JPS62191466A - ジルコニア多結晶独立薄膜及びその製造方法 - Google Patents

ジルコニア多結晶独立薄膜及びその製造方法

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JPS62191466A
JPS62191466A JP61034356A JP3435686A JPS62191466A JP S62191466 A JPS62191466 A JP S62191466A JP 61034356 A JP61034356 A JP 61034356A JP 3435686 A JP3435686 A JP 3435686A JP S62191466 A JPS62191466 A JP S62191466A
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加藤 悦朗
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ジルコニア、あるいは種々の金属酸化物を固溶した広義
のジルコニアは、最近各種のファインセラミックスとし
て利用されている。ジルコニアにY2O3等の稀土類酸
化物、 CaOまたはMgOなどを固溶した多結晶セラ
ミックスは、固溶量が十分に多い場合は安定化ジルコニ
アと呼ばれ、耐火物の他。
酸素イオン固体電解質として各種センサーおよび酸素ポ
ンプ等の応用がある。また比較的固溶量の少いものは部
分安定化ジルコニアと呼ばれ1強靭性を示すことから刃
物などに使用される。
従来これらは、微粒子粉末を成形焼成した通常のセラミ
ック体が専ら使用され、少くとも厚さ30μm以下の独
立薄膜として応用された例はない。
このようなセラミックスが製造できれば、少くとも、セ
ンサー類は極めて小型高感度のものとなり。
さらに酸素分離膜としての利用も現実化してくる。
また刃物なども刃の部分だけを製造して他の材料と組合
せろことができる訳で極めて経済的となる。
さらに単斜ジルコニアのままでは従来セラミ、ソクスと
して応用されていないが、この多孔質独立薄膜は濾過材
や、湿度センサーなどとして応用される筈である。
従来薄膜の製造法として、湿式では、ドクターブレード
法など、泥しようを使用したも冬、約50μm程度以下
の独立薄膜セラミックスの製造は不可能とされてきた。
アルコキシド加水分解法ではさらに薄い皮膜の形成が可
能であるが1通常非晶質で、独立薄膜のセラミックスに
はならない。気相法1例えばCVDでも30μm以下の
薄膜は形成するが、やはり強度を持つ独立薄膜のセラミ
ックスとして得ることはできない。本発明は特殊なゾル
を利用した湿式法で、極めて薄い膜状のセラミックスと
して2粒径0,5μm以下のジルコニア超微結晶からな
る均一組織で、厚さが30μm以下であるジルコニア多
結晶独立薄膜を与えるものである。
またこのような薄膜を得るための本発明の方法は。
幅100Å以下の短棒状または短冊状の単斜ジルコニア
超微結晶が高分散状態で解膠した半透明の水性ゾル、ま
たはこれにY8+等の稀土類金属イオン。
Ca2+およびMg2+の群から選ばれた1種以上を。
可溶性塩もしくはコロイド粒子の形で添加混合した半透
明の水性ゾルを調製し、これを一時的な基体物質の表面
上に静置してその自由表面から脱水濃縮することにより
多孔質半透明のゲル薄膜を成形し1次いでこの薄膜を5
00℃以上の温度で焼成することを特徴とするものであ
る。
本発明において1幅100Å以下の短棒状または短冊状
の単斜ジルコニア超微結晶の高分散状態で解膠した半透
明の水性ゾルは、均一な膜厚と微組織を持つ安定なゲル
薄膜を成形するのに不可欠である。特に高濃度のジルコ
ニウム塩を濃塩酸中で水熱処理して得られる泥状物をイ
オン交換によって分散解膠させたゾルは短棒状でかつ高
分散しており本発明に最も適したものである。このよう
なゾルは比較的安定な薄膜を形成し易り、シかもこの薄
膜は単斜ジルコニア超微結晶が配向的に連結したものと
なり、微粒子と配向の二つの極めて重要な効果を持つ。
すなわちこのゲルは容易に焼結して比較的低温で一体的
となるが、乾燥収縮や焼成収縮が膜に垂直方向に大きく
平行方向に小さくなり、結果として緻密化しても亀裂の
発生、変形等が起り難く、優れた均一組織と膜厚を持つ
薄膜を作ることができるのである。
薄膜の成形やその後の取扱いをさらに容易にするために
、ジルコニア量の1〜10ωt%のPVA (ポリビニ
ルアルコール)やPEO(ポリエチレンオキサイド)等
の水性有機高分子をゾル中に混合することも勿論可能で
あり、これらは500 ’C以上の熱処理で十分燃焼除
去される。
実験の結果によれば、単斜ジルコニアの含有量の少ない
稀薄なゾルから出発し、長時間をかけて濃縮ゲル化させ
た程、均一で半透明のよく配向しt:優れた薄膜を形成
することができる。また薄膜形成のために、ゾル中ジル
コニア超微結晶は異方形状であることの他に、凝集の少
い高分散性であることが決定的な因子であり、ゾルの半
透明性はその明瞭な尺度となることが分っt:。例えば
、十分解膠して沈澱を生成しないX線的な見掛けの結晶
子径50Å以下の単斜ジルコニア超微粒子ゾルでも、電
子顕微鏡によれば通常は500Å以上の凝集粒子からな
り、02モル/l程度の濃度ですでに乳濁度が高く白色
、牛乳状である。このようなゾルでは亀裂のないゲル薄
膜を形成することは不可能である。
本発明の幅100八以下の短棒状または短冊状をした異
方形状のlli斜ジルコニアの高分散半透明水性ゾルは
1例えばガラス面上でほぼ透明な薄膜を上にPVAの皮
膜を形成し、さらにその表面にPVAを含むゲル薄膜を
形成すれば、この2層の膜はガラス面から剥離すること
ができるので直接高温焼成が可能である。しかし膜厚が
数μ品以下の超薄膜では、500℃程度まで基体と一緒
に焼成するのが望ましい。500 ℃程度の温度で超微
粒子は初期焼結によって膜強度を高める。膜がガラス面
と密着し剥離が内性となる場合は 1 t3/、程度の
フッ酸の含浸によって剥離することができろ。
ゾル段階で混合するか、ゲル膜に含浸するかして加えら
れろ金属塩などは、加熱過程で酸化物に変化シ、  4
00’C附近ですでにジルコニアに固溶シ始め、600
℃附近で単斜ジルコニアは殆んど正方または立方型結晶
となる。さらに高温で焼成し。
平らで緻密な固溶体の独立薄膜とするためには。
薄膜は炭素平面上に置き、あるいは炭素平面に挟んで、
非酸化雰囲気中1000℃以上で焼成し、要すれば空気
中1000℃附近でアニールすることが望ましい。
実施例1 試薬塩化ジルコニル(Z rOcI 2 ・8 H2O
)を52ダ秤取し、これに蒸留水約10tptlを加え
たきらず状混合物をテフロン容器中に密閉し、オートク
レーブ中で200℃に加熱し、5日間保持して水熱処理
を行い、得られた白色の泥状物を蒸留水で約1.51ま
で稀釈し、イオン交換樹脂で処理してPHを5まで高め
た。生成したゾルはほぼ完全に解膠しており、半透明で
透過光は赤味を帯びていた。電子顕微鏡によれば幅約4
0人、長さ約100人の単斜ジルコニアの短棒状超微結
晶からなっていた。このゾルに、ゾル中ジルコニア量の
約8ωt%に相当スるPVAの水溶液を加え、十分攪拌
して均一な半透明ゾルとした。このゾル中単斜ジルコニ
ア超微結晶の含有量は約0.1モル/lであちた。これ
をシャーレ中、3mの深さまで入れ、蒸発固化させ、ゲ
ル薄膜を形成させた。これをシャーレとともに約500
℃に焼成し、  PVAを燃焼除去した後、1%HF水
溶液をシャーレ中に注いだ。数分後、シャーレから剥離
した薄膜を取り出し、十分に水洗を繰り返し。
テフロンシート上で乾燥した。生成した膜は厚さ約5μ
mの多孔質膜で、X線回折によれば、結晶子径約70人
の単斜ジルコニア多結晶からなり、短棒状1)を斜ジル
コニアの膜面への配向が認められた。
実施例2 実施例1と同様の、短棒状の単斜ジルコニア超微結晶を
0.07モル/4の濃度で含有し、且ゾル中ジルコニア
爪の約8ωt%のPVAを混合した半透明の水性ゾルに
対し、さらにゾル中ジルコニア爪の約6モル%および約
15モル%のYCl3を加え。
均一に混合した2種類の半透明ゾルを調製した。
別に4個のガラスシャーレを用意し、シャーレ中に予め
1ωt L3/、 PVA水溶液を約21の深さに入れ
、蒸発固化させて、  PVA薄膜を形成し、この上に
上記ゾルを約1.5xtxt、および約4Hの深さに入
れ蒸発固化させて半透明ゲル膜を形成した。これをシャ
ーレから剥離し、アルミナ板上で空気中550℃に焼成
して多孔質膜とし、さらにこれを二枚の炭素板に挟んで
アルゴン中1300’Cに焼成し9次いでアルミナ板上
で1000℃でアニールすることによりほぼ透明な多結
晶薄膜を得た。X線回折によればこの薄膜はイツトリウ
ムの少い方は正方型、多い方は立方型結晶であり、膜厚
は約3μmおよび約10μmであった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)粒径0.5μm以下のジルコニア超微結晶からなる
    均一組織で、厚さが30μm以下であるジルコニア多結
    晶独立薄膜。 2)幅100Å以下の短棒状または短冊状の単斜ジルコ
    ニア超微結晶が高分散状態で解膠した半透明の水性ゾル
    、またはこれにY^3^+等の稀土類金属イオン、Ca
    ^2^+およびMg^2^+の群から選ばれた1種以上
    を、可溶性塩もしくはコロイド粒子の形で添加混合した
    半透明の水性ゾルを調製し、これを一時的な基体物質の
    表面上に静置してその自由表面から脱水濃縮することに
    より多孔質半透明のゲル薄膜を成形し、次いでこの薄膜
    を500℃以上の温度で焼成することを特徴とするジル
    コニア多結晶独立薄膜の製造方法。
JP61034356A 1986-02-19 1986-02-19 ジルコニア多結晶独立薄膜及びその製造方法 Pending JPS62191466A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020195346A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 株式会社デンソー 固体電解質、ガスセンサ

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WO2020195346A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 株式会社デンソー 固体電解質、ガスセンサ
JP2020158342A (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 株式会社デンソー 固体電解質、ガスセンサ
CN113631530A (zh) * 2019-03-26 2021-11-09 株式会社电装 固体电解质、气体传感器
CN113631530B (zh) * 2019-03-26 2023-12-12 株式会社电装 固体电解质、气体传感器

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