JPS59153373A - 光センサ装置 - Google Patents
光センサ装置Info
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- JPS59153373A JPS59153373A JP58026270A JP2627083A JPS59153373A JP S59153373 A JPS59153373 A JP S59153373A JP 58026270 A JP58026270 A JP 58026270A JP 2627083 A JP2627083 A JP 2627083A JP S59153373 A JPS59153373 A JP S59153373A
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- Japan
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- sensor
- elements
- signal
- block
- circuits
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional array, or a combination of one-dimensional arrays, or a substantially one-dimensional array, e.g. an array of staggered elements
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1931—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays with scanning elements electrically interconnected in groups
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は光センサ装置に関し、特に多数の光反応型セン
サ素子からなるセンサを多数の発光素子からなる光源の
発光により照射し、前記センサ素子のブロック毎に順次
電圧を印加し、印加されたセンサ素子の信号を読み出す
光センサ装置に関する。
サ素子からなるセンサを多数の発光素子からなる光源の
発光により照射し、前記センサ素子のブロック毎に順次
電圧を印加し、印加されたセンサ素子の信号を読み出す
光センサ装置に関する。
従来技術
この種の光センサ装置はファク７ミリ装置や複写機等の
画像読み取り部等に広く用いられている。
画像読み取り部等に広く用いられている。
その従来構成では、読み出し時にセンサの先頭のブロッ
クのセンサ素子の読み出しの開始から最後尾のブロック
の読み出しの終了までの間を継続して、センサ上の全セ
ンサ素子が光源の発光により照射されている。すなわち
、個々のセンサ素子が信号を形成するのに必要な時間よ
り以外に長い時間照射が行なわれている。
クのセンサ素子の読み出しの開始から最後尾のブロック
の読み出しの終了までの間を継続して、センサ上の全セ
ンサ素子が光源の発光により照射されている。すなわち
、個々のセンサ素子が信号を形成するのに必要な時間よ
り以外に長い時間照射が行なわれている。
一方、この種の光センサ装置において、センサ素子とし
てアモルファス系素材から形成されたセンサ素子を用い
たものが提案されている。これはこの素子が光を照射さ
れている間に照射光の強弱に応じて電気抵抗が変化する
性質を持っていることを利用したものであり、この素子
に光を照射している間に電圧を印加すれば照射光の強弱
に応じた信号を取り出すことができる。
てアモルファス系素材から形成されたセンサ素子を用い
たものが提案されている。これはこの素子が光を照射さ
れている間に照射光の強弱に応じて電気抵抗が変化する
性質を持っていることを利用したものであり、この素子
に光を照射している間に電圧を印加すれば照射光の強弱
に応じた信号を取り出すことができる。
ところでこのアモルファス系素材のセンサ素子には光を
照射した時間に比例して感度特性が劣化するという性質
がある。例えば光照射０時間の時の感度を１．００％と
すると、１００Ｌｕｘの光を約８０時間（４８００分）
照射すると感度は５チ劣化し９５係になる。この場合、
５係以上感度が劣化すると、センサとして有効な機能が
果たせなくなる。
照射した時間に比例して感度特性が劣化するという性質
がある。例えば光照射０時間の時の感度を１．００％と
すると、１００Ｌｕｘの光を約８０時間（４８００分）
照射すると感度は５チ劣化し９５係になる。この場合、
５係以上感度が劣化すると、センサとして有効な機能が
果たせなくなる。
このようなアモルファス系素材のセンサ素子を用いた場
合、従来構成では先述したように、個々のセンサ素子が
信号を形成するのに必要な時間より以外に長い時間照射
が行なわれるので、その無、駄な照射時間の分だけよけ
いにセンサ素子の感度特性の劣化が進んでしまう。この
結果、センサが正常に機能は果たせる耐用期間は極めて
短くなってし捷う。
合、従来構成では先述したように、個々のセンサ素子が
信号を形成するのに必要な時間より以外に長い時間照射
が行なわれるので、その無、駄な照射時間の分だけよけ
いにセンサ素子の感度特性の劣化が進んでしまう。この
結果、センサが正常に機能は果たせる耐用期間は極めて
短くなってし捷う。
たとえはファクンミ１，１装置の画像読み取り部の光セ
ンサ装置の場合、Ａ４サイズの原稿１枚当りの通信時間
が１分間であるとし、−日の通信枚数が２０枚、−年間
の装置の稼動日数を２５０日とすると、−年間の通信時
間は５０００分（約８４時間）となる。通信時間すなわ
ち画像読み取り時間の間センサ」−のすべてのセンサ素
子が継続して光を照射されるので、照射時間は５０００
分となり、先述した８０時間（４８００分）を越えセン
サ素子の感度劣化は５係以上となる。
ンサ装置の場合、Ａ４サイズの原稿１枚当りの通信時間
が１分間であるとし、−日の通信枚数が２０枚、−年間
の装置の稼動日数を２５０日とすると、−年間の通信時
間は５０００分（約８４時間）となる。通信時間すなわ
ち画像読み取り時間の間センサ」−のすべてのセンサ素
子が継続して光を照射されるので、照射時間は５０００
分となり、先述した８０時間（４８００分）を越えセン
サ素子の感度劣化は５係以上となる。
すなわち上記の稼動条件によると従来構成の光センサ装
置では、わずか−年間の使用の後にセンサ機能に支障を
きたしてしまい、センサの交換を行なわなければならず
、その費用が高くついてＩ〜まう。
置では、わずか−年間の使用の後にセンサ機能に支障を
きたしてしまい、センサの交換を行なわなければならず
、その費用が高くついてＩ〜まう。
目 的
本発明は以上のような従来の欠点に鑑みてなされたもの
で、本発明の目的は冒頭に述べた種類の光センサ装置に
おいて、センサ素子として光の照射により経時的に感度
特性が劣化する素材からなるセンサ素子を用いた場合に
、感度特性の劣化を最小限に防止することが可能で、セ
ンサのＵ周年数が長く経済的な光センサ装置を提供する
ことにある。
で、本発明の目的は冒頭に述べた種類の光センサ装置に
おいて、センサ素子として光の照射により経時的に感度
特性が劣化する素材からなるセンサ素子を用いた場合に
、感度特性の劣化を最小限に防止することが可能で、セ
ンサのＵ周年数が長く経済的な光センサ装置を提供する
ことにある。
実施例
以下図面に示された実施例に基づいて、本発明の詳細な
説明する。ここではファン／ミリ装置の番 画像読み取り部の密着型ライセンサによる光センサ装置
に本発明を適用した例を実施例とする。
説明する。ここではファン／ミリ装置の番 画像読み取り部の密着型ライセンサによる光センサ装置
に本発明を適用した例を実施例とする。
第１図は本実施例の画像読取部の概略構成を示すもので
ある。
ある。
符号１で示すものは原稿であり、この原稿１の画像読み
敗り位置上には、原稿を照明する光源である２個のＬＥ
Ｄアレイ２，２が配置されている。
敗り位置上には、原稿を照明する光源である２個のＬＥ
Ｄアレイ２，２が配置されている。
Ｌ ｒ＞１）アレイ２，２から原稿１に照射された光の
反射光は、ＬＥＩ）アレイ２，２間に配置された集束型
光導伝体（セルフォック）３に導かれて、光電変換器で
あるラインセンサ４を照射する。この反射光の強弱がラ
インセンサ４により電気信号に変換されて出力されるこ
とにより画像の読み取りが行なわれる。
反射光は、ＬＥＩ）アレイ２，２間に配置された集束型
光導伝体（セルフォック）３に導かれて、光電変換器で
あるラインセンサ４を照射する。この反射光の強弱がラ
インセンサ４により電気信号に変換されて出力されるこ
とにより画像の読み取りが行なわれる。
第２図はラインセンサ４とＬ ＥＩ）アレイ２の構成お
よび両者の素子の位置の対応関係を示すものである。
よび両者の素子の位置の対応関係を示すものである。
ラインセンサ４は先述したアモルファス系素材からなる
多数（ｍ個）のセンサ素子８１〜Ｓｍが一列に配置され
て構成されている。これらのセンサ素子８１〜Ｓ［ｎは
連続した５個ずつで１個のブロックを構成している。
多数（ｍ個）のセンサ素子８１〜Ｓｍが一列に配置され
て構成されている。これらのセンサ素子８１〜Ｓ［ｎは
連続した５個ずつで１個のブロックを構成している。
またＬＥＤアレイ２に多数（ｎ個）のＴ、ＥＤからなる
発光素子Ｄ１〜Ｄへ、−列に配置されて構成されている
。これらの発光素子１） １〜１）３ｉは隣り合う２個
ずつがペアとなっており、この発光素子のペアの発光の
位置がラインセンサ４のセンサ素子ｓ１〜Ｓｍの各ブロ
ックの受光の位置と対応している。
発光素子Ｄ１〜Ｄへ、−列に配置されて構成されている
。これらの発光素子１） １〜１）３ｉは隣り合う２個
ずつがペアとなっており、この発光素子のペアの発光の
位置がラインセンサ４のセンサ素子ｓ１〜Ｓｍの各ブロ
ックの受光の位置と対応している。
すなわち第１のペアの発光素子Ｄ １ 、 Ｄ ２の発
光による原稿からの反射光は第１のブロックのセンサ素
子Ｓ１〜Ｓ５に受光される。以下配置順に各ブロックと
各ペアが対応している。
光による原稿からの反射光は第１のブロックのセンサ素
子Ｓ１〜Ｓ５に受光される。以下配置順に各ブロックと
各ペアが対応している。
なお、ラインセンサ４のセンサ素子Ｓ１〜Ｓｍは次に述
べる信号読み出し回路に接続されており、ＬＥＤアレイ
２の発光素子Ｄ１〜ｌ）ｎは後述するブロック選択回路
に接続されている。
べる信号読み出し回路に接続されており、ＬＥＤアレイ
２の発光素子Ｄ１〜ｌ）ｎは後述するブロック選択回路
に接続されている。
次に第３図に本実施例の信号読み出し回路の構成を示し
説明する。但し以下説明を簡略化する／ζめに、ライン
センサ４は１５個のセンサ素子Ｓ１〜８１５から構成さ
れ、ＬＥＤアレイ２は６個の発光素子から構成されてい
るものとする。
説明する。但し以下説明を簡略化する／ζめに、ライン
センサ４は１５個のセンサ素子Ｓ１〜８１５から構成さ
れ、ＬＥＤアレイ２は６個の発光素子から構成されてい
るものとする。
図において符号ｔｏで示すものは電源Ｖ十に接続された
電源線であり、電源線ｔｏには符号５Ｗ１Ｔｈ ＳＷ３
で示される３個のブロック選択スイッチが並列に接続さ
れている。このブロック選択スイッチＳＷＩ〜ＳＷ３は
ブロック選択回路から制御線Ｃｔ１〜Ｃ１３を介して送
られるブロック選択信号ＳＷＩ −ＯＮ −ＳＷ３−
ＯＮによりオンされる。ブロック選択回路については後
に詳しく説明する。
電源線であり、電源線ｔｏには符号５Ｗ１Ｔｈ ＳＷ３
で示される３個のブロック選択スイッチが並列に接続さ
れている。このブロック選択スイッチＳＷＩ〜ＳＷ３は
ブロック選択回路から制御線Ｃｔ１〜Ｃ１３を介して送
られるブロック選択信号ＳＷＩ −ＯＮ −ＳＷ３−
ＯＮによりオンされる。ブロック選択回路については後
に詳しく説明する。
ブロック選択スイッチ５Ｗ１−８Ｗ３のそれぞれの後段
には先述のラインセンザ４のセンサ素子Ｓ１〜Ｓ１５が
５個ずつのブロックとなって接続されている。
には先述のラインセンザ４のセンサ素子Ｓ１〜Ｓ１５が
５個ずつのブロックとなって接続されている。
センサ素子Ｓ１〜８１５はブロック内の順序に対応して
それぞれの信号線Ｓｔ１〜５ｔ１５が読み出し線ｒ４１
〜ｒ４５に接続されている。信号線Ｓｔ１〜５ｔ１５と
読み出し線ｒｌＡ〜ｒ５５とでマトリクス回路が構成さ
れている。
それぞれの信号線Ｓｔ１〜５ｔ１５が読み出し線ｒ４１
〜ｒ４５に接続されている。信号線Ｓｔ１〜５ｔ１５と
読み出し線ｒｌＡ〜ｒ５５とでマトリクス回路が構成さ
れている。
読み出し線ｒｔ１〜ｒｔ５のそれぞれの後段にはそれぞ
れＯＰアンプＯＰＩ〜ＯＰ５と抵抗Ｒ１〜Ｒ５からなる
増幅回路５−１〜５−５が接続されている。
れＯＰアンプＯＰＩ〜ＯＰ５と抵抗Ｒ１〜Ｒ５からなる
増幅回路５−１〜５−５が接続されている。
この増幅回路５−１〜５−５は読み出し時に読み出し線
ｒ１１〜ｒｔ５を介して印加されるセンサ素子Ｓ１〜８
１５の信号を増幅して後段に出力する回路である。
ｒ１１〜ｒｔ５を介して印加されるセンサ素子Ｓ１〜８
１５の信号を増幅して後段に出力する回路である。
増幅回路５−１〜５−５のそれぞれの後段にはサンプル
ホールド回路６−１〜６−５が接続されている。サンプ
ルホールド回路・６−１〜６−５はそれぞれ同時に作動
する共通スイッチＳＷ９〜５Ｗ１３とコンデンサ０１〜
Ｃ５とから構成されており、それぞれ増幅回路５−１〜
５−５の出力信号を一時的に保持する回路である。この
サンプルホールド回路６−１〜６−５のそれぞれのスイ
ッチＳＷ９〜ＳＷＩ ３は制御線を介して印加されるサ
ンプルホールド信号Ｓ Ｔ−１によりオンされる。
ホールド回路６−１〜６−５が接続されている。サンプ
ルホールド回路・６−１〜６−５はそれぞれ同時に作動
する共通スイッチＳＷ９〜５Ｗ１３とコンデンサ０１〜
Ｃ５とから構成されており、それぞれ増幅回路５−１〜
５−５の出力信号を一時的に保持する回路である。この
サンプルホールド回路６−１〜６−５のそれぞれのスイ
ッチＳＷ９〜ＳＷＩ ３は制御線を介して印加されるサ
ンプルホールド信号Ｓ Ｔ−１によりオンされる。
サンプルホールド回路６−１〜６−５のそれぞれの後段
には読み出し線選択スイッチＳＷ４〜４Ｗ８が接続され
ている。読み出し線選択スイッチＳＷ４〜′９Ｗ８ばそ
れぞれに制御線を介して印加される読み出し線選択信号
ＳＷ４− ＯＮ −ＳＷ８− ＯＮによりオンされる。
には読み出し線選択スイッチＳＷ４〜４Ｗ８が接続され
ている。読み出し線選択スイッチＳＷ４〜′９Ｗ８ばそ
れぞれに制御線を介して印加される読み出し線選択信号
ＳＷ４− ＯＮ −ＳＷ８− ＯＮによりオンされる。
これらの読み出し線選択スイッチＳＷ４〜ＳＷ８は後段
の出力端子ｏｕＴに接続されている。
の出力端子ｏｕＴに接続されている。
次に先述のブロック選択回路の構成を第４図に示し説明
する。
する。
図において符号７−１〜７−３で示すものはフリップフ
ロップ回路で、図中それぞれの上側の七ツト入力がｒＯ
Ｊで出力が「１」となり、図中それぞれの下側のリセッ
ト入力が「Ｏ」で出力が「０」となる。これらのぞれそ
れの「月の出力はブロック選択信号ＳＷＩ −０Ｎ−８
Ｗ３−ＯＮとなって先述の読み出し回路の制御線Ｃ／＝
１〜Ｃｔ３を介してブロック選択スイッチＳＷ１〜ＳＷ
３ ｒ導かれる。
ロップ回路で、図中それぞれの上側の七ツト入力がｒＯ
Ｊで出力が「１」となり、図中それぞれの下側のリセッ
ト入力が「Ｏ」で出力が「０」となる。これらのぞれそ
れの「月の出力はブロック選択信号ＳＷＩ −０Ｎ−８
Ｗ３−ＯＮとなって先述の読み出し回路の制御線Ｃ／＝
１〜Ｃｔ３を介してブロック選択スイッチＳＷ１〜ＳＷ
３ ｒ導かれる。
壕だフリップフロップ回路７−１〜７−３のそれぞれの
出力はバッファ回路Ｂ１〜Ｂ３を介してＬＥＩ）アレイ
２の発光素子Ｄ１〜Ｄ６のそれぞれのベアに接続されて
いる。このバッファ回路Ｂ１〜Ｂ３はノリツブフロップ
回路７−１〜７−３から［１−１の信号を入力されて「
１」の信号を出力する回路である。発光素子Ｄ１〜Ｄ６
のそれぞれのペアは、バッファ回路Ｂ １〜Ｂ３の出力
が「１」になることにより抵抗Ｒ６〜Ｒ７を介して電源
■１から電流を印加されて発光する。
出力はバッファ回路Ｂ１〜Ｂ３を介してＬＥＩ）アレイ
２の発光素子Ｄ１〜Ｄ６のそれぞれのベアに接続されて
いる。このバッファ回路Ｂ１〜Ｂ３はノリツブフロップ
回路７−１〜７−３から［１−１の信号を入力されて「
１」の信号を出力する回路である。発光素子Ｄ１〜Ｄ６
のそれぞれのペアは、バッファ回路Ｂ １〜Ｂ３の出力
が「１」になることにより抵抗Ｒ６〜Ｒ７を介して電源
■１から電流を印加されて発光する。
一方フリップフロップ回路７−１〜７−３はそれぞれの
セット入力が、微分回路８−１〜８−３に接続されてい
る。この微分回路８−１〜８−３のそれぞれは電源Ｖ＋
とナンドゲ−１−Ｎ １１〜Ｎ３のそれぞれの出力に接
続されている。ナントゲートＮ１〜Ｎ３の出力が「１」
から１０」に変化する時の微分回路８−１〜８−３の出
力によってそれぞれの７リツプフロツプ回路７−１〜７
−３が七ノドされる。
セット入力が、微分回路８−１〜８−３に接続されてい
る。この微分回路８−１〜８−３のそれぞれは電源Ｖ＋
とナンドゲ−１−Ｎ １１〜Ｎ３のそれぞれの出力に接
続されている。ナントゲートＮ１〜Ｎ３の出力が「１」
から１０」に変化する時の微分回路８−１〜８−３の出
力によってそれぞれの７リツプフロツプ回路７−１〜７
−３が七ノドされる。
但し、微分回路８−１はインバータ１１０を介して不図
示の制御回路から送られるセット信号８１’：Ｔによっ
ても作動される。
示の制御回路から送られるセット信号８１’：Ｔによっ
ても作動される。
ナンドゲー＋−Ｎ １〜Ｎ３のそれぞれの一方の入力は
不図示の制御回路からイン・（−タ■１〜■３を介して
送られるザンプルホールド信号Ｓ Ｔ−１の〕くルスの
立ち下がりにより「０」から「１−４に変化する。
不図示の制御回路からイン・（−タ■１〜■３を介して
送られるザンプルホールド信号Ｓ Ｔ−１の〕くルスの
立ち下がりにより「０」から「１−４に変化する。
寸だナントゲートＮ１〜Ｎ３のそれぞれの他方の入力は
ナンドゲ−１・のＮ１がフリツプンロソフ。
ナンドゲ−１・のＮ１がフリツプンロソフ。
回路の７−３の出力に、Ｎ２が７−１の出力に、Ｎ３が
７−２の出力に接続されている。
７−２の出力に接続されている。
すなわちフリップフロップ回路７−１の出力が「月の時
のサンプルホールド信号の立ぢ下がシによりす／ドゲー
トＮ２の出力が「１」から１０」になり゛、微分回路８
−２が作動して、フリップフロップ回路７−２がセット
される。同様にフリップフロップ回路７−２の出力が１
１」の時のサンプルホールド信号Ｓ Ｉ−（の立ち下が
りにより、フリップフロップ回路７−３がセットされる
。さらにクリップフロノゾ回路了−３の出力が「月の時
のサンプルホールド信号Ｓ Ｈの立ち下がりでフリップ
フロップ回路７−１がセットされる。
のサンプルホールド信号の立ぢ下がシによりす／ドゲー
トＮ２の出力が「１」から１０」になり゛、微分回路８
−２が作動して、フリップフロップ回路７−２がセット
される。同様にフリップフロップ回路７−２の出力が１
１」の時のサンプルホールド信号Ｓ Ｉ−（の立ち下が
りにより、フリップフロップ回路７−３がセットされる
。さらにクリップフロノゾ回路了−３の出力が「月の時
のサンプルホールド信号Ｓ Ｈの立ち下がりでフリップ
フロップ回路７−１がセットされる。
一方フリップフロップ回路７−１〜７−３はそれぞれの
り七ツト入力がナントゲートＮ４〜Ｎ６の出力に接続さ
れており、この出力が「０」となることによりリセット
される。但し、フリップフロップ回路７−１．７４２は
それぞれの他のりセラ］・入力に接続された初期リセッ
ト回路９の出力に１−−−−）ブｄ・リセットされる。
り七ツト入力がナントゲートＮ４〜Ｎ６の出力に接続さ
れており、この出力が「０」となることによりリセット
される。但し、フリップフロップ回路７−１．７４２は
それぞれの他のりセラ］・入力に接続された初期リセッ
ト回路９の出力に１−−−−）ブｄ・リセットされる。
ナントゲートＮ４〜Ｎ６のそれぞれの一方の入力は、ナ
ンドグ−１・のＮ４がフリップフロップ回路の７−２の
出力に、Ｎ５が７−３の出力に、Ｎ６が７−１の出力に
接続されておりそれらの出力が「１」の時「１」になる
。寸だナンドグ−１−ＮＬ、Ｎ５のそれぞれの他方の入
力は１．ナントゲートＮ４がインバータ丁４を介してナ
ンドグ−１−Ｎ ’２に、ナントゲートＮ５がインバー
タ■５を介してナンドグー１− Ｎ ３に接続されてい
る。ナントゲートの処方の入力は、サンプルホールド信
号を供給する制御回路にインバータ■６を介して接続さ
れている。
ンドグ−１・のＮ４がフリップフロップ回路の７−２の
出力に、Ｎ５が７−３の出力に、Ｎ６が７−１の出力に
接続されておりそれらの出力が「１」の時「１」になる
。寸だナンドグ−１−ＮＬ、Ｎ５のそれぞれの他方の入
力は１．ナントゲートＮ４がインバータ丁４を介してナ
ンドグ−１−Ｎ ’２に、ナントゲートＮ５がインバー
タ■５を介してナンドグー１− Ｎ ３に接続されてい
る。ナントゲートの処方の入力は、サンプルホールド信
号を供給する制御回路にインバータ■６を介して接続さ
れている。
先述したフリップフロップ回路７−２がセットされてそ
の出力が「１」となる時、ナンドグ−１・Ｎ２の出力は
「０」であるため、ナンドグ−１・Ｎ４は入力がＩｌｌ
、 ｒｌ−１となって、出力が［（月となる。これ
によりフリップフロップ回路７−１かりセットされる。
の出力が「１」となる時、ナンドグ−１・Ｎ２の出力は
「０」であるため、ナンドグ−１・Ｎ４は入力がＩｌｌ
、 ｒｌ−１となって、出力が［（月となる。これ
によりフリップフロップ回路７−１かりセットされる。
同様にしてフリップフロップ回路７−３がセットされる
と同時にフリップフロップ回路７−２がリセットされ、
フリップフロップｌ」路１−１がセットされると同時に
フリップフロップ回路７−３がり七〕］・される。
と同時にフリップフロップ回路７−２がリセットされ、
フリップフロップｌ」路１−１がセットされると同時に
フリップフロップ回路７−３がり七〕］・される。
次に以上の構成からなる本実施例の動作を第５図を参照
して説明する。第５図は本実施例の動作時における各信
号のタイミングチャート図である。
して説明する。第５図は本実施例の動作時における各信
号のタイミングチャート図である。
動作の開始にあたって電源がＯＮとなるとブロック選択
回路において初期リセット回路９が作動し、その時に出
力が不定であるフリップフロップ回路７−１．７−２を
リセットする。続いてインバータロ０にセット信号ＳＥ
Ｔのパルスが印加されることにより、微分回路８−１が
作動してフリップフロップ回路７−１をセットする。こ
の時フリップフロップ回路７−１のセットにより、出力
が不定だったフリップフロップ回路７−３かりセットさ
れる。
回路において初期リセット回路９が作動し、その時に出
力が不定であるフリップフロップ回路７−１．７−２を
リセットする。続いてインバータロ０にセット信号ＳＥ
Ｔのパルスが印加されることにより、微分回路８−１が
作動してフリップフロップ回路７−１をセットする。こ
の時フリップフロップ回路７−１のセットにより、出力
が不定だったフリップフロップ回路７−３かりセットさ
れる。
力＼°゛
フリップフロップ回路７−１のセットされてその出力が
「１」となることにより、ブロック選択信号ＳＷＩ−Ｏ
Ｎがオンされ、電源電圧Ｖ十が第１のブロックのセンサ
素子Ｓ１〜Ｓ５に印加される。
「１」となることにより、ブロック選択信号ＳＷＩ−Ｏ
Ｎがオンされ、電源電圧Ｖ十が第１のブロックのセンサ
素子Ｓ１〜Ｓ５に印加される。
これと同時にフリップフロップ回路７ー１の１１」の出
力によりバッファ回路Ｂ１の出力が「］」となり、抵抗
Ｒ６を介して発，光素子Ｄ １ 、 Ｉ’） ２に電流
が印加される。これにより発光素子ＤＩ，Ｄ２が発光し
て原稿１を照明し、その反射光が集光型光導伝体３を介
して導かれ発光素子Ｄｉ，Ｉ）２に対応した第１ブロツ
クのセンサ素子ｓ１〜ｓ５を照射する。センサ素子Ｓ１
〜Ｓ５に信号が形成される。
力によりバッファ回路Ｂ１の出力が「］」となり、抵抗
Ｒ６を介して発，光素子Ｄ １ 、 Ｉ’） ２に電流
が印加される。これにより発光素子ＤＩ，Ｄ２が発光し
て原稿１を照明し、その反射光が集光型光導伝体３を介
して導かれ発光素子Ｄｉ，Ｉ）２に対応した第１ブロツ
クのセンサ素子ｓ１〜ｓ５を照射する。センサ素子Ｓ１
〜Ｓ５に信号が形成される。
ここでセンサ素子Ｓ１〜Ｓ５および発光素子Ｉ）１。
Ｄ２への通電は１ｍｓ強の所定時間桁なわれる。この間
にセンサ素子Ｓ１〜Ｓ５の出力信号が安定し、後段の増
幅回路５−１〜５−５に導かれて増幅される。
にセンサ素子Ｓ１〜Ｓ５の出力信号が安定し、後段の増
幅回路５−１〜５−５に導かれて増幅される。
次にサンプルホールド信号Ｓ Ｉ−Ｉのパルスがサンプ
ルホールド回路６−１〜６−５の共通スイッチＳＷ９〜
ＳＷＩ ３に印加される。どのパルスの立ち」二すによ
り共通スイッチＳＷ９〜ＳＷ１３けオンされ、立ち下が
りによりオフされる。このオンの間に増幅回路５−１〜
５−５のそれぞれの出力すなわち第１ブロックのセンサ
素子Ｓ１〜Ｓ５の増幅された信号出力は、サンプルホー
ルド回路６−１〜６−５のそわぞれのコンデンサ０１〜
Ｃ５に印加され保持される。
ルホールド回路６−１〜６−５の共通スイッチＳＷ９〜
ＳＷＩ ３に印加される。どのパルスの立ち」二すによ
り共通スイッチＳＷ９〜ＳＷ１３けオンされ、立ち下が
りによりオフされる。このオンの間に増幅回路５−１〜
５−５のそれぞれの出力すなわち第１ブロックのセンサ
素子Ｓ１〜Ｓ５の増幅された信号出力は、サンプルホー
ルド回路６−１〜６−５のそわぞれのコンデンサ０１〜
Ｃ５に印加され保持される。
一方、ブロック選択回路においては、上記のサンプルホ
ールド信号ＳＨのパルスの立ち上がりの後の立ち下がり
により、フリップフロップ回路７−２がセットされる。
ールド信号ＳＨのパルスの立ち上がりの後の立ち下がり
により、フリップフロップ回路７−２がセットされる。
これにより同時にフリップフロップ回路７−１がリセッ
トされる。
トされる。
フリップフロップ回路７−２がセットされ、その出力が
「１」と々ることにより、今度は第２のブロック選択信
号５Ｗ２−ＯＮがオンとなるとともに第２のペアの発光
素子Ｄ ３ 、 Ｄ ４への通電が行なわれ、第２ブロ
ツクのセンサ素子Ｓ６〜８１０に信号が形成される。
「１」と々ることにより、今度は第２のブロック選択信
号５Ｗ２−ＯＮがオンとなるとともに第２のペアの発光
素子Ｄ ３ 、 Ｄ ４への通電が行なわれ、第２ブロ
ツクのセンサ素子Ｓ６〜８１０に信号が形成される。
但し、サンプルホールド信号の立ち下がりにより共通ス
イッチＳＷ９〜５Ｗ１３はオフとなっているので、セン
サ素子Ｓ６〜Ｓ１０の出力はサンプルホールド回路６−
１〜６−５のコンデンサ０１〜Ｃ５には印加されない。
イッチＳＷ９〜５Ｗ１３はオフとなっているので、セン
サ素子Ｓ６〜Ｓ１０の出力はサンプルホールド回路６−
１〜６−５のコンデンサ０１〜Ｃ５には印加されない。
寸だフリップフロップ回路７−１かりセットされ、その
出力が「０」となることにより、第１のブロック選択ス
ーイソチＳＷ１がオフされて、センサ素子Ｓ１〜Ｓ５へ
の電圧の印加は遮断される。同時に発光素子Ｄ １ 、
Ｄ ｒ’は通電を遮断されて消灯する。
出力が「０」となることにより、第１のブロック選択ス
ーイソチＳＷ１がオフされて、センサ素子Ｓ１〜Ｓ５へ
の電圧の印加は遮断される。同時に発光素子Ｄ １ 、
Ｄ ｒ’は通電を遮断されて消灯する。
次にサンプルホールド信号Ｓ Ｎの立ち下がりに同期し
て読み出し線選択スイッチＳＷ４に読み出し線選択信号
ＳＷ４− ＯＮのパルスが印加される。
て読み出し線選択スイッチＳＷ４に読み出し線選択信号
ＳＷ４− ＯＮのパルスが印加される。
そして以下読み出し線選択スイッチＳＷ５〜ＳＷ８に所
定間隔で読み出し線選択信号ＳＷ５− ＯＮ −８Ｗ８
−ＯＮのパルスが印加される。これにより読み出し線選
択スイッチＳＷ４〜ＳＷ８が次々にオン、オフされ、コ
ンデンサ０１〜Ｃ５に保持された第１ブロツクのセンサ
素子Ｓ１〜Ｓ５の出力信号が次々に出力端子０［ＪＴに
導かれ、出力されて信号が読み出される。
定間隔で読み出し線選択信号ＳＷ５− ＯＮ −８Ｗ８
−ＯＮのパルスが印加される。これにより読み出し線選
択スイッチＳＷ４〜ＳＷ８が次々にオン、オフされ、コ
ンデンサ０１〜Ｃ５に保持された第１ブロツクのセンサ
素子Ｓ１〜Ｓ５の出力信号が次々に出力端子０［ＪＴに
導かれ、出力されて信号が読み出される。
以下同様の動作の繰り返しによって、第２および第３ブ
ロツクのセンサ素子Ｓ６〜８１５の信号の読み出しがブ
ロック毎に順次行なわれる。
ロツクのセンサ素子Ｓ６〜８１５の信号の読み出しがブ
ロック毎に順次行なわれる。
以上の構成によれは、セ／す素子Ｓ１〜８１５にブロッ
ク毎に順次電圧が所定時間ずつ印加されるとともに、電
圧を印加されたセンサ素子のブロックに対応した発光素
子Ｄ１〜Ｄ６のペアが同じり遺ツ イミノグで同時間電源を印加されて発光し、その発光の
反射光が電圧を印加されたセンサ素子を照射して画像読
み取りの信号が形成される。
ク毎に順次電圧が所定時間ずつ印加されるとともに、電
圧を印加されたセンサ素子のブロックに対応した発光素
子Ｄ１〜Ｄ６のペアが同じり遺ツ イミノグで同時間電源を印加されて発光し、その発光の
反射光が電圧を印加されたセンサ素子を照射して画像読
み取りの信号が形成される。
すｌわちラインセンサ４の一ライン分の読み取りにおい
て、個々のセンサ素子Ｓ１〜８１５への光の照射時間は
、−ライン分の読み取り時間をブロック数で除した時間
となる。
て、個々のセンサ素子Ｓ１〜８１５への光の照射時間は
、−ライン分の読み取り時間をブロック数で除した時間
となる。
実際のラインセンサでは、例えばファク／ミリ装置のラ
インセンサはＡ４サイズ用のもので１７２８個のセンサ
素子から構成され、１ブロツクのセンサ素子数が３２個
で、ブロック数が５４に設定されているものがある。こ
の場合、本発明を適用すれば、センサ素子への光の照射
時間は従来に比して１１５４になる。単純に考えれはセ
ンサ素子すなわちセンサの４用期間が従来の５４倍とな
る。
インセンサはＡ４サイズ用のもので１７２８個のセンサ
素子から構成され、１ブロツクのセンサ素子数が３２個
で、ブロック数が５４に設定されているものがある。こ
の場合、本発明を適用すれば、センサ素子への光の照射
時間は従来に比して１１５４になる。単純に考えれはセ
ンサ素子すなわちセンサの４用期間が従来の５４倍とな
る。
なお、本発明の適用範囲は実施例に限らず、冒頭に述べ
た種類の光センサ装置のすべてに適用できる。
た種類の光センサ装置のすべてに適用できる。
効 果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば冒頭に
述べた種類の光センサ装置において、電圧を印加された
センサ素子のみを、それに対応する発光素子のみの発光
によって照射する構成を採用しだので、光の照射により
経時的に感度特性が劣化する素材からなるセンサ素子を
用いた場合に、感度特性の劣化を最小限に防止でき、セ
ンサの面１用年数が極めて長く、経済的な光センサ装置
を提供することができる。
述べた種類の光センサ装置において、電圧を印加された
センサ素子のみを、それに対応する発光素子のみの発光
によって照射する構成を採用しだので、光の照射により
経時的に感度特性が劣化する素材からなるセンサ素子を
用いた場合に、感度特性の劣化を最小限に防止でき、セ
ンサの面１用年数が極めて長く、経済的な光センサ装置
を提供することができる。
図は本発明の一実施例を説明するもので、第１図は要部
の概略構成図、第２図はラインセンサとＬＥＤアレイの
構成と対応関係を示す説明図、第３図は信号読み出し回
路の構成を示す回路図、第４図はブロック選択回路の構
成を示す回路図、第５図は読み出し動作時の各部の信号
状態を示すタイミングチャート図である。 ２・・・ＬＥＤアレイ ４・・・ラインセ／す６−
１〜６−５・・・サンプルボールド回路７−１〜７−３
・ フリップフロップ回路１］〜Ｉ）ｎ・発光素子
８１〜８ｍ・・・センサ素子ＳＷＩ〜ＳＷ３・ブロック
選択スイッチＳＷ４〜ＳＷ８・・読み出し線選択スイッ
チＢ １〜Ｂ３・・・バッファ回路 特許出願入′ キャノン株式会社 第１図 第２図
の概略構成図、第２図はラインセンサとＬＥＤアレイの
構成と対応関係を示す説明図、第３図は信号読み出し回
路の構成を示す回路図、第４図はブロック選択回路の構
成を示す回路図、第５図は読み出し動作時の各部の信号
状態を示すタイミングチャート図である。 ２・・・ＬＥＤアレイ ４・・・ラインセ／す６−
１〜６−５・・・サンプルボールド回路７−１〜７−３
・ フリップフロップ回路１］〜Ｉ）ｎ・発光素子
８１〜８ｍ・・・センサ素子ＳＷＩ〜ＳＷ３・ブロック
選択スイッチＳＷ４〜ＳＷ８・・読み出し線選択スイッ
チＢ １〜Ｂ３・・・バッファ回路 特許出願入′ キャノン株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- 多数の光反応型上ンサ素子からなるセンサを多数の発光
素子からなる光源の発光により照射し、前記センサ素子
のブロック毎に順次電圧を印加し、印加されたセンサ素
子の信号を読み出す光センサ装置行において、前記の印
加されたセンサ素子に対応する発光素子のみを発光させ
るように構成したことを特徴とする光センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026270A JPS59153373A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 光センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026270A JPS59153373A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 光センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153373A true JPS59153373A (ja) | 1984-09-01 |
Family
ID=12188583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58026270A Pending JPS59153373A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 光センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59153373A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080361A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165066A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion unit |
| JPS5698072A (en) * | 1979-12-26 | 1981-08-07 | Fujitsu Ltd | Driving system of original reader |
| JPS59269A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-05 | Toshiba Corp | 画像読取り用センサ− |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP58026270A patent/JPS59153373A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165066A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion unit |
| JPS5698072A (en) * | 1979-12-26 | 1981-08-07 | Fujitsu Ltd | Driving system of original reader |
| JPS59269A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-05 | Toshiba Corp | 画像読取り用センサ− |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080361A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ |
| JPH0135539B2 (ja) * | 1983-10-07 | 1989-07-26 | Mitsubishi Electric Corp |
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