものである。以後、説明の煩雑さ
を避ける意味で、この光導電型のホトセンサー要
素Eの場合に就て説明するが、本発明は、これに
限定されるものではない。又、ホトセンサー要素
Eとして光起電力型を採用する場合には、電源P
−1は省かれる。
読取る可き情報を有する原稿面を照射して、透
過型で又は反射型でホトセンサー部の受光面に原
稿情報を担う光情報を入力する為の光源Lは、第
1図に於いては、各ホトセンサーブロツクに於け
る同順位のホトセンサーユニツトには、同時に光
情報が入力されない様に光学装置を構成する為
に、ホトセンサー部を構成するMN個のホトセン
サーユニツトの各々に対応して、その数に相当す
る数に分割され、分割されたMN個の光源L−1
1,L−12,……L−1M,L−21,L−2
2,………,L−2M,………,L−NMが順序
正しく図で左端より順番に時系列的に点燈される
仕組とされる為に、各光源に一対一で設けられて
あるMN個のスイツチング素子ST−11,ST−
12,………ST−1M,ST−21,ST−2
2,………ST−2M,………ST−NMと、これ
等のスイツチング素子を作動させる為の信号を出
力するシフトレジスタSRが光学装置に具備され
てある。
P−2は、MN個の光源を点燈する為の電源で
ある。光源Lは、発光ダイオード(LED)素
子、エレクトロルミネソセンス(EL)素子、或
いは、その他通常使用されている光源で構成され
るが、装置自体のコンパクト化、操作の容易性等
から、LED素子、EL素子で構成するのが好まし
い。この場合には、原稿面とホトセンサー部の受
光面との距離を極端に短くした、所謂原稿面密着
タイプの光電変換装置とすることが可能である。
又、螢光燈等の通常の光源を使用する場合に
は、各ホトセンサーブロツクに於ける同配列順位
のホトセンサーユニツトに光情報が入力されない
様にする為に、ホトセンサー部の受光面と原稿面
との間の光路中に、又は光源と原稿面との光路中
に所定幅の光学スリツトを配設し、このスリツト
を、例えば図の左端より右端に移動させる構成が
取られる。この場合には、ホトセンサー部の受光
面に原稿の光像が結像される様に結像レンズ系を
配設するのが良い。
各蓄積ユニツトSを構成する蓄積要素Cは、図
に於てはコンデンサーが示されてある。C−1,
C−2,………C−Mの各々は、各々対応する蓄
積ユニツトSを構成する蓄積要素Cより転送され
てくる信号電荷を、一旦、蓄積し、相当数設けら
れてあるスイツチング素子SWのON−OFF作動
によつて蓄積した信号電荷を、対応する出力端子
Vより出力する読出コンデンサである。次に、第
1図に示される光電変換装置の動作に就て説明す
る。
順次点燈されるMN個の光源Lによつて、読取
る可き原稿面が照射され、その反射光又は透過光
による光像を適当な光学系、例えばレンズ、アキ
ユートレンズ、セルホツク、バーレンズ等を使用
してホトセンサー部の受光面上に結像させるか、
又はこれ等の光学系を配設せずに原稿面よりの照
射光を前記受光面に照射する。この動作は、先
ず、シフトレジスタSRに入力端子TR−1よりク
ロツク信号φcが入力される毎にシフトレジスタ
SRのビツトが一段ずつシフトされて、MN個のス
イツチング素子STが第1番目から次々に順序良
くON−OFF作動され、スイツチング素子STの
ONされた光源Lが点燈する。
今、光源L−11に注目し、該光源L−11が
先ず点燈されたとすると、対応するホトセンサー
ユニツトu−11の各ホトセンサー要素1Eより
出力される信号は、各ホトセンサー要素1Eに入
力される光情報の強弱に相応した電荷量の信号と
して、そのホトセンサー要素に対応した蓄積要素
C−11,C−12,………,C−1aに各々蓄
積され、端子TR−2より入力されるクロツク信
号φc−1により、シフトレジスタSR−1より
順次出力される転送信号に従つて、a個のスイツ
チング素子SW−11,SW−12,………SW−
1aが次々にON−OFF動作し、a個の蓄積要素
より信号が時系列的に読取コンデンサ−C−1に
転送される。
a個の蓄積要素より次々に信号が転送されて来
て、読取コンデンサ−C−1に入力される際、1
つの信号が読取コンデンサ−C−1に入力されて
蓄積されると、次の信号は、既に蓄積されている
信号が読取コンデンサ−C−1に蓄積されている
該信号の電荷量に従つて、端子V−1より電圧信
号として出力されて読出され、次いで、端子Ts
−1より入力される信号φs−1に従つてスイツ
チング動作するスイツチング素子SW−1をON
動作させて読出コンデンサ−C−1に蓄積されて
いる電荷を放電させた後に、読出コンデンサ−C
−1に入力される。
詰り、シフトレジスタSR−1に入力されるク
ロツク信号φc−1と端子Ts−1より入力され
る信号φsとは、上記の様な動作が順次円滑に実
行される様にタイミングがとられて各々発生され
る。
この様にして、ホトセンサーユニツトu−11
を構成するホトセンサー要素1E−11,1E−
12,………,1E−1aに入力された光情報
は、各々の強弱に応じた電圧信号として、時系列
的に端子V−1より出力される。
蓄積ユニツトS−1に於ける信号処理が終了す
ると、光源L−11の隣りの光源L−12が点燈
され、上記したのと同様の動作が実行されて、蓄
積ユニツトS−2に蓄積されているビデオ信号が
処理されて、端子V−2より電圧信号として出力
される。
この様にして、ホトセンサーブロツクB−1分
に相当する光源L−11,L−12,………,L
−1Mが次々に点燈されるに従つて、それに相応
するM個の蓄積ユニツトS−1,S−2,……
…,S−Mに於ける信号処理が次々に実行され
る。次にホトセンサーブロツクB−2に対応する
光源L−21,L−22,………,L−2Mが、
シフトレジスタSRに入力されるクロツク信号φ
c−1に従つて、クロツク信号φc−1が入力さ
れる毎に1段ずつシフトして出力される信号によ
つて、M個のスイツチング素子ST−21,ST−
22,ST−2Mが次々にON−OFF作動される
ことで、次々に順序正しく点燈され、ホトセンサ
ーブロツクB−2に光情報信号が入力される。ホ
トセンサーブロツクB−2に入力される光情報信
号は、蓄積ユニツトS−1,S−2,………,S
−Mに電気信号として蓄積され、ホトセンサーブ
ロツクB−1の場合に説明したのと同様の処理動
作が各蓄積ユニツトで実行されて、出力端子V−
1〜V−Mより出力される。
以上の信号処理動作は、以降ホトセンサーブロ
ツクB−3〜B−Nに次々に入力される光情報信
号に就て実行され、原稿面の一ライン分の情報が
読取られる。
原稿面の全情報は、上記のライン読取りが終了
する毎に又は読取り乍ら、原稿面とホトセンサー
部とを相対的に移動され、上記の一ライン分の信
号処理動作が繰返されることによつて読取られ
る。
クロツク信号φc,φc−1,φc−2,……
…φc−M、信号φs−1,φs−2,………,
φs−Mは、以上の信号処理動作がそつなく実行
される様にタイミングが取られて、各々の入力端
子より入力される。第1図に示される実施態様例
に於ては、ホトセンサー部より出力される信号を
(a+b+………+S)個のコンデンサーで構成
される蓄積部とこれと同数のスイツチング素子
と、M個のシフトレジスタSR−1,SR−2,…
……,SR−Mによつて蓄積、転送を行つている
が、これ等に代えて、蓄積、転送機能を有する
CCDやBBD等のCTDを使用することも出来る。
この場合、適用されるCTDは、本発明の光電
変換装置を製造する際にホトセンサー部と共に同
一基板上に製造することが出来る。
本発明に於ては、光源Lの個数、ホトセンサー
ブロツクBの個数、ホトセンサーユニツトuの個
数、蓄積ユニツトSの個数、シフトレジスタSR
−1,SR−2,………,SR−Mの個数は、全数
量的に可能な限り減少させ得る様に光電変換装置
が設計され製造されるものであるが、これ等の規
定は、要求される読取解像度に従つて各々異な
る。
而乍ら、実装技術上の制約から、又、読出され
た後の信号処理上の問題から、1ホトセンサーブ
ロツクを構成するホトセンサーユニツト数Mは、
好適には2とされ、且つこれ等2つのホトセンサ
ーユニツトを構成するホトセンサー要素の数は同
数とされ、これに応じて蓄積ユニツト、スイツチ
ング素子、シフトレジスタの数が各々決定され
る。
ホトセンサーユニツトuを構成するホトセンサ
ー要素Eの数は、出力信号処理の煩雑さを避ける
為に、各ホトセンサーユニツトと同数とするのが
好ましいが、更に、その構成数は、所望とされる
ホトセンサーユニツト1つの全長及び解像度に依
つて決定される。例えば、ホトセンサーブロツク
Bを構成するホトセンサーユニツトuの数が2つ
である場合、隣りのホトセンサーブロツクを構成
する同配列順位のホトセンサーユニツトには光情
報が同時には入力されない様な構造とする為に、
1つのホトセンサーユニツトの全長をある程度長
くする必要があり、例えば4mm以上とされるが、
ホトセンサーユニツトの1つの全長を4mmとし解
像度を8pcl/mmとすれば、1つのホトセンサーユ
ニツトを構成するホトセンサー要素の数は32以上
と試算される。
而乍ら、第1図に示す様に、ホトセンサーユニ
ツト毎に分割され、順次点燈される多数の光源で
構成される照明部を有する光学装置を具備しない
で、例えば、ホトセンサー部の受光面を、ホトセ
ンサーユニツトの長手幅以下のスリツト幅を有す
るスリツトをホトセンサー部の一端より他端に向
つて移動走査させる事で前記受光面に光情報信号
を入力する場合には、各ホトセンサーブロツクの
同配列順位にあるホトセンサーユニツトに同時に
光情報信号を入力し得る可能性を出来る限り避け
ることが出来るので、上記に説明した様な制約
は、それ程受けないものである。
次に、本発明の光電変換装置の具備する光学装
置に就て、好適な実施態様を挙げて具体的に説明
する。
第2図aは、光電変換装置の構成を模式的に示
した模式的断面図である。
第2図aに示される光電変換装置は、光学装置
200として、LEDで構成される光源201
と、光源の周囲を覆う様に設けられる艶消アルミ
ニウム等の金属や、黒色樹脂等で形成された遮光
体202とで構成されるものを具備し、光源20
1によつて原稿面203を照射することによる反
射光を基板204上に配設されたホトセンサー部
205に入射させて、原稿面203上の情報を読
取る構造とされている。
今、遮光体202を設けることによつて、点燈
された光源よりの光が、対応するホトセンサーブ
ロツクに隣接するホトセンサーブロツクの同配列
順位のホトセンサーユニツトに照射されない様な
構造とされることを第2図bに従つて説明する。
第2図bには説明の都合上、第2図aに於け
る、ホトセンサー部205を同図点線で示す位
置、即ち、光源201の光軸にその受光面が垂直
になる位置に回転移動させて、該光軸に沿つて切
断した場合の図が示される。
ホトセンサー部205は、2つのホトセンサー
ユニツトu−1,u−2で構成されるホトセンサ
ーブロツクBを所定数有している。
光源201は、ホトセンサーユニツトuの数に
対応した数で4mmピツチで配列されて設けられて
おり、端より順序正しく、次々に点燈される構成
とされている。
今、光源201から、原稿面203の反射位置
までの距離loを、lo〓3mm、原稿面203の反射
位置よりホトセンサー部205の受光面までの距
離l2を、l2〓1mm、遮光体202の端から、原稿
面203の反射位置までの距離l1を、l1〓1mmと
し、1個の光源の照射領域の表示としてその光源
の中心軸からホトセンサー部205の受光面上の
拡がり距離をl3として表わせば、 l3〓4/2×lo+l/lo−l=4
mm となる。従つて、この場合、例えば光源201−
1からの照射光は、隣りのホトセンサーブロツク
B−2を構成するホトセンサーユニツトu−21
には、届かず、ホトセンサーユニツトu−11と
ホトセンサーユニツトu−21とを共通結線し
て、共通の蓄積ユニツトを使用しても信号の重複
蓄積は避けられる。
以上説明した様に、本発明の光電変換装置は、
所謂マトリツクス配線しているにも拘らず従来の
装置に較べ簡単な構成でクロストーク防止用のダ
イオードを使用することなく信号処理を行うこと
が出来、且つ、製造上、生産性、量産性に優れて
いて、安価に製造し得ること、信号処理能力が優
れていること等、数々の利点を有するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の光電変換装置の好適な実施
態様の1例の構成を示した構成図、第2図a,b
は、各々本発明の光電変換装置の具備する光学装
置の好適な実施態様例を説明する為の説明図であ
る。 200……光学装置、201……光源、202
……遮光体、203……原稿面、204……基
板、205……ホトセンサー部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 等ピツチで列状に配列されたn個のホトセン
    サー要素が一端より等数的に分配されてN個のホ
    トセンサーブロツクを構成し、各ホトセンサーブ
    ロツクは、M個のホトセンサーユニツトにグルー
    プ化されて、各ホトセンサーブロツクに於けるM
    個のホトセンサーユニツトが各ホトセンサーブロ
    ツクで順序正しく同じ配列順で配列されており、
    各ホトセンサーブロツクの同配列順位にあるホト
    センサーユニツトを構成するホトセンサー要素の
    中の同配列順位のホトセンサー要素同志が共通結
    線されているホトセンサー部; N個のホトセンサーブロツクの中の1つに対応
    して設けられ、該ホトセンサーブロツクを構成す
    るホトセンサーユニツト毎に一対一に設けられた
    M個の蓄積ユニツトを有し、これ等M個の蓄積ユ
    ニツトの各々が、対応するホトセンサーユニツト
    を構成するホトセンサー要素毎に一対一に対応し
    て結線されている蓄積要素で構成されている蓄積
    部; 前記ホトセンサーユニツト毎に対応して設けら
    れたMN個の光源と; 該光源を時系列的に点灯するための走査手段; とを具備する事を特徴とする光電変換装置。
JP7364679A 1979-06-11 1979-06-11 Photoelectric conversion unit Granted JPS55165066A (en)

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