KR0172980B1 - 광전변환장치 - Google Patents

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KR0172980B1
KR0172980B1 KR1019940013693A KR19940013693A KR0172980B1 KR 0172980 B1 KR0172980 B1 KR 0172980B1 KR 1019940013693 A KR1019940013693 A KR 1019940013693A KR 19940013693 A KR19940013693 A KR 19940013693A KR 0172980 B1 KR0172980 B1 KR 0172980B1
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이사무 우에노
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미타라이 하지메
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Abstract

본 발명은 복수의 광전변환요소를 병렬로 접속하는 병렬접속회로, 병렬로 접속된 복수의 광전변환요소로 부터 혼합신호를 판독하는 혼합신호판독회로, 복수의 광전변환요소마다의 독립한 개별신호를 판독하기 위한 개별신호판독회로, 혼합신호판독회로에 접속된 광측정수단, 및 개별신호판독회로에 접속된 거리측정회로로 이루어진 화상정보처리장치를 제공하는 것이다.

Description

광전변환장치
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 광전변환장치의 회로도.
제2a,2b도는 본 발명의 일실시예에 따른 광전변환장치의 설명도.
제3도는 본 발명의 실시예 1의 회로도.
제4도는 실시예 1의 변환장치의 동작을 설명하는 타이밍차트.
제5도는 실시예 1의 변환장치의 동작을 설명하는 타이밍차트.
제6도는 본 발명의 실시예 2에 따른 변환장치의 회로도.
제7도는 본 발명의 실시예 3에 따른 변환장치의 회로도.
제8도는 본 발명의 실시예 3에 따른 변환장치의 1광전변환요소의 등가회로.
제9도는 본 발명의 실시예 4에 따른 변환장치의 회로도.
제10도는 실시예 4의 변환장치의 동작을 설명하는 회로도.
제11도는 실시예 4의 변환장치의 동작을 설명하는 모식도.
제12도는 본 발명에 사용된 광전변환장치를 사용한 화상정보처리장치의 블록도.
제13a,13b도는 본 발명의 광전변환장치를 사용한 화상정보처리장치의 블록도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : n기판 102 : n-에피탁셜층
101' : 오믹접촉층 101'' : 콜렉터전극
103 : P베이스영역 104 : 절연막
105 : 게이트전극 106 : 에미터전극
107 : 절연막 108 : 에미테영역
본 발명은 복사기, 팩시밀리, 비디오카메라등의 화상정보처리장치에 사용되는 이미지센서 혹은 카메라의 자동노광 및/또는 자동초점장치의 AE/AF센서등의 광전변환장치에 관한 것이다. 근년, 전자기술의 발전에 따라, 카메라, 복사기, 팩시밀리등의 제품의 고기능화가 시도되어 왔다.
예를 들면, 현재 단일반사형카메라에 있어서는 거의 모든 제품에 자동노광(AE)기능 및 자동초점(AF)기능이 구비되어 있다.
AE기능에서는, 촬상영역에 상응하는 1프레임내의 전영역 혹은 1프레임영역내의 분할영역중 한 영역의 절대광량을 측정하여 노광량 혹은 셔터속도를 자동적으로 제어한다.
한편, AF기능에서는 피사체패턴의 상관연산에 의해 피사체거리를 연산하여, 렌즈위치를 자동제어한다.
즉, 정밀도를 향상시키기 위해 촬상영역을 보다 세분화할 필요가 있다.
따라서, AE와 AF사이에서는 촬상영역과 후처리가 다르기 때문에 별도의 광전변환장치(센서)를 사용할 필요가 있으며, 비용절감을 위해 개개의 장치에서는 각종 개선책이 되어있으나 충분한 효과는 얻지 못하고 있다.
또, AE기능에 사용되는 광측정센서에 있어서는, 전영역의 광량을 측정할 경우, 각 영역의 신호를 로그증폭기로 증폭하여 그 출력신호를 멀티플렉스한다. 또, AF기능에 사용되는 거리측정센서에 있어서는 각각의 수광영역을 구성하는 광트랜지스터의 에미터를 공통으로 연결하여 피크신호를 측정하나, 이 방식은 전수광영역의 절대광량을 측정하는 것이 곤란하여, AE기능에는 사용할 수 없다.
그예로서, 전자의 대표적인 예는 USP 5,115,124호에, 후자의 대표적인 예는 USP 4,751,559호에 상세히 기재되어 있다.
전자의 방식에 있어서는, 후단의 신호처리 및 신호를 멀티플렉스하기 위한 데코더의 구동이 복잡하며, 후자의 방식은 AE기능에 대해서는 적합하지 않다.
본 발명의 목적은 간단한 구성으로 수광영역의 실질적인 영역을 변화시킬 수 있는 고성능광전변환장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 목적은 본 발명의 실시예에 따라, 복수의 광전변환요소를 병렬로 접속하는 병렬접속스위치수단과, 병렬로 접속된 상기 복수의 광전변환요소로 부터의 혼합신호를 판독하기 위한 혼합신호판독수단과 상기 복수의 광전변환요소마다의 독립적인 개별신호를 판독하는 개별신호판독수단으로 이루어진 광전변환장치에 의해 달성된다.
본 발명에 의하면, 복수의 광전변환요소가 병렬로 접속되어 있으므로, 개개의 수광영역이 공통으로 접속되어 전수광영역의 혼합신호를 얻을 수 있다. 또, 간단한 구성으로 수광영역의 크기를 절환시킬 수 있다.
본 발명의 상기 목적 및 특징은 하기 설명 및 도면으로부터 명확해진다.
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 광전변환장치(센서)의 회로도이며, 여기에서는 3개의 광전변환요소가 사용된다.
Ph1, °°°, Ph3는 광전변환요소, M1및 M2는 병렬접속수단으로 작용하는 스위치소자, Vcc는 전원, Vo1, °°°, Vo3은 출력단자, (100)은 판독수단으로, 스위치소자 M1, M2가 판독수단에 의해 온 하면, 3개의 소자 Ph1, Ph2, Ph3가 병렬 접속되어 출력단자에서 혼합신호가 얻어진다.
한편, 소자 Ph1, °°°, Ph3중의 하나에서 개별신호를 유도해낼 경우, 판독수단(100)에 의해 스위치소자 M1및 M2를 오프하여 단자 VO1, VO2혹은 VO3에서 개별신호를 판독할 수 있다.
제2a 및 2b도는 상술한 센서의 일례를 도시한 모식도로서, 2a도는 그 상면을, 2b도는 A-A'선에 의한 단면을 나타낸다.
광전변환요소 Ph1, °°°, Ph3는 각각 기판(101), 캐소드로서 n-층(102)및 애노드로서 P영역(103)을 지니는 포토다이오드로 구성되어 있다. 스위치소자 M1및 M2는 P영역(103)을 소오스 및 드레인으로 하는 MOS형의 트랜지스터, 게이트절연층(104)및 게이트전극(105)으로 형성되어 있다.
(106)은 신호를 판독하기 위한 단자이며, 게이트전극(105)과 함께 판독수단(100)(제1도)에 접속되어 있다.
게이트전극(105)에 로우레벨의 펄스가 인가되면 PMOS트랜지스터 M1및 M2는 온하여 수광영역(P영역)이 공통으로 접속된다.
반면, 게이트전극(105)에 하이레벨의 펄스가 인가되면, PMOS트랜지스터 M1및 M2는 오프하여, 각 수광영역을 독립적으로 한다.
본 센서에서는, PMOS트랜지스터 M1및 M2의 선택적인 온/오프 동작에 의해 수광영역의 크기를 변화시킬 수 있다. 즉 트랜지스터 M1만을 온하면, 포토다이오드 Ph1,Ph2의 합성신호(혼합신호)가 얻어지고, 포토다이오드 Ph3에서는 단일의 포토다이오드출력이 얻어진다. 마찬가지로, 트랜지스터 M2만을 온하면, 포토다이오드 Ph2, Ph3의 합성신호가 얻어진다.
또, 본 발명의 센서는 다음과 같은 동작시퀀스에 따라 동작할 수 있다. 즉, 먼저, 트랜지스터 M1및 M2를 온하여 전수광영역의 신호를 얻는다. 다음, 트랜지스터 M1및 M2를 오프하여 각각의 포토다이오드의 신호를 개별적으로 얻는다. 이 방법으로, 합성신호와 개별신호를 얻을 수 있다.
더욱이, 상기 신호의 2회의 판독동작의 각각 직전에 포토다이오드를 리세트(초기화)하는 것이 바람직하며, 상술한 동작은 동일 반도체기판에 일체화된 구동회로 혹은 오프칩구동회로에 의해 제어된다.
본 발명에 사용되는 광전변환요소로서는 상술한 포토다이오드뿐만아니라, 바이폴라트랜지스터, 접합형전계효과 트랜지스터, 게이트절연형전계효과트랜지스터 및 정전유도 트랜지스터등을 들 수 있다.
본 발명에 사용되는 병렬접속수단으로서는 트랜지스터 및 전하결합소자(CCD)등을 들 수 있다.
본 발명에 사용되는 판독수단으로서는, 저항을 부하로 하는것, 용량을 부하로 하는 것 등이 있고 필요에 따라 CCD레지스터, BBD레지스터, 시프트레지스터 혹은 멀티플렉서등을 포함함으로써 출력단자의 수를 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 구체예에 대해 상세히 설명하나, 본 발명은 이들 구체예에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 목적을 달성하는 것이면 된다.
제3도와 관련하여, 본 발명의 제 1실시예에 대해 설명한다 본 실시예에서는 광전변환요소로서 바이폴라형 광전변환요소를 1차원형상으로 배열하며, 각 요소의 베이스영역을 PMOS트랜지스터 M11-M14를 개재하여 접속시킨다. 본 실시예에 있어서 병렬출력의 판독동작(판독모드 1)을 제4도의 타이밍차트와 관련하여 설명한다.
본 동작을 통하여 단자 ØT, ØVC에는 로우레벨의 전압이 인가되어, 바이폴라트랜지스터 B1-B4의 에미터단자는 부유상태에 있다. 또, 단자 ØR에는 로우레벨의 전압이 인가되어 PMOS트랜지스터 M11-M14는 온상태에 있고, 바이폴라트랜지스터 B1-B4의 베이스영역은 병렬접속되어 있다. 시각 t1에 있어서, ØBR펄스가 하이레벨로 상승하면, NMOS트랜지스터 MBR가 온상태로 되어 바이폴라트랜지스터 B1~B4의 베이스영역은 리세트전압 VBR으로 리세트된다. 다음에 시각 t2에 있어서, ØBR펄스가 하강하면, 바이폴라트랜지스터 B1-B4의 베이스영역은 공통접속된 채 부유상태로 된다.
따라서, 광전변환장치에 조사된 광은 각각의 바이폴라트랜지스터의 베이스 및 콜렉터간에 형성된 PN접합에 의해 광전변환되어, 발생한 전자호울쌍은 베이스영역상에 누적됨으로써 각 바이폴라트랜지스터의 베이스선(3)의 전위는 상승한다.
다음에 시각 t3에 있어서, 펄스 ØON가 상승하면 NMOS트랜지스터 MAI이 온상태로 되어, 베이스선(3)이 게이트에 접속되는 NMOS트랜지스터 MA2에 의해 증폭되고, 더욱이, 출력증폭기(4)에 의해 증폭된 신호가 출력단자 OUTI에서 출력된다.
이 동작에 의해, 수광영역전역에 조사되는 광강도가 결정되고, 이 신호를 기초로하여 도시하지 않은 광측정수단에 의해 노광량을 결정하여 AE동작을 행할 수 있다.
또, 본 실시예에 있어서, 광캐리어의 축적은 바이폴라트랜지스터의 에미터단자를 부유상태로 하여 행하거나, ØVC에 하이레벨의 전압을 인가하여 베이스-에미터 접합을 역바이어스 상태로 하여 축적동작을 행해도 된다. 이 경우, 베이스-에미터 접합영역에 있어서도 광전변환동작이 행해져 감도가 향상된다.
다음, 개개의 광전변환요소의 신호판독동작(판독모드2)을 제5도의 타이밍차트를 사용하여 설명한다. 먼저, 시각 t1에 있어서, ØR에 로우레벨의 펄스가 인가되어, 바이폴라트랜지스터 B1- B4의 베이스가 공통접속되고, 시각 t2에 있어서, ØBR가 상승하면 NMOS트랜지스터 MBR가 온상태로 되어, 베이스 영역은 전압 VBR으로 리세트된다.
리세트후에, 시각 t3에 있어서 ØR의 펄스는 중간레벨로 되어 PMOS트랜지스터 M11- M14는 오프상태로 되고, 개개의 광전변환요소는 단절된다.
시각 t4에 있어서, ØVC펄스가 상승하면 NMOS트랜지스터 M21∼ M24가 온상태로 되어 바이폴라트랜지스터 B1- B4의 에미터단자는 Vvc로 바이어스되고, 시각 t5에 있어서, ØR펄스가 하이레벨로 상승하면 바이폴라트랜지스터 B1- B4의 베이스전위는 용량 C1-C4을 개재하여 상승하고 베이스-에미터접합이 바이어스되어, 즉, 바이폴라트랜지스터는 동시에 에미터플로워동작을 행하여 베이스상에 호올이 재결합되고, 베이스전위는 Vvc+VBE로 하강한다(과도리세트). 과도리세트동작이 종료하면, ØR펄스는 중간레벨까지 하강하고 또한 베이스전위도 용량 C1-C4을 개재하여 하강하여, 베이스-에미터접합이 역 바이어스된다. 그후, 광캐리어의 축적동작이 개시된다. 소정의 축적시간이 경과한 후, 시각 t6에 있어서, ØT에 하이레벨의 펄스가 인가되면, NMOS트랜지스터 M31-M34가 온상태로 되고, 계속해서, 시각 t7에 있어서, ØVC에 하이레벨의 펄스가 인가되면 NMOS트랜지스터 M21-M24가 온상태로 되어, 바이폴라트랜지스터 B1- B4의 에미터단자 및 용량 CT1- CT4이 Vvc로 리세트된다.
리세트가 종료하면, ØVC펄스는 하강하여, NMOS트랜지스터 M21~M24가 오프상태로 되고 바이폴라트랜지스터 B1- B4의 에미터단자를 부유상태로 하며, 시각 t8에 있어서, ØR펄스가 상승하면, 베이스전위가 상승하여, 베이스-에미터접합이 바이어스되고, 각 광전변환요소의 베이스상에 축적된 광캐리어는 각각 용량 CT1- CT4로 판독된다.
다음, 시각 t9에 있어서, ØRES로 하이레벨펄스를 인가하여, NMOS트랜지스터 MRS를 온상태로 하고, 출력선(2)을 리세트한 후, 주사회로를 동작시켜 CT1상의 신호에서 시작하여 출력회로를 개재하여 출력단자 OUT2로 신호를 전송한다. 이 출력신호는 예를들면 외부회로에서 샘플-홀드처리 및 A/D변환처리한 후, 각 출력의 상관연산이 행해지고, 도시하지 않은 거리측정수단에 의해 초점위치를 검출하는 AF동작 등에 사용된다. AF동작이외에도 각각의 비트신호를 1차원신호로서 사용할 수 있다.
제6도는 본 발명의 제 2실시예를 도시한 것이다.
본 실시예는 제 1실시예를 확장하여, 광전변환요소를 2차원형상으로 배열한 것이다.
판독모드 1에 있어서는, 수직주사회로(10)의 출력 H1~H4을 모두 로우레벨로하면 행으로 광전변환요소가 병렬접속되고, 이들 배선은 선(3)에 의해 공통접속된 후 NMOS트랜지스터 MA2의 게이트단자에 접속된다. 그 결과, 배선(3)위에는 전화소의 베이스전압의 평균출력이 얻어지고, 또한, 증폭된 신호가 출력단자 OUTI에서 출력된다.
또, 판독모드 2에 있어서도, 제 1실시예의 ØR에 상응하는 펄스를 수직주사 회로에서 Hl~H4의 순으로 출력하면, 각 화소의 광신호가 출력단자 OUT2에 시계열적으로 출력된다.
제7도는 본 발명의 제 3실시예를 도시한 것이다.
본 실시예는 제6도의 제 2실시예와 비교하여, 광전변환요소의 각 행의 베이스선 각각에, 리세트용 NMOS트랜지스터 MRI-MR4, 증폭기의 입력단 NMOS트랜지스터 MA2l-MA24가 설치되어 있어, 판독모드 1에 있어서의 검출감도의 향상을 목적으로 하고 있다.
이하, 이것에 대해 제8도에 도시한 단위광전변환요소의 등가회로를 사용하여 간단히 설명한다.
제8도에 도시한 바와 같이, 바이폴라트랜지스터의 베이스영역에는,
Cox .. 광전변환요소의 리세트, 신호판독용 용량
Cg ‥‥ PMOS트랜지스터의 게이트용량
뿐만아니라, 기생용량으로서,
Cbc ‥‥ 베이스-콜렉터접합용량
Cbe ‥‥ 베이스-에미터접합용량
Cgs ‥‥ PMOS트랜지스터의 게이트오버랩용량
이 접속된다. 이때, 광이 조사된 것에 의한 베이스전위의 상승분 △VB는
다음과 같이 주어진다.
즉, 검출감도(△VB)는 접속된 광전변환소자의 수에 의존하지 않는다.
따라서, 본 실시예에서는, 각 행에 병렬접속된 요소의 출력 △VB를, NMOS트랜지스터MA1, MA21(i=1-4)로 구성되는 증폭기의 입력게이트에 출력하고, 이 출력을 공통접속하여 증폭기(4)에 공급하여 검출감도를 향상시킨다.
제9도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 것이다. 포토다이오드로 광전변환된 신호는 NMOS트랜지스터를 통해 수직 CCD51-54에 전송되고, 이들은 수평 CCD(5)에 의해 출력증폭기로부터 단자 OUT2에 출력된다.
한편, 개개의 포토다이오드는 NMOS트랜지스터를 개재하여 측방오버플로우드레인영역(50)에 접속되고, 그 전위는 출력증폭기를 통하여 단자 OUT1에 출력된다.
다음, 판독모드1의 구동에 대하여, 제10도 및 11도를 사용하여 간단히 설명한다.
제10도는 단위광전변환요소의 개략회로도이며, 포토다이오드와 그 양측에 NMOS트랜지스터, 또한, 그 양측에 수직 CCD(51)과 측방오버플로우드레인영역(50)이 형성되어 있다. 판독모드 1에 있어서, ØOG의 전위를 제11도의 파선 B까지 내리면, 포토다이오드영역에서 발생한 신호는 모두 오버플로우드레인 영역으로 전송된다.
상기 동작을 복수의 광전변환소자로 행하면, 광전변환신호를 오버플로우드레인 영역에 모을 수 있고, 출력증폭기를 통하여 단자 OUTI에서 전압으로서 검출할 수 있다 본 실시예에서는, 오버플로우드레인영역과 NMOS트랜지스터에 의해 포토다이오드를 실질적으로 병렬접속한다.
판독모드 2에서는, 종래의 CCD 신호전송방식을 그대로 사용할 수 있다. ØOG의 전위는 예를 들면 제11도의 실선 A로 설정하여 포토다이오드에서의 과잉캐리어가 수직 CCD에 누출되는 것없이 오버플로우드레인 영역으로 흐를 수 있도록 하면 스미어를 억압할 수 있다.
또, 본 실시예에서는, 판독모드 1로서 측방오버플로우드레인 영역을 사용하거나, 대신, 수직 CCD를 설치할 수도 있다.
제12도는 바이폴라트랜지스터를 사용한 경우의 센서의 단면도이다. 여기서, (101)은 n기판,(102)는 n-에피탁셜층, (101')은 콜렉터전극(101)과의 오믹접촉층, (103)는 P베이스영역, (104)는 절연막, (105)는 게이트전극, (106)은 에미터영역(108)에 접속된 출력단자인 에미터전극, (107)은 절연막이며, 게이트전극(105)으로 하이펄스, 중간펄스, 혹은 로우펄스를 인가함으로써, 스위치소자로서 작용하는 베이스영역(103)으로 형성된 소오스.드레인을 지닌 PMOS트랜지스터를 온-오프한다.
제13a도는 본 발명의 광전변환소자를 사용한 통신시스템, 팩시밀리, 비디오레코더, 복사기 혹은 스캐너등의 정보처리시스템의 구성을 도시한 블록도이다.
(OR)은 화상정보등을 담지한 서류, (601)은 초점렌즈, (602)는 본 발명의 광전변환장치이다.
광전변환장치는 팩시밀리용 라인센서, 및 비디오레코더용 에리아센서(area sensor )이다.
(603)은 중앙연산장치를 포함한 제어회로이며, 광전변환장치를 구동하기 위한 출력라인(610), 전원공급라인(611)을 개재하여 광전변환장치(602)에 접속되어 2개의 판독모드중 하나를 선택한다.
(604)는 기록제어회로이며, 기록헤드(605)와 접속되어 정보를 기록매체(606)에 기록한다.
기록헤드(605)는 비디오레코드의 경우 자기헤드이며, 팩시밀리의 경우는 서멀헤드 혹은 잉크제트헤드이다. 기록헤드(605)는 통신시스템의 경우에는 케이블을 개재하여 다른 장소에 위치시킨 기록장치로 대용된다.
본 발명의 광전변환소자는 서류가 서류함에 놓여있는지를 결정하는 광측정모드에 사용할 수 있으며, 검출결과(서류의 존재 또는 부재)에 따라 전원을 온-오프하여 전력소모를 절감시킨다.
또한, 판독동작은 서류의 검출후에 시작된다. 서류의 존재 혹은 부재를 검출할 때 약한 LED광이 반짝이며 서류에 조사되어 서류의 존재를 알리는 것과 동시에 광측정모드에서 센서로 감지된 신호가 검출된다. 서류가 존재하지 않을때는 광 측정모드에서 센서에 의한 신호가 얻어지지 않아 서류의 부재가 검출된다. 더욱이, 서류함의 덮개면에 반사방지피막을 입혀, LED광이 서류를 향한 서류함의 덮개면에 의해 반사되는 것과, 반사광이 센서에 조사되는 것을 방지한다.
본 발명은 상술한 바와 같은 정보처리시스템에 호적하게 사용되며, 카메라등의 촬상장치에 사용할 경우, 제13b도에 도시한 바와 같이, 혼합신호를 광측정수단(620)에 공급하여 촬상시 노광량을 결정하고, 이 노광량에 의거하여 조리개 및 셔터속도를 결정한다. 또, 개별신호를 거리측정수단(621)에 입력함으로써 초점위치를 검출한다.
이들 광측정수단 및 거리측정수단은 광전변환장치에 접속되어, 이들로 부터의 출력신호를 처리한다. 또, 제어회로(603)에 의해, 각각의 광전변환요소의 개별신호를 판독하는 모드 및 복수의 광전변환요소의 합성(혼합)신호를 판독하는 모드중의 하나를 선택하여 소정신호를 얻도록 한다.
본 발명에 의하면, 간단한 구성으로 수광영역의 크기를 절환시킬 수 있으므로, 고기능의 광전변환장치를 콤팩트화하고, 저렴한 가격으로 제공하게 한다.

Claims (19)

  1. 광전변환요소를 각각 포함하는 복수의 광전변환화소와 상기 광전변환요소로부터의 신호를 증폭해서 출력하는 증폭기수단을 가지고, 상기 복수의 광전변환화소로부터의 신호를 순차 판독하는 개별신호판독수단과, 내부에 포함된 광전변환요소로부터 복수의 각 광전변환화소에 포함된 증폭기 수단으로 각각 입력되는 신호를, 복수의 광전변환화소중에서 선택적으로 혼합하고, 그 혼합된 신호를 출력하는 혼합신호판독수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  2. 광전변환요소를 각각 포함하는 복수의 광전변환요소와 상기 광전변환요소로부터의 신호를 증폭해서 출력하는 증폭기수단을 가지고, 상기 복수의 광전변환화소로부터의 신호를 순차판독하고, 거리측정수단이 접속된 개별신호판독수단과, 내부에 포함된 증폭기수단으로 각각 입력되는 신호를 복수의 광전변환화소중에서 선택적으로 혼합하고, 그 혼합된 신호를 출력하며, 광측정수단이 접속된 혼합신호판독수단으로 이루어진 광전변환장치를 가진 것을 특징으로 하는 화상정보처리장치.
  3. 광전변환요소를 각각 포함하는 복수의 광전변환요소와 상기 광전변환요소로부터의 신호를 증폭해서 출력하는 증폭기수단을 가지고, 상기 복수의 광전변환요소로부터의 신호를 순차 판독하는 개별신호판독수단과, 내부에 포함된 증폭기수단으로 각각 입력되는 신호를 복수의 광전변환화소중에서 선택적으로 혼합하고, 그 혼합된 신호를 출력하는 혼합신호판독수단으로 이루어진 광전변환장치와, 광원을 구비한 것을 특징으로 하는 화상정보처리장치.
  4. 광전변환요소를 각각 포함하는 복수의 광전변환요소와 상기 광전변환요소로부터의 신호를 증폭해서 출력하는 증폭기수단을 가지고, 상기 복수의 광전변환요소로부터의 신호를 순차 판독하는 개별신호판독수단과, 내부에 포함된 증폭기수단으로 각각 입력되는 신호를 복수의 광전변환화소중에서 선택적으로 혼합하고, 그 혼합된 신호를 출력하는 혼합신호판독수단으로 이루어진 광전변환장치와, 상기 광전변환장치로부터의 화상신호를 기록매체에 기록하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 화상정보처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 혼합신호판독수단은 복수의 광전변환요소의 신호의 평균출력을 생성하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 증폭기수단은 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 증폭기수단은 상기 복수의 광전변환화소의 상기 광전변환요소를 병렬접속하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  8. 제2항에 있어서 ,상기 혼합신호판독수단은 서로 인접한 광전변환화소의 신호를 선택적으로 혼합해서, 그 혼합신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 개별신호판독수단으로부터의 출력신호를 처리하는 처리수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  10. 제12항에 있어서, 상기 처리수단은 상기 개별신호판독수단으로부터의 출력신호에 의거해서 거리정보를 얻는 거리측정회로를 또 구비한 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 혼합신호판독수단으로부터의 출력신호에 의거해서 피사체의 밝기를 측정하는 광측정회로를 또 구비한 것을 특징으로 하는 광전변관장치.
  12. 복수의 광전변환요소와, 상기 복수의 광전변환요소로부터의 개별광전변환신호를 순차적으로 판독하는 제1출력 수단과, 상기 복수의 광전변환요소를 순차적으로 접속하는 공통접속선과, 상기 공통접속선을 소정의 전압에 접속함으로써 상기 복수의 광전변환요소를 리세트하는 리세트수단과, 상기 공통접속선이 상기 소정의 전압에 접속되지 않을 때 상기 공통접속선에 대한 출력신호를 얻는 제 2출력수단을 구비한 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  13. 제15항에 있어서, 상기 각 광전변환요소는 광전변환신호를 증폭하는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  14. 제16항에 있서서, 상기 트랜지스터는 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  15. 제17항에 있어서, 상기 공통접속선은 인접한 트랜지스터의 제어전극을 선택적으로 접속하는 복수의 절환소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  16. 제15항에 있어서, 또, 상기 제 1출력수단으로부터의 출력신호를 처리하는 처리수단을 구비한 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  17. 제19항에 있어서, 상기 처리수단을 상기 제 1출력수단으로부터 상기 출력신호에 의거해서 거리정보를 얻는 거리측정회로를 구비한 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 제 2출력수단으로부터의 출력신호에 의거해서 피사체의 밝기를 측정하는 광측정회로를 또 구비한 것을 특징으로 하는 광전변환장치.
  19. 복수의 광전변환요소를 병렬로 접속하는 병렬접속수단과, 병렬로 접속된 복수의 광전변환요소의 신호를 합산함으로써 형성된 신호를 판독하는 신호판독수단과, 복수의 각 광전변환요소의 신호를 개별적으로 판독하는 개별신호판독수단과 광측정모드, 영상처리모드 및 리세트모드를 선택하는 모드선택수단과, 상기 모드선택수단이 상기 광측정모드를 선택할 때 상기 신호판독수단의 출력신호에 의거해서 물체의 밝기를 측정하고, 상기 모드선택수단이 상기 화상처리모드를 선택할 때 상기 개별신호판독수단의 출력을 처리하며, 상기 병렬접속수단을 소정의 리세트모드에 접속함으로써 상기 복수의 광전변환요소를 리세트하는 제어수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화상형성처리장치.
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